Eletrodo tipo wafer reativo quimicamente de alumínio e gálio e método de fabricação do mesmo

  • Número do pedido da patente:
  • PI 0905027-2 A2
  • Data do depósito:
  • 18/11/2009
  • Data da publicação:
  • 30/09/2014
Inventores:
  • Classificação:
  • C25B 11/04
    Eletrodos; Sua manufatura n?o inclu?da em outro local; / caracterizados pelo material;
    ;
    C25B 1/04
    Produ??o eletrol?tica de compostos inorgânicos ou de n?o metais; / de hidrog?nio ou de oxig?nio; / por eletr?lise da ?gua;
    ;

ELETRODO TIPO WAFER REATIVO QUIMICAMENTE DE ALUMíNIO E GÁLIO E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DO MESMO. Eletrodo tipo wafer reativo quimicamente de alumínio e gálio que compreende um leito de alumínio (1A) produzido a partir de um bloco de alumínio com paredes superior (1C) e inferior (1D) e paredes laterais (1E); em que são formados leitos de engaste (1B) entre as paredes superior (1C) e inferior (1D) e paredes laterais (1E), os leitos de engaste (1B) separados entre si por uma parede interna (1F), e nos referidos leitos de engaste (1B) será engastado gálio.