João Wesley Lopes Sakai

Possui graduação em Engenharia Elétrica pela Universidade de Brasília(1984), graduação em Física pela Universidade de Brasília(1985), mestrado em Física pela Universidade de Brasília(1988) e doutoradopela University of Nottingham(1997). Tem experiência na área de Física, com ênfase em Física da Matéria Condensada. Atuando principalmente nos seguintes temas:resonant tunnelling, quantum well, double barrier diodes, donor-assisted, Zero-dimentional states e Magnetic field.

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Acadêmico

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Formação acadêmica

Doutorado

1990 - 1997

University of Nottingham
Título: Donor-assisted Resonant Tunnelling in Semiconductor Heterostructures
Orientador: Prof. Laurence Eaves
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Palavras-chave: resonant tunnelling; quantum well; double barrier diodes; donor-assisted; Zero-dimentional states; Magnetic field. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Transp. Eletrônicos e Prop. Elétricas de Superfícies; Interfaces e Películas. Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos. Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Tunnelling.

Mestrado em Física

1985 - 1988

Universidade de Brasília
Orientador: Dr. Antonio Clevis Nunes Oliveira (O.A.C. Nunes)
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Palavras-chave: particle-field interactions; phonon instabilities.Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part.. Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos. Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Materiais Magnéticos e Propriedades Magnéticas. Setores de atividade: Outros Setores.

Graduação em Física

1983 - 1985

Universidade de Brasília

Graduação em Engenharia Elétrica

1979 - 1984

Universidade de Brasília

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Idiomas

Inglês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Espanhol

Compreende Bem, Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.

Português

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

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Áreas de atuação

    Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..

    Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Atômica e Molecular/Especialidade: Espectros Atômicos.

    Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Tunelamento em Semicondutores.

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Comissão julgadora das bancas

Paulo César de Morais

MORAIS, P. C.. Instabilidade nos sistemas de fónons e magnons em semicondutores na presença de campos externos. 1988. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de Brasília.

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Foi orientado por

Paulo César de Morais

1998; Universidade de Brasília, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Paulo Cesar de Morais;

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Produções bibliográficas

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