Ivan Rodrigo Kaufmann

Graduação em Física obtida pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS). Tem Mestrado e Doutorado em Microeletrônica pela mesma Universidade. Possui conhecimento em fabricação de dispositivos semicondutores, tendo experiência nas áreas de limpeza química, difusão, oxidação e nitretação térmica, tratamento térmico rápido, deposição de filmes finos (sputtering, ALD e evaporação térmica) e fotolitografia. Com relação à técnicas de caracterização, possui experiência com feixe de íons (RBS, MEIS e reações nucleares), XPS, TEM, Corrente-Tensão, Capacitância-Tensão, Elipsometria Espectral e Reflectometria de raio X. Atualmente realiza pós-doutorado na Universidade de Paderborn - Alemanha, pesquisando sobre aumento da performance de transistores de filme fino (TFT) utilizando nanopartículas de óxido de zinco para aplicação em eletrônica flexível.

Informações coletadas do Lattes em 18/06/2019

Acadêmico

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Formação acadêmica

Doutorado em Microeletrônica

2013 - 2017

Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Título: Diodos Schottky de SiC para uso como detectores de energia de partículas carregadas
Henri Ivanov Boudinov. Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil. Palavras-chave: carbeto de silício (SiC); detecção de radiação; Estrutura Schottky; Metal-Isolante-Semicondutor.Grande área: Ciências Exatas e da TerraGrande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Materiais Dielétricos e Propriedades Dielétricas. Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Nuclear / Especialidade: Métodos Experimentais e Instrumentação para Partículas Elementares e Física Nuclear.

Mestrado em Microeletrônica

2011 - 2013

Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Título: Estabilização de Filmes Finos de Óxido de Germânio por Incorporação de Nitrogênio Visando à Aplicações em Nanoeletrônica,Ano de Obtenção: 2013
Gabriel Vieira Soares.Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil. Palavras-chave: Germânio; dióxido de germânio; crescimento térmico; oxinitretação,; recozimento térmico.Grande área: Ciências Exatas e da TerraGrande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Materiais Dielétricos e Propriedades Dielétricas. Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Química / Subárea: Físico-Química / Especialidade: Química de Interfaces.

Graduação em Física - Licenciatura

2007 - 2011

Universidade Federal do Rio Grande do Sul

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Pós-doutorado

2018

Pós-Doutorado. , Universität Paderborn, UNI/Paderbon, Alemanha. , Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra, Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos / Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores. , Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação / Especialidade: Medidas Elétricas.

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Formação complementar

2017 - 2017

OFICINA USP DE FABRICAÇÃO DE CIRCUITOS INTEGRADOS (TECNOLOGIA SOI-nMOSFET). (Carga horária: 40h). , Universidade de São Paulo, USP, Brasil.

2015 - 2015

OFICINA DE CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TRANSISTORES AVANÇADOS. (Carga horária: 40h). , Universidade de São Paulo, USP, Brasil.

2013 - 2013

Extensão universitária em Oficina de Microfabricação. (Carga horária: 80h). , Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.

2011 - 2011

CURSO DE MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE TRANSMISSÃO E OPERAÇÃO DO JEM 2010. (Carga horária: 30h). , Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.

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Idiomas

Inglês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Espanhol

Compreende Bem, Fala Razoavelmente, Lê Bem, Escreve Razoavelmente.

Alemão

Compreende Pouco, Fala Pouco, Lê Pouco, Escreve Pouco.

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Áreas de atuação

    Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Materiais Semicondutores.

    Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Materiais Dielétricos e Propriedades Dielétricas.

    Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação/Especialidade: Medidas Elétricas.

    Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Processos Tecnológicos de Microeletrônica.

    Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Estruturas Eletrônicas e Propriedades Elétricas de Superfícies; Interf. e Partículas.

    Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Reações Nucleares e Espalhamento Geral.

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Organização de eventos

KAUFMANN, IVAN R ; MONTEIRO, J. ; FEIJO, T. O. ; KASTENSMIDT, F. L. . XIII Workshop do PGMicro - UFRGS. 2016. (Outro).

KAUFMANN, Ivan R. ; MONTEIRO, J. ; POSSER, G. ; KASTENSMIDT, F. L. . XII Workshop do PGMicro - UFRGS. 2015. (Outro).

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Participação em eventos

Chip on the Sands - 32nd SBMICRO. Ni/Al2O3/4H-SiC Schottky Diodes. 2017. (Congresso).

XVI Brazilian MRS Meeting. Ni/Al2O3/4H-SiC Schottky diodes for alpha particle detector. 2017. (Congresso).

Chip In Bahia - 30th SBMICRO. Apparent Schottky Barrier Height of MIS Ni/SiC diodes. 2015. (Congresso).

XIII Brazilian MRS Meeting. Extraction of the Schottky Barrier Height by Thermionic Emission and Norde Theory of Ni/SiC diodes. 2014. (Congresso).

XI Brazilian MRS Meeting. Thermal Nitridation of GeO2/Ge structures annealed in nitric oxide atmosphere. 2012. (Congresso).

20th International Conference on Ion Beam Analysis. Complementary low energy ion scattering and X-ray photoelectron spectroscopy characterization of polystyrene submitted to N2/H2 glow discharge. 2011. (Congresso).

XIII Salão de Inciciação Científica da UFRGS.Produção de filmes finos de HfOx ´por pulverização catódica reativa. 2011. (Outra).

3ª Mostra do CNANO & 1º Workshop do CME. 2010. (Congresso).

Escola de Física Computacional e de Materiais. 2010. (Seminário).

VI Simpósio Brasileiro de Engenharia Física. 2010. (Simpósio).

XXII Salão de Iniciação Científica da UFRGS.Transporte de O e N na oxinitretação térmica do germânio. 2010. (Outra).

I Workshop do CNANO/UFRGS. 2009. (Congresso).

XXI Salão de Iniciação Científica.Caracterização de H2O2 sobre Ge e Si utilizando Espalhamento de Íons de Energia Intermediária. 2009. (Outra).

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Comissão julgadora das bancas

Willyan Hasenkamp Carreira

Hasenkamp, W.; RADTKE, C.; TUMELERO, M. A.. Diodo Schottky de SiC para uso como detectores de energia de partículas carregadas. 2017. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Agenor Hentz da Silva Junior

Hentz, A.; BAPTISTA, D. L.; CUNHA, C. R.. Estabilização de Filmes Finos de Óxido de Germânio por Incorporação de Nitrogênio Visando Aplicações em Nanoeletrônica. 2013. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Milton André Tumelero

RADTKE, C.;TUMELERO, M. A.; HASENKAMP, W.; BOUDINOV, H. I.. Diodo Schottky de SiC para uso como Detectores de Energia de Partículas Carregadas. 2017. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Milton André Tumelero

PEREIRA, L. G.; BOUDINOV, H. I.; RADTKE, C.;TUMELERO, M. A.. Diodos Schottky de SiC para uso como detectores de partículas. 2015. Exame de qualificação (Doutorando em PGMICRO) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Daniel Lorscheitter Baptista

BAPTISTA, D. L.; SILVA, A. H.; CUNHA, C. R.. Estabilização de filmes finos de óxido de germânio por incorporação de nitrogênio visando aplicações em nanoeletrônica. 2013. Dissertação (Mestrado em Programa de Pós-graduação em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Henri Ivanov Boudinov

BOUDINOV, H.; Carreira W.H.; TUMELERO, M. A.; Radtke, Cláudio. Diodos Schottky de SiC para uso como detectores de energia de partículas carregadas. 2017. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Henri Ivanov Boudinov

BOUDINOV, H.; TUMELERO, M. A.; Radtke, Cláudio; PEREIRA, L. G.. Diodos Schottky de SiC para uso como detectores de partículas. 2016. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Carlo Requião da Cunha

SOARES, G. V.;DA CUNHA, C. R.. Estabilização de Filmes de Óxido de Germânio por Incorporação de Nitrogênio Visando Aplicações em Nanoeletônica. 2013. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

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Foi orientado por

Cristiano Krug

Passivação Superficial do Germânio para Tecnologia Eletrônica Avançada; 2008; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado do Rio Grande do Sul; Orientador: Cristiano Krug;

Gabriel Vieira Soares

Estabilização de Filmes Finos de Óxido de Germânio por Incorporação de Nitrogênio Visando à Aplicações em Nanoeletrônica; 2013; Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Gabriel Vieira Soares;

Henri Ivanov Boudinov

Carbeto de silício (SiC) como material para detecção de radiação; 2017; Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;

Ives Solano Araújo

Trabalho de Conclusão do Curso de Licenciatura em Física; 2011; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Licenciatura Em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul; Orientador: Ives Solano Araujo;

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Produções bibliográficas

  • KAUFMANN, Ivan R. ; PICK, ANA C. ; PEREIRA, MARCELO B ; BOUDINOV, HENRI I . Characterization of a SiC MIS Schottky diode as RBS particle detector. Journal of Instrumentation , v. 13, p. P02017, 2018.

  • Kaufmann, I.R. ; PICK, A. ; PEREIRA, M.B. ; BOUDINOV, H. . Metal-insulator-SiC Schottky structures using HfO2 and TiO2 dielectrics. Thin Solid Films , v. 621, p. 184-187, 2017.

  • Kaufmann, I.R. ; PICK, A. ; PEREIRA, M.B. ; BOUDINOV, H.I. . Ni/Al O /4H-SiC structure for He energy detection in RBS experiments. Journal of Instrumentation , v. 11, p. P10013-P10013, 2016.

  • KAUFMANN, IVAN R ; PEREIRA, MARCELO B ; BOUDINOV, HENRI I . Schottky barrier height of Ni/TiO 2 /4H-SiC metal-insulator-semiconductor diodes. Semiconductor Science and Technology (Print) , v. 30, p. 125002, 2015.

  • BONATTO, F. ; Rovani, S. ; Kaufmann, I.R. ; Soares, G.V. ; Baumvol, I.J.R. ; KRUG, C. . Complementary low energy ion scattering and X-ray photoelectron spectroscopy characterization of polystyrene submitted to N2/H2 glow discharge. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B, Beam Interactions with Materials and Atoms (Print) , v. 273, p. 189-191, 2012.

  • KAUFMANN, Ivan R. ; Lauxen, R ; João, GB ; Galle, EV ; Sales, EO . Dinâmica. 1. ed. Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018. v. 1. 348p .

  • Lopes, Guilherme L ; Ferraz, Mariana SA ; Kaufmann, I.R. . Eletromagnetismo. 1. ed. Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018. 224p .

  • Lopes, Guilherme L ; Ferraz, Mariana SA ; Kaufmann, I.R. . Cálculos de campo elétrico. Eletromagnetismo. 1ed.PORTO ALEGRE: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 49-64.

  • Lopes, Guilherme L ; Ferraz, Mariana SA ; Kaufmann, I.R. . Força magnética sobre partícula. Eletromagnetismo. 1ed.Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 173-187.

  • Lopes, Guilherme L ; Ferraz, Mariana SA ; Kaufmann, I.R. . Lei de Faraday e indução eletromagnética. Eletromagnetismo. 1ed.Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 201-214.

  • Lopes, Guilherme L ; Ferraz, Mariana SA ; Kaufmann, I.R. . Motores e transformadores. Eletromagnetismo. 1ed.Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 215-224.

  • Kaufmann, I.R. ; Lauxen, R ; João, GB ; Galle, EV ; Sales, EO . Cinemática do movimento curvilíneo: componentes cartesianos, normal e tangencial.. Dinâmica. 1ed.Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 23-37.

  • Kaufmann, I.R. ; Lauxen, R ; João, GB ; Galle, EV ; Sales, EO . Cinemática de mecanismos: aceleração .. Dinâmica. 1ed.Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 39-49.

  • Kaufmann, I.R. ; Lauxen, R ; João, GB ; Galle, EV ; Sales, EO . Aplicações das leis de Newton. Dinâmica. 1ed.Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 51-59.

  • Kaufmann, I.R. ; Lauxen, R ; João, GB ; Galle, EV ; Sales, EO . Equação de movimento para um sistema de pontos materiais: coordenadas cartesianas e coordenadas normal e tangencial. Dinâmica. 1ed.Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 61-73.

  • Kaufmann, I.R. ; Lauxen, R ; João, GB ; Galle, EV ; Sales, EO . Trabalho e energia. Dinâmica. 1ed.Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 75-83.

  • Kaufmann, I.R. ; Lauxen, R ; João, GB ; Galle, EV ; Sales, EO . Trabalho de uma força variável. Dinâmica. 1ed.Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 85-95.

  • Kaufmann, I.R. ; Lauxen, R ; João, GB ; Galle, EV ; Sales, EO . Cinemática de um corpo rígido: movimento plano .. Dinâmica. 1ed.Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 202-213.

  • Kaufmann, I.R. ; Lauxen, R ; João, GB ; Galle, EV ; Sales, EO . Translação. Dinâmica. 1ed.Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 216-227.

  • Kaufmann, I.R. ; Lauxen, R ; João, GB ; Galle, EV ; Sales, EO . Dinâmica de corpos rígidos: rotação em torno de um eixo fixo.. Dinâmica. 1ed.Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 229-239.

  • Kaufmann, I.R. ; Lauxen, R ; João, GB ; Galle, EV ; Sales, EO . Momento de inércia .. Dinâmica. 1ed.Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 241-251.

  • Kaufmann, I.R. ; Lauxen, R ; João, GB ; Galle, EV ; Sales, EO . Equações dinâmicas do movimento plano.. Dinâmica. 1ed.Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 253-263.

  • Kaufmann, I.R. ; Lauxen, R ; João, GB ; Galle, EV ; Sales, EO . Equações de movimento: translação, rotação em torno de um eixo fixo e movimento plano geral. Dinâmica. 1ed.Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 265-277.

  • Kaufmann, I.R. ; Lauxen, R ; João, GB ; Galle, EV ; Sales, EO . Princípio do trabalho e energia para um sistema de pontos materiais .. Dinâmica. 1ed.Porto Alegre: Sagah Educação S.A., 2018, v. 1, p. 97-107.

  • KAUFMANN, Ivan R. ; PICK, ANA C. ; PEREIRA, MARCELO B. ; BOUDINOV, HENRI I. . Ni/Al 2 O 3 /4H-SiC Schottky diodes. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1-4.

  • KAUFMANN, Ivan R. ; PEREIRA, MARCELO B. ; BOUDINOV, HENRI I. . Apparent Schottky Barrier Height of MIS Ni/SiC diodes. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1.

  • KAUFMANN, Ivan R. ; PICK, A. ; PEREIRA, MARCELO B. ; BOUDINOV, H. I. . Ni/Al2O3/4H-SiC Schottky diodes for alpha particle detector. In: XVI Brazil MRS Meeting, 2017, Gramado-RS. XVI Brazil MRS Meeting, 2017.

  • KAUFMANN, Ivan R. ; BOUDINOV, H. I. . Extraction of the Schottky Barrier Height by Thermionic Emission and Norde Theory of Ni/SiC diodes. In: XIII Brazilian MRS Meeting, 2014, João Pessoa - PB. XIII Brazilian MRS Meeting, 2014.

  • KAUFMANN, Ivan R. ; SOARES, G. ; RADTKE, C. . Thermal Nitridation of GeO2/Ge structures annealed in nitric oxide atmosphere. In: XI Brazilian MRS Meeting, 2012, Florianópolis-SC. XI Brazilian MRS Meeting, 2012.

  • KAUFMANN, IVAN R ; PICK, A. ; PEREIRA, MARCELO B. ; BOUDINOV, HENRI I. . Ni/Al2O3/4H-SiC Schottky diodes for alpha particle detector. 2017. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • KAUFMANN, Ivan R. ; PICK, A. ; PEREIRA, MARCELO B. ; BOUDINOV, H. I. . Ni/Al2O3/4H-SiC Schottky Diodes. 2017. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • Kaufmann, I.R. ; PEREIRA, M. B. ; BOUDINOV, H. I. . Apparent Schottky Barrier Height of MIS Ni/SiC diodes. 2015. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • KAUFMANN, Ivan R. ; BOUDINOV, H. I. . Extraction of the Schottky Barrier Height by Thermionic Emission and Norde Theory of Ni/SiC diodes. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • Kaufmann, I.R. ; SOARES, G. ; RADTKE, C. . Thermal Nitridation of GeO2/Ge structures annealed in nitric oxide atmosphere. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • BONATTO, F. ; S. Rovani ; KAUFMANN, Ivan R. ; SOARES, G. ; BAUMVOL, I. ; KRUG, C. . Complementary low energy ion scattering and X-ray photoelectron spectroscopy characterization of polystyrene submitted to N2/H2 glow discharge. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • Kaufmann, I.R. ; KRUG, C. . PRODUÇÃO DE FILMES FINOS DE HFOX POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA REATIVA. 2011. (Apresentação de Trabalho/Outra).

  • KAUFMANN, Ivan R. ; KRUG, C. . Transporte de O e N na oxinitretação térmica do germânio. 2010. (Apresentação de Trabalho/Outra).

  • KAUFMANN, Ivan R. ; KRUG, C. ; MIOTTI, L. ; BASTOS, K. P. . Caracterização de H2O2 sobre Ge e Si utilizando Espalhamento de Íons de Energia Intermediária. 2009. (Apresentação de Trabalho/Outra).

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Prêmios

2017

BEST PAPER AWARD, 32nd Symposium on Microeletronics Technology and Devices, Sociedade Brasileira de Microeletrônica.

Histórico profissional

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Endereço profissional

  • Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Instituto de Física. , Av. Bento Gonçalves, 9500, prédio 43.132, sala 103, Agronomia, 91501970 - Porto Alegre, RS - Brasil, Telefone: (51) 33086532, URL da Homepage:

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Experiência profissional

  • 2018 - 2018

    Instituto Federal Farroupilha, IF-Farroupilha

    Vínculo: Professor Substituto, Enquadramento Funcional: Professor de Física, Carga horária: 40

    Atividades

    • 02/2018 - 07/2018

      Ensino, Engenharia Agrícola, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Física II

    • 02/2018 - 07/2018

      Ensino, Zootecnia, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Biofísica

    • 02/2018 - 07/2018

      Ensino, Produção de Grãos, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Física

    • 02/2018 - 07/2018

      Ensino,,Disciplinas ministradas, Física para o terceiro ano do Técnico em Manutenção e Suporte em Informática PROEJA

    • 02/2018 - 07/2018

      Ensino,,Disciplinas ministradas, Física para Terceiro Ano do Técnico em Agropecuária

  • 2017 - 2018

    SAGAH - Soluções Educacionais Integradas

    Vínculo: Contrato, Enquadramento Funcional: esporádico

    Outras informações:
    Projeto que visa a produção de conteúdos, tecnologia e serviços para entregar uma experiência de aprendizagem completa a Instituições de Ensino Superior e seus alunos.

  • 2013 - 2017

    Universidade Federal do Rio Grande do Sul

    Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Estudante de Doutorado, Regime: Dedicação exclusiva.

  • 2011 - 2013

    Universidade Federal do Rio Grande do Sul

    Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Estudante de Mestrado, Regime: Dedicação exclusiva.

  • 2010 - 2011

    Universidade Federal do Rio Grande do Sul

    Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Bolsista CNPq, Carga horária: 20

  • 2008 - 2010

    Universidade Federal do Rio Grande do Sul

    Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Bolsista FAPERGS, Carga horária: 20