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Produções bibliográficas

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• Yu.A.PUSEP ; CHIQUITO, A. ; MERGULHÃO, S. ; GALZERANI, J. . One dimensional character of electron transport in doped GaAs/AlAs superlattices. In: XX Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 1997, Caxambu. resumos, 1997. p. 277.

• Yu.A.PUSEP ; ZANELATTO, G. ; LUBYSHEV, D. ; GALZERANI, J. ; BASMAJI, P. . Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. In: the 10th International Conference on Superlattices, Microstructures, and Microdevices, 1997, Linco;n. resumos, 1997.

• Yu.A.PUSEP ; MILEKHIN, A. ; PREOBRAZHENSKII, V. ; SEMYAGIN, B. ; GALZERANI, J. . Optical properties of the (311) oriented GaAs/AlAs superlattices and quantum wire-like structures. In: The 8th Conference on Modulated Semiconductor Structures, 1997, Santa Barbara. resumos, 1997. p. 164.

• Yu.A.PUSEP ; MILEKHIN, A. ; YANOVSKII, Y. ; PREOBRAZHENSKII, V. ; SEMYAGIN, B. . Optical properties of the (311) oriented GaAs/AlAs superlattices and quantum wire-like structures. In: the 8th Conference on Modulated Semiconductor Structures, 1997, Santa Barbara. Resumos, 1997. p. 164.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; LUBYSHEV, D. ; GONZALEZ-BORRERO, P. P. ; MAREGA, E. ; PETITPREZ, E. ; SCALA, N. L. ; BASMAJI, P. . Photoluminescence study of excitons in the differently oriented self-assembled InAs and InGaAs quantum dots. In: the 5th International Meeting on Optics of Excitons in Confined System, 1997, Goettingen. Resumos, 1997. p. TuP35.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; LUBYSHEV, D. ; BORRERO, P. G. ; BASMAJI, P. ; GUTAKOVSKII, A. . Interface roughness in tilted GaAs/InAs superlattices. In: the Spring Meeting of the Materials Research Society, 1996, San Francisco. Book of Abstracts, 1996. p. 17.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, M. T. O. ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; SCOLFARO, L. M. R. ; ENDERLEIN, R. ; QUIVI, A. ; LIMA, A. ; LEITE, J. R. . Fano-like electron-phonon interference in delta-doped GaAs/AlAs superlattices. In: the 9th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices, 1996, Liege. Resumos, 1996. p. TuP28.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, S. W. ; LUBYSHEV, D. ; GONZALEZBORRERO, P. ; GALZERANI, J. C. ; BASMAJI, P. . Raman study of interface arrangement in GaAs/AlAs superlattices grown in different crystal directions. In: the 9th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices, 1996, Liege. Resumos, 1996. p. ThT23.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; LUBYSHEV, D. ; GONZALEZBORRERO, P. ; BASMAJI, P. . Fotoluminescencia de estados ligados na banda de separação spin-orbita em pontos quânticos auto-organizados de InGaAs. In: XIX Encontro Nacional de Fisica da materia condensada, 1996, Águas de Lindoia. resumos, 1996. p. 54.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, M. T. O. ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; SCOLFARO, L. M. R. ; ENDERLEIN, R. ; QUIVY, A. ; LIMA, A. ; LEITE, J. R. . Estudo por espectroscopia Raman da interação electron-fonon tipo-Fano em super-redes de GaAs com dopagem-delta. In: XIX Encontro Nacional de Fisica da materia condensada, 1996, Águas de Lindoia. Resumos, 1996. p. 378.

• Yu.A.PUSEP ; RODRIGUES, S. C. P. ; SCOLFARO, L. M. R. ; ENDERLEIN, R. ; QUIVY, A. ; LIMA, A. ; LEITE, J. R. ; SILVA, S. W. ; SILVA, M. T. O. ; GALZERANI, J. C. . Observation of the Plateau-behavior of vertical transport in GaAs delta - doping SLs by Raman studies. In: XIX Encontro Nacional de Fisica da materia condensada, 1996, Águas de Lindoia. Resumos, 1996. p. 381.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; LUBYSHEV, D. ; BASMAJI, P. . Study of atomic-scale roughness and segregation in the ultrathin-layer GaAs/AlAs superlattices by Raman scattering. In: 1st Brazilian-German Workshop on Applied Surface Science, 1995, Rio de Janeiro. Book of Abstracts, 1995. p. 24.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, S. W. ; LUBYSHEV, D. ; GALZERANI, J. C. ; BASMAJI, P. . Raman scattering of optical phonons in GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A and (311)B surfaces. In: the 1st Brazilian-German Workshop on Applied Surface Science, 1995, Rio de Janeiro. Book of Abstracts, 1995. p. 49.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; LUBYSHEV, D. ; BASMAJI, P. . Spectroscopy of atomic-scale roughness in the ultrathin-layer GaAs/AlAs superlattices. In: The XVIII National Conference on Physics of Condensed Matter, 1995, Caxambu. Resumos, 1995. p. 294.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; LUBYSHEV, D. ; BASMAJI, P. . Raman scattering of the optical phonons in GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A and (311)B surfaces. In: The XVIII National Conference on Physics of Condensed Matter, 1995, Caxambu. Resumos, 1995. p. 301.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, M. T. O. ; GALZERANI, J. C. ; MOSHEGOV, N. ; TOROPOV, A. . Raman spectroscopy of plasmon anisotropy in heavily doped GaAs/AlAs superlattices. In: XVIII National Conference on Physics of Condensed Matter, 1995, Caxambu. Resumos, 1995. p. 302.

• Yu.A.PUSEP ; PARK, G. H. ; RHEE, S. J. ; KIM, D. W. ; KO, H. S. ; NOH, T. W. ; WOO, J. C. . TO and LO phonon spectroscopy of GaAs/AlGaAs ultrathin layer superlattice. In: 1st International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, 1995, Singapore. Book of Abstracts, 1995. p. 30.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; LUBYSHEV, D. ; BASMAJI, P. . Evidence of corrugation of the (311)A surface found in Raman spectra of GaAs/AlAs superlattices. In: The 7th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1995, Rio de Janeiro. Resumos, 1995. p. TU-03.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, M. T. O. ; GALZERANI, J. C. ; MILEKHIN, A. ; MOSHEGOV, N. ; TOROPOV, A. . Infrared and Raman spectroscopies of plasmon anisotropy in heavily doped GaAs/AlAs superlattices. In: the 7th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1995, Rio de Janeiro. Resumos, 1995. p. TU-04.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, M. T. O. ; GALZERANI, J. C. ; MOSHEGOV, N. ; ATOROPOV, A. M. . Spectroscopic study of plasmon anisotropy in heavily doped GaAs/AlAs superlattices. In: the 188th Meeting of the Electrochemical Society, 1995, Chicago. Workbook, 1995. p. 122.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; PIMENTA, M. A. ; LUBYSHEV, D. ; BASMAJI, P. . Raman study of corrugation in the (311)A oriented (GaAs)n/(AlAs)n superlattice. In: the 188th Meeting of the Electrochemical Society, Inc., 1995, Chocago. Workbook, 1995. p. 122.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; LUBYSHEV, D. ; MILEKHIN, A. ; BASMAJI, P. . Spectroscopy of strained GaSb/AlSb superlattices. In: of the Fall Meeting of the Materials Research Society, 1995, Boston. Workbook, 1995. p. 346.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; LUBYSHEV, D. ; BASMAJI, P. . Evidence of corrugation of the (311)A surface observed in Raman Spectra of GaAs/AlAs superlattices. In: the 2nd International Conference on Physics of Low-dimensional Structures, 1995, Dubna. Book of Abstracts, 1995. p. 96.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; LUBYSHEV, D. ; BASMAJI, P. . Spectroscopic atomic-scale characterization of interfaces in the GaAs/AlGaAs superlattices. In: the 9th International Conference on Solid Surfaces, 1995, Yokohama. Book of Abstracts. p. 184.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; LUBYSHEV, D. ; BASMAJI, P. . Corrugation of the (311)A interface found by Raman scattering in GaAs/AlAs superlattices. In: the XIII Latin American Symposium on Solid State Physics, 1995, Gramado. Resumos, 1995. p. CPMo4.

• Yu.A.PUSEP ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; LUBYSHEV, D. ; BASMAJI, P. . Atomic-scale characterization of interfaces in the GaAs/AlGaAs superlattices by Raman and Fourier- transform infrared spectroscopies. In: the XIII Latin American Symposium on Solid State Physics, 1995, Gramado. Resumos, 1995. p. CPMo1.

• Yu.A.PUSEP ; MILEKHIN, A. ; LUBYSHEV, D. ; PREOBRAZHENSKII, V. ; SEMYAGIN, B. . Confined optical vibrations in (311) GaAs/AlAs superlattices. In: the 22nd International Symposium on Compound Semiconductors, 1995, Cheju Island. Book of Abstracts, 1995. p. 437.

• Yu.A.PUSEP ; MILEKHIN, A. ; TOROPOV, A. ; MARAHOVKA, I. . FTIR spectroscopy for atomic-scale characterization of GaAs/AlGaAs heterostructures with double quantum wells. In: The 10th International Conference on Fourier Transform Spectroscopy, 1995, Budapest. Book of Abstracts, 1995. p. A8.8.

• Yu.A.PUSEP ; MILEKHIN, A. ; TOROPOV, A. . FTIR spectroscopy of longitudinal confined phonon and plasmon-phonon vibrational modes in GaAs/AlAs superlattices. In: 6th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, 1994, Garmisch-Partenkirchen. Book of Abstracts, 1994. p. 123.

• Yu.A.PUSEP ; MILEKHIN, A. ; TOROPOV, A. . IR spectroscopy of confined phonon and collective plasmon modes in GaAs/AlAs superlattices. In: 21th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1992, Beijing. Book of Abstracts, 1992. p. 456.

• Yu.A.PUSEP ; MILEKHIN, A. ; TOROPOV, A. . Anharmonicity of optical vibrations of GaAs/AlAs superlattices, 6th Conference on Superlattices. In: Microstructures and Microdevices, 1992, Xi'an. Book of Abstracts, 1992. p. 179.

• Yu.A.PUSEP ; P.K.Mohseni ; R.R.Lapierre ; A.BAKAROV, ; TOROPOV, A. I. . Effects of disorder in random superlattices embedded in a wide parabolic potential (oral). 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Yu.A.PUSEP ; G.M.GUSEV, ; A.BAKAROV, ; TOROPOV, A. I. ; J.C.Portal . Magnetotransport in a wide parabolic well superimposed with superlattice (invited). 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Yu.A.PUSEP ; A.D.Rodrigues ; SOKOLOV, S. S. . Delocalization-localization transition of plasmons in disordered superlattices. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Y.A. PUSEP ; G.C.Gozzo ; R.R.Lapierre ; A.Gold . High mobilities limited by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. 2009. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• L.Borrero ; L.A.O.Nunes ; N.R.B.Andreeta ; Yu.A.PUSEP ; F.E.G.Guimarães ; J.Wojcik ; P.Mascher ; Comedi D. . The role of quantum confinement and crystalline structure in excitonic lifetime of silicon nanocrystals. 2009. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Y.A. PUSEP . Elementary Excitations in Random Electron Systems with Quantitatively Controlled Disorder. 2008. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• Y.A. PUSEP . Quantum Hall effect in 3DEG (palestra convidada). 2008. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• Y.A. PUSEP ; F.E.G.Guimarães ; H.ARAKAKI, ; SOUZA, C. . PL spectroscopy of Fermi electrons in regime of the quantum Hall effect (oral). 2008. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Y.A. PUSEP ; A.Rodrigues ; H.ARAKAKI, ; SOUZA, C. . Quantum Hall Effect in Random GaAs/AlGaAs Superlattices (oral). 2008. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Y.A. PUSEP ; A.Rodrigues ; A.H.Arakaki ; SOUZA, C. . Quantum Hall Effect in Random GaAs/AlGaAs Superlattices (oral). 2008. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Yu.A.PUSEP ; F.E.G.Guimarães ; CHIQUITO, A. J. . Quantized Hall phase of the multi-layer systems (oral). 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

• Yu.A.PUSEP . Effects of Asymmetry of Spectroscopic Lines Emitted by Disordered Electron Systems (palestra convidada). 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

• Yu.A.PUSEP ; F.E.G.Guimarães ; H.ARAKAKI, ; SOUZA, C. . Spectroscopic evidence of extended statesin quantized Hall phase of weakly-coupled GaAs/AlGaAs multilayers. 2007. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

• Yu.A.PUSEP . Coherence of Elementary Excitations in Disordered GaAs/AlGaAs Superlattices (palestra convidada). 2006. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

• Yu.A.PUSEP . Localização e Coerência de Excitações Elementares em Sistemas Eletrônicos Desordenados (palestra convidada). 2005. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• Yu.A.PUSEP . Interferência Qântica e Localização em Super-redes Desordenadas de GaAs/AlGaAs. 2004. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• Yu.A.PUSEP . Confined Optical Phonons in GaAs/AlGaAs Superlattices (palestra convidada). 1999. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• Yu.A.PUSEP . Localization of Optical Phonons in Ultra-thin layer GaAs/AlGaAs Superlattices (palestra convidada). 1999. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• Yu.A.PUSEP . Localization of Optical Phonons in Ultra-thin layer GaAs/AlGaAs Superlattices (palestra convidada). 1995. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• Yu.A.PUSEP . Confined Optical Phonons in GaAs/AlGaAs Superlattices (palestra convidada). 1994. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• Yu.A.PUSEP . Spectroscopy of Low-dimensional Electron Systems (palestra convidada). 1992. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• Yu.A.PUSEP . Physical Review. 2005 (Arbitro de revistas internacionais) .

• Yu.A.PUSEP . CNPq, FAPESP, CAPES. 2005 (CONSULTOR AD HOC) .

• Yu.A.PUSEP . Grant Agency of the Czech Republic. 2005 (CONSULTOR AD HOC) .

• Yu.A.PUSEP . Physical Review Letters. 2005 (Arbitro de revistas internacionais) .

• Yu.A.PUSEP . Physical Review. 2004 (Arbitro de revistas internacionais) .

• Yu.A.PUSEP . Physical Review Letters. 2004 (Arbitro de revistas internacionais) .

• Yu.A.PUSEP . Physical Review. 2003 (Arbitro de revistas internacionais) .

• Yu.A.PUSEP . Grant Agency of the Czech Republic. 2003 (CONSULTOR AD HOC) .

Projetos de pesquisa

• 2022 - Atual

  Estudo de processos dinâmicos de transportadores e spin em plasma hidrodinâmico elétron-buraco formado em canais mesoscópicos de GaAs e em poços quânticos de AlGaAs e InGaAsP, Descrição: A difusão de buracos fotoexcitados será estudada por meio de uma microscopia de varredura por fotocorrente realizada em um canal mesoscópico formado em um poço quântico de GaAs de alta mobilidade onde os elétrons revelam propriedades hidrodinâmicas. Deste modo, a difusão dos buracos minoritários será investigada dentro do fluido viscoso dos elétrons majoritários. O tempo de recombinação e o comprimento de difusão ambos medidos em função da temperatura serão usados para provar natureza hidrodinâmica da difusão. Os resultados obtidos serão analisados no âmbito da difusão ambipolar que permite determinar o coeficiente efetivo da viscosidade dos buracos. A pesquisa proposta é diferente dos efeitos hidrodinâmicos observados até agora em sistemas eletrônicos viscosos, uma vez que no caso relatado a difusão dos buracos ocorre dentro de uma mistura binária composta pela maioria dos elétrons hidrodinâmicos e pelos buracos fotoexcitados minoritários. Na segunda parte do projeto planejamos estudar processos de recombinação e de relaxamento do spin em poços quânticos parabólicos de AlGaAs e InGaAsP em campos magnéticos altos. Os métodos empregados na proposta são: a medida direta do tempo de relaxamento do spin, o novo método recentemente desenvolvido em nosso laboratório, e a medida de comprimento de difusão. Os resultados da pesquisa podem ser importantes em desenvolvimento de dispositivos spintrônicos baseados em poços quânticos de InGaAs/InP.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Doutorado: (1) . , Integrantes: Iouri Poussep - Coordenador / TITO PATRICIO, M. A. - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 2016 - Atual

  Projeto Tematico: ESQUISAS EM NOVOS MATERIAIS envolvendo CAMPOS MAGNÉTICOS INTENSOS e BAIXAS TEMPERATURAS, Descrição: Projeto Temático: O presente Projeto da continuidade a Temáticos anteriores (Processos FAPESP 99/10359-7 e 07/50968-0) cuja finalidade principal era dar suporte a pesquisas envolvendo campos magnéticos intensos e temperaturas muito baixas. A realização concomitante destas condições demanda equipamentos e técnicas especializadas. O LESBT (Laboratório de Estado Solido e Baixas Temperaturas) do Instituto de Física da USP (IFUSP) é uma facilidade equipada para estas condições. Suas bobinas supercondutoras podem produzir campos magnéticos em excesso de 20 Tesla. Seus refrigeradores de diluição, construídos com tecnologia própria e materiais não condutores, podem operar em conjunto com campos magnéticos intensos produzindo temperaturas abaixo de 10 mK. Assim, a maioria dos experimentos propostos no presente projeto serão realizados no complexo experimental do Departamento de Física dos Materiais e Mecânica do IFUSP onde estão localizados o LESBT e o LNMS (Laboratório de Novos Materiais Semicondutores), este ultimo com instrumentação para caracterização, principalmente de semicondutores. As pesquisas propostas envolvem: transporte quântico em novos materiais avançados, incluindo isolantes topológicos e grafeno coordenado pelo Prof. Gennady Gusev, chefe do Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do IFUSP; novos materiais para aplicação em spintronica sob a coordenação do Prof. Valmir A. Chitta do LESBT; materiais magnéticos geometricamente frustrados e magnetismo em sistemas orgânicos coordenado pelo Prof. Rafael Freitas (LESBT); magnetismo e supercondutividade sob condições extremas em compostos a base de FeAs", coordenado pelo Prof. Nei F. Oliveira, Jr. do LESBT; sistemas altamente correlacionados: efeito magneto-eletrico" coordenado pelo Prof.Armando Paduan do LESBT; geração e mapeamento de correntes de spin" sob a coordenação do Prof. Felix G. G.Hernandez do LNMS; pontos quânticos como blocos básicos em optoeletrônica" coordenado pelo Prof. Alexandre Levine do LNMS; estudo de sistemas eletrônicos multi-componentes formados em poços quânticos múltiplos" coordenado pelo Prof. Yury Pusep do IFSC.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Iouri Poussep - Integrante / Yury Pusep - Integrante / G M Gusev - Coordenador / V A Chitta - Integrante / Rafael Freitas - Integrante / Nei F. Oliveira, Jr. - Integrante / Armando Paduan - Integrante / Felix G. G.Hernandez - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 2015 - Atual

  Projeto Tematico: Caracterização e processamento de nanoestruturas semicondutoras e aplicações como dispositivos, Descrição: Este projeto tem como principal objetivo consolidar a nucleação e a liderança de um grupo de pesquisadores nacionais e internacionais numa área científica e tecnológica chave por meio da pesquisa colaborativa entre as expertises dos membros. Deve tornar mais robusta uma colaboração preexistente entre pesquisadores experimentais e teóricos através dos estudos de fenômenos relacionados aos efeitos de interfaces e confinamento, além de spin, produzidos durante o crescimento epitaxial de nanoestruturas semicondutoras: heteroestruturas, pontos e anéis quânticos e nanofios. Tais efeitos respondem pelas propriedades: ópticas, de transporte, magnéticas e piezoelétricas destes sistemas e, assim, formam os alicerces para as suas aplicações como dispositivos opto-eletrônicos e spintrônicos. De seus conhecimentos e controle resultam elementos estratégicos que pautam a evolução de perspectivas tecnológicas do desenho, síntese, processamento (dopagem, litografia, contactos elétricos, etc) e aplicação destas nanoestruturas. O projeto se baseia em cinco pilares inter-relacionados e complementares: (i) o desenho, crescimento e processamento de sistemas nanoestruturados contendo janelas ópticas e contactos elétricos; (ii) suas caracterizações estruturais; (iii) caracterização experimental das propriedades ópticas, magnéticas e de transporte; (iv) simulações teóricas, por meio de dinâmica molecular, das propriedades estruturais e dinâmicas temporais e dos efeitos quânticos associados aos elementos fornecidos via dinâmica molecular. Os problemas práticos colocados, trazem à tona questões básicas a serem estudadas, compreendidas e, possivelmente, exploradas como dispositivos. Nelas intervêm efeitos de diferentes naturezas cujos tratamentos via técnicas experimentais refinadas, assim como abordagens teóricas, abrangem várias áreas da Física.Os temas gerais envolvem abordagens teóricas e experimentais complementares, como: 1)-Controle das propriedades de spin para estados eletrônicos mediante a engenharia da estrutura eletrônica em dispositivos 0D e 1D e 2D onde processos de tunelamento possam ser manipulados por configurações de campos externos. Compreensão dos efeitos detectados nas emissões de luz polarizada e associados com a dinâmica de spins de portadores nestas heteroestruturas. 2)-Elucidação propriedades estruturais, efeitos de tensão (strain-stress) e modulações do transporte de portadores (elétrons e buracos) e da resposta óptica através de fios e pontos quânticos e sistemas heteroestruturados 1D. 3)-Estudo e exploração dos efeitos da interação spin-órbita nas propriedades de sistemas nanoestruturados: efeitos de hibridização dos estados de spin na anisotropia e na modulação da resposta óptica e manipulação de propriedades dependentes do spin eletrônico. 4)-Compreensão e caracterização do nanomagnetismo e do diamagnetismo anômalos detectáveis nas emissões de fotoluminescência em pontos quânticos com simetrias cilíndrica e anelar, em amostras com acoplamento (empilhamento) vertical e/ou alinhamento lateral. 5)-Estudo e exploração de fenômenos relacionados à interação de portadores com modos vibracionais (fônons) de sistemas confinados e suas contribuições nos processos de relaxação. 6)-Estudo e exploração da dinâmica de portadores dependente do tempo em estruturas semicondutoras com campos elétrico e magnético aplicados em diferentes configurações. 7-Elucidar formas de controle para os processos de crescimento e de dopagens nas diferentes amostras. Redesenhar, crescer e processar amostras com diferentes condições (temperatura de crescimento, adição de íons, orientação do substrato, etc), visando melhorar um funcionamento ou a eficiência em aplicação específica para um tipo de dispositivo que estamos realizando.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Iouri Poussep - Integrante / Yury Pusep - Integrante / E.Marega Jr - Integrante / A Chiquito - Integrante / Marques, G. - Coordenador / José Pedro Rino - Integrante / Leonardo Kleber Castelano - Integrante / Marcio Daldin Teodoro - Integrante / Victor López Richard - Integrante / Waldir Avansi Junior - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 2015 - Atual

  DINÂMICA DE EXCITONS EM CAMPOS MAGNÉTICOS QUÂNTICOS EM SISTEMAS ELETRÔNICOS MULTI-COMPONENTES, Descrição: Os sistemas eletrônicos multicomponentes formados em hetero-estruturas semicondutores quasetridimensionais (poços quânticos múltiplos) serão investigados. Principalmente, o método de estudo de respostas ópticas de poços quânticos individuais de um sistema multicomponente, desenvolvido nos nossos trabalhos recentes, será usado. Magneto-fotoluminescência resolvida em tempo e medidas de magneto-transporte serão realizadas. O sistema eletrônico unidimensional modulado por potencial de multicamadas apresenta um objeto único, onde os efeitos de interação entre os elétrons podem causar efeitos novos, previstos teoricamente. Além disso, os efeitos de interação entre os elétrons serão investigados em poços quânticos múltiplos baseados em ligas AlGaAs e InGaAsP. A interação entre os elétrons resulta na formação de estados quânticos coletivos e fundamentalmente determina a redistribuição espacial e na escala energética de elétrons em poços quânticos múltiplos, causado pelo campo magnético. O estudo de efeitos coletivos em sistemas eletrônicos multi-componentes é o objetivo principal desse projeto.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Iouri Poussep - Integrante / Yury Pusep - Coordenador., Financiador(es): Pesquisa FAPESP - Auxílio financeiro.

• 2014 - Atual

  ESTUDO DE SISTEMAS ELETRÔNICOS MULTI-COMPONENTES FORMADOS EM HETERO-ESTRUTURAS SEMICONDUTORES, Descrição: Os sistemas eletrônicos multicomponentes formados em hetero-estruturas semicondutores unidimensionais (nano fios) e tridimensionais (poços quânticos múltiplos) serão investigados. Utilizando medidas de espalhamento Raman, de magneto-fotoluminescência resolvida em tempo e de magneto-transporte planejamos estudar as propriedades estruturais e eletrônicas em vários tipos de fios quânticos compostos de hetero-estruturas semicondutoras multicamadas GaAs/GaP e InAs/InP crescidas por epitaxia de feixes moleculares. O objetivo desta parte do projeto é desenvolver métodos de fabricação de dispositivos baseados em hetero-estruturas multicamadas formados em nano fios que podem ser utilizados em dispositivos nano-fotônicos principalmente, como células solares. Ainda mais, o sistema eletrônico unidimensional modulado por potencial de multicamadas apresenta um objeto único, onde os efeitos de interação entre os elétrons podem causar efeitos novos, recentemente previstos teoricamente. Além disso, os efeitos de interação entre os elétrons serão investigados em poços quânticos múltiplos baseados em InGaAsP. A interação entre os elétrons fundamentalmente determina a re-distribuição espacial de elétrons em poços quânticos múltiplos, causado pelo campo magnético.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Iouri Poussep - Integrante / Yury Pusep - Coordenador / R.R.Lapierre - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

• 2013 - 2015

  Exchange of Researchers for Growth and Characterization of Nanostructures, Descrição: This proposal will enable the exchange of primary investigators (Ray LaPierre at McMaster, Yuri Pusep at Universidade de Sao Paulo) and graduate students. The project involves the growth of semiconductor nanowires for applications in photovoltacs (solar cells), photodetectors, and quantum information processing devices. This proposal will fund a 1 week visit of the McMaster PI to the Universidade de Sao Paulo, and a 1 week visit of the Brazilian PI to McMaster, in both year 1 and year 2 for project discussions and exchange of knowledge. A McMaster graduate student will spend 2 weeks in each of the two years at the Universidade de Sao Paulo to learn methods of characterizing nanowires. Likewise, a graduate student from Universidade de Sao Paulo will spend 2 weeks in each of the two years at McMaster learning methods of nanowire growth and device fabrication. Ray LaPierre at McMaster will grow semiconductor nanowires for characterization in Brazil. Prof. Yuri Pusep at USP is an expert in magneto-photoluminescence, magneto-transport and Raman spectroscopy used for the characterization of nanostructures. He will apply these techniques to the nanowires and devices produced at McMaster University. In particular, magneto-photoluminescence and magneto-transport are methods that are not currently available at McMaster.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Especialização: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Iouri Poussep - Integrante / Yury Pusep - Coordenador / R.R.Lapierre - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Cooperação.

• 2013 - 2015

  DINÂMICA DE PORTADORES E CONFINAMENTO QUÂNTICO EM SISTEMAS ELETRÔNICOS MULTICOMPONENTES FORMADOS EM NANOFIOS HETEROESTRUTURADAS E EM CAMADAS SEMICONDUTORAS MÚLTIPLAS, Descrição: Os sistemas eletrônicos multicomponentes formados em heteroestruturas semicondutoras unidimensionais (nanofios) e tridimensionais (poços quânticos múltiplos) serão investigados. Utilizando medidas de magneto-fotoluminescência resolvida em tempo, planejamos estudar a formação de estados eletrônicos nas bandas de condução e de valência em vários tipos de fios quânticos compostos de heteroestruturas semicondutoras multicamadas GaAs/AlGaAs e InAs/InGaAs crescidas por epitaxia de feixes moleculares. Além disso, os efeitos de interação entre elétrons na banda de condução e entre os elétrons na banda de condução e buracos na banda de valência serão investigados em poços quânticos múltiplos baseados em heteroestruturas de GaAs/AlGaAs. A interação entre os elétrons influencia profundamente a distribuição espacial de carga em sistemas eletrônicos multicomponentes enquanto, o campo magnético apresenta uma perturbação externa que influencia a distribuição de elétrons. O tempo de recombinação entre os elétrons e os buracos fotoexcitados depende fundamentalmente da localização espacial deles e assim, a fotoluminescência resolvida em tempo apresenta-se como um método direto para estudar distribuição de portadores fotoexcitados em heterosistemas semicondutores.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Iouri Poussep - Integrante / Yury Pusep - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 2013 - Atual

  DINÂMICA DE PORTADORES E CONFINAMENTO QUÂNTICO EM SISTEMAS ELETRÔNICOS MULTICOMPONENTES FORMADOS EM NANOFIOS HETEROESTRUTURADAS E EM CAMADAS SEMICONDUTORAS MÚLTIPLAS, Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Iouri Poussep - Integrante / Yury Pusep - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

• 2011 - 2013

  ESTUDO DE HETERO-ESTRUTURAS MULTICAMADAS FORMADAS EM NANO-FIOS SEMICONDUTORES, Descrição: Projeto de pesquisa FAPESP, Ref.Processo: 10/51853-5. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Iouri Poussep - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 2009 - 2011

  FAPESP ? Projeto Individual,l Proc. 09/50407-4, Descrição: Usando medidas de espalhamento Raman e de fotoluminescência em campo magnético alto planejamos estudar as excitações coletivas (tipo plasmon) e uni-partículas (elétrons) em vários sistemas eletrônicos desordenados de baixa dimensionalidade, tais como fios quânticos, poços quânticos, sistemas multicamadas (bicamadas e multicamadas) baseados em hetero-estruturas semicondutoras GaAs/AlGaAs, InGaAs/InP e GaAsP/GaP. O objetivo do projeto é desenvolver métodos de controle de plasmons que podem ser utilizados em dispositivos nano-fotônicos de processamento de sinal ultra-rápido.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Iouri Poussep - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 2009 - 2009

  Pró-Reitoria de Pesquisa ? Projeto I, Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Iouri Poussep - Coordenador.

• 2009 - 2009

  Projeto de Cooperação Internacional financiado pela Espanha, Processo A/7978/07., Descrição: Estudo de diodos bi-luminescentes, UV and IR baseados in Si1-xGex/ZnO heterostructure nanowires. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Iouri Poussep - Coordenador / Comedi D. - Integrante / Tomás Rodríguez - Integrante.

• 2008 - 2008

  Pró-Reitoria de Pesquisa ? Projeto I ? Apoio a Grupos de Pesquisa, Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Iouri Poussep - Coordenador.

• 2007 - 2010

  Propriedades eletrônicas de nano-fios semicondutores, Descrição: os nano-fios de ligas semicondutoras ternárias InGaAs, InGaP e AlGaSb e quaternárias AlInGaP, InGaAsP e InGaAlSb fabricados por epitaxia de feixes moleculares serão investigados utilizando grande variedade de métodos. Estrutura de Os nano-fios será pesquisada usando difração de raio-x, microscopia de força atômica, microscopia de tunelamento e microscopia eletrônica. Propriedades eletrônicas serão estudadas utilizando medidas de transporte elétrico, magneto-transporte, magneto-fotoluminescência, espalhamento Raman, transmitância e refletância no visível-UV e espectroscopia infravermelha. Este estudo complexo deverá resultar em desenvolvimento de nano-fios que poderiam ser usados em varias aplicações em eletrônica, fotônica e biologia. Ainda mais, serão estudados processos fundamentais que determinam propriedades de sistemas eletrônicos uni- dimensionais formados em nano-fios.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Iouri Poussep - Coordenador / J C Galzerani - Integrante / F.E.G.Guimarães - Integrante / LaPierre R.R. - Integrante / Comedi D. - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Cooperação.

• 2007 - 2009

  Projeto FAPESP individual, Proc. 07/51824-2., Descrição: Usando medidas de fotoluminescência planejamos estudar a influência de acoplamento entre os poços quânticos para a formação de fases de efeito Hall quântico em sistemas multicamadas (bicamadas e multicamadas) baseados em hetero-estruturas GaAs/AlGaAs e grafite.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) . , Integrantes: Iouri Poussep - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 2006 - 2008

  projeto FAPESP de pesquisa individual, Proc. 05/54452-3., Descrição: planejamos estudar propriedades de interfaces em heteroestruturas semicondutoras InGaAs/InP e InGaAlSb/AlGaAsSb usando métodos de magnetotransporte, fotoluminescência e espalhamento Raman e a influência de rugosidade interfacial sobre transporte eletrônico. A interação entre os confinados fônons ópticos e elétrons será investigada em super-redes GaAs/AlGaAs periódicas e desordenadas. Também planejamos investigar o Efeito Hall Quântico e a coerência de excitações eletrônicas em heteroestruturas GaAs/AlGaAs quase-tridimensionais (super-redes e poços quânticos parabólicos).. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Iouri Poussep - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 2005 - 2007

  CNPq ? Projeto Universal, Proc. 476749/2004-2, Descrição: ?Crescimento e caracterização de super-redes GaAs/AlGaAs com artificial correlacionada desordem? Planejamos crescer as super-redes para estudo de transporte quântico (inclusive o Efeito Hall Quântico) em super-redes semicondutoras GaAs/AlGaAs. Temos planos de explorar como a desordem artificial produzida durante o crescimento de super-redes pela variação aleatória de espessuras de barreiras de AlGaAs influencia a interferência quantica e a formação de estado de Hall quântico. Também, os efeitos da correlacionada desordem tipo "dimer" serão investigados. Ainda planejamos realizar o crescimento na clivada superficie lateral. Este procedimento pode permitir formar gás bi-dimensional na superficie lateral, modulado pela estrutura da super-rede. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Iouri Poussep - Coordenador.

• 2004 - 2005

  FAPESP-Auxílio à pesquisa Proc. 03/12856-5, Descrição: MODELAGEM DE TRANSPORTE QUÂNTICO EM SUPER-REDES SEMICONDUTORAS GaAs/AlGaAs Planejamos usar as super-redes semicondutoras GaAs/AlGaAs para monitorar transporte quântico num sistema eletrônico de multicamadas. Em super-redes, com varias espessuras de barreiras esperamos realizar sistemas eletrônicos bidimensional (2D) e tridimensional (3D) e estudar processos de interferência quântica. Também, planejamos estudar a transição entre diferentes dimensionalidades (2D e 3D) causado pela variação da energia de Fermi. Finalmente, a passagem entre transporte coerente e incoerente em sistema eletrônica de multicamadas estará explorada.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Doutorado: (2) . , Integrantes: Iouri Poussep - Coordenador.

• 2004 - Atual

  Pró-Reitoria de Pesquisa-Projeto I, Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Iouri Poussep - Coordenador.

• 2003 - 2004

  FAPESP-Auxílio à pesquisa Proc. 02/07365-0, Descrição: ESTUDO DE PROCESSOS DE MAGNETOTRANSPORTE E INTERFERENCIA QUANTICA EM NANOESTRUTURAS SEMICONDUTORAS GaAs/AlGaAs DESORDENADAS CRESCIDAS POR EPITAXIA DE FEIXES MOLECULARES. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Doutorado: (2) . , Integrantes: Iouri Poussep - Coordenador.

• 2002 - Atual

  Pró-Reitoria de Pesquisa - Projeto I, Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Iouri Poussep - Coordenador.

• 2001 - 2002

  FAPESP-Auxílio à pesquisa Proc. 01/01708, Descrição: ESTUDO DE PROPRIEDADES DE ELÉTRONS EM SISTEMAS SEMICONDUTORES DE BAIXA DIMENSIONALIDADE DISORDENADOS E FORTEMENTE CORRELACIONADOS CRESCIDOS POR EPITAXIA DE FEIXES MOLECULARES. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Especialização: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Iouri Poussep - Coordenador.