Eduardo Pitthan Filho

Atualmente é pesquisador na Uppsala University (Suécia), no departamento de Física e Astronomia. Possui doutorado em Microeletrônica (2017), Mestrado em Microeletrônica (2013) e Graduação em Bacharelado em Química (2010), todos pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Realizou estágio durante o doutorado na Rutgers University em Nova Jersey-EUA (2015). Realizou estágio de pós-doutorado no Instituto de Física na Universidade Federal do Rio Grande do Sul (2017-2018/2018-2019). Foi professor substituto no Instituto de Química (departamento de Físico-Química) na Universidade Federal do Rio-Grande do Sul (2017-2018) onde obteve avaliação média pelos discentes de 4,90/5,00. Pesquisa na área de Físico-Química com ênfase em Química de Superfícies e Interfaces, atuando principalmente nos seguintes temas: estudo de superfícies e interfaces sólidas de semicondutores, análises por feixe de íons, traçagem isotópica e síntese e modificação de Materiais 2D.

Informações coletadas do Lattes em 17/06/2019

Acadêmico

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Formação acadêmica

Doutorado em Microeletrônica

2013 - 2017

Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Título: Investigação de Defeitos e de Métodos Passivadores da Região Interfacial SiO2/SiC
Orientador: em The State University of New Jersey - New Brunswick ( Leonard C Feldman)
com Fernanda Chiarello Stedile. Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil.

Mestrado em Microeletrônica

2011 - 2013

Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Título: Filmes de SiO2 depositados e crescidos termicamente sobre SiC: Caracterização físico-química e elétrica,Ano de Obtenção: 2013
Fernanda Chiarello Stedile.Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil.

Graduação em Bacharelado em Química

2006 - 2010

Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Título: Efeito de Reoxidações e de Tratamentos Térmicos com Peróxido de hidrogênio na Região Interfacial SiO2/SiC
Orientador: Fernanda Chiarello Stedile
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.

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Pós-doutorado

2019

Pós-Doutorado. , Uppsala University, UPPSALA, Suécia.

2018 - 2019

Pós-Doutorado. , Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil. , Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil.

2017 - 2018

Pós-Doutorado. , Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil. , Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra

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Formação complementar

2012 - 2012

Extensão universitária em Curso de Microfabricação: Construção de CI's MOS. (Carga horária: 80h). , Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.

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Idiomas

Inglês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

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Áreas de atuação

    Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Química / Subárea: Físico-Química/Especialidade: Química de Interfaces.

    Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Química / Subárea: Físico-Química/Especialidade: Nanociência.

    Grande área: Outros / Área: Microeletrônica.

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Organização de eventos

KUHN, S. ; PINTO, G. ; PITTHAN, E. ; HEYDE, J. . Semana Acadêmica da Química. 2009. (Outro).

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Comissão julgadora das bancas

Rodrigo Palmieri

SOUZA, G. G. B.; NETZ, P. A.;PALMIERI, R.. INVESTIGAÇÃO DE DEFEITOS E DE MÉTODOS PASSIVADORES DA REGIÃO INTERFACIAL SiO2/SiC. 2017. Tese (Doutorado em PGMICRO) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

DEBORAH PINHEIRO DICK

Stedile, F.C;DICK, D. P.; Goncalves, P.. Efeito de reoxidacoes e de tratamentos termicos com peroxido de hidrogenio na regiao interfacial. 2010. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Bacharelado Quimica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Paulo Fernando Bruno Gonçalves

Stedille F. C.; Debora Dick;PFB GONCALVES, Paulo Gonçalves. Efeito de Reoxidações e de Tratamentos Térmicos com Perócido de Hidrogênio na Região Interfacial. 2010. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Quimica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Alexandre Hahn Englert

ENGLERT, A. H.; KRUG, C.; WIRTH, G.. Investigação de Defeitos e de Métodos Passivadores da Região Interfacial SiO2/SiC. 2015. Exame de qualificação (Doutorando em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Daniel Lorscheitter Baptista

BAPTISTA, D. L.. Filmes de SiO2 depositados e crescidos termicamente sobre SiC: Caracterização Físico-Química e Elétrica. 2013. Dissertação (Mestrado em Programa de Pós-graduação em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

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Foi orientado por

Gabriel Vieira Soares

2018; Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Gabriel Vieira Soares;

Fernanda Chiarello Stedile

Investigação e aprimoramento da região interfacial formada entre dielétricos crescidos termicamente sobre semicondutores com potencial uso em micro e nanoeletrônica; 2013; Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Fernanda Chiarello Stedile;

Fernanda Chiarello Stedile

Investigação de defeitos e de métodos passivadores da região interfacial SiO2/SiC; 2017; Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Fernanda Chiarello Stedile;

Fernanda Chiarello Stedile

Efeito de reoxidações e de tratamentos térmicos com peróxido de hidrogênio na região interfacial SiO2/SiC; 2010; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Bacharelado de Química) - Instituto de Química, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Fernanda Chiarello Stedile;

Fernanda Chiarello Stedile

Determinação dos mecanismos de transporte atômico durante tratamentos térmicos de materiais alternativos ao Si e ao SiO2 usados em microeletrônica; 2008; Iniciação Científica; (Graduando em Bacharelado de Química) - Instituto de Química, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Fernanda Chiarello Stedile;

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Produções bibliográficas

  • PITTHAN, E. ; AMARASINGHE, V.P. ; XU, C. ; GOBBI, A.L. ; DARTORA, G.H.S. ; GUSTAFSSON, T. ; FELDMAN, L.C. ; STEDILE, F.C. . Chemical state of phosphorous at the SiC/SiO2 interface. THIN SOLID FILMS , v. 675, p. 172-176, 2019.

  • PITTHAN, E. ; GERLING, E. R. F. ; FEIJÓ, T. O. ; RADTKE, C. ; SOARES, G. V. . Annealing Response of Monolayer MoS  Grown by Chemical Vapor Deposition. ECS Journal of Solid State Science and Technology , v. 8, p. P267-P270, 2019.

  • PITTHAN, E. ; AMARASINGHE, V.P. ; XU, C. ; GUSTAFSSON, T. ; STEDILE, F.C. ; FELDMAN, L.C. . 4H-SiC Surface Energy Tuning by Nitrogen Up-take. Applied Surface Science , v. 402, p. 192-197, 2017.

  • S. DARTORA, G. H. ; PITTHAN, E. ; C. STEDILE, F. . Unraveling the mechanisms responsible for the interfacial region formation in 4H-SiC dry thermal oxidation. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS , v. 122, p. 215301, 2017.

  • PITTHAN, E. ; DOS REIS, R. ; CORRÊA, S. A. ; SCHMEISSER, D. ; BOUDINOV, H. I. ; STEDILE, F. C. . Influence of CO annealing in metal-oxide-semiconductor capacitors with SiO2 films thermally grown on Si and on SiC. Journal of Applied Physics , v. 119, p. 025307, 2016.

  • PITTHAN, E. ; GOBBI, A.L. ; STEDILE, F.C. . Investigation of phosphorous in thin films using the 31P(α,p)34S nuclear reaction. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B, Beam Interactions with Materials and Atoms (Print) , v. 371, p. 220-223, 2016.

  • PITTHAN, E. ; GOBBI, A.L. ; BOUDINOV, H.I. ; STEDILE, F.C. . SiC Nitridation by NH3 Annealing and Its Effects in MOS Capacitors with Deposited SiO2 Films. Journal of Electronic Materials , v. 44, p. 2823-2828, 2015.

  • PITTHAN, E. ; CORRÊA, S. A. ; SOARES, G. V. ; BOUDINOV, H. I. ; STEDILE, F. C. . SiO2/SiC structures annealed in D218O: Compositional and electrical effects. Applied Physics Letters , v. 104, p. 111904, 2014.

  • PITTHAN, E. ; CORRÊA, S.A. ; SOARES, G.V. ; RADTKE, C. ; STEDILE, F.C. . Synthesis and applications of 18O standards for nuclear reaction analysis. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B, Beam Interactions with Materials and Atoms (Print) , v. 332, p. 56-59, 2014.

  • CORRÊA, S.A. ; PITTHAN, E. ; SOARES, G.V. ; STEDILE, F.C. . Tracing the incorporation of water in SiO2/SiC structures formed by oxide deposition and thermal oxidation. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B, Beam Interactions with Materials and Atoms (Print) , v. 332, p. 19-21, 2014.

  • PITTHAN, E. ; LOPES, L. D. ; PALMIERI, R. ; CORRE^A, S. A. ; SOARES, G. V. ; BOUDINOV, H. I. ; STEDILE, F. C. . Influence of thermal growth parameters on the SiO2-4H-SiC interfacial region. APL Materials , v. 1, p. 022101, 2013.

  • PITTHAN, E. ; PALMIERI, R. ; CORREA, S. A. ; SOARES, G. V. ; BOUDINOV, H. I. ; STEDILE, F. C. . The Role Played in the Improvement of the SiO2/SiC Interface by a Thin SiO2 Film Thermally Grown Prior to Oxide Film Deposition. ECS SOLID STATE LETT , v. 2, p. P8-P10, 2013.

  • PITTHAN, E. ; Corre^a, Silma A. ; Palmieri, Rodrigo ; Soares, Gabriel V. ; Boudinov, Henri I. ; Stedile, Fernanda C. . Effect of Reoxidations and Thermal Treatments with Hydrogen Peroxide in the SiO2/SiC Interfacial Region. Electrochemical and Solid-State Letters , v. 14, p. H368-H371, 2011.

  • STEDILE, F. C. ; PITTHAN, E. ; Palmieri, Rodrigo ; CORREA, S. A. ; Soares, Gabriel V. ; BOUDINOV, H. I. . Alternative Routes to Minimize Electrical Degradation in 4H-SiC MOS Capacitors. In: 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2013, Curitiba. Proceedings of 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2013.

  • Stedile, Fernanda Chiarello ; Radtke, Cláudio ; Soares, Gabriel Vieira ; Pitthan, Eduardo ; Palmieri, Rodrigo ; Corrêa, Silma A. . SiO<sub>2</sub>/SiC Interfacial Region: Presence of Silicon Oxycarbides and Effects of Hydrogen Peroxide and Water Vapor Thermal Treatments. In: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2012, Cleveland. Silicon Carbide and Related Materials 2011, 2011. v. 717. p. 747.

  • Pitthan, Eduardo ; Corrêa, Silma A. ; Palmieri, Rodrigo ; Soares, Gabriel Vieira ; Boudinov, Henri I. ; Stedile, Fernanda Chiarello . Improvement in the SiO 2 /4H-SiC Interfacial Region by Thermal Treatments with Hydrogen Peroxide. In: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2012, Cleveland. Silicon Carbide and Related Materials 2011. v. 717. p. 753.

  • XU, C. ; AMARASINGHE, V. P. ; PITTHAN, E. ; LIU, G. ; YAKSHINSKIY, B. ; WIELUNSKI, L. ; DHAR, S. ; BLOCH, J. ; GUSTAFSSON, T. ; FELDMAN, L. C. . SiO2-SiC Interface Modification Using Hydrogen Incorporation. In: 2016 MRS Spring Meeting, 2016, Phoenix. Proceedings of 2016 MRS Spring Meeting, 2016.

  • STEDILE, F. C. ; PITTHAN, E. ; CORRÊA, S. A. ; SOARES, G.V. ; Radtke, Cláudio . Nuclear Reaction Profiling unraveling the incorporation of water in SiO2/SiC structures. In: 8th International Workshop on High-Resolution Depth Profiling, 2016, London. Proceedings of 8th International Workshop on High-Resolution Depth Profiling, 2016.

  • PITTHAN, E. ; CORRÊA, S. A. ; SOARES, G. V. ; Boudinov, Henri I. ; STEDILE, F. C. . Investigation of Isotopically Enriched Water Vapor (D218O) with SiO2/SiC Structures. In: The 75th Physical Electronics Conference, 2015, new brunswick. The 75th Physical Electronics Conference Procedings, 2015.

  • PITTHAN, E. ; GOBBI, A.L. ; STEDILE, F.C. . Phosphorous quantification by 31P(alpha.p)34S nuclear reaction in phosphorous containing films. In: 22nd International Conference on Ion Beam Analysis, 2015, Opatija. Proceedings of 22nd International Conference on Ion Beam Analysis, 2015.

  • STEDILE, F. C. ; Pitthan, Eduardo ; CORREA, S. A. ; SOARES, G. V. . Interaction of Water Vapor Isotopically Enriched (D218O) with Silicon Dioxide Films on Si and SiC. In: XXXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2014, Costa do Sauípe. Proceedings of XXXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2014.

  • Corrêa, Silma A. ; Pitthan, Eduardo ; SOARES, G. V. ; STEDILE, F. C. . Ion beam analyses allowing to tracing the incorporation of water in SiO2/SiC structures. In: 21st Internacional Conference on Ion Beam Analysis, 2013, Seatle. Proceedings of 21st Internacional Conference on Ion Beam Analysis, 2013.

  • STEDILE, F. C. ; Pitthan, Eduardo ; Corrêa, Silma A. ; RADTKE, C. ; SOARES, G. V. . Standards for nuclear reaction analysis: synthesis and aplications. In: 21st Internacional Conference on Ion Beam Analysis, 2013, Seatle. Proceedings of 21st Internacional Conference on Ion Beam Analysis, 2013.

  • STEDILE, F. C. ; PITTHAN, E. ; LOPES, L. D. ; CORREA, S. A. ; PALMIERI, R. ; Boudinov, Henri I. . Effects of thermal growth parameters in the kinetics of oxide film growth and in the SiO2/4H-SiC interfacial region. In: European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2012, Saint-Petersburg. Procedings of European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2012.

  • PITTHAN, E. ; CORREA, S. A. ; PALMIERI, R. ; BOUDINOV, H. I. ; STEDILE, F. C. . The potential of nuclear reaction analyses to investigate the SiO2/SiC interfacial region submitted to thermal treatments with H2O2. In: 20th International Conference on Ion Beam Analysis, 2011, Itapema. Proceedings of the International Conference on Ion Beam Analysis, 2011.

  • LOPES, L. D. ; PITTHAN, E. ; CORREA, S. A. ; STEDILE, F. C. . Influência do politipo na cinética de crescimento térmico de filmes de SiO2 sobre substratos de 4H- e 6H-SiC. In: 34ª Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Química, 2011, Florianópolis. Anais da 34ª Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Química, 2011.

  • STEDILE, F. C. ; SOARES, G. V. ; CORREA, S. A. ; PITTHAN, E. ; RADTKE, C. ; PALMIERI, R. . Presence of silicon oxycarbides in the SiO2/SiC interface region and its consequence on the dielectric film characteristics. In: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2011, Cleveland. Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2011.

  • PITTHAN, E. ; CORREA, S. A. ; PALMIERI, R. ; SOARES, G. V. ; BOUDINOV, H. I. ; STEDILE, F. C. . Modifications in the SiO2/4H-SiC interfacial region by thermal treatments with hydrogen peroxide. In: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2011, Cleveland. Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2011.

  • LOPES, L. D. ; PITTHAN, E. ; CORREA, S. A. ; STEDILE, F. C. . Investigation of the kinetics of thermal growth of SiO2 films on 4H- and 6H-SiC, and Si substrates by nuclear reaction analyses. In: 20th International Conference on Ion Beam Analysis, 2011, Itapema. Proceedings of the International Conference on Ion BEam Analysis, 2011.

  • PITTHAN, E. ; SOARES, G. V. ; CORREA, S. A. ; STEDILE, F. C. . Efeito de reoxidações em substratos de SiC no crescimento de filmes de SiO(sub2) e na interface SiO(sub2)/SiC. In: 33ª Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Química, 2010, Águas de Lindóia. Anais da 33ª Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Química, 2010.

  • PITTHAN, E. ; PINTO, R. F. L. ; CORREA, S. A. ; SOARES, G. V. ; STEDILE, F. C. . Stability of silicon oxycarbides through sequential removal/growth of Si18O2 films on SiC. In: IX Brazilian MRS Meeting, 2010, Ouro Preto. Proceedings of the IX Brazilian MRS Meeting, 2010.

  • PITTHAN, E. ; AMARASINGHE, V. P. ; XU, C. ; GUSTAFSSON, T. ; STEDILE, F.C. ; FELDMAN, L. C. . SiC Nitrided Surfaces: Surface Energy and Wettability. 2016. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • PITTHAN, E. ; CORRÊA, S. A. ; Soares, Gabriel V. ; BOUDINOV, H. I. ; STEDILE, F. C. . Investigation of Isotopically Enriched Water Vapor (D218O) with SiO2/SiC Structures. 2015. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • Pitthan, Eduardo ; LOPES, L. D. ; CORREA, S. A. ; Palmieri, Rodrigo ; SOARES, G. V. ; BOUDINOV, H. I. ; STEDILE, F. C. . Understandingthe Influence of the SiO2/SiC Interfacial Region Thickness in the Electrical Properties of MOS Structures. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • Pitthan, Eduardo . Interaction of D218O vapor with SiO2/SiC structures. 2014. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

  • PITTHAN, E. ; Corrêa, Silma A. ; PALMIERI, R. ; BOUDINOV, H. I. ; SOARES, G. V. ; STEDILE, F. C. . SiO2 films on 4H-SiC: reducing interface electrical degradation due to thermal oxidation. 2013. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • Pitthan, Eduardo . Caracterização de Materiais Utilizados na Microeletrônica. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

  • Pitthan, Eduardo ; Palmieri, Rodrigo ; CORREA, S. A. ; SOARES, G. V. ; BOUDINOV, H. I. ; STEDILE, F. C. . SiO2 films thermally grown and deposited on SiC aiming at interface electrical passivation. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • PITTHAN, E. ; CORREA, S. A. ; Soares, Gabriel V. ; STEDILE, F.C. . The potential of nuclear reaction analyses to investigate the SiO2/SiC interfacial region submitted to thermal treatments with H2O2. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • PITTHAN, E. ; CORREA, S. A. ; Palmieri, Rodrigo ; SOARES, G. V. ; BOUDINOV, H. I. ; STEDILE, F. C. . Modifications in the SiO2/4H-SiC interfacial region by thermal treatments with hydrogen peroxide. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • PITTHAN, E. ; PINTO, R. F. L. ; CORREA, S. A. ; Soares, Gabriel V. ; STEDILE, F.C. . Stability of silicon oxycarbides through sequential removal/growth of Si18O2 films on SiC. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

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Projetos de pesquisa

  • 2010 - Atual

    Síntese e caracterização de materiais nano-estruturados através de feixes iônicos, Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Eduardo Pitthan Filho - Integrante / Fernanda Chiarello Stedile - Integrante / Mais dezenas de outros pesquisadores - Integrante / Pedro L Grande - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado do Rio Grande do Sul - Auxílio financeiro.

  • 2009 - 2013

    INCT NAMITEC - Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia de Sistemas Micro e Nanoeletrônicos., Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Eduardo Pitthan Filho - Integrante / Fernanda Chiarello Stedile - Coordenador / Mais dezenas de outros pesquisadores - Integrante / Jacobus W. Swart - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

  • 2007 - 2009

    Obtenção de melhorias no dielétrico crescido termicamente sobre SiC para sua aplicação em dispositivos microeletrônicos MOS, Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Eduardo Pitthan Filho - Integrante / Cristiano Krug - Integrante / Cláudio Radtke - Integrante / Israel Jacob Rabin Baumvol - Integrante / Silma Alberton Corrêa - Integrante / Aline Tais da Rosa - Integrante / Fernanda Chiarello Stedile - Coordenador / Gabriel Vieira Soares - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

  • 2007 - Atual

    Formação de nanolaminados dielétricos sobre carbeto de silício monocristalino, Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (2) . , Integrantes: Eduardo Pitthan Filho - Integrante / Cristiano Krug - Integrante / Cláudio Radtke - Coordenador / Israel Jacob Rabin Baumvol - Integrante / Silma Alberton Corrêa - Integrante / Aline Tais da Rosa - Integrante / Ronaldo Fernando Lacerda Pinto - Integrante / Fernanda Chiarello Stedile - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

  • 2007 - Atual

    Passivação da superfície de monocristais de Ge e formação de camadas dielétricas sobre esse material, Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (2) . , Integrantes: Eduardo Pitthan Filho - Integrante / Cristiano Krug - Integrante / Cláudio Radtke - Coordenador / Israel Jacob Rabin Baumvol - Integrante / Silma Alberton Corrêa - Integrante / Aline Tais da Rosa - Integrante / Ronaldo Fernando Lacerda Pinto - Integrante / Fernanda Chiarello Stedile - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

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Prêmios

2010

Aluno destaque 2010/02 pelo excelente desempenho acadêmico no curso de Bacharelado em Química, IQ-UFRGS.

2009

Destaque na sessão Química de Materias I no XXI Salão de Iniciação Científica, UFRGS.

Histórico profissional

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Endereço profissional

  • Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Instituto de Química, Departamento de Físico-Química. , Av. Bento Gonçalves, 9500, Laboratório K-114, Agronomia, 91509900 - Porto Alegre, RS - Brasil, Telefone: (51) 33086322

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Experiência profissional

  • 2017 - Atual

    Universidade Federal do Rio Grande do Sul

    Vínculo: Contrato temporário, Enquadramento Funcional: Professor Substituto, Carga horária: 40

  • 2013 - 2017

    Universidade Federal do Rio Grande do Sul

    Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Aluno de doutorado, Regime: Dedicação exclusiva.

  • 2011 - 2013

    Universidade Federal do Rio Grande do Sul

    Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Aluno de Mestrado, Regime: Dedicação exclusiva.

  • 2008 - 2010

    Universidade Federal do Rio Grande do Sul

    Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Bolsista de iniciação científica, Carga horária: 20, Regime: Dedicação exclusiva.

  • 2007 - 2007

    Universidade Federal do Rio Grande do Sul

    Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Monitoria Acadêmica

    Atividades

    • 01/2008

      Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Química, Departamento de Físico-Química.,Linhas de pesquisa

    • 01/2007 - 12/2007

      Extensão universitária , Instituto de Química, Departamento de Química Inorgânica.,Atividade de extensão realizada, Monitor da disciplina de Química Geral.

Propriedade Intelectual

Patentes (1)