Método para produzir um módulo de semicondutor e um módulo de semicondutor

  • Número do pedido da patente:
  • BR 10 2012 011304 0 A2
  • Data do depósito:
  • 11/05/2012
  • Data da publicação:
  • 06/11/2012
  • Prioridade unionista:
  • País Número Data
    JAPÃO JAPÃO 2012-029803 14/02/2012
    JAPÃO JAPÃO 2011-108159 13/05/2011
Inventores:
  • Classificação:
  • H01L 27/04
    Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado s?lido, formados em ou sobre um substrato comum; / incluindo componentes semicondutores adaptados ? retifica??o, oscila??o, amplifica??o, comuta??o e tendo pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superf?cie; incluindo elementos de circuito passivo integrado com pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superf?cie; / sendo o substrato um corpo semicondutor;
    ;

MÉTODO PARA PRODUZIR UM MÓDULO DE SEMICONDUTOR E UM MÓDULO DE SEMICONDUTOR. A presente invenção refere-se ao modo de aterrar seguramante uma blindagem externa e reduzir a carga imposta sobreuma lâmina de corte e a blindagem externa, um método para produzir um módulo de semicondutor que compreende uma etapa de formação de furos de formar um furo (30) que estende de uma superfície superior de uma camada de resina de vedação (3) até uma fiação de terra (11) (112) provida em um substrato coletivo 100, uma etapa de formação de filme de formar um filme eletricamente condutivo feito de um material eletricamente condutivo de modo a cobrir pelo menos a superfície superior da camada de resina de vedação (3), uma superfície interna do furo (20), e a fiação de terra (111) (112), e uma etapa de separação de separar umas das outras pluraludade de seções de módulos individuais a qual a seção de módulo individual compreende.

Confirma a exclusão?