Transistor de efeito de campo

Número do pedido da patente:
PI 0904494-9 A2

Data do depósito:
17/11/2009

Data da publicação:
08/02/2011

Prioridade unionista:

País	Número	Data
FRANÇA	0950198	15/01/2009

Inventores:

Mohamed Benwadih

Classificação:
H01L 29/772

Dispositivos semicondutores adaptados para retifica??o, amplifica??o, oscila??o ou comuta??o ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superf?cie; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superf?cie, p. ex. camada de deple??o da jun??o PN ou camada de concentra??o de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos; / Tipos de dispositivo semicondutor; / control?veis unicamente pela corrente el?trica fornecida ou pelo potencial el?trico aplicado a um eletrodo que n?o conduz a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada; / Dispositivos unipolares; / Transistores de efeito de campo;

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Nome do depositante:
Commissariat A L' Energie Atomique

Nome do procurador:
Ana Cristina Almeida MüLler Wegmann

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO Transistor de efeito de campo, compreendendo, pelo menos, uma porta (1), uma camada de isolador (2), um dreno (3), uma fonte (4), um material semicondutor (50) conectando a fonte(4) ao dreno (3), ambas a porta (1) e a camada de isolador (2) circundando o conjunto constituído pela fonte (4), o dreno (3) e o material semicondutor, a camada de isolador (2) sendo disposta entre a porta (1) e o dito conjunto. O dreno (3) e a fonte (4) são constituídos por um primeiro e um segundo condutores elétricos, dispostos, respectivamente, paralelamente e desconectados entre si, os primeiro e segundo condutores sendo circundados por uma camada do material semicondutor (50) por toda as suas circunferências e pelo menos uma parte dos seus comprimentos.