Circuito de retardo

  • Número do pedido da patente:
  • PI 9713888-6 A2
  • Data do depósito:
  • 03/12/1997
  • Data da publicação:
  • 12/06/2001
  • Prioridade unionista:
  • País Número Data
    ESTADOS UNIDOS ESTADOS UNIDOS 08/762.262 09/12/1996
Inventores:
  • Classificação:
  • F42B 3/10
    Cartuchos de detona??o, i.e. inv?lucro e explosivo; / Detonadores para esse fim;
    ;
  • Início da fase nacional:
  • 09/06/1999
  • PCT:
  • Número: US9722404 Data:03/12/1997
  • WO:
  • Número: 98/26248 Data: 18/06/1998

"CIRCUITO DE RETARDO". Um circuito de retardo eletrônico (10) para utilização em um detonador (100) tem um circuito de comutação (20) e um circuito temporizador (22). O circuito de comutação (20) controla o fluxo de uma carga armazenada de energia elétrica, a partir de um capacitor de armazenagem (12) em direção a um elemento de iniciação em ponte, como uma ponte semicondutora (18) ou uma ponte de tungstênio. A cronometragem da liberação desta energia é controlada por um circuito temporizador (22). O circuito de comutação (20) é um circuito integrado bipolar CMOS (DI BiCMOS), isolado dieletricamente, ao passo que o circuito temporizador (22) é um circuito BiCMOS convencional. A utilização de um circuito de comutação BiCMOS permite maior eficiência de transferência de energia, a partir do capacitor de armazenagem (12) em direção à ponte semicondutora (18), comparada à eficiência anteriormente obtida.