"dispositivo de célula solar e método de fabricação do mesmo"

  • Número do pedido da patente:
  • PI 9907023-5 B1
  • Data do depósito:
  • 22/01/1999
  • Data da publicação:
  • 17/10/2000
  • Data da concessão:
  • 26/09/2006
  • Prioridade unionista:
  • País Número Data
    JAPÃO JAPÃO 10/10071 22/01/1998
Inventores:
  • Classificação:
  • H01L 31/04
    Dispositivos semicondutores sens?veis ? radia??o infravermelha, luz, radia??o eletromagn?tica de comprimento de onda mais curto ou radia??o corpuscular e especialmente adaptados para a convers?o da energia de tal radia??o em energia el?trica ou para controle de energia el?trica por meio de tal radia??o; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos; / adaptados com dispositivos de convers?o fotovolt?icos [PV];
    ;
  • Início da fase nacional:
  • 18/07/2000
  • PCT:
  • Número: JP9900256 Data:22/01/1999
  • WO:
  • Número: 99/38216 Data: 29/07/1999

"DISPOSITIVO DE CÉLULA SOLAR E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DO MESMO". Uma célula solar (2) tem uma estrutura de camada múltipla constituída de um substrato de vidro transparente de isolamento (10), um eletrodo de óxido transparente (12), uma camada de tratamento de superfície (14) formada por meio da submissão do eletrodo de óxido transparente (12) ao processamento de plasma oxidante, um filme de azoteto de silício (16), uma camada semicondutora do tipo p (18), uma camada amortecedora (20), uma camada semicondutora intrínseca (22), uma camada semicondutora do tipo N (24), e um eletrodo de metal (26) empilhados nesta ordem. A superfície do eletrodo de óxido transparente (12) é estabilizada quimicamente pela camada de tratamento de superfície (14), aumentando, desta maneira, a voltagem de extremidade aberta.