Dispositivo eletrônico

Número do pedido da patente:
PI 1004090-0 A2

Data do depósito:
07/10/2010

Data da publicação:
13/02/2013

Prioridade unionista:

País	Número	Data
ESTADOS UNIDOS	12/575,739	08/10/2009

Inventores:

Paul F. Smith

Nan-Xing Hu

Ping Liu

Yiliang Wu

Hadi K. Mahabadi

Giuseppa Baranyi

Classificação:
H01L 51/30

Dispositivos de estado s?lido usando materiais org?nicos como parte ativa ou usando uma combina??o de materiais org?nicos com outros materiais como parte ativa; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabrica??o ou tratamento de tais dispositivos, ou de suas partes integrantes; / especialmente adaptados para retifica??o, amplifica??o, oscila??o ou comuta??o e possuindo pelo menos um solto de barreira de potencial ou barreira de superf?cie; Capacitores ou resistores com pelo menos um salto de barreira de potencial ou barreira de superf?cie; / Sele??o de materiais;

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H01L 51/40

Dispositivos de estado s?lido usando materiais org?nicos como parte ativa ou usando uma combina??o de materiais org?nicos com outros materiais como parte ativa; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabrica??o ou tratamento de tais dispositivos, ou de suas partes integrantes; / especialmente adaptados para retifica??o, amplifica??o, oscila??o ou comuta??o e possuindo pelo menos um solto de barreira de potencial ou barreira de superf?cie; Capacitores ou resistores com pelo menos um salto de barreira de potencial ou barreira de superf?cie; / Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento de tais dispositivos ou de partes deste;

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Nome do depositante:
Xerox Corporation

Nome do procurador:
Dannemann Siemsen Bigler & Ipanema Moreira

DISPOSITIVO ELETRÔNICO. A presente invenção refere-se a dispositivos eletrônicos, tais como transistores de película delgada orgânica, com mobilidade aperfeiçoada, que são revelados. A camada semicondutiva compreende camadas ou estriamentos de um semicondutor orgânico e grafeno, incluindo camadas alternantes/estriamentos de tais materiais, O semicondutor orgânico e camadas de grafeno interagem bem juntos porque ambos os materiais formam folhas lamelares. A presença de grafeno intensifica a mobilidade por correção dos defeitos de acondicionamento molecular nas camadas de semicondutor orgânico, e a condutividade de grafeno pode ser controlada. Finalmente, ambos os materiais são flexíveis, permitindo camadas semicondutoras e transistores flexíveis.