Dispositivo

  • Número do pedido da patente:
  • PI 0720935-5 A2
  • Data do depósito:
  • 21/12/2007
  • Data da publicação:
  • 11/03/2014
  • Prioridade unionista:
  • País Número Data
    ESTADOS UNIDOS ESTADOS UNIDOS 11/615834 22/12/2006
Inventores:
  • Classificação:
  • H01L 33/00
    Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superf?cie especialmente adaptados para a emiss?o de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos;
    ;
    C30B 25/18
    Crescimento de monocristais por rea??o qu?mica de gases reativos, p. ex. crescimento qu?mico por dep?sito de vapores; / Crescimento de camadas epitaxiais; / caracterizado pelo substrato;
    ;
    C30B 29/40
    Monocristais ou material policristalino homog?neo com estrutura definida caracterizados pelo material ou por seus formatos; / Compostos ou composi??es inorg?nicas; / Compostos AIIIBV ;
    ;
  • Início da fase nacional:
  • 19/06/2009
  • PCT:
  • Número: IB2007055267 Data:21/12/2007
  • WO:
  • Número: 2008/078302 Data: 03/07/2008