Método

  • Número do pedido da patente:
  • PI 0721106-6 A2
  • Data do depósito:
  • 21/12/2007
  • Data da publicação:
  • 04/02/2014
  • Prioridade unionista:
  • País Número Data
    ESTADOS UNIDOS ESTADOS UNIDOS 11/615808 22/12/2006
Inventores:
  • Classificação:
  • H01L 33/00
    Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superf?cie especialmente adaptados para a emiss?o de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos;
    ;
    H01L 21/20
    Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado s?lido ou de partes dos mesmos; / Fabrica??o ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos; / tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superf?cie, p. ex. jun??o PN, camada de deple??o, camada de concentra??o de portadores de carga; / os dispositivos possuindo corpos semicondutores constitu?dos de elementos do Grupo IV do Sistema Peri?dico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex. materiais de dopagem; / Dep?sito de materiais semicondutores em uma base, p. ex. crescimento epitaxial;
    ;
  • Início da fase nacional:
  • 19/06/2009
  • PCT:
  • Número: IB2007055266 Data:21/12/2007
  • WO:
  • Número: 2008/078301 Data: 03/07/2008