Dispositivo emissor de luz., e, método

  • Número do pedido da patente:
  • PI 0712115-6 A2
  • Data do depósito:
  • 05/06/2007
  • Data da publicação:
  • 31/01/2012
  • Prioridade unionista:
  • País Número Data
    ESTADOS UNIDOS ESTADOS UNIDOS 11/423413 09/06/2006
Inventores:
  • Classificação:
  • H01L 33/00
    Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superf?cie especialmente adaptados para a emiss?o de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos;
    ;
  • Início da fase nacional:
  • 05/12/2008
  • PCT:
  • Número: IB2007052094 Data:05/06/2007
  • WO:
  • Número: 2008/007235 Data: 17/01/2008

DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ, E, MÉTODO. Um dispositivo emissor de luz inclui uma estrutura semicondutora tendo uma camada emissora de luz disposta entre uma regiãode tipo-n e uma região de tipo-p. Uma região porosa é disposta entre a camada emissora de luz e um contato conectado eletricamente a uma dentre a região de tipo n e a região de tipo p. A região porosa dispersa a luz para longe do contato absorvente, o que pode melhorar a extração de luz do dispositivo. Em alguns modos de realização a região porosa é um material semicondutor de tipo n como GaN ou GaP.

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