Célula solar de alta tensão e módulo de células solares

  • Número do pedido da patente:
  • PI 0708185-5 A2
  • Data do depósito:
  • 21/02/2007
  • Data da publicação:
  • 24/05/2011
  • Prioridade unionista:
  • País Número Data
    ESTADOS UNIDOS ESTADOS UNIDOS 11/361,296 24/02/2006
Inventores:
  • Classificação:
  • H01L 31/042
    Dispositivos semicondutores sens?veis ? radia??o infravermelha, luz, radia??o eletromagn?tica de comprimento de onda mais curto ou radia??o corpuscular e especialmente adaptados para a convers?o da energia de tal radia??o em energia el?trica ou para controle de energia el?trica por meio de tal radia??o; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos; / adaptados com dispositivos de convers?o fotovolt?icos [PV]; / M?dulos PV ou conjunto de c?lulas simples PV;
    ;
    H01L 31/05
    Dispositivos semicondutores sens?veis ? radia??o infravermelha, luz, radia??o eletromagn?tica de comprimento de onda mais curto ou radia??o corpuscular e especialmente adaptados para a convers?o da energia de tal radia??o em energia el?trica ou para controle de energia el?trica por meio de tal radia??o; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos; / adaptados com dispositivos de convers?o fotovolt?icos [PV]; / M?dulos PV ou conjunto de c?lulas simples PV; / Meios de interconex?es el?tricas entre c?lulas PV internas ao m?dulo PV, p. ex. conex?o serial de c?lulas PV;
    ;
    H01L 31/18
    Dispositivos semicondutores sens?veis ? radia??o infravermelha, luz, radia??o eletromagn?tica de comprimento de onda mais curto ou radia??o corpuscular e especialmente adaptados para a convers?o da energia de tal radia??o em energia el?trica ou para controle de energia el?trica por meio de tal radia??o; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos; / Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou o tratamento desses dispositivos ou de suas partes;
    ;
    H01L 31/0224
    Dispositivos semicondutores sens?veis ? radia??o infravermelha, luz, radia??o eletromagn?tica de comprimento de onda mais curto ou radia??o corpuscular e especialmente adaptados para a convers?o da energia de tal radia??o em energia el?trica ou para controle de energia el?trica por meio de tal radia??o; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos; / Detalhes; / Eletrodos;
    ;
    H01L 31/06
    Dispositivos semicondutores sens?veis ? radia??o infravermelha, luz, radia??o eletromagn?tica de comprimento de onda mais curto ou radia??o corpuscular e especialmente adaptados para a convers?o da energia de tal radia??o em energia el?trica ou para controle de energia el?trica por meio de tal radia??o; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos; / adaptados com dispositivos de convers?o fotovolt?icos [PV]; / caracterizados por pelo menos uma barreira de potencial ou uma barreira de superf?cie;
    ;
    H01L 31/0203
    Dispositivos semicondutores sens?veis ? radia??o infravermelha, luz, radia??o eletromagn?tica de comprimento de onda mais curto ou radia??o corpuscular e especialmente adaptados para a convers?o da energia de tal radia??o em energia el?trica ou para controle de energia el?trica por meio de tal radia??o; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos; / Detalhes; / Recipientes; Encapsulamento;
    ;
  • Início da fase nacional:
  • 22/08/2008
  • PCT:
  • Número: CA2007000299 Data:21/02/2007
  • WO:
  • Número: 2007/095757 Data: 30/08/2007

CÉLULA SOLAR DE ALTA TENSÃO E MÓDULO DE CÉLULAS SOLARES. Um aparelho de célula solar e processo para a fabricação e uso do mesmo envolvendo uma placa de material semicondutor tendo uma superfície lateral frontal e uma superfície lateral traseira metalizada e uma junção tipo p/n de material semicondutor entre a superfície lateral frontal e a superfície lateral traseira. Pelo menos uma interrupção lateral frontal faz-se estender ao longo de pelo menos uma porção da superfície lateral frontal e para a placa a uma profundidade suficiente para interromper a junção tipo p/n de material semicondutor de modo a definir uma pluralidade de seções de junção tipo p/n separadas dentro da placa e de modo a definir porções de suficiente lateral frontal separadas associadas às respectivas seções de junção tipo p/n separadas. Uma interrupção lateral traseira faz-se estender ao longo de uma porção da superfície lateral traseira metalizada, de modo geral oposta à interrupção lateral frontal, de modo a definir uma pluralidade de porções de superfície lateral traseira metalizadas separadas associadas às respectivas seções de junção tipo p/n e em contato elétrico com as respectivas seções de junção tipo p/n.

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