Aperfeiçoamento em transistor

Número do pedido da patente:
PI 0802745-5 A2

Data do depósito:
07/08/2008

Data da publicação:
23/03/2010

Inventores:

Salvador Pinillos Gimenez

Marcello Bellodi

Classificação:
H01L 29/06

Dispositivos semicondutores adaptados para retifica??o, amplifica??o, oscila??o ou comuta??o ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superf?cie; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superf?cie, p. ex. camada de deple??o da jun??o PN ou camada de concentra??o de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos; / caracterizados por seus corpos semicondutores; / caracterizados por seu formato; caracterizados pelos formatos, dimens?es relativas ou disposi??es das regi?es semicondutoras;

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Nome do depositante:
Fundação Educacional Inaciana "Pe Sabóia de Madeiros

Nome do procurador:
Ricci & Assoc, Propr. Intelec. S/S Ltda

APERFEIÇOAMENTO EM TRANSISTOR. Onde as interfaces de fonte/dreno e o filme de silício serem compostas de duas partes planares que formam um ângulo entre si na faixa de O e 180 graus, configurando meios para aumentar o campo lateral decorrente da polarização entre dreno e fonte e, conseqúentemente, meios para aumentar a corrente de dreno, quando comparado às estruturas convencionais atualmente utilizadas, considerando uma mesma razão de aspecto (W/L), sob as mesmas condições de polarização e utilizando uma mesma tecnologia.