Célula eprom

  • Número do pedido da patente:
  • PI 0619718-3 A2
  • Data do depósito:
  • 27/07/2006
  • Data da publicação:
  • 11/10/2011
  • Prioridade unionista:
  • País Número Data
    ESTADOS UNIDOS ESTADOS UNIDOS 11/263,337 31/10/2005
Inventores:
  • Classificação:
  • H01L 21/28
    Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado s?lido ou de partes dos mesmos; / Fabrica??o ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos; / tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superf?cie, p. ex. jun??o PN, camada de deple??o, camada de concentra??o de portadores de carga; / os dispositivos possuindo corpos semicondutores constitu?dos de elementos do Grupo IV do Sistema Peri?dico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex. materiais de dopagem; / Fabrica??o de eletrodos em corpos semicondutores usando processos ou aparelhos n?o inclu?dos nos grupos ;
    ;
    H01L 29/423
    Dispositivos semicondutores adaptados para retifica??o, amplifica??o, oscila??o ou comuta??o ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superf?cie; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superf?cie, p. ex. camada de deple??o da jun??o PN ou camada de concentra??o de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos; / Eletrodos; / caracterizados por seus formatos, tamanhos relativos ou disposi??es; / n?o transportando a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada;
    ;
    H01L 29/788
    Dispositivos semicondutores adaptados para retifica??o, amplifica??o, oscila??o ou comuta??o ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superf?cie; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superf?cie, p. ex. camada de deple??o da jun??o PN ou camada de concentra??o de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos; / Tipos de dispositivo semicondutor; / control?veis unicamente pela corrente el?trica fornecida ou pelo potencial el?trico aplicado a um eletrodo que n?o conduz a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada; / Dispositivos unipolares; / Transistores de efeito de campo; / com o efeito de campo produzido por uma porta isolada; / de porta flutuante;
    ;
  • Início da fase nacional:
  • 30/04/2008
  • PCT:
  • Número: US2006029502 Data:27/07/2006
  • WO:
  • Número: 2007/053219 Data: 10/05/2007

CELULA EPROM. Uma célula EPROM (70) inclui um substrato semicondutor (52) , tendo regiões de fonte e dreno (76, 74) , uma porta flutuante (72) incluindo uma camada de poli-silício semicondutiva (56) interconectada eletricamente com uma primeira camada de metal (60) , e uma porta de controle (64) , incluindo uma segunda camada de metal. A porta flutuante (72) é disposta adjacente às regiões de fonte (76) e dreno (74) e separada do substrato semicondutor (52) por uma primeira camada dielétrica (54) , e a segunda camada de metal (64) da porta de controle é acoplada capacitivamente à primeira camada de metal (60) com uma segunda camada dielétrica (62) entre elas.

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