Processo para a produção de monossilano

PROCESSO PARA A PRODUÇÃO DE MONOSSILANO. A presente invenção refere-se a uma instalação e a um processo para a produção contínua de monossilano e de tetraclorossilano através da dismutação catalítica do triclorossilano em uma temperatura de operação e a uma pressão a partir de 100 a 5000 KPa (1 a 50 bar) abs., em uma instalação de acordo com a reivindicação 1 na qual o triclorossilano (A) é preaquecido em um comutador de calor (7), e alimentado para o reator 10 de contra-corrente (1) que é provido com o catalisador (3), - a mistura do produto formada no reator de contracorrente (1) é pelo menos condensada por meio do condensador (5) em uma temperatura na faixa a partir de -25 até 50C com o condensado fluindo de volta para o interior do reator de contracorrente (1), - a fase do produto que não é condensada no condensador (5) é passada 15 a unidade de condensação (8) que é operada em uma temperatura na faixa a partir de -40 até -110C, - a fase volátil do produto a partir da unidade de condensação (8) é alimentada para a coluna de destilação (9) que é operada em uma temperatura na faixa a partir de -60 até -170C e o monossilano (C) é descarregado no topo da coluna de destilação (9), 20 - os materiais de fundo que contêm o SiCI4 a partir do reator de contracorrente (1) são trazidos para uma temperatura na faixa a partir de 60 até 110C na unidade de vaporização (6) e - o produto do fundo do vaporizador (6) é transportado através do comutador de calor (7) para o interior da parede dupla (2) do reator de contracorrente (1) e a corrente de produto que contém o SiCI4 (6) é descarregada em um nível na região superior do reator (1).