Método para fabricar um sensor de imagem, e, sensor de imagem

  • Número do pedido da patente:
  • PI 0511880-8 A2
  • Data do depósito:
  • 12/05/2005
  • Data da publicação:
  • 15/01/2008
  • Prioridade unionista:
  • País Número Data
    ORGANIZAÇÃO EUROPÉIA DE PATENTES 04105544.3 05/11/2004
    ORGANIZAÇÃO EUROPÉIA DE PATENTES 04102618.8 09/06/2004
Inventores:
  • Classificação:
  • H01L 27/146
    Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado s?lido, formados em ou sobre um substrato comum; / incluindo componentes semicondutores sens?veis ?s radia??es infravermelhas, ? luz, ? radia??o eletromagn?tica de comprimentos de onda mais curtos ou ? radia??o corpuscular e adaptado, tanto para a convers?o da energia destas radia??es em energia el?trica, como para o controle de energia el?trica por tais radia??es; / Dispositivos controlados por radia??o; / Estruturas de captadores de imagens;
    ;
    H01L 31/0232
    Dispositivos semicondutores sens?veis ? radia??o infravermelha, luz, radia??o eletromagn?tica de comprimento de onda mais curto ou radia??o corpuscular e especialmente adaptados para a convers?o da energia de tal radia??o em energia el?trica ou para controle de energia el?trica por meio de tal radia??o; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos; / Detalhes; / Elementos ou disposi??es ?pticas associadas ao dispositivo;
    ;
  • Início da fase nacional:
  • 07/12/2006
  • PCT:
  • Número: IB2005051560 Data:12/05/2005
  • WO:
  • Número: 2005/122262 Data: 22/12/2005

MÉTODO PARA FABRICAR UM SENSOR DE IMAGEM, E, SENSOR DE IMAGEM A invenção é relativa a um método para fabricar um sensor de imagem iluminado pelo lado de trás (14), que compreende as etapas de: começando com uma pastilha (2) que tem uma primeira (3) e uma segunda (4) superficies, fornecer regiões de pixel sensíveis à luz (5) que se estendem na pastilha (2) a partir da primeira superfície (3), prender a pastilha (2) sobre um substrato protetor (7) de tal modo que a primeira superfície (3) faceia o substrato protetor, a pastilha compreendendo um substrato de um primeiro material (8) com uma camada ótica transparente (9) e uma camada de material semicondutor (10) na qual o substrato (8) é removido de maneira seletiva da camada de material semicondutor utilizando a camada transparente ótica (9) como camada de interrupção. Para sensores de imagem iluminados pelo lado de trás, luz deve transmitir através da camada semicondutora e penetrar nas regiões de pixel sensíveis à luz (5). Para reduzir perdas de absorção é muito vantajoso que a camada de semicondutor (10) possa é feita relativamente fina com uma boa uniformidade. Devido à espessura reduzida da camada de semicondutor, mais luz pode penetrar nas regiões sensíveis à luz, resultando em um rendimento melhorado do sensor de imagem.

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