Processo para produzir silício

  • Número do pedido da patente:
  • PI 0508314-1 A2
  • Data do depósito:
  • 06/01/2005
  • Data da publicação:
  • 24/07/2007
  • Prioridade unionista:
  • País Número Data
    ALEMANHA ALEMANHA 10 2004 010 055.1 02/03/2004
Inventores:
  • Classificação:
  • C01B 33/027
    Sil?cio; Seus compostos; / Sil?cio; / Prepara??o; / por decomposi??o ou redu??o de compostos de sil?cio gasosos ou vaporizados outros que n?o s?lica ou material contendo s?lica;
    ;
    C01B 33/03
    Sil?cio; Seus compostos; / Sil?cio; / Prepara??o; / por decomposi??o ou redu??o de compostos de sil?cio gasosos ou vaporizados outros que n?o s?lica ou material contendo s?lica; / por decomposi??o de haletos de sil?cio ou de silanos halogenados ou redu??o destes com hidrog?nio como o ?nico agente redutor;
    ;
    C01B 33/029
    Sil?cio; Seus compostos; / Sil?cio; / Prepara??o; / por decomposi??o ou redu??o de compostos de sil?cio gasosos ou vaporizados outros que n?o s?lica ou material contendo s?lica; / por decomposi??o de monosilano;
    ;
  • Início da fase nacional:
  • 31/08/2006
  • PCT:
  • Número: EP2005050043 Data:06/01/2005
  • WO:
  • Número: 2005/085133 Data: 15/09/2005

PROCESSO PARA PRODUZIR SILÍCIO A presente invenção refere-se a um processo para produzir silício pela decomposição térmica de uma mistura gasosa compreendendo monossilano, monoclorossilano e, se desejado, outros clorossilanos, por exemplo diclorossilano.