Processo de fabricação de células solares

  • Número do pedido da patente:
  • PI 0305817-4 B1
  • Data do depósito:
  • 28/11/2003
  • Data da publicação:
  • 16/08/2005
  • Data da concessão:
  • 26/12/2012
Inventores:
  • Classificação:
  • H01L 31/18
    Dispositivos semicondutores sens?veis ? radia??o infravermelha, luz, radia??o eletromagn?tica de comprimento de onda mais curto ou radia??o corpuscular e especialmente adaptados para a convers?o da energia de tal radia??o em energia el?trica ou para controle de energia el?trica por meio de tal radia??o; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos; / Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou o tratamento desses dispositivos ou de suas partes;
    ;
    H01L 33/00
    Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superf?cie especialmente adaptados para a emiss?o de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos;
    ;

"PROCESSO DE FABRICAÇÃO DE CÉLULAS SOLARES". Constituído por uma etapa de crescimento de óxido de silício sobre as superfícies, para proteção de determinadas regiões da lâmina dos ataques anisotrópicos e das difusões de dopantes, seguido por um processo de fotolitografia, ataque do óxido através de uma solução de ácido fluorídrico, processo de texturização para formação de micropirâmides na superfície mediante um ataque anisotrópico, difusão de fósforo para formar a região tipo n, deposição de alumínio (dopante tipo. ) na face posterior por evaporação em vácuo, redistribuição de ambos dopantes a 1000 C. Metalização frontal para delineação da malha metálica para coleta da corrente elétrica, evaporação em vácuo de Ti, Pd e Ag, extração de metal excedente pela técnica de lift-off e crescimento eletrolítico de prata para obter dedos metálicos de espessuras de aproximadamente 10m. Imersão das lâminas em acetona e banho com agitação por ultra-som. Concluindo o processo depositam-se Al e Ag na face posterior, novamente por evaporação a vácuo e se realiza um recozimento final em 'forming gas' (95% de N2 e 5% de H2) para melhorar o contato metal-semicondutor e recuperar possíveis danos superficiais. Para evitar a contaminação das lâminas, uma limpeza RCA completa é realizada antes de cada passo térmico.

Confirma a exclusão?