Componente de potência de semicondutor com fusível

  • Número do pedido da patente:
  • PI 0104489-3 A2
  • Data do depósito:
  • 26/01/2001
  • Data da publicação:
  • 08/01/2002
  • Prioridade unionista:
  • País Número Data
    ALEMANHA ALEMANHA 100 07 209.7 17/02/2000
Inventores:
  • Classificação:
  • H01H 85/02
    Dispositivos de prote??o em que a corrente passa por uma pe?a de material fus?vel sendo esta corrente interrompida pelo rompimento do material fus?vel quando esta corrente se torna excessiva; / Detalhes;
    ;
    H01L 23/62
    Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado s?lido; / Disposi??es el?tricas estruturais n?o inclu?das em outro local para dispositivos semicondutores; / Prote??o contra sobretens?o, p. ex. fus?veis, shunts;
    ;
  • Início da fase nacional:
  • 16/10/2001
  • PCT:
  • Número: DE0100307 Data:26/01/2001
  • WO:
  • Número: 01/61718 Data: 23/08/2001

Patente de Invenção: "COMPONENTE DE POTÊNCIA DE SEMICONDUTOR COM FUSÍVEL". A presente invenção refere-se a um componente de potência de semicondutor (diodo 18) com um fio de conexão (1 1) e com um fusível (1 2) situado no caminho de corrente principal que atua em caso de sobrecarga térmica, especialmente para o uso na rede de bordo de automóveis. Para se obter em caso de sobrecarga de componentes de potência de semicondutor um desligamento predeterminado, direcionado do componente em risco, para evitar danificações subseqüentes, sugere-se que um segmento parcial (11b) do fio de conexão (11) elou seus pontos de contato no caminho de corrente principal do semicondutor sejam executados como um fusível (12) que atua em virtude de um valor de temperatura predeterminado, em dependência da corrente.

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