Dispositivo semicondutor

Número do pedido da patente:
PI 9908224-1 A2

Data do depósito:
25/02/1999

Data da publicação:
24/10/2000

Prioridade unionista:

País	Número	Data
JAPÃO	10/280747	02/10/1998
JAPÃO	10/43140	25/02/1998

Inventores:

Takakazu Yano

Shigeru Morokawa

Takashi Masuda

Makoto Watanabe

Masayoshi Kikuchi

Classificação:
H01L 21/60

Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado s?lido ou de partes dos mesmos; / Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos; / tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superf?cie, p. ex. jun??o PN, camada de deple??o, camada de concentra??o de portadores de carga; / Montagem de dispositivos semicondutores usando processos ou aparelhos n?o inclu?dos em um ?nico dos grupos ; / Fixa??o de fios condutores ou de outros elementos condutores para serem destinados a conduzir corrente para ou de um dispositivo, durante seu funcionamento;

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Nome do depositante:
Citizen Watch Co., Ltd

Nome do procurador:
Trench, Rossi & Watanabe

Início da fase nacional:
24/08/2000

PCT:
Número: JP9900892 Data:25/02/1999

WO:
Número: 99/44228 Data: 02/09/1999

"DISPOSITIVO SEMICONDUTOR". Descreve-se um terminal protuberante de um dispositivo semicondutor que é feito de uma camada de alumínio formada por dardejamento. A altura do terminal protuberante é suficientemente mais alta do que aquelas das outras partes, e a superfície mais alta do terminal protuberante é coberta com uma película condutora, para impedir a oxidação das películas, como uma película condutora transparente.