Processo para a produção de silício de alta pureza.
- Número do pedido da patente:
- PI 9510622-7 A2
- Data do depósito:
- 14/07/1995
- Data da publicação:
- 12/01/1999
- Classificação:
-
C01B 33/037;Sil?cio; Seus compostos; / Sil?cio; / Purifica??o;
- Nome do depositante:
- Showa Denko K.K
- Nome do procurador:
- Paulo C. Oliveira & Cia
- Início da fase nacional:
- 12/01/1998
- PCT:
- Número: JP9501407 Data:14/07/1995
- WO:
- Número: 97/03922 Data: 06/02/1997
PROCESSO PARA A PRODUÇÃO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA. A invenção fornece um processo para a produção de silício de alta pureza de graduação solar a um baixo custo para fornecimento de silício de graduação solar barato. O processo compreende as etapas de: (a) misturar o silício cru com silicato de cálcio a uma temperatura de pelo menos 1544°C para o preparo de uma mistura de fusão e fazer com que o boro no silício emigre para o interior da escória de silicato de cálcio, (b) deixar com que a mistura resultante da etapa (a) permaneça em uma atmosfera de gás inerte para separar a mistura em uma camada inferior de escória e uma camada superior de silício fundido e posteriormente manter o silício em um estado de fusão enquanto solidificando a escória a uma temperatura de 1410 até 1544°C, (c) imergir um corpo de resfriamento 2 no silício fundido obtido pela etapa (b) para fazer com que o silício altamente purificado cristalize-se fora e deposite-se em uma superfície externa do corpo de resfriamento em uma atmosfera de gás inerte, retirando posteriormente o corpo de resfriamento 2 a partir do silício fundido e removendo um bloco S de silício de alta pureza, cristalizando-se fora do corpo de resfriamento 2, e (d) fundindo o silício de alta pureza obtido pela etapa (c) novamente, e tratando posteriormente o silício fundido resultante em um vácuo para evaporar o fósforo a fósforo a partir do silício de alta pureza para desfosforização.
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