Acionador de laser semicondutor

  • Número do pedido da patente:
  • PI 9500553-6 B1
  • Data do depósito:
  • 07/02/1995
  • Data da publicação:
  • 27/05/1997
  • Data da concessão:
  • 15/06/1999
  • Prioridade unionista:
  • País Número Data
    REPÚBLICA DA CORÉIA REPÚBLICA DA CORÉIA 94-2444 08/02/1994
Inventores:
  • Classificação:
  • H01S 3/133
    Descri??o n?o cadastrada.
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Um acionador de diodo laser pulsado, de alta potência e alta PRF, incluindo uma chave semicondutora de três terminais oticamente ativada, capaz de gerar pulsos de luz de alto pico de potência com uma largura de pulso ultra-estreita, a uma elevada PRF. O acionador de laser semicondutor inclui uma unidade de controle para controlar um sinal de acionamento de entrada, uma unidade de condicionamento de energia elétrica e carregamento de pulso para receber o referido sinal de acionamento controlado na referida unidade de controle e assim gerar uma energia elétrica, uma unidade de armazenagem de energia para receber a referida energia elétrica a partir da referida unidade de condicionamento de energia elétrica e carregamento de pulso e armazenar a energia elétrica recebida, uma unidade de fonte de luz de gatilho e de acionamento para gerar um feixe laser ótico de baixa potência após a energia elétrica ter sido armazenada na unidade de armazenagem de energia, uma unidade de chave semicondutora oticamente ativada para converter a energia elétrica capacitivamente carregada em um pulso de alta corrente, e um feixe de laser de alta potência para converter o referido pulso de alta corrente recebido a partir da referida unidade de chave semicondutora oticamente ativada em um pulso ótico de alta potência a ser gerado como saída. A unidade de chave semicondutora oticamente ativada é uma chave de três terminais consistindo de três eletrodos.