Método e célula fotovoltaica

  • Número do pedido da patente:
  • BR 11 2012 027715 4 A2
  • Data do depósito:
  • 28/04/2011
  • Data da publicação:
  • 18/12/2012
  • Prioridade unionista:
  • País Número Data
    ESTADOS UNIDOS ESTADOS UNIDOS 61/329,728 30/04/2010
  • Classificação:
  • C23C 14/06
    Revestimento por evapora??o a v?cuo, por pulveriza??o cat?dica ou por implanta??o de ions do material; / caracterizado pelo material de revestimento;
    ;
    H01L 31/18
    Dispositivos semicondutores sens?veis ? radia??o infravermelha, luz, radia??o eletromagn?tica de comprimento de onda mais curto ou radia??o corpuscular e especialmente adaptados para a convers?o da energia de tal radia??o em energia el?trica ou para controle de energia el?trica por meio de tal radia??o; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos; / Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou o tratamento desses dispositivos ou de suas partes;
    ;
    H01L 21/02
    Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado s?lido ou de partes dos mesmos; / Fabrica??o ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos;
    ;
    H01L 31/032
    Dispositivos semicondutores sens?veis ? radia??o infravermelha, luz, radia??o eletromagn?tica de comprimento de onda mais curto ou radia??o corpuscular e especialmente adaptados para a convers?o da energia de tal radia??o em energia el?trica ou para controle de energia el?trica por meio de tal radia??o; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos; / caracterizados por seus corpos semicondutores; / caracterizados pelo material; / Materiais inorg?nicos (minerais); / compreendendo, al?m dos materiais dopados ou outras impurezas, somente compostos n?o inclu?dos nos grupos ;
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    H01L 31/0749
    Dispositivos semicondutores sens?veis ? radia??o infravermelha, luz, radia??o eletromagn?tica de comprimento de onda mais curto ou radia??o corpuscular e especialmente adaptados para a convers?o da energia de tal radia??o em energia el?trica ou para controle de energia el?trica por meio de tal radia??o; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos; / adaptados com dispositivos de convers?o fotovolt?icos [PV]; / caracterizados por pelo menos uma barreira de potencial ou uma barreira de superf?cie; / sendo as barreiras de potencial unicamente do tipo heterojun??o PN; / incluindo um A IBIIIC VIcomposto, p. ex. c?lulas solares de heterojun??o CdS/CuInSe2 [CIS];
    ;
    H01L 31/0336
    Dispositivos semicondutores sens?veis ? radia??o infravermelha, luz, radia??o eletromagn?tica de comprimento de onda mais curto ou radia??o corpuscular e especialmente adaptados para a convers?o da energia de tal radia??o em energia el?trica ou para controle de energia el?trica por meio de tal radia??o; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos; / caracterizados por seus corpos semicondutores; / caracterizados pelo material; / Materiais inorg?nicos (minerais); / compreendendo, al?m dos materiais dopados ou outras impurezas, materiais semicondutores inclu?dos em dois ou mais dos grupos ; / em regi?es semicondutoras diferentes, p. ex. heterojun??es Cu2X/CdX, sendo X um elemento do Grupo VI do Sistema Peri?dico;
    ;
  • Início da fase nacional:
  • 29/10/2012
  • PCT:
  • Número: US2011034269 Data:28/04/2011
  • WO:
  • Número: 2011/137216 Data: 03/11/2011

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