Victor Sonnenberg

Possui graduação em Engenharia Elétrica - Mod. Eletrônica pela Fundação Armando Álvares Penteado - FAAP(1991), mestrado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (1996) e doutorado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (2001). Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em Materiais e Componentes Semicondutores, atuando principalmente nos seguintes temas: Capacitor MOS e SOI, caracterização elétrica, Cargas no óxido, transistor MOS e SOI e fabricação de componentes básicos. É professor titular (PES III) da FATEC/SP do CEETPS e adjunto I do Centro Universitário da FEI. Fui chefe de Departamento de Sistemas Eletrônicos da FATEC SP de fevereiro de 2000 a janeiro de 2003 e de fevereiro de 2020 a janeiro de 2024. Atualmente sou vice coordenador do curso de Eletrônica Industrial desde agosto/2024.

Informações coletadas do Lattes em 04/09/2025

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Engenharia Elétrica

1997 - 2001

Universidade de São Paulo
Título: Novos Métodos para a Determinação de Parâmetros da Tecnologia SOI através de Capacitores
Prof Dr. João Antonio Martino. Palavras-chave: Capacitor; Tecnologia SOI; Caracterização.Grande área: EngenhariasSetores de atividade: Educação.

Mestrado em Engenharia Elétrica

1992 - 1996

Universidade de São Paulo
Título: Análise da Região de Sublimiar em Transistores SOI MOSFET em Temperatura Ambiente e Criogênica (T=77K), Ano de Obtenção: 1996
Prof Dr. João Antonio Martino.Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. Palavras-chave: Soi Mosfet; Baixa Temperatura; Sublimiar.Grande área: EngenhariasSetores de atividade: Educação.

Graduação em Engenharia Elétrica - Mod. Eletrônica

1987 - 1991

Fundação Armando Álvares Penteado

Idiomas

Bandeira representando o idioma Inglês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Áreas de atuação

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos/Especialidade: Circuitos Eletrônicos.

Participação em eventos

227 th ECS Meeting.Threshold Voltage Modeling for Dynamic Threshold UTBB SOI in Different Operation Modes. 2015. (Simpósio).

29th International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2014. Influence of High Temperature on Substrate Effect of UTBB SOI nMOSFET. 2014. (Congresso).

222nd ECS Meeting Semiconductor-on- Insulator.Influence of High Temperature on UTBB SOI nMOSFETs With and Without Ground Plane. 2013. (Simpósio).

28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2013,. Substrate effect on UTBB SOI nMOSFET. 2013. (Congresso).

27th Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2012. Analysis of the Silicon Film Thickness and the Ground Plane Influence on Ultra Thin Buried Oxide SOI nMOSFETs. 2012. (Congresso).

219th ECS Meeting - Symposium: E8 - Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15. Fin Pitch Impact on Biaxial/Uniaxial Strain Engineering of Triple-Gate Devices. 2011. (Congresso).

25th International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2010.Conductance Modeling of High-k Al2O3 Gate Dielectrics Prepared by Oxidation of Aluminum Thin Films. 2010. (Simpósio).

23th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO 2008.Corner Effect on Capacitance-Voltage Curves in Triple Gate FinFET. 2008. (Simpósio).

22nd International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2007.Triple Gate FinFET Parameter Extraction Using High Frequency Capacitance-Voltage Curves. 2007. (Simpósio).

21st International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2006.Influence of the Tunneling Gate Current in C-V Curves. 2006. (Simpósio).

20th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO2005.Simple Method to Determine the Polysilicon Gate Doping Concentration Based on Poly Depletion Effect. 2005. (Simpósio).

18th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO2003.Analysis of the Capacitance vs. Voltage in Graded Channel SOI Capacitor. 2003. (Simpósio).

17th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO2002.Determining of the Silicon Film Doping Concentration and the Back Interface Oxide Charge Density Using SOI-NMOS Gate Capacitor. 2002. (Simpósio).

International Conference on Microelectronics and Packaging.New Methods for Determining the Silicon Film Doping Concentration and the Back Interface Oxide Charge Density Using SOI-MOS Capacitor. 2001. (Simpósio).

1ST IEEE Latin American Test Workshop. Determination of Silicon Film Thickness in SOI Capacitors. 2000. (Congresso).

International Conference on Microeletronics and Packaging.A Simple Method to Extract the Oxide Charge Density at the Buried Oxide/Substrate Interface in SOI Capacitor. 1999. (Simpósio).

ICMP'98 - International Conference on Microeletronics and Packaging. New Method for Determination of the Oxide Charge Density at the Buried Oxide/Substrate Interface in SOI Capacitor. 1998. (Congresso).

Participação em bancas

Aluno: DANIEL AUGUSTO RAMOS

MARTINO, JOAO ANTONIO; Gimenes, S. P.;Sonnenberg, Victor. . Fabricação e caracterização de transistor BE SOI MOSFET com dopagem lateral.. 2024. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Lucas Almir dos Santos Fernandes

MARTINO, João Antonio; Mauricio Massazumi Oka;Sonnenberg, Victor. Desenvolvimento de um capacitor de ordem fracionária visando aplicações em microeletrônica. 2024. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Allan Oliveira Lopes

Souza, Michelly; MARINIELLO, Genaro;Sonnenberg, Victor. Análise de Capacitâncias em Transistores SOI MOSFET de Canal Gradual. 2024. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI.

Aluno: Gustavo Vinicius de Araújo

AGOPIAN, Paula Ghedini Der; Gimenes, S. P.;Sonnenberg, Victor. "Estudo de um amplificador operacional de transcondutância projetado com transistores de nanofios de porta ômega. 2024. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Henrique Lanfredi Carvalho

MARTINO, João Antonio; Oliveira, Alberto Vinicius;Sonnenberg, Victor. Proposta de um transistor BE SOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte. 2023. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Henrique Araujo Zangaro

MARTINO, João Antonio; SANTOS, S. D.;Sonnenberg, Victor. Estudo de junções Schottky para aplicação em BE SOI MOSFET. 2022. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Genilson Julião do Carmo

AGOPIAN, Paula Ghedini Der; Santos, W. M.;Sonnenberg, Victor. Estudo do Comportamento de Transistores MISHEMT com diferentes dielétricos de porta. 2022. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

Aluno: Carlos Henrique Santos Coelho

AGOPIAN, Paula Ghedini Der; SILVEIRA, G. N. M.;Sonnenberg, Victor. Estudo do Ponto Invariante com a Temperatura (ZTC) em Transistores Nanofolhas com Porta ao Redor (GAA-Nanosheet). 2021. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

Aluno: Carlos Augusto Bergfeld

MARTINO, João Antonio; Gilson Wirth;SONNENBERG, V. Estudo Comparativo de Efeito de Autoaquecimento em Transistores FinFET e SOI UTBB. 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Luís Felipe Vicentis Caparroz

AGOPIAN, P. G. D.;SONNENBERG, V; ANDRADE, M. G. C.. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas. 2017. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Gabriela Leal

PETRACONI FILHO, G.; MASSI, M.; GRIGOROV, K. G.;Sonnenberg, Victor. Estudo de Filmes Finos de Carbeto de Silicio para Aplicação em Sensores Piezoresistivos. 2013. Dissertação (Mestrado em Engenharia Aeronâutica e Mecânica) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

Aluno: Leonardo Navarenho de Souza Fino

MARTINO, João AntonioSONNENBERG, V.; Gimenes, S. P.. Estudo experimental do OCTO SOI MOSFET para a implementação de circuitos integrados analógicos e digitais. 2012. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Aluno: Cesar Augusto Alves de Souza

MARTINO, J. A.SANTOS FILHO, S. G.SONNENBERG, V.. Caracterização Elétrica de oxinitretos de Silício Ultrafinos para porta PMOS obtidos por Implantação de Nitrogênio na Estrutura Si-Poli/Sio2/Si. 2008. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Ana Paula Borges Ziliotto

Marcello Bellodi;SANTOS FILHO, S. G.SONNENBERG, V.. Avaliação do Comportamento Elétrico de Capacitores MOS em Altas Temperaturas. 2008. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Aluno: Flavio Sousa Silva

SONNENBERG, V.; OKA, M. M.; FONSECA, F.. Estudo do Fenômeno de Formação de Gotas de Solda durante a Montagem da Placas de Circuitos Impressos por Tecnologia de Montagem em Superfície (SMT). 2002. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Welder Fernandes Perina

AGOPIAN, Paula Ghedini Der;SANTOS FILHO, Sebastião G dos; DINIZ, J. A.; Oliveira, Alberto Vinicius;Sonnenberg, Victor. Estudo do comportamento de transistores de efeito de campo de alta mobilidade de elétrons (MISHEMT) operando em diferentes temperaturas. 2025. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Carlos Augusto Bergfeld Morl

MARTINO, João AntonioSANTOS FILHO, Sebastião G dos; PERSEGHINI, S. D. S.; ONMORI, ROBERTO KOJI;Sonnenberg, Victor. Projeto e fabricação de um BE SOI Túnel-FET como elemento blossensor. 2023. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Ricardo Cardoso Rangel

MARTINO, João Antonio; ONMORI, ROBERTO KOJI; Gimenes, S. P.; BOUDINOV, H. I.;Sonnenberg, Victor. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico BE SOI MOSFET. 2022. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Arianne Soares do Nascimento Pereira

GIACOMINI, R. C.;SONNENBERG, VNICOLETT, Aparecido S; REGIS, T. N.; s martinie. Modelos analíticos para efeitos de canal curto em transistores de porta simétricos e assimétricos. 2016. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI.

Aluno: Genaro Mariniello da Silva

PAVANELLO, M. A.;SONNENBERG, V; SANTOS, R. B. B.; MANERA, L. T.; ANDRADE, M. G. C.. Estudo das propriedades térmicas de transistores MOS nanométricos. 2016. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI.

Aluno: Victor Inácio de Oliveira

E. A. Barros;SONNENBERG, V; Ricardo Cury Ibrahim; ZAVAGLIA, C. A. C.; Eduardo Acedo Barbosa. Estudo de dispositivos CMUTS fabricados com métodos e materiais alternativos para aplicação potencial em ensaios não destrutivos. 2014. Tese (Doutorado em Engenharia Mecânica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Lucas Gonçalves Dias Mendonça

Ricardo Cury Ibrahim;SONNENBERG, V; ZAVAGLIA, C. A. C.; Delson Torikai; Vicente Afonso Ventrella. Desenvolvimento de um Micro-Transdutor acústico capacitivo. 2013. Tese (Doutorado em Engenharia Mecânica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Luciano Mendes Almeida

MARTINO, João AntonioSONNENBERG, VSANTOS FILHO, Sebastião G dos; Antonio Luia Pacheco Rotandaro; Fernando Josepetti Fonseca. Estudo de Célula de Memória Dinâminca de apenas um Transistor SOI de óxido Enterrado Ultrafino. 2012. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Alexandre Ichiro Hashimoto

SANTOS FILHO, Sebastião G dos; MORIMOTO, N. I.; Mário Ricardo Gongora Rubio;SONNENBERG, V.; Yoshiaki Dói. Estudo da Deposição Química de Cobalto em Superfícies de Silício Pré-Ativadas por Paládio. 2008. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Kátia Franklin Albertin

Inés Pereyra; DINIZ, J. A.;SANTOS FILHO, S. G.; SWART, J. W.;SONNENBERG, V.. Estudo de Camadas Dielétricas para Aplicação em Capacitores MOS. 2007. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Deilton Reis Martins

Maria Cecilia Salvadori;SANTOS FILHO, Sebastião G dos; Marcelo Carreño; Mauro Cattani;SONNENBERG, V.. Análise Quantitativa na Fidelidade de Microestruturas em Réplicas de Diamente e Rocobrimento de DLC. 2006. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: WILLIAN AURÉLIO NOGUEIRA

SONNENBERG, V.SANTOS FILHO, S. G.MARTINO, João Antonio; SWART, J. W.; DINIZ, J. A.. Obtenção de Óxidos de Porta MOS Ultrafinos: Influência da Limpeza Química e Estudo da Ruptura Dielétrica. 2003. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Tiago Marques Fraga

SONNENBERG, V.; ZAMBOM, Luis da Silva; K. Franklin. Caracterização Elétrica e Extração de Parâmetros de Capacitores MOS com óxido de Alumínio (Al2O3). 2009. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Bruno Akio Mota Nobaro e Takuya Niwa

K. Franklin; ZAMBOM, Luis da Silva;SONNENBERG, V.. Estudo de filmes de TiOxNy e sua aplicação em capacitores MOS como camada dielétrica. 2009. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Leonardo Bontempo

KASSAB, L. R. P.;SONNENBERG, V.; Martinelli, J. R.. Caracterização Elétrica de Filmes Finos de TeO2-ZnO Preparados com Au2O3 por Sputtenring. 2009. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Luiz Gustavo dos Santos Alves

RICOTTA, R. M.; Eduardo Acedo Barbosa;SONNENBERG, V.. Diodo Túnel. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo.

Aluno: Jeferson André da Silva

MARTINO, J. A.; ZAMBOM, Luis da Silva;SONNENBERG, V.. Caracterização de Tecnologia MOS fabricado no LSI. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Sthefane Alves da Conceição

ZAMBOM, Luis da Silva;SANTOS FILHO, S. G.SONNENBERG, V.. Fabricação de Capacitores MOS utilizando óxido de Alumínio (Al2O3) como dielétrico de porta.. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Verônica Christiano

ZAMBOM, Luis da Silva;SANTOS FILHO, Sebastião G dosSONNENBERG, V.. Caracterização elétrica de Capacitores MOS com óxido de alumínio (Al2O3) como dielétrico de porta. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Leonardo Primante Santos

AGOPIAN, P. G. D.;MARTINO, J. A.SONNENBERG, V.. Projeto de máscaras com dispositivos e estruturas de teste usando o Microwind. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Mirian Oliveira da Silva

PJB Marcos;SONNENBERG, V.; H. Furlan. Construção de um CLP Didático. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Marcelo Mamoru Ono

Eduardo dos Santos Ferreira;SONNENBERG, V.; Roberto Katsuhiro Yamamoto. Hardware e Software para Medições das Potências Ativa, Reativas e Aparentes. 2008. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Christos Aristóteles Harissis

Roberto Katsuhiro Yamamoto; Edson Moriyoshi Ozono;SONNENBERG, V.. Monitoração de Buchas de Alta e Extra-Alta Tensão através da Medição de Correntes de Fuga. 2007. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

Aluno: Sara Dereste dos Santos

MARTINO, J. A.; AGOPIAN, P. G. D.;SONNENBERG, V.. Comparação entre o Transistor SOI MOSFET de Porta Única (Single-Gate) e Porta dupla (double Gate). 2007. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

Aluno: Fábio Luis HAJPEK

FONTES, M. B. A.; ZAMBOM, Luis da Silva;SONNENBERG, V.. Sensores para detecção de Hidrogênio. 2007. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

Aluno: Livia Hernades Martim

SONNENBERG, V.NICOLETT, Aparecido S; Juliana Cardoso. Desenvolvimento de programas de controle dos equipamentos HP4140 e HP4145. 2007. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

Aluno: Daniel Diego Loureiro

ZAMBOM, Luis da Silva; FONTES, M. B. A.;SONNENBERG, V.. Caracterização elétrica de estruturas MOS com diferentes etapas de processos. 2007. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

Aluno: Ricardo Barbosa de Lima

SONNENBERG, V.; FONTES, M. B. A.; João Eduardo Kogler Jr.. Desenvolvimento de programa para controle do equipamento HP4280 via LabVIEW. 2006. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

Aluno: Fernando Luis de Almeida

FONTES, M. B. A.;SONNENBERG, V.; Antonio Willian Lima. Montagem e caraterização de catetes para biossensores. 2006. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

Aluno: Fabricação e caracterização elétrica de Capacitores MOS

SONNENBERG, V.; ZAMBOM, Luis da Silva; Willian Aurélio Nogueira. Rodrigo de Jesus Marques. 2006. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

Aluno: Alex Satochi Abe

VIANA, C. E.; Roberto Katsuhiro Yamamoto;SONNENBERG, V.. Contribuição para o Estudo das Propriedades de Filmes de Silício Policristalino Obtidos por LPCVD e Dopados de P e de B. 2006. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

Aluno: Lucas Gonçalves Dias Mendonça

Ricardo Cury Ibrahim; FONTES, M. B. A.;SONNENBERG, V.. Micro-sensor para Medição de Concentração de uma Mistura de Dois Líquidos. 2005. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp.

Aluno: Cesar Augusto Alves de Souza

SONNENBERG, V.; ZAMBOM, Luis da Silva; TOQUETTI, Leandro Zeidan. Caracterização Elétrica da Eficiência da Limpeza Química inicial e Oxidação Térmica de porta através de Capacitores MOS. 2004. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Fernando Pedro Henriques de Miranda

SONNENBERG, V.; SOARES JR, J. N.; MOREIRA, L. C.. Divisor de Freqüência N/N+1. 2003. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: João Luiz dos Reis Santos

SONNENBERG, V.; VIANA, C. E.; GONÇALVES, L. C. D.. Influência do Fluxo de TEOS e da Exposição da Interface Si/SiO2 ao Plasma Obtido por PECVD. 2003. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Cristiane Cabral de Melo

SONNENBERG, V.; RICOTTA, R. M.; MORIMOTO, N. I.. Análise de Textura e Determinação do Tamanho da Concha do Barnacle Austromegalolanus Psittacus. 2002. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Marcio Vieira de Melo

SONNENBERG, V.; SIMÕES, E. W.; FONTES, M. B. A.. Sensores Integrados Aplicados à Área de Aviação. 2002. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Isaias Ribeiro da Costa

SONNENBERG, V.; MORIMOTO, N. I.; OKA, M. M.. Condução Elétrica e Térmica de um Metal na Teoria Semiclássica. 2001. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Eduardo Fonseca Braga

SONNENBERG, V.. Caracterização Elétrica da Camadas de Silício Poroso. 2001. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Rogério Alexandre Cabral

SONNENBERG, V.. Análise Experimental e Teórica dos Dados da produção pra Determinação da Estudo da Tecnologia SOI e Comparação com a Tecnologia Convencional. 2000. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Gerson dos Santos

SONNENBERG, V.. Análise e Projeto de Fontes de Alimentação Aplicadas à Dispositivos de Microondas. 2000. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Alan Rodrigo Navia

SONNENBERG, V.. Estudo da Deposição Química Espontânea de Níquel e Caracterização através de Capacitores MOS. 2000. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Angela Christina Finholdt Baratelli e Gabriel de Andrade

SONNENBERG, V.. Projeto e construção de câmara de teste de eletrodos de tocha de plasma. 2000. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Wanderson Rodrigues Mendes

SONNENBERG, V.. Sensores Térmicos. 2000. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Eliana Akemi Watanabe

SONNENBERG, V.. Datação de sedimentos de Dunas do litoral Paulista, SP, pelos Métodos da Termoluminescência (TL) e Luminescência Opticamente Estimulada (LOE). 2000. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Marcos Antonio de Oliveira Augusto

SONNENBERG, V.. Interface Registrador XY Hewlett Packard - IBM PC. 1999. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: enrique Klai de França

SONNENBERG, V.. Termoluminescência e Ressonância de Spin Eletrônico de Cristais de Apatita Aplicadoa à Datação de Formações Geológicas. 1999. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Carlos Alexandre Garcia Martines e Laurentino da Costa Lorit

SONNENBERG, V.. Projeto e Confecção de uma Estufa com Capacidade de Controle de Temperatura. 1999. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Alexandre Eiji Furukawa

SONNENBERG, V.. Aquisição de Dados para Caracterização de Microdispositivos Fluídicos. 1999. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Mario Dreik Pierozzi Matijascic

SONNENBERG, V.. Simulador Analítico para a Obtenção das Curvas Características do Transistor MOSFET. 1998. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Paulo Alexandre Sacrini

SONNENBERG, V.. Dinamômetro Digital. 1998. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Roberto Eduardo Bruzetti Leminski

SONNENBERG, V.. Estudo de Microestruturas de Silício. 1998. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Douglas Gomes dos Santos

SONNENBERG, V.. Programa de Controle e Aquisição de Dados do Equipamento HP 4145B. 1998. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Leandro Paula de Carvalho

SONNENBERG, V.. Levantamento da Temperatura Local no Substrato de Si, Utilizando um Diodo Semicondutor PN e um Resistor Difundido. 1997. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Aluno: Luciano Ferrari e Ulisses Nogueira Lima

SONNENBERG, V.. Caracterizador Elétrico Estatístico de Dispositivos Semicondutores. 1997. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Roberto Katsuhiro Yamamoto;SONNENBERG, V.; FONTES, M. B. A.. Auxiliar docente para a a área de engenharia elétrica da Coordenadoria de Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos ? Processo 3330/2006 em 26/06/2007. 2007. Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

NICOLETT, Aparecido SSONNENBERG, V.; Eduardo dos Santos Ferreira. Professor para a área de engenharia elétrica - disciplina Eletricidade Aplicada I e II ? Processo 2457/2005 em 25 e 26/05/2006. 2006. Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

NICOLETT, Aparecido SSONNENBERG, V.; Eduardo dos Santos Ferreira. Auxiliar docente para a disciplina Eletricidade Aplicada I e II ? Processo 1381/2005 em 11/05/2006. 2006. Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

SONNENBERG, V.; Antônio Carlos da Fonseca Bragança Pinheiro; Mauricio Massazumi Oka. Professor para a área de engenharia elétrica - disciplina Eletricidade Aplicada I e II - Processo 2808/2004 em 04 e 05/04/2005. 2005. Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

SONNENBERG, V.. Professor para a disciplina Eletricidade Aplicada I e II - Processo 2491/2002 em 14 e 15/06/2003. 2003. Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

SONNENBERG, V.. Auxiliar docente das disciplinas Eletrônica I,II e III e Microprocessadores I, II e III - Processo 1723/2000 em 31/08/2000. 2000. Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

SONNENBERG, V.. Professor a nível de Assistente da disciplina Microprocessadores I e II - Processo 3210/1997 em 30 e 31/08/2000. 2000. Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.

Sonnenberg, Victor; Paulo Roberto Schroeder de Souza. Processo: 2020/00037 CEE-GP 63, de 05-02-2020 - Assunto: Renovação do Reconhecimento do Curso de Engenharia de Telecomunicações, da Faculdade de Tecnologia de Limeira, da Universidade Estadual de Campinas. 2020. Universidade Estadual de Campinas.

SONNENBERG, V.; Roger, L. L. B. Processo: CEE no 209/2010.- Renovação do Reconhecimento do Curso de Tecnologia Eletrônica com ênfase em Telecomunicações -Portaria CEE-GP no 258/2010. 2010. Centro Universitário Fundação Santo André.

SONNENBERG, V.. Processo: CEE no 543/2001.Interessado: Faculdade de Engenharia do campus de Bauru (UNESP). Assunto: Renovação de reconhecimento do Curso de Engenharia Elétrica.Portaria CEE-GP no 85, de 14/02/2008, publicada no DOE de 26/03/2008, Seção I, p.19.. 2008. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

SONNENBERG, V.. Processo: CEE no 575/2001. Interessado: Faculdade de Engenharia do campus de Guaratinguetá (UNESP). Assunto: Renovação de reconhecimento do Curso de Engenharia Elétrica. Portaria CEE-GP no 614, de 22/11/2007, publicada no DOE de 24/11/2007, Seção I, p.125.. 2007. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

SONNENBERG, V.; PRADO, Pedro Paulo Leite Do. Processo: CEE no 20/2005. Interessado: Centro Universitário Fundação Santo André. Assunto: Reconhecimento do Curso de Tecnologia Eletrônica com ênfase em Telecomunicações. Comissão de Especialistas: Prof. Dr. Pedro Paulo Leite do Prado e Prof. Dr. Victor Sonnenberg, consultores do CEE, conforme Portaria CEE-GP no 144/2005, de 02/06/2005, publicada no DOE de 03/06/2005, Seção I, p.19. 2005. Centro Universitário Fundação Santo André.

Orientou

MIchele Rodrigues

Caracterização Elétrica de Capacitores de Porta de transistores FinFET; 2008; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Coorientador: Victor Sonnenberg;

WALLACE NOGUEIRA PEREIRA, ERIC L

LERRI, VINICIUS G; RIBEIRO; PROTÓTIPO DE HEXÁPODE ?ARANHA ROBÔ; 2025; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Eletrônica Industrial) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Daniel Enrique Gonzalez de Aguiar e Isaque Duarte

Desenvolvimento de Dispositivo Inteligente para Automatizar o Fechamento de Janelas em Residências; 2021; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Microeletrônica) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Pedro Augusto de J

Soprijo; Fabricação e Funcionamento dos painéis solares; 2020; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Eletrônica Industrial) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

DIOGO HONORATO MONTAGNER

Sistema de Reconhecimento e Identificação Facial em Dispositivo Embarcado; 2020; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Eletrônica Industrial) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

DIEGO BATISTA DAVID

MÓDULO DE POTÊNCIA DE UM INVERSOR SOLAR BASEADO NA TECNOLOGIA MINISKIIP (SEMIKRON); 2020; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Eletrônica Industrial) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Igor Grandin

Luva eletrônica musical; 2019; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Microeletrônica) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Tony Wong , Felipe Hayama Mitsuda , Henrique Yuji Sinoduka

Protótipo de Drone; 2019; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Microeletrônica) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Bruno Siqueira Dias, Richard F

Pereira e Pedro N; Flório; Construção de Segway de Baixo Custo; 2017; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Eletrônica Industrial) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Cássio Benedito Casarotti, Elieser do Ó Araújo e Rafael Henr

DESENVOLVIMENTO DE UM MODELO DE ?HOVERCRAFT; 2017; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Eletrônica Industrial) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Albano de Almeida

Estudo de Encapsulamento em Dispositivos OLEDs; 2016; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Daniele Yoshie Tanaka e Renan Gazola Fernandes

FURADEIRA CNC DE PEQUENO PORTE; 2016; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Eletrônica Industrial) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Tiago Carapinheiro Siqueira

Comparação das tecnologias SOI Ultra fina (UTBB) e MUgFET; ; 2016; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Vanessa Cristina Pereira da Silva

Estudo por Simulação de Transistores de Camada de Silício e Óxido Enterrado Ultrafinos com Diferentes Comprimentos de Canal; 2015; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

José I

B; de Moraes; Estudo da Camada de TCO e d PVK em Dispositivos OLEDs e Elaboração de um reator de UV Ozônio; 2013; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Leonardo Primante Santos

Projeto de máscaras com dispositivos e estruturas de teste usando o Microwind; 2008; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Jeferson André da Silva

Caracterização de tecnologia MOS fabricado no LSI; 2008; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp; Orientador: Victor Sonnenberg;

Daniel Diego Loureiro

Caracterização elétrica de estruturas MOS com diferentes etapas de processos; 2007; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos) - Fatec Sp; Orientador: Victor Sonnenberg;

Alex de Macedo e Peter Lubomir Polak

Análise Experimental e Teórica dos Dados da produção pra Determinação da Taxa de Falhas Prematuras de Placas com Tecnologia de Montagem em Superfície (SMT); 2002; 40 f; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Alan Rodrigues Navia

Estudo da Deposição Química espontânea de Níquel e Caracterização através de Capacitores MOS; 2000; 0 f; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Victor Sonnenberg;

Rogério Alexandre Cabral

Estudo da Tecnologia SOI e Comparação com a Tecnologia Convencional; 2000; 0 f; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Gerson dos Santos

Análise e Projeto de Fontes de Alimentação Aplicadas à Dispositivos de Microondas; 2000; 0 f; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Marcos Antonio de Oliveira Augusto

Interface Registrador XY Hewlett Packard - IBM PC; 1999; 0 f; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Mario Dreik Pierozzi Matijascic

Simulador Analítico para a Obtenção das Curvas Características do Transistor MOSFET; 1998; 0 f; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Victor Sonnenberg;

Paulo Alexandre Sacrini

Dinamômetro Digital; 1998; 0 f; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza; Orientador: Victor Sonnenberg;

Sidinei dos Santos Sousa

Spinner de Baixo Custo, Compacto e Controlado por Arduíno; 2019; Iniciação Científica; (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Victor Sonnenberg;

Anderson Daniel Moreira do Nascimento

Estudo de Material Emissor em OLEDs Utilizando Polifluoreno Misturado Com Alq3; 2017; Iniciação Científica; (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Victor Sonnenberg;

Gabriel Favero Poço

Comparação do Desempenho de Dispositivos OLEDs Comercial e Montado em Laboratório; 2014; Iniciação Científica; (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Victor Sonnenberg;

Ivan Rodrigues Costa

Estudo de Diferentes Solventes em Filmes com PVK para Dispositovos P-OLEDs; 2011; Iniciação Científica; (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Victor Sonnenberg;

Erick V

Guerra; Estudo do desempenho de dispositivos poliméricos eletroluminescentes utilizando camada de PDOT:PSS; 2010; Iniciação Científica; (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Victor Sonnenberg;

Tiago Marques Fraga

Fabricação e Caracterização Elétrica de Capacitores MOS utilizando óxido de Alumínio (Al2O3) como dielétrico de porta; ; 2009; Iniciação Científica; (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Victor Sonnenberg;

Sthefane Alves da Conceição

Fabricação de Capacitores MOS utilizando óxido de Alumínio (Al2O3) como dielétrico de porta; ; 2008; Iniciação Científica; (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Victor Sonnenberg;

Verônica Christiano

Caracterização elétrica de Capacitores MOS com óxido de alumínio (Al2O3) como dielétrico de porta; 2008; Iniciação Científica; (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Victor Sonnenberg;

Livia Hernandes Martim

Desenvolvimento de programa para controle do equipamento HP4145 via LabVIEW; 2007; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Victor Sonnenberg;

Ricardo Barbosa de Lima

Desenvolvimento de programas de controle do equipamento HP4280 via labview; 2006; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Victor Sonnenberg;

Rodrigo de Jesus Marques

Fabricação e caracterização elétrica de Capacitores MOS; 2006; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Victor Sonnenberg;

Cesar Augusto Alves de Souza

Caracterização Elétrica da Eficiência da Limpeza Química inicial e Oxidação Térmica de porta através de Capacitores MOS; 2004; 78 f; Iniciação Científica; (Graduando em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce) - Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Victor Sonnenberg;

Produções bibliográficas

  • ITOCAZU, VITOR TATSUO ; ALMEIDA, LUCIANO MENDES ; SONNENBERG, V. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; BARRAUD, SYLVAIN ; VINET, MAUD ; FAYNOT, OLIVER ; MARTINO, J. A. . Comparison between nMOS and pMOS Ω-Gate Nanowire down to 10 nm width as a function of back gate bias. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY , v. 34, p. 1, 2019.

  • ITOCAZU, V. ; SASAKI, K. R. A. ; Sonnenberg, Victor ; MARTINO, J ; CLAEYS, COR ; SIMOEN, EDDY . Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS) , v. 12, p. 101-106, 2017.

  • ITOCAZU, VITOR T. ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. ; Simoen, Eddy ; CLAEYS, COR . Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS) , v. 12, p. 82-88, 2017.

  • SANTOS, EMERSON ROBERTO ; MORAES, JOSÉ IGOR BALBINO DE ; TAKAHASHI, CHRISTINE MIWA ; Sonnenberg, Victor ; BURINI, ELVO CALIXTO ; YOSHIDA, SATORU ; TAKIMOTO, HERICK GARCIA ; ONMORI, ROBERTO KOJI ; HUI, WANG SHU . Low cost UV-Ozone reactor mounted for treatment of electrode anodes used in P-OLEDs devices. Polímeros: ciência e Tecnologia , v. 1, p. 1-10, 2016.

  • CHRISTIANO, V. ; SONNENBERG, V. ; S. G. Santos . Modelo de corrente de fuga para aluminato de háfnio utilizando medidas de capacitância-tensão. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo , v. BT/35, p. 22-28, 2013.

  • DOS SANTOS FILHO, S.G. ; SONNENBERG, V. ; HORA, W.G. ; DA SILVA, D.M. ; KASSAB, L.R.P. . Effects of thermal annealing on the semi-insulating properties of radio frequency magnetron sputtering-produced germanate thin films. Thin Solid Films , v. online, p. in press-2700, 2012.

  • GOZZI, Giuliano ; Christiano, V. ; SONNENBERG, V. ; dos Santos Filho, S. G. . CARACTERIZAÇÃO DE FILMES HIGH-K Al2O3 COMO DIELÉTRICOS DE PORTA PREPARADOS POR ANODIZAÇÃO DE FILMES FINOS DE ALUMÍNIO. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo , v. BT32, p. 6-11, 2011.

  • RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, João Antonio . EXTRAÇÃO DE PARÂMETROS EM TRANSISTOR DE PORTA TRIPLA (SOI FINFET) DE ÓXIDOS ULTRA FINOS USANDO CURVAS CAPACITÂNCIA x TENSÃO. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo , v. BT28, p. 20-24, 2010.

  • RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, João Antonio . Parameters Extraction from C-V Curves in Triple-Gate FinFET. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português) , v. 3, p. 77-81, 2008.

  • SONNENBERG, V. ; RODRIGUES, Michele ; MARTINO, João Antonio . Estudo dos efeitos da depleção do silício policristalino e da corrente de tunelamento em capacitores MOS. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo , v. BT/22, p. 5-10, 2007.

  • SONNENBERG, V. ; MARTINO, J . SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor. Solid-State Electronics , inglaterra, v. 49, n.1, p. 109-116, 2005.

  • SONNENBERG, V. ; NICOLETT, Aparecido S ; MARTINO, João Antonio . Extração de Parâmetros da Tecnologia SOI através de Capacitores. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo , São Paulo, v. BT18, p. 5-13, 2005.

  • SONNENBERG, V. ; NICOLETT, Aparecido S ; MARTINO, João Antonio . Estudo do Comportamento da Resistência Série em Transistores SOI nMOSFET's de Camada Fina. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo , São Paulo, v. BT18, p. 21-29, 2005.

  • SONNENBERG, V. ; NICOLETT, Aparecido S . Transistores MOSFETS Fabricados na Tecnologia de Silício sobre Isolante - SOI MOSFET: A Caminho do Futuro. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo , São Paulo, v. BT14, p. 14-23, 2003.

  • SONNENBERG, V. ; MARQUES, Angelo e B ; SANTOS FILHO, Sebastião G dos ; NAVIA, Alan Rodrigues ; MARTINO, João Antonio . Physical and Electrical Characterization of Thin Nicckel Films Obtained from Electroless Plating onto Aluminum. Physica Status Solidi. A, Applied Research , Berlin, v. 187, n.1, p. 75-84, 2001.

  • SONNENBERG, V. ; NAVIA, Alan Rodrigues ; MARQUES, Angelo e B ; MARTINO, João Antonio ; SANTOS FILHO, Sebastião G dos . Caracterização Elétrica de Filmes de Níquel Obtidos por Depsição Química Espontânea sobre Aluminio, através de Capacitores MOS. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo , São Paulo, v. BT08, p. 5-9, 2000.

  • Sonnenberg, Victor ; MARTINO, João Antonio . Analysis of transition region and accumulation layer effect in the subthreshold slope in SOI nMOSFETs and their influences on the interface trap density extraction. Solid-State Electronics , Inglaterra, v. 43, p. 2191-2199, 1999.

  • ITOCAZU, V. T. ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. ; BARRAUD, S. ; VINET, M. ; FAYNOT, O. . Analog parameters on pMOS SOI Ω-gate nanowire down to 10 nm width for different back gate bias. In: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), 2017, Athens. 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017. p. 192.

  • SILVA, V. C. P. ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; AGOPIAN, P. G. D. . Subthreshold region analysis for UTBOX and UTBB SOI nMOSFETs with different channel lengths and silicon thickness. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1.

  • ITOCAZU, VITOR T. ; ALMEIDA, LUCIANO M. ; Sonnenberg, Victor ; AGOPIAN, PAULA G. D. ; BARRAUD, SYLVAIN ; VINET, MAUD ; FAYNOT, OLIVIER ; MARTINO, JOAO A. . Back gate influence on transistor efficiency of SOI nMOS Ω-gate nanowire down to 10nm width. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1.

  • ITOCAZU, VITOR T. ; Sonnenberg, Victor ; SIMOEN, EDDY ; CLAEYS, COR ; MARTINO, JOAO A. . Influence of different UTBB SOI technologies on analog parameters. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016. p. 1.

  • ITOCAZU, V. ; SASAKI, K. R. A. ; MANINI, M. B. ; Sonnenberg, Victor ; MARTINO, J. A. ; E. Simoen ; C. Claeys . Threshold Voltage Modeling for Dynamic Threshold UTBB SOI in Different Operation Modes. In: 227 th ECS Meeting, 2015, Chicago. ECS Transactions, 2015. v. 66. p. 109-115.

  • ITOCAZU, VITOR T. ; Sonnenberg, Victor ; SIMOEN, EDDY ; CLAEYS, COR ; MARTINO, JOAO A. . Ground Plane influence on UTBB SOI nMOSFET analog parameters. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015. p. 1.

  • MARTINO, João Antonio ; SONNENBERG, V ; ITOCAZU, V. ; E. Simoen ; C. Claeys . Substrate Effect on Threshold Voltage of long and short channel UTBB SOI nMOSFETs. In: EUROSOI 2014 10th Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2014, Tarragona / Espanha. EUROSOI 2014 - Conference Proceedings, 2014. v. 1.

  • ITOCAZU, VITOR T. ; Sonnenberg, Victor ; SIMOEN, EDDY ; CLAEYS, COR ; MARTINO, JOAO A. . Influence of high temperature on substrate effect of UTBB SOI nMOSFETs. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014. p. 1.

  • SONNENBERG, V. ; ITOCAZU, V. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; C. Claeys . Influence of High Temperature on UTBB SOI nMOSFETs With and Without Ground Plane. In: 222nd ECS Meeting Semiconductor-on- Insulator, 2013, Canadá. ECS Transactions., 2013. v. 53. p. 85-91.

  • ITOCAZU, VITOR T. ; Sonnenberg, Victor ; SIMOEN, EDDY ; CLAEYS, COR ; MARTINO, JOAO A. . Substrate effect on UTBB SOI nMOSFET. In: 2013 Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2013, Curitiba. 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2013), 2013. p. 1.

  • CHRISTIANO, VERONICA ; Sonnenberg, Victor ; DOS SANTOS, SEBASTIAO G. . Leakage modeling of AlHfO<inf>3.5</inf> semi-insulating dielectrics for power devices. In: 2013 Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2013, Curitiba. 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2013), 2013. p. 1.

  • MARTINO, J ; Sonnenberg, Victor ; GALETI, M. ; AOULAICHE, M. ; E. Simoen ; CLAYES, C. . Transistor-Based Extraction of Carrier Lifetime and Interface Traps in Silicon-on-Insulator Materials. In: High Purity Silicon 12 - 222nd meeting of the ECS, 2012, Honolulu - Hawai. ECS Transactions.. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2012. v. 50. p. 225-236.

  • ITOCAZU, V. ; Sonnenberg, Victor ; E. Simoen ; C. Claeys ; MARTINO, João Antonio . Analysis of the Silicon Film Thickness and the Ground Plane Influence on Ultra Thin Buried Oxide SOI nMOSFETs. In: : Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2012, 2012, Brasilia. ECS Transactions.. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2012. v. 49. p. 511-517.

  • RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, V ; MARTINO, João Antonio ; N. Collaert ; E. Simoen ; C. Claeys . Fin Pitch Impact on Biaxial/Uniaxial Strain Engineering of Triple-Gate Devices. In: 219th ECS Meeting - Symposium: E8 - Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15, 2011, Montreal, Canadá. ECS Transactions. New York: The Electrochemical Society, Inc, 2011. v. 35. p. 151-156.

  • SONNENBERG, V ; V. Christiano ; G. Gozzi ; SANTOS FILHO, S. G. . Conductance Modeling of High-k Al2O3 Gate Dielectrics Prepared by Oxidation of Aluminum Thin Films. In: 25th International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2010, 2010, São Paulo. Proceedings of the 25th International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2010. New Jersey: The Electrochemical Society, 2010. v. 31. p. 333-340.

  • G. Gozzi ; V. Christiano ; S. A. Conceição ; SONNENBERG, V. ; SANTOS FILHO, Sebastião G dos . Characterization of High-k Al2O3 Gate Dielectrics Prepared by Oxidation of Aluminum Thin Films. In: 24th International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2009, 2009, Natal / Rio Grande do Norte. Proceedings of the 24th International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2009. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2009. v. 23. p. 11-17.

  • RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Corner Effect on Capacitance-Voltage Curves in Triple Gate FinFET. In: 23th International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2008, 2008, Gramado. Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2008. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 223-231.

  • SONNENBERG, V. ; RODRIGUES, Michele ; MARTINO, João Antonio . Triple Gate FinFET Parameter Extraction Using High Frequency Capacitance-Voltage Curves. In: 22nd International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2007, 2007, Rio de Janeiro. Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2007. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2007. v. 9. p. 9-18.

  • RODRIGUES, Michele ; SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Influence of the Tunneling Gate Current in C-V Curves. In: 21st International Symposium Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2006, 2006, Ouro Preto. Microelectronics Technology and Devices ? SBMICRO 2006. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2006. v. 4. p. 301-307.

  • SONNENBERG, V. ; RODRIGUES, Michele ; MARTINO, João Antonio . Simple Method to Determine the Polysilicon Gate Doping Concentration Based on Poly Depletion Effect. In: 20th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO2005, 2005, Florianópolis. Proceedings of the 20th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO 2005. Pennington,NJ,USA: The Electrochemical Society, 2005. v. 2005-8. p. 180-187.

  • SONNENBERG, V. ; MARTINO, João Antonio . Parameter Extraction of the Graded Channel SOI Capacitor. In: 4st IEEE Latin American Test Workshop (LATW03), 2003, Natal. 4st IEEE Latin American Test Workshop (LATW03), 2003. p. 248-251.

  • SONNENBERG, V. ; MARTINO, João Antonio . Analysis of the Capacitance vs. Voltage in Graded Channel SOI Capacitor. In: 18th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO2003, 2003, São Paulo. Proceedings of the 18th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO2003. Pennington,NJ,USA: The Electrochemical Society, Inc, 2003. v. 2003-9. p. 38-47.

  • SONNENBERG, V. ; MARTINO, João Antonio . Determining of the Silicon Film Doping Concentration and the Back Interface Oxide Charge Density Using SOI-NMOS Gate Capacitor. In: 17th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO2002, 2002, Porto Alegre. Proceedings of the 17th International Symposium Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO2002. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002-8. p. 2-11.

  • SONNENBERG, V. ; MARTINO, João Antonio . Determination of Silicon Film Doping Concentration and Back Oxide Density using SOI-MOS Capacitor. In: 10th Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices, 2001, Washington. Proceedings of the 10th Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices, 2001. v. 2001-3. p. 109-115.

  • SONNENBERG, V. ; MARTINO, João Antonio . New Methods for Determining the Silicon Film Doping Concentration and the Back Interface Oxide Charge Density Using SOI-MOS Capacitor. In: International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001, Pirenópolis. Anais do SBMICRO 2001-XVI International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001. p. 28-33.

  • SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Determination of Silicon Film Thickness in SOI Capacitors. In: 1ST IEEE Latin American Test Workshop, 2000, Rio de Janeiro. Anais do 1ST IEEE Latin American Teste Workshop, 2000. p. 181-184.

  • NAVIA, Alan Rodrigues ; SONNENBERG, V. ; MARQUES, Angelo e B ; SANTOS FILHO, Sebastião G dos ; MARTINO, João Antonio . Electrical Characterization of Thin Nickel Films Obtained from electroless Plating onto Aluminum Gate of MOS Capacitors. In: XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000, Manaus. Anais do SBMICRO 2000-XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000. p. 286-291.

  • SONNENBERG, V. ; MARTINO, João Antonio . Determination of Oxide Charge Density at the Gate Oxide/Silicon Film Interface in SOI-MOS Capacitor. In: International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000, Manaus. Anais do SBMICRO 2000-XV International Conference on Microelectronics and Packaging, 2000. p. 208-212.

  • SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Determination of Silicon Film Thickness by SOI-MOS Capacitor without the Influence of Accumulation Layer. In: International Conference on Microeletronics and Packaging, 1999, Campinas. Anais do ICMP'99-International Conference on Microeletronics and Packaging, 1999. p. 295-297.

  • SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . A Simple Method to Extract the Oxide Charge Density at the Buried Oxide/Substrate Interface in SOI Capacitor. In: 9th Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices, 1999, Seattle. Proceedings of the 9th Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices. Pennington, NJ: The Electrochemical Society, 1999. v. PV99-3. p. 189-194.

  • SONNENBERG, V. ; MARTINO, João Antonio . A New Method for Determination of the Oxide Charge Density at the Buried Oxide/Substrate Interface in SOI Capacitor. In: ICMP'98 - International Conference on Microeletronics and Packaging, 1998, Curitiba. Anais do ICMP'98 - International Conference on Microeletronics and Packaging, 1998. p. 564-569.

  • SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Influence of the Back Interface Accumulation on the Interface Traps Density Extraction in Thin Film SOI nMOSFET. In: XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1997, Caxambu - Minas Gerais. Anais do XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1997. v. CD-ROM.

  • SIMOEN, E. ; CLAYES, C. ; LUKYANCHICOVA, N. ; PETRICHUK, M. ; GARBUR, N. ; MARTINO, J. A. ; SONNENBERG, V. . Extraction of the Interface and Oxide Charge Density in Silicon-On-Insulator MOSFET's. In: 7th Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices, 1996, Los Angeles. Proceedings of the 7th Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices. Pennington ,NJ: Electrochemical Society, 1996. v. PV96-3. p. 309-317.

  • SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Analysis of the Subthreshold Slope Transition Region in SOI nMOSFET. In: XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1996, Águas de Lindóia - São Paulo. Anais do XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1996. p. 333-338.

  • SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Simple Method to Reduce the Transient Effect in SOI nMOSFET at 77k. In: XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1996, Águas de Lindóia - São Paulo. Anais do XI Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1996. p. 428-430.

  • SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Simple Method for Minimizing the Transient Effect in SOI MOSFET at Low Temperature. Electrochemical And Solid State Letters , Estados Unidos, v. 11, p. 585-586, 1999.

  • SONNENBERG, V. ; MARTINO, J. A. . Influence of Accumulation Layer on Interface Trap Density Extraction. Electronics Letters , Inglaterra, v. 34, p. 2439-2441, 1998.

Projetos de pesquisa

  • 2019 - 2023

    Projeto, fabricação e caracterização de transistores de efeito de campo funcionando como biossensor (Bio- FET), Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) João Antonio Martino em 09/07/2025., Descrição: Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq-Universal: 426072/2018-9) propõe a caracterização elétrica do BE SOI MOSFET funcionando como biossensor, assim como propõe a fabricação inédita de um novo dispositivo, que chamaremos de transistor de tunelamento induzido por efeito de campo (BE SOI Túnel-FET), tomando como base a estrutura do BE SOI MOSFET. A proposta é que ambos os dispositivos sejam utilizados como elemento biossensor (Bio-FET), na qual seu desempenho e princípios físicos serão avaliados a partir da observação das curvas características dos transistores fabricados (inseridos ou não em meios biológicos) e de simulações numéricas para estudo da sua física de funcionamento. Como elemento de teste será utilizado inicialmente a glicose, por ser já bem conhecida, para testar a sensibilidade deste dispositivo como biossensor que uma vez validado será também testado para outros elementos a serem selecionados durante pesquisa.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (7) Doutorado: (5) . , Integrantes: Victor Sonnenberg - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / AGOPIAN, PAULA G. D. - Integrante / Ricardo Rangel - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

  • 2012 - 2016

    Caracterização elétrica e simulação de transistores SOI avançados para aplicações como célula de memória dinâmica composta por um só transistor (sem capacitor), Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) João Antonio Martino em 31/01/2013., Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n. 480402/2012-4) tem como finalidade o estudo do comportamento de transistores SOI avançados fabricados com as tecnologias SOI CMOS planares de óxido enterrado ultrafino (UTBOX) e de múltiplas portas (MuGFET: FinFET por exemplo) aplicados na implementação de células de memória dinâmica contendo um só transistor (1T-DRAM), sem a necessidade de uso do capacitor de armazenamento (capacitorless), normalmente utilizado em células de memórias DRAM convencionais. O estudo será feito em temperatura ambiente e em temperatura de operação típica, que é da ordem de 85o C. Desta forma neste projeto será estudado a aplicação destas estruturas avançadas como célula 1T-DRAM, de forma a avaliar quais estruturas são mais promissoras para a função.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (5) Doutorado: (4) . , Integrantes: Victor Sonnenberg - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador.

  • 2010 - 2012

    Influência da temperatura nas características elétricas de transistores FinFETs avançados, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) João Antonio Martino em 31/01/2013., Descrição: Este projeto de cooperação internacional (CNPq-Brasil/FWO-Bélgica, n. 490288/2009-0) visa à obtenção de auxílio financeiro para viabilizar missões de pesquisadores brasileiros da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (USP) ao Interuniversity Microelectronic Center (IMEC) em Leuven, Bélgica. A finalidade deste projeto é de estudar, de forma inédita, teórico e experimentalmente a influência da temperatura (numa faixa de 80K a 500K) no comportamento de dispositivos fabricados com a tecnologia SOI CMOS de múltiplas portas (FinFET) avançados.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (4) . , Integrantes: Victor Sonnenberg - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador.

  • 2009 - 2016

    Instituto Nacional de Ciências e Tecnologia (INCT) de Sistemas Micro e Nanoeltrônicos, Descrição: INCT de de Sistemas Micro e Nanoeltrônicos, Processo CNPQ 573738/2008-4 e FAPESP 2008/57862-6. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Victor Sonnenberg - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Jacobu Willibrordus Swart - Integrante.

  • 2009 - 2013

    Projeto, Fabricação e Caracterização Elétrica de Transistores SOI FINFET, Descrição: Este projeto de pesquisa (FAPESP-Temático, Processo 2008/05792-4) tem como finalidade o projeto, fabricação, caracterização elétrica e modelagem de transistores construídos em lâminas de silício sobre isolante SOI (Silicon-On-Insulator) de múltiplas portas, com canal vertical, denominado de FinFET. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Mestrado acadêmico: (9) / Doutorado: (7) . , Integrantes: Victor Sonnenberg - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

  • 2009 - 2011

    Estudo de transistores SOI avançados (planares e FinFETs) com canal tensionado em baixas temperaturas, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) João Antonio Martino em 31/01/2013., Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n. 480050/2009-0) tem como finalidade o estudo teórico e experimental do comportamento de dispositivos fabricados com as tecnologias SOI CMOS planar e de múltiplas portas (FinFET) com relação aos principais parâmetros elétricos dos transistores implementados. Em seguida será avaliada a influencia da tecnologia de tensionamento de canal do transistor nestas tecnologias. Será analisado tanto o tensionamento uniaxial como o biaxial. Na sequencia será estudada a influencia da temperatura nestes dispositivos, desde temperatura ambiente até baixas temperaturas (até 80 K). Desta forma, neste projeto será estudado de forma inédita o comportamento digital e analógico dos dispositivos contendo os 3 avanços tecnológicos acima indicados em um só componente (FinFET + Canal Tensionado + Baixas Temperaturas). O estudo será realizado através de medidas experimentais e simulações numéricas tridimensionais a partir da obtenção dos principais parâmetros elétricos dos dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Doutorado: (5) . , Integrantes: Victor Sonnenberg - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador.

  • 2008 - 2010

    Estudo de transistores SOI de Múltiplas Portas para utilização em Circuitos Integrados Avançados, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) João Antonio Martino em 31/01/2013., Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n.478437/2007-2) tem como finalidade o estudo do comportamento de dispositivos fabricados com a tecnologia SOI CMOS de múltiplas portas, variando-se a temperatura de operação de 80K a 700K.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Doutorado: (5) . , Integrantes: Victor Sonnenberg - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador.

Histórico profissional

Endereço profissional

  • Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, Fatec Sp, Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce. , Pça Cel. Fernado Prestes,30, Bom Retiro, 01124060 - São Paulo, SP - Brasil, Telefone: (11) 33222217, Fax: (11) 33150383, URL da Homepage:

Experiência profissional

2009 - 2020

Universidade de São Paulo

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: pesquisador, Carga horária: 20

Outras informações:
Pesquisador do Laboratório de Sistemas Integráveis da USP.

1993 - Atual

Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor titular (pleno), Carga horária: 40

Atividades

  • 02/2020

    Direção e administração, Faculdade de Tecnologia de São Paulo.,Cargo ou função, Chefe do Departamento de Sistemas Eletrônicos.

  • 02/1994

    Ensino, Eletrônica Industrial, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Eletrônica Aplicada, Eletrônica I, Estruturas de Caracterização de Processo e Componentes (4 Aulas semanais), Processo de Fabricação de Componentes Semicondutores (4 Aulas semanais), Projeto de Circuitos Integrados, Técnica de Extração de Parâmetros de Processos (4 Aulas semanais)

  • 10/2014 - 07/2019

    Direção e administração, Faculdade de Tecnologia de São Paulo.,Cargo ou função, Suplente de chefe do Departamento do Sistemas Eletrônicos.

  • 02/2005 - 12/2017

    Conselhos, Comissões e Consultoria, Faculdade de Tecnologia de São Paulo.,Cargo ou função, Membro de colegiado superior (Congregação).

  • 05/1996 - 02/2012

    Pesquisa e desenvolvimento, Fatec Sp, Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce.,Linhas de pesquisa

  • 04/2008 - 09/2010

    Direção e administração, Faculdade de Tecnologia de São Paulo.,Cargo ou função, Suplente de Chefe de Departamento do MPCE.

  • 02/2000 - 12/2003

    Direção e administração, Fatec Sp, Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce.,Cargo ou função, Coordenador do curso MPCE.

  • 02/2000 - 12/2003

    Conselhos, Comissões e Consultoria, Fatec Sp, Materiais Processos e Componentes Eletrônicos Mpce.,Cargo ou função, Membro de colegiado superior Congregação.

2000 - Atual

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor adjunto I, Carga horária: 14

Atividades

  • 08/2000

    Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Eletrônica I, II e III, Microeletrônica, Simulação de Circuitos e Dispositivos, Circuitos Elétricos

1996 - 2000

Fundação Armando Álvares Penteado

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto, Carga horária: 4

Atividades

  • 02/1996 - 12/2000

    Ensino, Engenharia Elétrica - Mod. Eletrônica, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Eletrônica I