Manoel César Valente Lopes

Possui mestrado em Física pelo Instituto de Física da USP (1989) e doutorado em Engenharia Elétrica pela Universidade Estadual de Campinas (2000). Atualmente trabalha com operações quantitativas para o mercado financeiro na BBT Asset Management. Tem experiência na área de Engenharia Elétrica (ênfase em Materiais e Componentes Semicondutores) em Física (cristais liquidos) e Mercado Financeiro (precificação de derivativos e risco).

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Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Engenharia Elétrica

1998 - 2000

Universidade Estadual de Campinas
Título: Estudo da Rugosidade Eletrônica em Capacitores MOS Nanometricos
Vitor Baranauskas. Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos / Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores. Setores de atividade: Pesquisa e desenvolvimento científico.

Mestrado em Física

1986 - 1989

Universidade de São Paulo
Título: Efeito da molécula quiral no passo do cristal líquido colestérico,Ano de Obtenção: 1989
Antonio Martins de Figueiredo Neto.Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estrutura de Líquidos e Sólidos; Cristalografia.

Graduação em Física

1983 - 1986

Universidade Federal de Mato Grosso do Sul
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico.

Áreas de atuação

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.

Produções bibliográficas

LOPES, M. C. V. ; SANTOS FILHO, S. G. ; HASENACK, C. M. ; BARANAUSKAS, V. . THE INFLUENCE OF SI-SIO2 INTERFACE ROUGHNESS ON ELECTRONIC ROUGHNESS.. JOURNAL ELCHEMICAL SOCIETY, v. 143(3), p. 1021-1025, 1996.
FILHO, S G DOS SANTOS ; HASENACK, C M ; LOPES, M C V ; BARANAUSKAS, V . Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: Influence on surface microroughness and electrical characteristics. Semiconductor Science and Technology , v. 10, p. 990-996, 1995.
LOPES, M. C. V. . NUMERICAL CALCULATIONS OF THE ELECTRICAL EFFECTS INDUCED BY STRUCTURAL IMPERFECTIONS ON MOS CAPACITORS.. JOURNAL ELCHEMICAL SOCIETY, v. 141(6), p. 1621, 1994.
LOPES, M. C. V. . THE IMPACT OF SI-SIO2 INTERFACE ASPERITIES ON BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF THIN GATE OXIDE.. JOURNAL ELCHEM. SOC., v. 139(10, p. 2909, 1992.
LOPES, M. C. V. . INFLUENCE OF THE MICROSCOPIC SHAPE ANISOTROPY OF THE MICELLES ON THE PITCH IN A CHOLESTERIC LYOTROPIC LIQUID CRYSTAL.. PHYSCAL REVIEW A, v. 38(2), p. 1101-1104, 1988.
LOPES, M. C. V. . SI-SIO2 THE INFLUENCE OF SI-SIO2 INTERFACE ROUGHNESS ON ELECTRONIC ROUGHNESS.. In: X CONGRESSO DA SOCIEDADE BRASILEIRA DE MICROELETRONICA, 1995, 1995. p. 349.
LOPES, M. C. V. . THE EFFECT OF THE TEMPERATURE COOLING RATE ON THE SI-SIO2 INTERFACE ROUGHNESS AFTER RAPID THERMAL OXIDATION.. In: IX CONGRESSO DA SOCIEDADE BRASILEIRA DE MICROELETRONICA, 1994, 1994. p. 428.
YAMAMOTO, R. K. ; Valente Lopes M C ; AKAMINE, C. T. ; SANTOS FILHO, S. G. ; HASENACK, C. M. . Silicon Surface Roughening induced by CBrF3 plasma during the reactive ion etching.. In: X CONGRESSO BRASILEIRO DE ENGENHARIA E CIÊNCIA DOS MATERIAIS, 1993, Águas de Lindóia. Anais do X Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência dos Materiais, 1993. v. 1. p. 125-131.
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LAGANA, A. A. M. ; Valente Lopes M C ; SOUZA FILHO, J. C. ; SWART, J. W. . Estudo da Influencia da Taxa de Subida de Temperatura Sobre A Rugosi- Dade do Siliceto de Titanio Formado Por Rtp. In: VIII CONGRESSO DA SOCIEDADE BRASILEIRA DE MICROELETRONICA, 1993, Campinas. Anais do VIII Congresso da SBMicro, 1993. v. XI. p. 13-21.
LOPES, M. C. V. . A SIMULATION OF THE INFLUENCE OF SI-SIO2 INTERFACE ROUGHNESS ON ELECTRIC FIELD DISTRIBUTION OF MOS CAPACITORS.. In: VII CONGRESSO DA SOCIEDADE BRASILEIRA DE MICROELETRONICA, 1992, 1992. p. 205.
LOPES, M. C. V. ; SANTOS FILHO, S. G. ; HASENACK, C. M. ; BARANAUSKAS, V. . Si/Sio2 Electronic Roughness: A Consequence Of Si/Sio2 Interface Roughness. In: 1ST BRAZILINA/GERMAN WORKSHOP ON APPLIED SURFACE SCIENCE, 1995, Mangaratiba. Proceedings of the 1ST BRAZILINA/GERMAN WORKSHOP ON APPLIED SURFACE SCIENCE, 1995. v. 1. p. 25-25.
LAGANA, A. A. M. ; Valente Lopes M C ; PEDRINE, A. G. ; SOUZA FILHO, J. C. ; SWART, J. W. . The influence of heating rate on the surface roughness of TiSi2 formed by RTA. In: MRS 1994 Spring Meeting, 1994. MRS Bulletin 1994 Spring Meeting, 1994. v. G4.5.
Valente Lopes M C ; FIGUEIREDO NETO, A. M. . Influence of the Microscopic Shape Anisotropy of the Micelles on the Pitch in a Cholesteric Lyotropic Liquid Crystal. In: Twelfth International Liquid Crystal Conference, 1988, Freiburg. Annals of the Twelfth International Liquid Crystal Conference, 1988.
Valente Lopes M C ; GEJUIBA, N. ; SANTOS FILHO, S. G. ; HASENACK, C. M. ; BARANAUSKAS, V. . Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. 1997. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

Histórico profissional

Endereço profissional

Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação.

Experiência profissional

Sem data

Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação