Luísa Maria Ribeiro Scolfaro

LUISA MARIA RIBEIRO SCOLFARO CONCLUIU O DOUTORADO EM FISICA PELA UNIVERSIDADE DE SAO PAULO, SP CAPITAL, EM 1988. FOI PROFESSORA DO DEPARTAMENTO DE FISICA DE MATERIAIS DA UNIVERSIDADE DE SAO PAULO NO PERIODO DE 1991 A 2008. DESDE 2009, E' PROFESSORA DO "DEPARTMENT OF PHYSICS DA TEXAS STATE UNIVERSITY" NOS ESTADOS UNIDOS. ATUA NA AREA DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, COM ENFASE EM ESTADOS ELETRONICOS DE MATERIAIS SEMICONDUTORES E OXIDOS, E NANOMATERIAIS. ESTUDA SUAS PROPRIEDADES ELETRONICAS, ESTRUTURAIS, VIBRACIONAIS, DIELETRICAS E MAGNETICAS. DENTRE SEUS PRINCIPAIS TEMAS DE PESQUISA ESTAO NITRETOS DO GRUPO-III E SUAS LIGAS, LIGAS DE COMPOSTOS SEMICONDUTORES E OXIDOS, DEFEITOS E IMPUREZAS, METAIS DE TRANSICAO, SPINTRONICA, SEMICONDUTORES E OXIDOS MAGNETICOS DILUIDOS, OXIDOS DE ALTA CONSTANTE DIELETRICA, SISTEMAS DE BAIXA DIMENSIONALIDADE.

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Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Física

1985 - 1988

Universidade de São Paulo
Título: Impurezas Intersticiais de Metais de Transição em GaAs
Orientador: Adalberto Fazzio
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil. Palavras-chave: Impurezas; Metais de transição; GaAs.Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos. Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais.

Mestrado em Física

1982 - 1985

Universidade de São Paulo
Orientador: José Rezende Pereira Neto
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil. Palavras-chave: Silício; Doadores; Calcogêneos.Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos. Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais.

Graduação em Física

1979 - 1982

Universidade de São Paulo
Orientador: José Roberto leite
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.

Pós-doutorado

1989 - 1991

Pós-Doutorado. , Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil. , Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPQ, Brasil. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos.

Idiomas

Inglês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Espanhol

Compreende Bem, Fala Razoavelmente, Lê Bem, Escreve Razoavelmente.

Áreas de atuação

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Estados Eletrônicos.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Materiais Dielétricos e Propriedades Dielétricas.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Propriedades de Ligas Semicondutoras e Magnéticas.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Heteroestruturas Semicondutoras.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Propriedades de transporte e magneticas, spintronica.

Participação em eventos

International Materials Research Congress - IMRC XIX. Magnetic and electronic properties of Sn_1-xCr_x_O2 diluted alloys. 2010. (Congresso).

International Materials Research Congress - IMRC XIX. Analysing the spin charge polarization in II-VI based diluted magnetic semiconductors. 2010. (Congresso).

29th International Conference on the physics of semiconductors - ICPS. Phonom Frequency Dispersion of the high-k oxide SnO2 from AB initio calculations. 2008. (Congresso).

Multifunctional nanomaterrials International Symposium.Electronic structure calculations and optical properties of semiconductor oxides. 2008. (Simpósio).

Material Research Society-Spring Meeting 2008.Dieletric properties of the high-k oxide SnO2 obtained from electronic structure and phonon frequencies calculations. 2008. (Simpósio).

Japan Brazil Memorial Symposium on Science e Technology - 100 years of japanese immigration to Brazil.High-k Semiconductor Oxides: Optical and Eletronic Properties. 2008. (Simpósio).

XXXI ENCONTRO NACIONAL DE FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA.Transições de fase cristalográficas do TiO2. 2008. (Encontro).

XXXI ENCONTRO NACIONAL DE FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA.Eletronic and optical properties of - SnO2 from ab initio calculators. 2008. (Encontro).

13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics , Rebouças Convention Center, São Paulo, de 1º a 05 de abril. Ab initio Studies of Group-IV Metal Oxides. 2007. (Congresso).

International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 2007 (ICFSI-11). Structural and optical Features of MBE grown cubic group-III nitride alloys. 2007. (Congresso).

The Sixth International Conference on Low Dimensional Structures and Devides LDSD 2007. Spin-polarized charge densities in transition metals doped b-SIC nanolayers. 2007. (Congresso).

International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 - IWN2006 (Kyoto-Japão). International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 - IWN2006 (Kyoto-Japão). 2006. (Congresso).

II Encontro da Rede Cooperativa de Materiais Nanoestruturados, REMAN (Salvador, Brasil).Propriedades estruturais e termodinâmicas de ligas quaternárias semicondutoras. 2006. (Encontro).

6th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS-6 (Bremen/Alemanha). Crystal structure and strain effects on the magnetic properties of manganese nitride. 2005. (Congresso).

4th Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials (São Pedro/Brasil).4th Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials. 2005. (Encontro).

International Workshop on Nitride Semiconductors - IWN-2004 (EUA). Ab intio studies of Indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys. 2004. (Congresso).

NanoSemiMat-3, 3 Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados (Rede Cooperativa NanoSemiMat / CNPq) - Salvador/Brasil.3 Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados (Rede Cooperativa NanoSemiMat / CNPq). 2004. (Encontro).

11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP 2003. 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 2003. (Congresso).

II- Ibero American Workshop on Nanostructures for Application in Micro and Optoelectronics NANO'03. III- Ibero American Workshop on Nanostructures for Application in Micro and Optoelectronics NANO'03. 2003. (Congresso).

Materials Research Society Fall Meeting. Materials Research Society Fall Meeting - 2003. 2003. (Congresso).

2 Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados".2 Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados (Rede Cooperativa NanoSemiMat / CNPq). 2003. (Encontro).

XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 2003. (Encontro).

2nd Brazil-Material Research Meeting"-( II SBPMat).2nd Brazil-Material Research Meeting -( II SBPMat). 2003. (Encontro).

. 26th International Conference on the Physics of Semiconductors. 2002. (Congresso).

. The Fourth International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. 2002. (Congresso).

4th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices - LDSD. 4th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD 2002). 2002. (Congresso).

.International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002). 2002. (Seminário).

1 Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados.1 Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados (Rede Cooperativa NanoSemiMat / CNPq). 2002. (Encontro).

.XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 2002. (Encontro).

. 10th International Conference on Modulated Semiconductor Structures. 2001. (Congresso).

. The fourth International Conference on Nitride Semiconductors. 2001. (Congresso).

2nd Ibero American Workshop on Nanostructures for Application in Micro and Optoelectronics.2nd Ibero American Workshop on Nanostructures for Application in Micro and Optoelectronics. 2001. (Seminário).

International Worshop on Physics of Light-Matter Coupling in Nitride.International Worshop on Physics of Light-Matter Coupling in Nitrides. 2001. (Seminário).

.10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 2001. (Seminário).

International Iberoamerican School on Epitaxial Growth of Semiconductor Nanostructures.International Iberoamerican School on Epitaxial Growth of Semiconductor Nanostructures. 2001. (Outra).

. 25th Internantional Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS). 2000. (Congresso).

.3rd International Workshop on Nitride Semiconductors. 2000. (Seminário).

.XXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 2000. (Encontro).

.9th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 1999. (Seminário).

. 11th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices (ICSMM-11). 1998. (Congresso).

. 24th International Conference on the Physics of Semiconductors. 1998. (Congresso).

.XXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1998. (Encontro).

.8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 1997. (Seminário).

.XX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1997. (Encontro).

. 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS). 1996. (Congresso).

. 7th International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors. 1996. (Congresso).

.XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1996. (Encontro).

.XVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1995. (Encontro).

. 7th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. 1994. (Congresso).

. 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors. 1994. (Congresso).

. 6th International Conference on Shallow Level Centers in semiconductors. 1994. (Congresso).

.XXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1994. (Encontro).

. 17th International Conference on Defects in Semiconductors. 1993. (Congresso).

.US Latin American Workshop on Molecular and Materials Sciences: Theoretical and Computational Aspects. 1993. (Seminário).

.1993 Sanibel Symposia. 1993. (Simpósio).

. 16th International Conference on Defects in Semiconductors. 1991. (Congresso).

.5th Brazilian School on Semiconductor Physics. 1991. (Outra).

. 6th Trieste Semiconductor Symposium on Hydrogen in semiconductors: Bulk and Surface Properties. 1990. (Congresso).

. Fifth International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. 1990. (Congresso).

. 20th International Conference on the Physics of Semiconductors. 1990. (Congresso).

. Fourth International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors. 1990. (Congresso).

.The 1990 Sanibel Symposia - International Symposia of Atomic, Molecular and Condensed Matter, Computational Methods, and the Application of Fundamental Theory to Problems of Biology and Pharmacology. 1990. (Simpósio).

.XIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1990. (Encontro).

. Conference on Superlattices, Quatum Wells, and MBE Technology. 1989. (Congresso).

.Florida Latin-American Workshop in Material Sciences. 1989. (Seminário).

.The 1989 Sanibel Symposia - International Symposia of Atomic, Molecular and Condensed Matter, Computational Methods, and the Application of Fundamental Theory to Problems of Biology and Pharmacology. 1989. (Simpósio).

.4th Brazilian School on Semiconductor Physics. 1989. (Outra).

. XI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1988. (Congresso).

.X Simpósio Latino-Americano de Física del Estado Sólido. 1987. (Simpósio).

.3rd Brazilian School on Semiconductor Physics. 1987. (Outra).

.I Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. 1987. (Outra).

. 14th International Conference on Defects in Semiconductors. 1986. (Congresso).

.38ª Reunião Anual da Sociedade Brasileira para o Progresso da Ciência. 1986. (Encontro).

.I Escuela de Física, Química e Ingenieria de Semiconductores. 1986. (Outra).

.2nd Brazilian School on Semiconductor Physics. 1985. (Outra).

.36ª Reunião Anual da Sociedade Brasileira para o Progresso da Ciência. 1984. (Encontro).

.VIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1984. (Encontro).

.35ª Reunião Anual da Sociedade Brasileira para o Progresso da Ciência. 1983. (Encontro).

.VI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1983. (Encontro).

.1st Brazilian School on Semiconductor Physics. 1983. (Outra).

.34ª Reunião Anual da Sociedade Brasileira para o Progresso da Ciência. 1982. (Encontro).

Participação em bancas

Aluno: Gustavo Silva Belo

ACCIOLI, L.; SILVA JR, e F da;SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Síntese e Caracterização de filmes finos de ITO e de silício poroso. 2008. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Rafael Sola de Paula de Angelo Calsaverini

MENEZES, J. C. E.; PUSEP, Yu. A.;SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Acoplamento spin-órbita inter-subbanda em heteroestruturas semicondutoras. 2007 - Instituto de Física de São Carlos - USP.

Aluno: Elton Márcio da Silva Santos

SANTOS, A MSCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Cálculo de propriedades eletrônicas de heteroestruturas semicondutoras quase zero-dimensionais(Quantum dots). 2006. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Juliana Bernardes Borges da Cunha

SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Efeitos de confinamento eletrônico, de correlação e troca sobre as excitações coletivas em fios quânticos de GaAs. 2003. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Goiás.

Aluno: Marcello Mendes Hasegawa

SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Efeito Rashba em nanoestruturas de materiais semicondutores do tipo IV-VI. 2002. Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

Aluno: Frederico Ayres de Oliveira Neto

SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Defeitos dipolares em cristais de espinélio MgAl(2)O(4). 2000. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Eduardo Rissi

SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Propriedades Estruturais e espectroscópicas de fosfinas, nitrilas e suas ligações de Hidrogênio com água. 2000. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Ewerton Wagner Santos Caetano

SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Excitons em poços quânticos 2D GaN/AlGaN/GaN. 2000. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Ceará.

Aluno: Valter César Montanher

SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Propriedades óticas de hetroestruturas semicondutoras de GaAs/AlGaAs. 1996. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Marcionilio Teles de Oliveira

SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Espalhamento Raman em Super-redes (GaAs)n(AlAs)m altamente dopadas. 1995. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Renato Penha Camata

SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Estudo da Influência de Campos Elétricos e da Temperatura em GaAs com Dopagem Planar de Si. 1992. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Renato Borges Pontes

SILVA, A. J. R.;SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro; TOMA, H. E.; DALPIAN, G. M.; CAPAZ, R. B.. Investigação em eletrônica molecular: um estudo via cálculos de primeiros princípios. 2007. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Eduardo do Nascimento

SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Análise de espectros de aniquilação de pósitrons - Estudo das estruturas eletrônicas de Al e Si. 2004. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Carlos Fernando Destefani

SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Interações spin-órbita e elétron-elétron nas propriedades magneto-elétricas e magneto-transporte em sistemas confinados . 2003. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Gustavo Arnaldo Navaes

SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Estados Eletrônicos e absorção ótica em semicondutores de baixa dimensionalidade. 2000. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Mariza Waki

SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Perfil de potencial e Corrente de Tunelamento em Pontos Quânticos. 1997. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Cecília Wetterle Rodrigues

SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Modelamento Físico do Sistema de Heterojunção Metal e do Transistor HEMT. 1996. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro. Banca examinadora do concurso público de títulos e provas para provimento de cargo de Prof. Assistente na disciplina de Física Geral, junto ao Depto. de Física e Química. 1990. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

Orientou

Pablo Damasceno Borges

Propriedades físicas do cristal, de defeitos e impurezas e de semicondutor magnético diluído de SnO2; Início: 2009; Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo; (Coorientador);

[Nome removido após solicitação do usuário]

Propriedades Estruturais e Eletrônicas do öxido SrTiO(3); 2005; 0 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Marcelo Marques

Propriedades Eletrônicas das Ligas AlxGa1-xN e InxGa1-xN e da Impureza aceitadora de Carbono; 2001; 0 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Luis Eugenio Ramos

Estrutura de Minibandas de Super-Redes de GaAs com Dopagem Planar Tipo-p; 1998; 0 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Sara Cristina Pinto Rodrigues

Propriedades de Transporte Vertical em Super-Redes de Pocos Deltas Tipo-n em GaAs; 1997; 0 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Lara Kühl Teles

Propriedades Estruturais e Eletronicas de Nitretos do Grupo III; 1997; 0 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Andreia Luisa da Rosa

Estrutura de Bandas de Buracos em Múltiplos Poços Delta Tipo-p em Silício; 1997; 0 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Pablo D

Borges; Propriedades fisicas do SnO2: defeitos, impurezas, ligas e superredes; 2011; Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Coorientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Odille Cué Noriega

Propriedades óticas dos nitretos GaN, InGaN e AlGaN na estrutura cúbica; 2005; 0 f; Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Marcelo Marques

Estudo teórico das ligas quaternárias semicondutoras AlxGayIn1-x-yX(X=As, P ou N) e do sistema semicondutor magnético (Ga, Mn)N; 2005; 0 f; Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

David Gregorio Pacheco Salazar

Crescimento e caracterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica; 2004; 0 f; Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Lara Kühl Teles

Propriedades Estruturais, Eletrônicas e Termodinâmicas dos Nitretos do Grupo-III e de suas Ligas; 2001; 0 f; Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Sara Cristina Pinto Rodrigues

Estrutura de Bandas de Heteroestruturas Semiconductoras Dopadas Tipo-p; 2001; 0 f; Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Marcelo Marques

2005; Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Guilherme Matos Sipahi

2003; Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

DMITRI BELIAEV

2000; Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Maurício Franz Cardias Correa

Estudo de nanoestruturas semicondutoras de aplicação na spintrônica; 2008; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Michel Lacerda Marcondes dos Santos

Simulações computacionais de nanoestruturas tipo poços quânticos e super redes de nitretos e óxidos semicondutores; 2008; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Tiago Ezequiel Corrêa

Obtenção e Processamento de Dados de experiências de Fotorefletância em Semicondutores de Gap largo; 2002; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Jefferson Gomes da Silva

Propriedades eletrônicas de poços quânticos de GaN/In(x)Ga(1-x)N/GaN na fase cúbica; 2002; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Marcelo Marques

Estados Eletrônicos em Heteroestruturas e Poços Quânticos de Materiais SEmicondutores; 1998; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Luis Eugenio Ramos

Estudo do Transporte Elétrico em Super-Redes Semicondutoras; 1995; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Sara Cristina Pinto Rodrigues

Estrutura Eletrônica de Poços Quânticos de Heteroestruturas Semicondutoras; 1994; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

R Rizzio

Estudo de Poços Quânticos Semicondutores; 1993; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Lara Kühl Teles

Propriedades estruturais, eletrônicas e termodinâmicas de ligas ternárias formadas por nitretos do grupo-III; 2004; 0 f; Orientação de outra natureza - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro;

Produções bibliográficas

Borges, Pablo D ; Scolfaro, L ; Leite Alves, Horácio W ; da Silva, Eronides F ; Assali, Lucy VC . Electronic and magnetic properties of SnO2/CrO2 thin superlattices. Nanoscale Research Letters (Online) , v. 6, p. 146, 2011.
Borges, Pablo D. ; Scolfaro, L ; Alves, HorÃ cio W. Leite ; da Silva Jr., Eronides F. ; Assali, Lucy V.C. . Magnetic and electronic properties of Sn1â "xCrxO2 diluted alloys. Materials Science & Engineering. B, Solid-State Materials for Advanced Technology , v. 176, p. 1378, 2011.
dos Santos, Osmar FP ; Rodrigues, Sara CP ; Sipahi, Guilherme M ; Scolfaro, L ; da Silva Jr, Eronides F . Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors. Nanoscale Research Letters (Online) , v. 6, p. 175, 2011.
Borges, Pablo D. ; Scolfaro, L M R ; Leite Alves, Horácio W. ; Silva, Eronides F. . DFT study of the electronic, vibrational, and optical properties of SnO2. Theoretical Chemistry Accounts (Print) , v. 126, p. 39-44, 2010.
Rodrigues, Sara C P ; Sipahi, Guilherme M ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; da Silva Jr, Eronides F . Spin-polarization effects in homogeneous and non-homogeneous diluted magnetic semiconductor heterostructures. Nanotechnology (Bristol. Print) , v. 21, p. 375401, 2010.
FLORES, M. Z. S. ; FREIRE, V. N. ; SANTOS, R. P. ; FARIAS, G. A. ; CAETANO, E. W. S. ; OLIVEIRA, M. C. F. ; FERNANDEZ, J. R. L. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; BEZERRA, M. J. B. ; OLIVEIRA, T. M. ; BEZERRA, G. A. ; CAVADA, B. S. ; ALVES, H. W. L. . Optical absorption and electronic band structure first-principles calculations of alpha-glycine crystals. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 77, p. 11, 2008.
RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SANTOS, O. F. P. ; Scolfaro, L M R ; SIPAHI, G M ; SILVA JR, E. F. da . Luminescence studies on nitride quaternary alloys double quantum wells. Applied Surface Science , v. 254, p. 7790, 2008.
RODRIGUES, S C P ; ARAUJO, Y. R. V. ; SIPAHI, G M ; Scolfaro, L M R ; SILVA JR, E. F. da . The effect of additional Si and SiGe layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor. Applied Surface Science , v. 255, p. 709, 2008.
ALVES, H. W. L. ; SILVA, C. C. ; LINO, A T ; Borges P. D. ; Scolfaro, L M R ; SILVA JR, E. F. da . Electronic, vibrational and related properties of group-IV metal oxides by ab initio calculations. Applied Surface Science , v. 255, p. 752, 2008.
RODRIGUES, S C P ; EURYDICE, M. N. D. ; SIPAHI, G M ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SILVA JR, E. F. da . White light emission from p-doped quaternary (AllnGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase. Journal of Applied Physics , v. 101, p. 113706, 2007.
MARQUES, M. ; TELES, L. K. ; FERREIRA, L G ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FURTHMÜLLER, J. ; BECHSTEDT, F. . Energy gap and bond lengths of AlxGayIn1-x-yN, AlxGayIn1-x-yP and AxGayIn1-x-yAs quaternary alloys. Physica Status Solidi. C, Conferences and Critical Reviews , v. 4, p. 229-233, 2007.
RIBEIRO JUNIOR, Mauro Fernando Soares ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; TELES, L. K. ; MARQUES, M. ; FERREIRA, L G . Magnetic and electronic properties of transition metal nitride strained layers. Physica Status Solidi. C, Conferences and Critical Reviews , v. 4, p. 269-271, 2007.
MARQUES, M. ; TELES, L. K. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FURTHMÜLLER, J. ; BECHSTEDT, F. ; FERREIRA, L G . Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters , v. 88, p. 22507, 2006.
MARQUES, M ; FERREIRA, L G ; TELES, L K ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FURTHMÜLLER, J ; BECHSTEDT, F . Magnetic properties of GaN/MnxGaN1-xN digital heterostructures: First principles and Monte Carlo calculations. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , in press, v. 73, p. 224409, 2006.
MARQUES, M ; TELES, L K ; FERREIRA, L G ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FURTHMÜLLER, J ; BECHSTEDT, F . Statistical model applied to A$_x$B$_y$C$_{1-x-y}$D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$X (X=As, P or N) systems. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , in press, v. 73, p. 235205, 2006.
PEREIRA, T A S ; FREIRE, J. A. K. ; FREIRE, V. N. ; FARIAS, G A ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. ; SILVA JR, E. F. da . Large image potential effects in Si/SrTiO3 and Si/HfO2 two-dimensional quantum well structures. Applied Physics Letters , v. 88, p. 242114, 2006.
GARCIA, J C ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LINO, A T ; FREIRE, V. N. ; FARIAS, G. A. ; SILVA, C. C. ; ALVES, H. W. L. ; RODRIGUES, S C P ; SILVA JR, E. F. da . Structural, electronic, and optical properties of ZrO2 from ab initio calculations. Journal of Applied Physics , v. 100, p. 104103, 2006.
PAIVA, R de ; ALVES, J L A ; NOGUEIRA, R A ; LEITE, J R ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic Ga1-xMnxN semiconductor alloys: a first-principles study. Journal of Magnetism and Magnetic Materials , v. 288, p. 384, 2005.
MARQUES, M. ; TELES, L. K. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. ; FERREIRA, L G . Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys. Physica Status Solidi. C, Conferences and Critical Reviews , v. 2, p. 2508, 2005.
MARQUES, M ; TELES, L K ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FURTHMÜLLER, J ; BECHSTEDT, F ; FERREIRA, L G . Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters , p. 164105, v. 86, n.16, 2005.
MARQUES, M. ; FERREIRA, Luiz Guimarães ; TELES, L. K. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Monte Carlo simulations applied to Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N quaternary alloys a comparative study of (Al, Ga, In)X (X=As,P or N) systems. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , p. 205204, v. 71, n.20, 2005.
LIMA, Ivan C da Cunha ; RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SIPAHI, Guilherme Matos ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Journal of Superconductivity , v. 18, n.1, p. 61-67, 2005.
SALAZAR, D G P ; S. F. Li ; CERDEIRA, F. ; MENESES, E. ; LEITE, J. R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; AS, D. J. ; LISCHKA, K. . Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, v. 284 (3, p. 379, 2005.
TELES, Lara Kühl ; MARQUES, Marcelo ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. ; FERREIRA, Luiz Guimarães . Phase separation and ordering in group-III nitride alloys. Brazilian Journal of Physics , v. 34, n.2B, p. 593, 2004.
TELES, Lara Kühl ; MARQUES, Marcelo ; FERREIRA, Luiz Guimarães ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal , v. 35, p. 53, 2004.
GARCIA, J C ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J R ; LINO, A T ; FREIRE, V N ; FARIAS, G A ; SILVA JR, e F da . Effective masses and dielectric function of cubic HfO2. Applied Physics Letters , v. 85, n.21, p. 5022, 2004.
PAIVA, R de ; ALVES, J L A ; NOGUEIRA, R A ; LEITE, J R ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Diluted magnetic Ga1-xMnN alloys: a first-principles study. Brazilian Journal of Physics , v. 34, n.2B, p. 647, 2004.
RODRIGUES, S C P ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J R ; LIMA, I C da Cunha ; SIPAHI, G M ; BOSELLI, M A . Charge and spin distribution in GaMnAs/GaAs Ferromagnetic multilayers. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , p. 165308, v. 70, n.16, 2004.
PAIVA, R de ; ALVES, J L A ; NOGUEIRA, R A ; LEITE, J R ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Brazilian Journal of Physics , v. 34, n.2B, p. 568, 2004.
ALVES, H W L ; ALVES, J L A ; SANTOS, A M ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J R . Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-Nitrides. Brazilian Journal of Physics , v. 34, n.2B, p. 678, 2004.
ALVES, H W L ; ALVES, J L A ; SANTOS, A M ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J R . Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Brazilian Journal of Physics , v. 34, n.2B, p. 617, 2004.
TELES, L K ; FERREIRA, L G ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J R . Theoretical study of strain-induced ordering in cubic InxGa1-xN epitaxial layers. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , p. 245317, v. 69, 2004.
MARQUES, M ; TELES, L K ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FERREIRA, L G ; LEITE, J R . Microscopic description of the phase separation process in AlxGayIn1-x-yN quaternary alloys. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , p. 073202, v. 70, n.7, 2004.
COPPOLA, H Rodriguez ; SANCHEZ, J Tutor ; LEITE, José Roberto ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; MOLINER, F Garcia . The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: The photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal , v. 35, p. 103, 2004.
SIPAHI, Guilherme Matos ; RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LIMA, I C D . Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers. Applied Physics Letters , v. 85, n.25, p. 6209, 2004.
SIPAHI, G M ; RODRIGUES, S C P ; LIMA, I C da Cunha ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J R . Luminescence spectra in metallic and ferromagnetic GaMnAs/GaAs multilayers: a self-consistent super-cell Luttinger-Kohn k.p. calculation. Physica Status Solidi. C, Conferences and Critical Reviews , v. 1, n.S2, p. S282, 2004.
GARCIA, J C ; LINO, A T ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J R ; FREIRE, V N ; FARIAS, G A ; SILVA JR, e F da . First principles studies of relativistic and spin-orbit effects on the HfO2 band structures. Physica Status Solidi. C, Conferences and Critical Reviews , v. 1, n.S2, p. S236, 2004.
MARQUES, Marcelo ; TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. ; FURTHMÜLLER, J ; BECHSTEDT, F. . Lattice parameter and energy band gap of cubic AlxGay In1-x-y N quaternary alloys. Applied Physics Letters , v. 83, p. 890, 2003.
TELES, Lara Kühl ; FERREIRA, Luiz Guimarães ; LEITE, J. R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; KHARCHENKO, A. ; HUSBERG, O. ; AS, D. J. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. . Strain-induced ordering in InxGa1-xN alloys. Applied Physics Letters , v. 82, p. 4274, 2003.
MARQUES, Marcelo ; TELES, Lara Kühl ; ANJOS, V ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J R ; FREIRE, V. N. ; FARIAS, G. A. ; SILVA JR, E. F. da . Full-relativistic calculations of the SrTiO3 carrier effective masses and complex dielectric function. Applied Physics Letters , v. 82, p. 3074, 2003.
BECHSTEDT, F. ; FURTHMÜLLER, J ; FERHAT, M. ; TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. ; DAVYDOV, V. Y. ; AMBACHER, O. ; GOLDHAHN, R. . Energy gap and optical properties of In(x)Ga(1-x)N. Physica Status Solidi. A, Applied Research , Berlin, v. 195, n.3, p. 628-633, 2003.
PEREIRA, T. A. S. ; FREIRE, J. A. K. ; FREIRE, V. N. ; FARIAS, G. A. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; SILVA JR, E. F. da . Confined excitons in Si/SrTiO(3) quantum wells. Microelectronics Journal , v. 34, p. 507-509, 2003.
RAMOS, Luis Eugenio ; FURTHMÜLLER, J ; LEITE, José Roberto ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; BECHSTEDT, F . Group-IV and Group-V Substitutional Impurities in Cubic Group-III Nitrides. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , Lancaster, v. 68, p. 85209, 2003.
PEREIRA, T A S ; FREIRE, J A K ; FREIRE, V N ; FARIAS, G A ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J R . Carrier kinetics in quantum dots through continuous wave photoluminescence modeling: A systematic study on a sample with surface dot density gradient. Journal of Applied Physics , v. 94, p. 1787, 2003.
RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SIPAHI, Guilherme Matos ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures. Journal of Physics. Condensed Matter , v. 14, p. 5813, 2002.
RAMOS, Luis Eugenio ; FURTHMÜLLER, J ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. ; BECHSTEDT, F. . Substitutional carbon in III-nitrides: ab initio description of shallow and deep levels. Physical Review B - Solid State , v. 66, p. 75209, 2002.
RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SIPAHI, Guilherme Matos ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; NORIEGA, O. C. ; LEITE, J. R. ; FREY, T. ; AS, D. J. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. . Inter and Intraband Transitions in Cubic Nitride Quantum Wells. Physica Status Solidi. A, Applied Research , Berlin, v. 190, p. 121, 2002.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Phase separation in cubic group-III nitride alloys. Physica Status Solidi. A, Applied Research , Berlin, v. 190, p. 15, 2002.
RAMOS, Luis Eugenio ; FURTHMÜLLER, J ; BECHSTEDT, F. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Ab initio theory of native defects in alloys:application to charged N vacancies in Al(x)Ga(1-x)N. Journal of Physics. Condensed Matter , v. 14, p. 2577, 2002.
TABATA, A. ; TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. ; KHARCHENKO, A. ; LISCHKA, K. ; FURTHMÜLLER, J ; BECHSTEDT, F. . Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain. Applied Physics Letters , v. 80, p. 769, 2002.
TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. ; FURTHMÜLLER, J ; BECHSTEDT, F. . Spinodal decomposition in B(x)Ga(1-x)N and B(x)Al(1-x)N alloys. Applied Physics Letters , v. 80, p. 1177, 2002.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; TELES, Lara Kühl ; FURTHMÜLLER, J ; TABATA, A. ; LEITE, J. R. ; BECHSTEDT, F. ; FREY, T. ; AS, D. J. ; LISCHKA, K. . Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers. Physica E. Low-Dimensional Systems and Nanostructures , Amsterdã, v. 13, p. 1086, 2002.
HUSBERG, O. ; KHARCHENKO, A. ; VOGELSANG, H. ; AS, D. J. ; LISCHKA, K. ; NORIEGA, O. C. ; TABATA, A. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures. Physica E. Low-Dimensional Systems and Nanostructures , Amsterdã, v. 13, p. 1090, 2002.
ALVES, H. W. L. ; ALVES, J. L. A. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN. Materials Science and Engineering. B, Solid State Materials for Advanced Technology , v. 93, p. 90, 2002.
PAIVA, R de ; ALVES, J. L. A. ; NOGUEIRA, R A ; OLIVEIRA, C. ; ALVES, H. W. L. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Theoretical study of the Al(x)Ga(1-x)N alloys. Materials Science and Engineering. B, Solid State Materials for Advanced Technology , v. 93, p. 2, 2002.
NORIEGA, O. C. ; LEITE, J. R. ; MENESES, E. A. ; SOARES, J. A. N. T. ; RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SIPAHI, Guilherme Matos ; KÖHLER, U. ; AS, D. J. ; POTTHAST, S. ; KHARCHENKO, A. ; LISCHKA, K. . Photoluminescence and Photoreflectance characterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells. Physica Status Solidi C, Berlin, v. 0, n.1, p. 528-531, 2002.
TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FURTHMÜLLER, J ; LEITE, J. R. ; BECHSTEDT, F. . Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic InAlN alloys: ab initio calculations . Journal of Applied Physics , v. 92, p. 7109, 2002.
KÖHLER, U. ; AS, D. J. ; POTTHAST, S. ; KHARCHENKO, A. ; LISCHKA, K. ; NORIEGA, O. C. ; MENESES, E. A. ; TABATA, A. ; RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SIPAHI, Guilherme Matos ; LEITE, J. R. . Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi. A, Applied Research , Berlin, v. 192, p. 129, 2002.
RAMOS, Luis Eugenio ; FURTHMÜLLER, J ; LEITE, J. R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; BECHSTEDT, F. . Carbon-based defects in GaN:Doping behaviour. Physica Status Solidi. B, Basic Research , Berlin, v. 234, p. 864, 2002.
VIVAS, P. G. ; SILVA, E. E. ; CARVALHO, L. C. ; ALVES, J L A ; ALVES, H W L ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J R . Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces. Brazilian Journal of Physics , v. 32, p. 396, 2002.
ALVES, H W L ; ALVES, J L A ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-Nitrides. Brazilian Journal of Physics , v. 32, p. 448, 2002.
PAIVA, R de ; NOGUEIRA, R A ; OLIVEIRA, C. ; ALVES, H W L ; ALVES, J L A ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . First principles calculations of the effetive mass parameters of Al(x) Ga(1-x) N and Zn(x) Cd(1-x) Te alloys . Brazilian Journal of Physics , v. 32, p. 405, 2002.
TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FURTHMÜLLER, J ; BECHSTEDT, F. ; LEITE, J. R. . Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic Inx Al1-x N. Physica Status Solidi. B, Basic Research , Berlin, v. 234, p. 956, 2002.
RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SIPAHI, Guilherme Matos ; LEITE, J. R. . k.p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices . Physica Status Solidi. B, Basic Research , v. 234, p. 906, 2002.
RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SIPAHI, Guilherme Matos ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc blende Al(x)Ga(1-x)N/GaN superlattices. Journal of Physics. Condensed Matter , USA, v. 13, p. 3381, 2001.
TELES, Lara Kühl ; FURTHMÜLLER, J. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; BECHSTEDT, F. . Influence of composition fluctuations and strain on gap bowing in In(x)Ga(1-x)N. Physical Review B - Solid State , Lancaster, v. 63, p. 85204, 2001.
RAMOS, Luis Eugenio ; TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; CASTINEIRA, J. L. P. ; ROSA, A. L. ; LEITE, José Roberto . Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B - Solid State , Lancaster, v. 63, p. 16521, 2001.
RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SIPAHI, Guilherme Matos ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302, p. 106, 2001.
TELES, Lara Kühl ; FURTHMÜLLER, J ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; BECHSTEDT, F. . First principles calculations of thermodynamic and structural properties of strained Al(x)Ga(1-x)N and In(x)Ga(1-x)N alloys. Physical Review B - Solid State , Lancaster, USA, v. 62, p. 2475, 2000.
LEMOS, V. ; SILVEIRA, E. ; LEITE, J. R. ; TABATA, A. ; TRENTIN, R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FREY, T. ; AS, D. J. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. . Evidence for phase-separated quantum dots in cubic InGaN layers from resonant Raman scattering. Physical Review Letters , Lancaster, USA, v. 84, p. 3666, 2000.
RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; SIPAHI, Guilherme Matos . Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters , USA, v. 76, p. 1015, 2000.
PUSEP, Yu. A. ; SILVA, M. T. O. ; GALZERANI, J. C. ; RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LIMA, A. P. ; QUIVY, A. A. ; LEITE, José Roberto ; MOSHEGOV, N. T. ; BASMAJI, P. . Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics , USA, v. 87, p. 1825, 2000.
CHOQUE, N. M. S. ; BELIAEV, D. ; SOARES, J. A. N. T. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SPERANDIO, A. L. ; QUIVY, A. A. ; LEITE, José Roberto . Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures , United Kingdom, v. 26, p. 243, 1999.
ROSA, A. L. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. ; SIPAHI, Guilherme Matos . Rigorous hole band structure calculations of p-type delta-doping superlattices in silicon. Superlattices and Microstructures , United Kingdom, v. 25, p. 67, 1999.
TABATA, A. ; LIMA, A. P. ; TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; LEMOS, V. ; SCHÖTTKER, B. ; FREY, T. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. . Structural properties and Raman Modes of Zincblende InN Epitaxial Layers. Applied Physics Letters , Estados Unidos, v. 74, p. 362, 1999.
LEVINE, A. ; DA SILVA, E. C. F. ; SIPAHI, Guilherme Matos ; QUIVY, A. A. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; DIAS, I. F. L. ; LAURETTO, E. ; OLIVEIRA, J. B. B. ; MENESES, E. A. ; OLIVEIRA, A. G. . Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B - Solid State , Lancaster, v. 59, p. 4634, 1999.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; TABATA, A. ; SILVEIRA, E. ; LEITE, J. R. ; TRENTIN, R. ; LEMOS, V. ; FREY, T. ; AS, D. J. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. . Raman scattering study of zincblende In(x)Ga(1-x)N alloys. Physica Status Solidi. B, Basic Research , v. 216, p. 769, 1999.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi. B, Basic Research , v. 216, p. 541, 1999.
CASTINEIRA, J. L. P. ; LEITE, José Roberto ; DA SILVA, J. L. F. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ALVES, J. L. A. ; ALVES, H. W. L. . Electronic structure and stability of Be impurities in cubic Boron Nitride. Physica Status Solidi. B, Basic Research , Berlim, v. 210, p. 401, 1998.
BELIAEV, D. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; SIPAHI, Guilherme Matos . Exchange-correlation effects on a multicomponent hole gas in semiconductors. Physica Status Solidi. B, Basic Research , Berlim, v. 210, p. 777, 1998.
ROSA, A. L. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SIPAHI, Guilherme Matos ; ENDERLEIN, R. ; LEITE, José Roberto . p-Type Delta-Doping Quantum Wells in Silicon: Self-Consistent Hole Potentials and Band Structures. Physical Review B - Solid State , Lancaster, v. 58, p. 15675, 1998.
TABATA, A. ; LEVINE, A. ; CESCHIN, A. M. ; QUIVY, A. A. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ENDERLEIN, R. ; LEITE, José Roberto . Optical properties of GaAs/AlGaAs Selectively Doped Quantum Well Structures. Journal Of Radiation Effects And Defects In Solids, Estados Unidos, v. 146, p. 207, 1998.
RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; ROSA, A. L. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; BELIAEV, D. ; LEITE, José Roberto ; ENDERLEIN, R. ; ALVES, J. L. A. . Miniband Structure and Effective Masses of Delta-Doped Layers in GaN. Semiconductor Science and Technology , United Kingdom, v. 13, p. 981, 1998.
ALVES, A. R. ; GUIMARÃES, P. S. S. ; CURY, L. A. ; MOREIRA, M. V. B. ; LINO, Antônio Tadeu ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Electrical and Optical Correlation in the Study of the Depopulation Effect in Asymmetric Quantum Wells. Physical Review B - Solid State , Lancaster, v. 58, p. 6720, 1998.
ROSA, A. L. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SIPAHI, Guilherme Matos ; ENDERLEIN, R. ; LEITE, José Roberto . Hole Band Structure of p-type Delta-Doping Quantum Wells in Silicon. Microelectronic Engineering , Amsterdam, v. 43-4, p. 489, 1998.
SIPAHI, Guilherme Matos ; ENDERLEIN, R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; DA SILVA, E. C. F. ; LEVINE, A. . Theory of Luminescence Spectra from Delta-doping Structures: Application to GaAs. Physical Review B - Solid State , Lancaster, v. 57, p. 9168, 1998.
ENDERLEIN, R. ; SIPAHI, Guilherme Matos ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Parameters of the Kane Model from Effective Masses: Ambiguities and Instabilities. Physica Status Solidi. B, Basic Research , Berlim, v. 205, p. 623, 1998.
CASTINEIRA, J. L. P. ; LEITE, José Roberto ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ENDERLEIN, R. ; ALVES, J. L. A. ; ALVES, H. W. L. . First principles studies of point defects and impurities in cubic Boron nitride. Materials Science And Engineering, United Kingdom, v. 51, p. 53, 1998.
LEVINE, A. ; DA SILVA, E. C. F. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; BELIAEV, D. ; QUIVY, A. A. ; ENDERLEIN, R. ; LEITE, José Roberto . Spatially Direct Recombinations observed in Multiple Delta-doped GaAs Layers. Superlattices and Microstructures , United Kingdom, v. 23, p. 301, 1998.
CASTINEIRA, J. L. P. ; LEITE, José Roberto ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ENDERLEIN, R. ; ALVES, J. L. A. ; ALVES, H. W. L. . Stability of Native Defects in c-BN. Journal Of Radiation Effects And Defects In Solids, New York, v. 146, p. 49, 1998.
DA SILVA, J. L. F. ; ENDERLEIN, R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; TABATA, A. ; LISCHKA, K. ; SCHIKORA, D. ; BECHSTEDT, F. . Surface Reconstruction and MBE Growth of Cubic GaN on (001) GaAs: A Total Energy Study. Materials Science Forum, Zurique, v. 264, p. 1197, 1998.
ENDERLEIN, R. ; SIPAHI, Guilherme Matos ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Density Functional Theory for Holes in Semiconductors-Reply. Physical Review Letters , Lancaster, v. 80, p. 3159, 1998.
PUSEP, Yu. A. ; SILVA, M. T. O. ; GALZERANI, J. C. ; DA SILVA, S. W. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ENDERLEIN, R. ; QUIVY, A. A. ; LIMA, A. P. ; LEITE, José Roberto . Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures , United Kingdom, v. 23, p. 1033, 1998.
RAMOS, Luis Eugenio ; SIPAHI, Guilherme Matos ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ENDERLEIN, R. ; LEITE, José Roberto . Minibands of p-type delta-doping superlattices in GaAs. Superlattices and Microstructures , United Kingdom, v. 22, p. 443, 1997.
TAKAHASHI, E. K. ; LINO, Antônio Tadeu ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Electron Subband Levels of n-Type Delta-doped Quantum Wells under in-Plane Magnetic Fields. International Journal of Modern Physics B , Cingapura, v. 11, n.9, p. 1195, 1997.
SIPAHI, Guilherme Matos ; ENDERLEIN, R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Exchange-Correlation Effects in the Hole Band Structure of p-type delta-doping Quantum Wells and Superlattices. Shallow Level Centers In Semiconductors, Cingapura, v. 1, p. 209, 1997.
SOLER, M. A. G. ; DEPEYROT, J. ; MORAIS, P. C. ; SOARES, J. A. N. T. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; DA SILVA, E. C. F. ; ENDERLEIN, R. ; WEIMANN, G. ; TRANKLE, G. . Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells. Superlattices and Microstructures , United Kongdom, v. 21, p. 581, 1997.
PUSEP, Yu. A. ; SILVA, M. T. O. ; GALZERANI, J. C. ; DA SILVA, S. W. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ENDERLEIN, R. ; QUIVY, A. A. ; LIMA, A. P. ; LEITE, José Roberto . Raman Study of Fano-like electron-phonon coupling in delta-doping GaAs Superlattices. Physical Review B - Solid State , Lancaster, v. 54, p. 13927, 1996.
TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ENDERLEIN, R. ; LEITE, José Roberto ; JOSIEK, A. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. . Structural Properties of Cubic GaN Epitaxial Layers Grown on SiC. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 80, n.11, p. 6322, 1996.
SIPAHI, Guilherme Matos ; ENDERLEIN, R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Band Structure of Holes in p-type delta-doping Quantum Wells and Superlattices. Physical Review B - Solid State , Lancaster, v. 53, p. 9930, 1996.
ENDERLEIN, R. ; SIPAHI, Guilherme Matos ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; DIAS, I. F. L. . Comparative Studies of Photoluminescence from n- and p-delta-Doping Wells in GaAs. Materials Science And Engineering B, United Kingdom, v. 35, p. 396, 1995.
SOARES, J. A. N. T. ; BELIAEV, D. ; ENDERLEIN, R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Photoreflectance Investigations of Semiconductor Device Structures. Materials Science And Engineering B, United Kingdom, v. 35, p. 267, 1995.
LEITE, José Roberto ; RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ENDERLEIN, R. ; BELIAEV, D. ; QUIVY, A. A. . Electrical Conductivity of Delta-Doping Superlattices Parallel to the Growth Direction. Materials Science Engineering B, United Kingdom, v. 35, p. 250, 1995.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; BELIAEV, D. ; ENDERLEIN, R. ; LEITE, José Roberto . Energy Levels due to n-Type Delta-Doping in Silicon. Solid State Communicatioons, Estados Unidos, v. 93, p. 49, 1995.
ENDERLEIN, R. ; BELIAEV, D. ; SOARES, J. A. N. T. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Method for Calculating Photo- and Electroreflectance Spectra from Semiconductor Heterostructures. Physical Review B - Solid State , Lancaster, v. 52, p. 2814, 1995.
CESCHIN, A. M. ; QUIVY, A. A. ; SOARES, J. A. N. T. ; ENDERLEIN, R. ; TABATA, A. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; DA SILVA, E. C. F. ; LEITE, José Roberto . Photoluminescence and Photoreflectance Studies on Delta-Doped In(0.15)Ga(0.85)As/GaAs Quantum Wells. Superlattices and Microstructures , United Kingdom, v. 15, p. 333, 1994.
BELIAEV, D. ; ENDERLEIN, R. ; SOARES, J. A. N. T. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; CESCHIN, A. M. ; QUIVY, A. A. ; LEITE, José Roberto . Photo-and Electroreflectance Spectra from Spatially Inhomogeneous Heterostructures Calculated by Means of a New Method. Superlattices and Microstructures , United Kingdom, v. 15, p. 339, 1994.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; MENDONÇA, C. A. C. ; BELIAEV, D. ; SHIBLI, S. M. ; DA SILVA, E. C. F. ; MENESES, E. A. . Electronic States of n-Type Delta-Doping in GaAs Heterostructures. Materials Science Forum, Zurique, v. 143-47, p. 669, 1994.
BELIAEV, D. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Theoretical Investigation of Differential Photoreflectance Spectra from Planar-Doped Layers in Semiconductors. Brazilian Journal of Physics , São Paulo, v. 24, p. 270, 1994.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; BELIAEV, D. ; LEITE, José Roberto ; LINO, Antônio Tadeu ; TAKAHASHI, E. K. . Electronic Properties of Multiple Delta-Doped Layers in Silicon and GaAs. International Journal Of Quantum Chemistry S, Estados Unidos, v. 28, p. 667, 1994.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; BELIAEV, D. ; ENDERLEIN, R. ; LEITE, José Roberto . Electronic Structure of n-Type Delta-doping Multiple Layers Superlattices in Silicon. Physical Review B - Solid State , Lancaster, v. 50, p. 8699, 1994.
ENDERLEIN, R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Plateau Behavior and the Metal-Insulator Transition in Delta-Doping Superlattices for transport along the growth direction. Physical Review B - Solid State , Lancaster, v. 50, p. 18312, 1994.
BELIAEV, D. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . New Theoretical Model for Optical Transitions in the Photoreflecftance Spectrum from Delta-Doped Structures. Semiconductor Science and Technology , United Kingdom, v. 8, p. 1479, 1993.
MENDONÇA, C. A. C. ; PLENTZ, F. ; OLIVEIRA, J. B. B. ; MENESES, E. A. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; BELIAEV, D. ; SHIBLI, S. M. ; LEITE, José Roberto . Evidence of two-dimensional to three-dimensional Transition in Si delta-Doped GaAs Structures. Physical Review B - Solid State , Lancaster, v. 48, p. 12326, 1993.
SHIBLI, S. M. ; HENRIQUES, A. B. ; MENDONÇA, C. A. C. ; DA SILVA, E. C. F. ; MENESES, E. A. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Electronic Properties of Multiple Si Delta-Doped GaAs Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy and Migration Enhanced Epitaxy. Journal of Crystal Growth , New York, v. 127, p. 700, 1993.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; PINTANEL, R. ; FAZZIO, A. ; LEITE, José Roberto . Electronic States Induced by a Ga Vacancy in the GaAsP Alloy. International Journal Of Quantum Chemistry S, Estados Unidos, v. 27, p. 213, 1993.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; CAMATA, R. P. ; MARTINS, J. M. V. ; LEITE, José Roberto . On the Influence of Electric Fields in the Si Delta-Doped GaAs Self-Consistent Potential Profile. Superlattices and Microstructures , United Kingdom, v. 12, p. 203, 1992.
MENDONÇA, C. A. C. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; OLIVEIRA, J. B. ; PLENTZ, F. ; MIÇOVIC, F. ; LEITE, José Roberto ; MENESES, E. A. . Electronic Properties of Si Delta-Doped GaAs Quantum Wells. Superlattices and Microstructures , United Kingdom, v. 12, p. 257, 1992.
ENDERLEIN, R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; MARTINS, J. M. V. ; LEITE, José Roberto . Line Shape Analysis of Photoreflectance Spectra from Delta-Doping Structures. Superlattices and Microstructures , United Kingdom, v. 12, p. 175, 1992.
PINTANEL, R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Electronic Structure of Transition-Metal Impurities in GaAs(1-x)P(x) Alloys. Materials Science Forum, Zurique, v. 83-87, p. 707, 1992.
SHIBLI, S. M. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; MENDONÇA, C. A. C. ; PLENTZ, F. ; MENESES, E. A. . Hole Confinement Effects on Multiple Si Delta-doping in GaAs. Applied Physics Letters , Estados Unidos, v. 60, p. 2895, 1992.
MARTINS, J. M. V. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; MENDONÇA, C. A. C. ; MENESES, E. A. ; LEITE, José Roberto . Effects of Temperature on the Built-in Electric Field in GaAs/GaAlAs:Si Heterostructures. Superlattices and Microstructures , United Kingdom, v. 10, p. 239, 1991.
RODRIGUES, R. ; GUIMARÃES, P. S. S. ; SAMPAIO, J. F. ; NOGUEIRA, R A ; OLIVEIRA JR, A. T. ; DIAS, I. F. L. ; BEZERRA, J. C. ; OLIVEIRA, A. G. ; CHAVES, A. S. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Broadening of the Si Doping Layer in Planar-Doped GaAs in the Limit of High Concentrations. Solid State Communications , Estados Unidos, v. 78, p. 793, 1991.
CASTINEIRA, J. L. P. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Impurity Levels of Substitutional Chalcogens-doped Ge. Solid State Communications , Estados Unidos, v. 79, p. 557, 1991.
VALADARES, E. C. ; HENRIQUES, A. B. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Optical Blue Shift in a Double Quantum Well Structure Induced by Long-Wavelength Radiation. Quantum Well And Superlattice Physics III Spie, Estados Unidos, v. 1283, p. 185, 1990.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; MENDONÇA, C. A. C. ; MENESES, E. A. ; MARTINS, J. M. V. ; LEITE, José Roberto . Interband Transitions of Si delta-Doped Layers in p-Type GaAs. International Journal of Quantum Chemistry , Estados Unidos, v. S24, p. 447, 1990.
MENDONÇA, C. A. C. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; PLENTZ, F. ; MENESES, E. A. ; OLIVEIRA JR, A. T. ; RODRIGUES, R. ; GUIMARÃES, P. S. S. ; BEZERRA, J. C. ; DIAS, I. F. L. ; OLIVEIRA, A. G. . Hot Electrons in Delta-Doped GaAs(Si) Layers. Solid State Communications , Estados Unidos, v. 75, p. 707, 1990.
MENDONÇA, C. A. C. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; MARTINS, J. M. V. ; MENESES, E. A. ; LEITE, José Roberto . Determination of the Electric Field in Ga(1-x)Al(x)As/GaAs Heterojunctiions from the Franz-Keldysh Oscillations by Photoreflectance Spectroscopy. Quantum Well And Superlattice Physics III Spie, Estados Unidos, v. 1286, p. 370, 1990.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; MENESES, E. A. ; MENDONÇA, C. A. C. ; LEITE, José Roberto ; MARTINS, J. M. V. . Electronic Structure of Be-Doped GaAs. Materials Science Forum, Zurique, v. 65-66, p. 369, 1990.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FAZZIO, A. . Native Defects and Transition Metal Impurities at Interstitial Sites in GaAs. International Journal of Quantum Chemistry , Estados Unidos, v. S23, p. 677, 1989.
GOMES, V. M. S. ; PINTANEL, R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; MENESES, E. A. . Group-IV Impurity Related Centers in GaAs. Materials Science Forum, Zurique, v. 38-41, p. 833, 1989.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FAZZIO, A. ; MOTA, R. . Charge Stabilization of Cr at Interstitial Sites in GaAs. Solid State Communications , Estados Unidos, v. 66, p. 1031, 1988.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FAZZIO, A. . Acceptor and Donor Levels of 3d Impurities at Interstitial Sites in GaAs. Revista Brasileira de Física, São Paulo, v. 18, p. 174, 1988.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FAZZIO, A. . Theory of Interstitial Transition Atoms in GaAs. Physical Review B - Solid State , Lancaster, v. 36, p. 7542, 1987.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; PINTANEL, R. ; GOMES, V. M. S. ; LEITE, José Roberto ; CHAVES, A. S. . Impurity Levels Induced by a C Impurity in GaAs. Physical Review B - Solid State , Lancaster, v. 34, p. 7135, 1986.
LEITE, José Roberto ; GOMES, V. M. S. ; ASSALI, L. V. C. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Electronic Structure of Complex Defects in Silicon. Journal Of Electronic Materials, Estados Unidos, v. 14a, p. 885, 1984.
SILVA JR, E. F. da (Org.) ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro (Org.) ; SIPAHI, G M (Org.) ; HENINI, M. (Org.) . Proceedings of the 4th Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials. Londres: Elsevier, 2005. v. 1. 200p .
Rodrigues, Sara C P ; Sipahi, Guilherme M ; Scolfaro, L ; da Silva Jr, Eronides F . Application of Quaternary AlInGaN- Based Alloys for Light Emission Devices. OPTOELECTRONICS: MATERIALS AND TECHNIQUES. Calcuta: InTech, 2011, v. 14, p. 355-374.
Scolfaro, L M R ; TELES, L K ; MARQUES, M. ; FERREIRA, L G ; LEITE, J. R. . Phase Separation and Ordering in Cubic ternary and Quaternary Nitride Alloys. In: Eds. M Razegui; M Henini. (Org.). Optoelectronic Devices: III- Nitrides. Oxford: Elsevier, 2004, v. 16, p. 455-478.
Borges P. D. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ALVES, H. W. L. ; SILVA JR, E. F. da . Electronic structure and dielectric properties calculations of pure tin dioxide and of vacancies in tin dioxide. In: 29th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2010, Rio de Janeiro. AIP Conference Proceedings, 2008. v. 1199. p. 124.
RIBEIRO JUNIOR, Mauro Fernando Soares ; MARQUES, M ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; TELES, L. K. ; FERREIRA, L G . Theoretical study of Magnetic Properties of VN, CrN, MnN, FeN, and CoN under strain. In: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2006), 2007, Viena. AIP Conference Proceedings, 2007. v. 893. p. 1227-1228.
MARQUES, M. ; FERREIRA, L G ; TELES, L. K. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FURTHMÜLLER, J ; BECHSTEDT, F . Ab initio study of GaN/Mnx Ga1-xN digital heterostructure. In: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2006), 2007, Viena. AIP Conference Proceedings, 2007. v. 893. p. 1249-1250.
SILVA, C. C. ; ALVES, H. W. L. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Frequency Dependence of the Dielectric Constants and of the Reflectivity for HfO2. In: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2006), 2007, Viena. AIP Conference Proceedings, 2007. v. 893. p. 311-312.
LINO, A T ; Borges, P. B. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; RODRIGUES, S C P ; SILVA JR, E. F. da . Optical Properties and Carrier Effective Masses of Rutile SnO2 as Obtained from Full. In: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2006), 2007, Viena. AIP Conference Proceedings, 2007. v. 893. p. 529-530.
RIBEIRO JUNIOR, Mauro Fernando Soares ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; TELES, L. K. ; MARQUES, M ; FERREIRA, L G . Magnetic and Electronic Properties of Strained Transition Metal Nitrides. In: 14th International Conference on Superlattices, Nanostructures and, 2007, Istambul. physica status solidi c, 2007. v. 4. p. 269-271.
MARQUES, M ; TELES, L. K. ; FERREIRA, L G ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FURTHMÜLLER, J ; BECHSTEDT, F . Energy gap and bond lengths of Alx Gay In 1-x-y N, Alx Gay In 1-x-y P and Alx Gay In 1-x. In: 14th International Conference on Superlattices, Nanostructures and, 2007, Istambul. physica status solidi c, 2007. v. 4. p. 229-233.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; S. F. Li ; DCHORMANN, J. ; POTTHAST, S. ; RODRIGUES, S C P ; AS, D. J. ; LISCHKA, K. . Structural and optical Features of MBE grown cubic group-III nitride alloys. In: International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 2007 (ICFSI-11), 2007, Manaus. International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, 2007.
RODRIGUES, S C P ; SIPAHI, G M ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SILVA JR, e F da . Study of additional confining potentials on the Ge Mn ferromagnetic semiconductors. In: International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 2007 (ICFSI-11), 2007, Manaus. International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 2007 (ICFSI-11), 2007.
ALVES, H. W. L. ; SILVA, C. C. ; LINO, A T ; Borges, P. B. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SILVA JR, E. F. da . Eletronic, Vibrational and Related properties of Group-IV metal oxides by Ab Initio calculations. In: International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 2007 (ICFSI-11), 2007, Manaus. International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, 2007.
RODRIGUES, S C P ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; Marin, I.S.P. ; SIPAHI, G M ; SILVA JR, E. F. da . Spin-polarized charge densities in transition metals doped b-SIC nanolayers. In: The Sixth International Conference on Low Dimensional Structures and Devides LDSD 2007, 2007, Arquipélago de San Andreas. The Sixth International Conference on Low Dimensional Structures and Devides LDSD 2007, 2007.
HENRIQUES NETO, J. M. ; CAETANO, E. W. S. ; COSTA, J.A.P. da ; ALBUQUERQUE, E. L. ; FREIRE, V. N. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Exciton Confinement in Si/TiO2 0-2D Systems. In: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2005, Flagstaff. AIP Conference Proceedings, 2005. v. 772. p. 386.
GARCIA, Joelson Cott ; LINO, Antônio Tadeu ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; FREIRE, Valder Nogueira ; FARIAS, Gil Aquino ; SILVA JR, Eronides Felisberto da . Band Structure Derived Properties of HfO2 from First Principles Calculations. In: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2005, Flagstaff. AIP Conference Proceedings, 2004. v. 772. p. 190.
PEREIRA, T. A. S. ; FREIRE, J A K ; SOUZA, J S ; FREIRE, Valder Nogueira ; FARIAS, Gil Aquino ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; SILVA JR, Eronides Felisberto da . Remarkably Strong Image Potential Effects in SrTiO3/Si and HfO2/Si Tunneling Structures. In: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2005, Flagstaff. AIP Conference Proceedings, 2004. v. 772. p. 1482.
SIPAHI, G M ; RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; LIMA, I C da Cunha ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J R . Luminescence spectra in metallic and ferromagnetic GaMnAs/GaAs multilayers: a self-consistent super-cell Luttinger-Kohn k.p. calculation. In: 3rd Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanoestructured Materials - NanoSemiMat-3, 2004, Salvador. physica status solidi (c), 2004. v. 1. p. S282.
GARCIA, J C ; LINO, A T ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J R ; FREIRE, V N ; FARIAS, G A ; SILVA JR, e F da . First principles studies of relativistic and spin-orbit effects on the HfO2 band structures. In: 3rd Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanoestructured Materials - NanoSemiMat-3, 2004, Salvador. physica status solidi (c), 2004. v. 1. p. S236.
FERREIRA, L G ; TELES, L K ; LEITE, J R ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Ordering in cubic Al(x)Ga(1-x)N and InxGa1-xN alloys due to biaxial strain. In: 3rd Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanoestructured Materials - NanoSemiMat-3, 2004, Salvador. physica status solidi (c), 2004. v. 1. p. S198.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Phase separation and ordering in group- III nitride alloys. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (BWSP-11), 2003, Fortaleza, 2003.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Effects of biaxial strain on cubic InxGa1-xN alloys and ordered phase formations. In: III- Ibero American Workshop on Nanostructures for Application in Micro and Optoelectronics (NANO'2003), 2003, Madri, 2003.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Ab initio calculations of structural properties of zinc blende quaternary AlxGayIn1-x-yN alloys. In: III- Ibero American Workshop on Nanostructures for Application in Micro and Optoelectronics (NANO'2003), 2003, Madri, 2003.
PAIVA, R. ; ALVES, J. L. A. ; NOGUEIRA, R. A. ; LEITE, J. R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (BWSP-11), 2003, Fortaleza, 2003.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Structural and electronic properties of AlGaInN quaternary alloys: ab initio calculations . In: 4th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, 2002, Fortaleza. Proceedings do 4th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, 2002.
TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FURTHMÜLLER, J ; BECHSTEDT, F. ; LEITE, J. R. . Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic Inx Al1-x N. In: 4th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2002), 2002, Aachen, 2002.
NORIEGA, O. C. ; LEITE, J. R. ; MENESES, E. A. ; RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SIPAHI, Guilherme Matos ; KÖHLER, U. ; AS, D. J. ; POTTHAST, S. ; KHARCHENKO, A. ; LISCHKA, K. . Photoluminescence and photoreflectance characterization of cubic GaN/AlGaN quantum wells . In: 4th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2002), 2002, Aachen, 2002.
MARQUES, M. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; TELES, L. K. ; ANJOS, V ; FREIRE, V. N. ; FARIAS, G. A. ; SILVA JR, E. F. da ; LEITE, J. R. . Ab initio calculations of electronic and dielectric properties of cubic SrTiO3. In: 26th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-26), 2002, Edinburgh. Proceedings of the 26th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-26), 2002. v. CD-ROM.
PEREIRA, T. A. S. ; FREIRE, J. A. K. ; FREIRE, V. N. ; FARIAS, G. A. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J R ; SILVA JR, E. F. da . Confined excitons in SrTiO3/Si/SrTiO3 quantum wells. In: 4th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, 2002, Fortaleza, 2002.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; MARQUES, M. ; TELES, L. K. ; LEITE, J. R. . Structural and electronic properties of AlGaInN quaternary alloys: ab initio calculations. In: 4th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, 2002, Fortaleza, 2002.
FURTHMÜLLER, J. ; RAMOS, L. E. ; BECHSTEDT, F. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Carbon-based defects in GaN: Doping behavior. In: 4th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2002), 2002, Aachen, 2002.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Propriedades físicas de ligas ternárias e quaternárias envolvendo os nitretos do grupo-III. In: Seminário do Departamento de Física da Matéria Condensada, 2002, Campinas, 2002.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Propriedades físicas de ligas semicondutoras ternárias e quaternárias envolvendo os nitretos do grupo-III . In: Seminário do Departamento de Física dos Materiais e Mecânica, 2002, Sao Paulo, 2002.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SIPAHI, Guilherme Matos ; RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; LEITE, J. R. . Electronic properties of GaAs/GaAsN multiple quantum wells. In: 2nd Ibero American Workshop on Nanostructures for Application in Micro and Optoelectronics, 2001, São José dos Campos, 2001.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SIPAHI, Guilherme Matos ; RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; LEITE, J. R. . Calculated luminescence spectra of GaAs/GaAsN derived heterostructures. In: 2nd Ibero American Workshop on Nanostructures for Application in Micro and Optoelectronics, 2001, São José dos Campos, 2001.
MARQUES, Marcelo ; RAMOS, Luis Eugenio ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; TELES, Lara Kühl ; LEITE, José Roberto . Carbon acceptor impurity in cubic BN, AlN, GaN, and in the GaAlN alloy. In: 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000, Osaka. Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000.
TABATA, A. ; FREY, T. ; KHARCHENKO, A. ; TELES, Lara Kühl ; FURTHMÜLLER, J. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; AS, D. J. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. ; BECHSTEDT, F. ; LEITE, José Roberto . Phase separation suppression in InGaN alloys due to biaxial strain. In: 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000, Osaka. Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000.
TELES, Lara Kühl ; FURTHMÜLLER, J. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. ; BECHSTEDT, F. . Influence of biaxial strain on thermodynamic, structural, and electronic properties of In(x)Ga(1-x)N alloys. In: International Workshop on Nitride Semiconductors, 2000, Nagoya. Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors, 2000. v. 1. p. 689.
RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SIPAHI, Guilherme Matos ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures: effects of p-type-doping. In: International Workshop on Nitride Semiconductors, 2000, Nagoya. Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors, 2000. v. 1. p. 74.
ALVES, H. W. L. ; ALVES, J. L. A. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN. In: Materials Research Society, 2000. Proceedings of the MRS, 2000. p. 639.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; TABATA, A. ; TELES, Lara Kühl ; FREY, T. ; KHARCHENKO, A. ; FURTHMÜLLER, J ; AS, D. J. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. ; BECHSTEDT, F. ; LEITE, J. R. . Spinodal phase separation suppression in cubic In(x)Ga(1-x)N alloys induced by biaxial strain. In: 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000, Osaka. Proceedings of the 25th Intern. Conf. Phys. Semicond., 2000. p. 1537.
RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ENDERLEIN, R. ; QUIVY, A. A. ; LIMA, A. P. ; LEITE, José Roberto ; PUSEP, Yu. A. ; DA SILVA, S. W. ; SILVA, M. T. O. ; GALZERANI, J. C. . Investigation of the Vertical Transport in GaAs-delta-doping SLs by Raman Studies of Coupled Plasmon Phonon Modes. In: 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1996, Berlim. Proceedings of the 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 1996. v. 3. p. 2343.
TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ENDERLEIN, R. ; LEITE, José Roberto ; JOSIEK, A. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. . Total Energy Study of the Epitaxial Growth of Cubic GaN on SiC. In: 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1996, Berlim. Proceedings of the 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 1996. v. 1. p. 577.
CASTINEIRA, J. L. P. ; LEITE, José Roberto ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ENDERLEIN, R. ; AALVES, J. L. A. ; BAJAJ, K. K. . Nitrogen Antisite Defect in Zincblende-type Boron Nitride. In: 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1996, Berlim. Proceedings of the 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 1996. v. 4. p. 2901.
SIPAHI, Guilherme Matos ; ENDERLEIN, R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Band Structure of Holes in p-delta-Doping Superlattices. In: 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1994, Vancouver. Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 1994. v. 1. p. 687.
MENDONÇA, C. A. C. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; HENRIQUES, A. B. ; OLIVEIRA, J. B. ; PLENTZ, F. ; SHIBLI, S. M. ; MENESES, E. A. ; LEITE, José Roberto . Hole Confinement Effects in Periodically Delta-Doped GaAs Layers. In: 21st International Conference on the Physics of Semiconductors, 1993, Beijing. Proceedings of the 21st International Conference on the Physics of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 1993. v. 2. p. 1084.
CAMATA, R. P. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; MARTINS, J. M. V. ; LEITE, José Roberto ; MENDONÇA, C. A. C. ; MENESES, E. A. ; DIAS, I. F. L. ; BEZERRA, J. C. . Temperature Dependence of the Built-in Electric Field in Delta-Doping GaAs. In: 5th Brazilian School on Semiconductor Physics, 1992, São Paulo. Proceedings of the 5th Brazilian School on Semiconductor Physics. Cingapura: World Scientific, 1992. v. 1. p. 371.
PINTANEL, R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto . Hydrostatic Pressure Effects on Si and Sn Doped GaAs. In: 5th Brazilian School on Semiconductor Physics, 1992, São Paulo. Proceedings of the 5th Brazilian School on Semiconductor Physics. Cingapura: World Scientific, 1992. v. 1. p. 322.
SOUZA, J. C. ; GUEDES, G. P. ; MOTA, F. B. ; PEPE, B. L. ; DAVID, D. G. F. ; FILHO, J. B. V. S. ; DA SILVA, A. F. ; BANDEIRA, I. N. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; MARTINS, J. M. V. ; LEITE, José Roberto . On the Use of Photoacustic and Photoconductivity Techniques for Investigating the Optical Properties of Semiconductors. In: 5th Brazilian School on Semiconductor Physics, 1992, São Paulo. Proceedings of the 5th Brazilian School on Semiconductor Physics. Cingapura: World Scientific, 1992. v. 1. p. 509.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FAZZIO, A. . Charge State Stability of Interstitial Impurities in Gallium Arsenide. In: Fourth Brazilian School on Semiconductor Phyics, 1990, São Paulo. Proceedings of the Fourth Brazilian School on Semiconductor Phyics. Cingapura: World Scientific, 1990. v. I. p. 396.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FAZZIO, A. . Electronic Structure of 3d(n) Interstitial Impurities in GaAs Tetrahedral and Hexagonal Sites. In: Proceedings of the 19th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1988, Varsóvia. Proceedings of the 19th International Conference on the Physics of Semiconductors. Varsóvia, 1988. v. 2. p. 1079.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FAZZIO, A. . The Role Played by Interstitial 3d Transition-Metal Atoms in GaAs. In: Current Topics on Semiconductor Physics, 1987, São Paulo. Proceedings of the Third Brazilian School on Semiconductor Physics. Cingapura: World Scientific, 1987. v. I. p. 91.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, José Roberto ; GOMES, V. M. S. ; ASSALI, L. V. C. . Deep-Levels Associated to Chalcogen Impurities in Silicon. In: Current Research on Semiconductor Physics, 1985, São Paulo. Proceedings of the Second Brazilian School on Semiconductor Physics. São Paulo: Revista Brasileira de Física, 1985. v. I. p. 312.
Borges P. D. ; Scolfaro, L M R ; ALVES, H. W. L. ; SILVA JR, E. F. da ; ASSALI, L. V. C. . Magnetic and Electronic properties of SnO2/CrO2 thin superlattices. In: 12th International Conference of the Semiconductor Interfaces, 2009, Weimar. 12th International Conference of the Semiconductor Interfaces, 2009.
ALVES, H. W. L. ; Borges, P. B. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LINO, A T ; SILVA JR, Eronides Felisberto da . Dielectric Properties of the high-k oxide SnO2 obtained from electronic structure and phonom frequencies calculations. In: Material Research Society-Spring Meeting 2008, 2008, São Francisco. Material Research Society-Spring Meeting 2008, 2008.
ALVES, H. W. L. ; ALVES, J. L. A. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Ab initio calculations of structural and vibrational properties of AlInGaN alloys. In: Material Research Society-Spring Meeting 2008, 2008, São Francisco. Material Research Society-Spring Meeting 2008, 2008.
VILELA, T. R. ; ALVES, H. W. L. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Transições de fase cristalograficas do TiO2. In: XXXI ENCONTRO NACIONAL DE FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, 2008, Aguas de Lindóia. XXXI ENCONTRO NACIONAL DE FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, 2008.
Borges, P. B. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ALVES, H. W. L. ; LINO, A T ; SILVA JR, E. F. da . Eletronic and optical properties of - SnO2 from ab initio calculators. In: XXXI ENCONTRO NACIONAL DE FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, 2008, Aguas de lindoia. XXXI ENCONTRO NACIONAL DE FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, 2008.
SILVA, C. C. ; ALVES, H. W. L. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SILVA JR, E. F. da . Eletronic and Optical properties of High-k oxides: ZrO2, HfO2, and SnO2. In: The Sixth International Conference on Low Dimensional Structures and Devides - LDSD (Arquipélago de San Andreas, Colômbia), 2007, Arquipélago de San Andreas. The Sixth International Conference on Low Dimensional Structures and Devides - LDSD, 2007.
RODRIGUES, S C P ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; Marin, I.S.P. ; SIPAHI, G M ; SILVA JR, E. F. da . Spin-polarized charge densities in transition metals doped b-SIC nanolayers. In: The Sixth International Conference on Low Dimensional Structures and Devides - LDSD (Arquipélago de San Andreas, Colômbia), 2007, Arquipélago de San Andreas. The Sixth International Conference on Low Dimensional Structures and Devides - LDSD (Arquipélago de San Andreas, Colômbia), 2007.
LINO, A T ; Borges, P. B. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SILVA, C. C. ; ALVES, H W L ; SILVA JR, E. F. da . Ab initio Studies of Group-IV Metal Oxides. In: 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics , Rebouças Convention Center, São Paulo, de 1º a 05 de abril, 2007, São Paulo. 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007.
SILVA, C. C. ; ALVES, H. W. L. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SILVA JR, E. F. da . Vibrational and Related Properties of transition-metal Oxides by first-principles calculatios. In: 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics , Rebouças Convention Center, São Paulo, de 1º a 05 de abril, 2007, São Paulo. 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007.
RODRIGUES, S C P ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; Marin, I.S.P. ; SILVA JR, E. F. da . Study of spin charge distribution in diluted ferromagnetic semiconductors based on cubic SiC. In: 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics , Rebouças Convention Center, São Paulo, de 1º a 05 de abril, 2007, São Paulo. 13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2007.
RODRIGUES, S C P ; D`Eurydice, M. N. ; SIPAHI, G M ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SILVA JR, E. F. da . Theoretical Studies of Quaternary AllnGan-based Alloys for Application in White Light Emission Devices. In: International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN 2006), 2006, Kyoto. International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, 2006. p. p.334.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; RIBEIRO JUNIOR, Mauro Fernando Soares ; MARQUES, Marcelo ; FERREIRA, L G ; TELES, L. K. ; FURTHMÜLLER, J. ; BECHSTEDT, F. . Theoretical investigation of magnetic states in transition metal nitrides and nitride-based digital heterostructures. In: International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN 2006), 2006, Kyoto. International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, 2006. p. p.265.
RODRIGUES, S C P ; SIPAHI, G M ; Marin, I.S.P. ; LIMA, I C da Cunha ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SILVA JR, E. F. da . Charge and Spin Distributions in Group-IV Diluted Magnetic Semiconductors. In: 14th International Conference on Superlattices, Nanostructures and, 2006, Istambul. 14th International Conference on Superlattices, Nanostructures and, 2006.
RODRIGUES, S C P ; SILVA JR, E. F. da ; SIPAHI, G M ; Marin, I.S.P. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LIMA, Ivan C da Cunha . Spin- polarized charge densities in (III, V)- Mn and IV-Mn diluted magnetic. In: 13th International Conference on Solid Films and Surfaces, 2006, San Carlos de Bariloche. 13th International Conference on Solid Films and Surfaces, 2006.
SIPAHI, G M ; Santos, E.M. da S. ; Marin, I.S.P. ; D`Eurydice, M. N. ; RODRIGUES, S C P ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SILVA JR, E. F. da . Optical Properties from Nitride Semiconductor Quantum Dots. In: V Brazilian Materials Research Meeting, 2006, Santa Catarina. V Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa de Materiais (SBPMat), 2006.
RODRIGUES, S C P ; Marin, I.S.P. ; SIPAHI, G M ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SILVA JR, E. F. da ; LIMA, I C da Cunha . Charge and Spin Distribution in (III,V)-Mn Ferromagnetic Multilayers. In: V Brazilian Materials Research Meeting, 2006, Santa Catarina. V Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa de Materiais (SBPMat), 2006.
ORTIZ, A. M. ; MENESES, E. ; DINIZ, J. A. ; FREITAS JR, J. A. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; EDDY, C. R. ; HENRY, R. ; HOLM, R. T. . Reactive ion etching in pn junctions of hexagonal gallium nitride. In: 4th Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 2005, São Pedro. Reactive ion etching in pn junctions of hexagonal gallium nitride, 2005.
GARCIA, J C ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LINO, A T ; FREIRE, V N ; FARIAS, G A ; SILVA JR, e F da . Optical Properties and Effective Masses of the High-K Dioxides HfO2 and ZrO2 Derived from their Electronic Structures. In: 12 - Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2005, São José dos Campos. 12 - Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2005.
MARQUES, M ; TELES, L K ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FERREIRA, L G . Ab initio Study of MnN: strain and crystal structure effects on magnetic properties. In: 12 -Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2005, São José dos Campos. 12 -Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2005.
MARQUES, M ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; TELES, L K ; FERREIRA, L G ; FURTHMÜLLER, J ; BECHSTEDT, F . Electronic and magnetic properties of GaN/MnN Superlattices. In: 6th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005, Bremen, Alemanha. 6th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005.
MARQUES, M ; TELES, L K ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; FURTHMÜLLER, J ; BECHSTEDT, F . Crystal structure and strain effects on the magnetic properties of manganese nitride. In: 6th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005, Bremen, Alemanha. 6th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005.
CASTRO, A. P. ; ALVES, H W L ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Theoretical study of the nitridation of the Si, GaAs, and SiC (100) surfaces. In: 6th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005, Bremen, Alemanha. 6th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005.
SILVA, C. C. ; ALVES, H W L ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Can the III-nitrides form polytypes. In: 6th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005, Bremen, Alemanha. 6th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005.
SIPAHI, G M ; RODRIGUES, S C P ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J R ; LIMA, Ivan C da Cunha . Optical and Electronic Properties of Diluted Magnetic Semiconductors. In: XXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2004, Poços de Caldas. Livro de Resumos do XXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2004.
MARQUES, M ; FURTHMÜLLER, J ; TELES, L. K. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; BECHSTEDT, F ; LEITE, J. R. . Magnetic trends in strained wurtzite and zincblende MnN. In: NanoSemiMat-3, 2004, Salvador. Proceedings of the NanoSemiMat-3, 2004.
LIMA, I C da Cunha ; RODRIGUES, S C P ; SIPAHI, G M ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J R . Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In, Ga, Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. In: The Third International Conference on Physics and applications of Spin related phenomena in Semiconductors, 2004, Santa Barbara. Proceedings of The Third International Conference on Physics and applications of Spin related phenomena in Semiconductors, 2004.
SIPAHI, G M ; RODRIGUES, S C P ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. ; LIMA, I C da Cunha . Spin-polarized charge densities in (In, Ga, Mn)As-based Diluted Magnetic Semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures. In: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2004, Flagstaff. Proceedings of the 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2004.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; MARQUES, M. ; TELES, L. K. ; FURTHMÜLLER, J. ; BECHSTEDT, F. ; FERREIRA, Luiz Guimarães . Ab initio Studies of Indium Separated Phases in AlGaInN Quaternary Alloys. In: International Workshop on Nitride Semiconductors 2004 - IWN 2004, 2004, Pittsburgh. International Workshop on Nitride Semiconductors 2004 - IWN 2004, 2004.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SIPAHI, Guilherme Matos ; LEITE, J. R. . Electronic and optical properties of p-doped hexagonal nitrides. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu. Livro de Resumos do XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2002. p. 455-456.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ALVES, H. W. L. ; ALVES, J. L. A. ; LEITE, J. R. . An initio calculation of the dynamical and thermodinamical properties of BP and InN. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu. Livro de Resumos do XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2002. p. 456-457.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; TELES, Lara Kühl ; MARQUES, Marcelo ; LEITE, J. R. . Estudo Teórico de Ligas Quaternárias de nitretos do grupo-III. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu. Livro de Resumos do XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2002. p. 459-460.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; TELES, Lara Kühl ; LEITE, J. R. ; FURTHMÜLLER, J ; BECHSTEDT, F. . Theoretical studies of thermodynamic, electronic and structural properties of zinc-blende Al(1-x)In(x)N alloys. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2002. p. 474.
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SIPAHI, Guilherme Matos ; RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; NORIEGA, O. C. ; LEITE, J. R. ; FREY, T. ; LISCHKA, K. . Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. In: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambu. Livro de Resumos - XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2002. p. 475-476.
PAIVA, R de ; NOGUEIRA, R A ; OLIVEIRA, C. ; ALVES, J. L. A. ; ALVES, H. W. L. ; LEITE, J. R. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Estudo teórico das Ligas Ga(1-x)Al(x)N e Al(1-x)B(x)N. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 323-323.
TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. ; FREY, T. ; KHARCHENKO, A. ; AS, D. J. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. ; BECHSTEDT, F. . Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic In(x)Ga(1-x)N alloys. The role of the biaxial strain.. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 327-327.
ALVES, H. W. L. ; ALVES, J. L. A. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; LEITE, J. R. . Dynamical properties of III-Nitrides. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 328-328.
LEITE, J. R. ; TABATA, A. ; TELES, Lara Kühl ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; RODRIGUES, Sara Cristina Pinto ; SILVEIRA, E. ; MENESES, E. A. ; RIBEIRO, E. ; AS, D. J. ; LISCHKA, K. . Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 328-328.
MARQUES, Marcelo ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . Estabilidade de aceitadores em AlN e GaN cúbicos. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, MG. Resumo do XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2001. v. 1. p. 348-349.
Borges, Pablo D. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ALVES, H. W. L. ; SILVA JR, E. F. da ; ASSALI, L. V. C. . First principles study of the electronic and magnetic properties of SnO2/CrO2 superlattices. 2009. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
Borges P. D. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ALVES, H. W. L. ; SILVA JR, Eronides Felisberto da ; ASSALI, L. V. C. . Behavior of the native defects and hydrogen impurities in SnO2. 2009. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; Borges, P. B. ; SILVA, C. C. ; ALVES, H W L . High-k Semiconductor Oxides: Optical and Eletronic Properties. 2008. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).
ALVES, H W L ; Borges, P. B. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SILVA JR, E. F. da . Phonom Frequency Dispersion of the high-k oxide SnO2 from AB initio calculations. 2008. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
ALVES, H. W. L. ; ALVES, J. L. A. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro . First principles calculations of the structural and vibrational properties of allnGaN alloys. 2008. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
RODRIGUES, S C P ; SANTOS, O. F. P. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SIPAHI, G M ; SILVA JR, e F da . Interband transitions in cubic nitride quaternary allouys double quantum wells. 2008. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
Borges, P. B. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; ALVES, H. W. L. ; SILVA JR, E. F. da . Electronic structure and dieletric properties calculations of pure tin dioxide and of vacancies in tin dioxide. 2008. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
SIPAHI, G M ; RODRIGUES, S C P ; ARAUJO, Y. R. V. ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SILVA JR, E. F. da . Spin Polarization in Group-IV based diluted magnetic semiconductors. 2008. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
RODRIGUES, S C P ; SANTOS, O. F. P. ; SIPAHI, G M ; SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro ; SILVA JR, E. F. da . Investigation of the vertical conductivity in P-doped thin quantum wells. 2008. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

Projetos de pesquisa

2006 - 2008

Projeto Universal CNPq - Intitulado: Nanoestruturas semicondutoras baseadas em nitretos e óxidos semicondutores dopados com metais de transição para aplicação em spintrônica - Comitê de Assessoramento: FA-Física e Astronomia, Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro - Coordenador.
2003 - 2006

Membro do projeto:, Descrição: Título do Projeto: "Filmes Epitaxiais Ferromagnéticos de GaN para Aplicações em Spintrônica" Fonte financiadora CAPES (CAPES/DAAD - PROBRAL) Valor: R$ 24.134,50 (liberado para o primeiro ano) Período: 2003- 2006 . , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro - Integrante / Detlef Schikora - Integrante / Klaus Lischka - Integrante / Donat Joseph As - Integrante / Valmir Antônio Chitta - Coordenador., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Cooperação.
2001 - 2006

Membro do projeto:, Descrição: 2000-2005 Recursos do PRONEX para o Núcleo baseado no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) (R$ 606.000,00). Coordenador: Prof. Guennadii M. Gusev Projeto: Crescimento, Propriedades Estruturais, Óticas e de Transporte de Nanoestruturas Semicondutoras Derivadas de Compostos III - V Convenio: 66.2105/1998-2 Proc. CNPq: 0308.00/00 . , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (5) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (16) . , Integrantes: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro - Integrante / Yuri A Pusep - Integrante / Alain André Quivy - Integrante / José Luiz Aarestrup Alves - Integrante / Euzi Conceição Fernandes da Silva - Integrante / Eliermes Arraes Meneses - Integrante / Antônio Tadeu Lino - Integrante / José Claudio Galzerani - Integrante / Guennadi MIchailovich Gusev - Coordenador / Valmir Antônio Chitta - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - 2002

"Propriedades estruturais, eletrônicas e vibracionais de semicondutores bulk e heteroestruturas semicondutoras derivadas de compostos III-V" - FAPESP, Descrição: FAPESP - Aquisição de estações de trabalho para o Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do IFUSP-Valor Total:US$ 56,860.61+R$ 40.680,90.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (4) / Doutorado: (3) . , Integrantes: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro - Coordenador.
1999 - 2004

Membro do projeto: "Estudo experimental e Teórico de Nanoestruturas Epitaxiais Semicondutoras derivadas de Compostos III-V" (Projeto Temático-FAPESP), Coordenador: Prof. José Roberto Leite, Descrição: Coordenador: Prof. José Roberto Leite O tema do presente projeto é o estudo experimental e teórico de nanoestruturas semicondutoras ou sistemas de baixa dimensionalidade baseados em compostos das colunas III-V da tabela periódica. O projeto refere-se ao crescimento e estudo básico (experimental/teórico) e aplicado de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras crescidas por "Molecular Beam Epitaxy" (MBE) derivadas de GaAs/AlGaAs, GaAs/InGaAs, GaAs/AlInAs, GaN/InGaN, GaN/AlGaN e suas dopagens tipo n e p. . , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (5) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (13) . , Integrantes: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro - Integrante / Alain André Quivy - Integrante / José Roberto Leite - Coordenador / Euzi Conceição Fernandes da Silva - Integrante / Guennadii Gusev - Integrante / Valmir Antonio Chitta - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
1999 - 2000

Estudo Experimental e Teórico de Nanoestruturas Derivadas de compostos III-V"- Pró-Reitoria de Pesquisa da USP, Descrição: Valor Total: R$ 7.000,00 para o grupo teórico do Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do IFUSP.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (3) . , Integrantes: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro - Coordenador.
1996 - 1998

"Estrutura eletrônica e propriedades relacionadas de semicondutores bulk e de heteroestruturas semicondutoras"- FAPESP, Descrição: FAPESP-Aquisição de uma estação de trabalho para o grupo do Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do IFUSP, Valor: US$ 19,880.00 + Aditivo no valor de: US$ 10,180.00.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (3) . , Integrantes: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro - Coordenador.

Prêmios

2008

Premio em Excelencia em Pesquisa, Universidade de Sao Paulo.

Histórico profissional

Endereço profissional

Texas State University, Physics Department. , 601 University Drive, San Marcos, - Estados Unidos

Experiência profissional

2009 - Atual

Texas State University

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Senior Lecturer and Research Professor, Regime: Dedicação exclusiva.

1991 - 2008

Universidade de São Paulo

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Doutor, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

03/2004
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, .,Cargo ou função, Membro do Conselho do Departamento de Física de Materiais e Mecânica do IFUSP.
06/1991
Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.,Linhas de pesquisa
06/1991
Ensino, Física, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, FISICA I (para a Engenharia), FISICA II (para a Engenharia), FISICA III (para a Engenharia), FISICA III (para o IFUSP), FISICA III (para o Instituto de Quimica), FISICA IV (para o IFUSP), FISICA IV (para o Instituto de Quimica), Introdução à Física do Estado Sólido (para o IFUSP)
06/1991
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Física de Semicondutores (para o IFUSP)
06/1991
Serviços técnicos especializados , Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.,Serviço realizado, Pareceres em artigos publicados em Revistas Internacionais: Physical Review B, Physical Review Letters, Journal Physics Condensed Matter, Superlattices and Microstructures, Journal of Applied Physics, Applied Physics Letters, Nanotechnology, phys sta.
06/1991
Outras atividades técnico-científicas , Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.,Atividade realizada, Assessoria Científica para FAPESP e CNPq.
05/2001 - 05/2003
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, .,Cargo ou função, Membro da Congregação do IFUSP.
02/1999 - 02/2003
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, .,Cargo ou função, Membro Suplente do Conselho do Departamento de Fisica de Materiais e Mecânica do IFUSP.