Ioshiaki Doi

Possui graduação em Física pela Universidade de São Paulo(1970), mestrado em Física pela Universidade de São Paulo(1973), doutorado em Electrical Engineering pela University of Tokyo(1977) e pós-doutorado pela General Atomics Technology Inc(1990). Atualmente é Professor Colaborador da Universidade Estadual de Campinas. Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em Materiais Elétricos. Atuando principalmente nos seguintes temas:Pulse Charging System, Pulsed Electrical Discharge, High Voltage, Gas Ionization, Electrostatic Precipitator.

Informações coletadas do Lattes em 04/02/2026

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Electrical Engineering

1974 - 1977

University Of Tokyo
Título: Basic Research of the Bias-Controlled Pulse Charging System for an Electrostatic Precipitator
Orientador: Prof Dr. Senichi Masuda
Bolsista do(a): Bolsa do Ministério da Educação e Cultura do Governo Japonês, MONBUSHO, Japão. Palavras-chave: Pulse Charging System; Pulsed Electrical Discharge; High Voltage; Gas Ionization; Electrostatic Precipitator.Grande área: Ciências Exatas e da TerraGrande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Sistemas Elétricos de Potência / Especialidade: Máquinas Elétricas e Dispositivos de Potência. Setores de atividade: Energia; Produtos e Serviços Voltados Para A Defesa e Proteção do Meio Ambiente, Incluindo O Desenvolvimento Sustentado; Industria Eletro-Eletrônica.

Mestrado em Física

1971 - 1973

Universidade de São Paulo
Título: Campo Hiperfino de Contacto dos Elementos da Série 4p e 4f(Terras-Raras),Ano de Obtenção: 1973
Orientador: Prof Dr. Luiz Guimarães Ferreira
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil. Palavras-chave: Interação Hiperfina; Campo Hiperfino; Cálculo Atômico; Energia de Exchange; Equações de Hartree-Fock.Grande área: Ciências Exatas e da TerraGrande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos. Setores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica.

Graduação em Física

1967 - 1970

Universidade de São Paulo
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.

Pós-doutorado

1989 - 1990

Pós-Doutorado. , General Atomics Technology Inc, G.A., Estados Unidos. , Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra

Idiomas

Inglês

Compreende Bem, Fala Razoavelmente, Lê Bem, Escreve Razoavelmente.

Japonês

Compreende Bem, Fala Razoavelmente, Lê Bem, Escreve Razoavelmente.

Áreas de atuação

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.

Participação em eventos

THE 58th International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology & Nanofabrication. Spacer Lithography for 3D MOS Devices Using Amorphous Silicon Deposited by ECR‐CVD. 2014. (Congresso).

14th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, ICFSI-14. Effects of Different Functionalization Times of SiO2 Surface in the Formation of Ge Nanoparticles over SiO2 by LPCVD Technique; Preparation and Characterization of High-k Tantalum Oxide Thin Films for Sensors and Silicon Devices Applications.. 2013. (Congresso).

19th International Vacuum Congress. Physical Properties of Reactive RF Magnetron Sputtered Silicon Dioxide Thin Films. 2013. (Congresso).

AVS 59th International Symposium & Exhibition.Protoype of Junctionless Transistor on SOI Wafers using Focused Ion Beam Milling. 2012. (Simpósio).

E-MRS 2012 Fall Meeting.Study of Structural and Optical Properties of Germanium Nanoparticles Embedded in SiO2 Matrix. 2012. (Simpósio).

13th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces ? ICFSI-13. Preparation and characterization of high-k Aluminum nitride (AlN) thin film for sensors and integrated circuits applications. 2011. (Congresso).

24th International Conference on Amorphous and Nanocrystaline Semiconductors - ICANS24. Preparation and characterization of high-k tantalum pentoxide (Ta2O5) thin film for sensors and integrated circuits applications. 2011. (Congresso).

AVS 58th International Symposium & Exhibition.Structural and Electrical Characteristics of TaN Film Deposited by DC Sputtering for MOS Capacitor and Schottky Diode Upper Electrodes. 2011. (Simpósio).

25th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010.Tantalum Nitride as Promissing Gate Electrode for MOS Technology. 2010. (Simpósio).

International Conference on Electronic Materials 2010 - ICEM 2010. Titanium Nitride as Promissing Gate Electrode for CMOS Technology and for 3D Transistors. 2010. (Congresso).

International Conference on Materials for Advanced Metallization - MAM 2010. Electrical characterization and morphological properties of AlN films prepared by dc reactive magnetron sputtering. 2010. (Congresso).

12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces. Highly stable hydrophilic surfaces of PDMS thin layer obtained by UV radiation and oxygen plasma treatments. 2009. (Congresso).

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, SSDM 2009. Low Frequency Noise (1/f ) Improvements on CMOS Transistors with a Single n+ Doped Poly Si-SiGe Gate Stack. 2009. (Congresso).

International Conference on Materials for Advanced Metallization, MAM 2009. Titanium-Aluminum Oxinitride (TAON) as High-k Gate Dielectric for Sub-32 nm CMOS Technology. 2009. (Congresso).

14th International Conference on Solid Films and Surfaces, ICSFS-14. Raman Characterization of SiGe Nanostructures Formed by Rapid Thermal Annealing. 2008. (Congresso).

23rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices, SBMicro 2008.Post-Silicidation Annealing Effects on Electrical and Structural Properties of NiPt Germanosilide. 2008. (Simpósio).

22nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2007.The Effect of Si-Substrate on the Optical Characterization of Ge Nanostructures Obtained by LPCVD. 2007. (Simpósio).

Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces - ISCSI-V.Structural Characterization of SiGe Nanoclusters Formed by Rapid Thermal Annealing. 2007. (Simpósio).

13th International Conference on Solid Films and Surfaces. 13th International Conference on Solid Films and Surfaces, ICSFS-13. 2006. (Congresso).

Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. 2006. (Congresso).

The European Materials Conference, E-MRS 2006 Spring Meeting.The European Materials Conference, E-MRS 2006 Spring Meeting. 2006. (Encontro).

20th International Symposium on the Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2005.20th International Symposium on the Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2005, 4-7 September 2005, Florianópolis, SC. 2005. (Simpósio).

EUROSENSORS XIX. EUROSENSORS XIX, 11-14 September 2005, Barcelona, Spain. 2005. (Congresso).

The Europeam Workshop Materials for Advanced Metallization 2005 - MAM 2005. The Europeam Workshop Materials for Advanced Metallization 2005 - MAM 2005, 6-9 March 2005, Dresden, Germany. 2005. (Congresso).

16th International Vacuum Congress(IVC-16)/12th International Conference on Solid Surfaces(ICSS-12)/8th Int. Conference on Nanometer Scale Science and Technology(NANO-8). 16th International Vacuum Congress(IVC-16)/12th International Conference on Solid Surfaces(ICSS-12)/8th Int. Conference on Nanometer Scale Science and Technology(NANO-8). 2004. (Congresso).

19th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - Chip on the Reefs, SBMicro 2004.19th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - Chip on the Reefs, SBMicro 2004. 2004. (Simpósio).

18th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2003.18th Symposium on Microelectronics Technology and Devices. 2003. (Simpósio).

International Conference on Materials for Advanced Technologies - ICMAT 2003. International Conference on Materials for Advanced Technologies - ICMAT 2003. 2003. (Congresso).

!7th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2002.17th Symposium on Microelectronics Technology and Devices. 2002. (Simpósio).

11st International Conference on Solid Films and Surfaces - ICSFS-11. 11st International Conference on Solid Films and Surfaces - ICSFS-11. 2002. (Congresso).

6th European Conference Radiation and its Effects on Components and Systems, RADECS 2001. 6th European Conference Radiation and its Effects on Components and Systems - RADECS 2001. 2001. (Congresso).

Participação em bancas

Aluno: Diego Kops Pinto

SANTOS FILHO, Sebastiâo Gomes dosDoi, I.; Salcedo, Walter Jaimes. Nano-oxidação do Silício Utilizando Sonda de AFM. 2007. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Emílio Sérgio Marins Vieira Pinto

Doi, I.SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dosDINIZ, José Alexandre; FRATESCHI, Newton Cesário. Síntese e Caracterização de Nanocristais de Ge por LPCVD. 2006. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Isabela Barreto de Vasconcelos

SANTOS, Edval José Pinheiro;Doi, I.; ROCHA NETO, José Sérgio da; BARROS, Tomaz de Carvalho; CARJUEIRO, João Paulo Cerquinho. Fabricação de RTD Planar para Implementação de Sensor Inteligente de Temperatura. 2006. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Marcus Anibal Pereira

Doi, I.SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dosDINIZ, José Alexandre; TATSH, Peter Jurgen. Tecnologia LOCOS Utilizando Nitretos de Silício Depositados por ECR-CVD. 2005. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: ALCINEI MOURA NUNES

TATSCH, Peter Jurgen; MONTEIRO, Marcelo de Jesus Rangel;Doi, I.DINIZ, José Alexandre; DAMIANI, Furio. Corrosão por Plasma de Filmes de Silício Policristalino e Nitreto de Silício para Tecnologia MEMS e CMOS. 2005. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Mauro Vanderlei de Amorin

BARANAUSKAS, Vitor;Doi, I.. Desenvolvimento Experimental de uma Câmara para Medida de Emissão de Eletrons por Catodos Frios. 2005. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Paulo Zambrozi Junior

FRUETT, Fabiano; FINCO, Saulo;Doi, I.. Sensor de Umidade Microeletrônico Baseado em Capacitor com Dielétrico Higroscópico. 2005. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Cleber Biasotto

DINIZ, José Alexandre; ZAMBOM, Luis da Silva;Doi, I.; TATSCH, Peter Jurgen. Obtenção e Caracterização de Filmes Finos de Óxido, Nitreto e Oxinitreto de Silício por Deposição ECR-CVD. 2005. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: GLEISON ALLAN MANERA

DINIZ, José ASANTOS FILHO, Sebastião G dosDoi, I.; TATSCH, Peter J. Dielétricos de Porta de Oxinitreto de Silício Feitos por Oxinitretação do Plasma ECR. 2004. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Newton Roy Pampa Quispe

BARANAUSKAS, V.; BALDAN, Maurício Ribeiro;Doi, I.; CERAGIOLI, Helder José. Técnicas e Ferramentas para a Extração Inteligente e Automática de Conhecimento em Banco de Dados. 2003. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: ALEXANDRE GORNI FELICIO

DINIZ, José AlexandreSANTOS FILHO, Sebastião Gomes dosDoi, I.SWART, Jacobus Willibrordus; TATSCH, Peter Jurgen. Filmes Isolantes de SiOxNy Formados por Implantação de Nitrogênio em Substrato de Silício e Posterior Oxidação Térmica. 2003. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Regis Eugênio dos Santos

Doi, I.SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dosDINIZ, José Alexandre. Investigação sobre Formação e Estabilidade Térmica dos Filmes de Silicetos de Ni e Ni(Pt) em Substratos de Si (100). 2003. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Mamadou Moustapha Ndiaye

BARANAUSKAS, V.; PELEIAS, Ivan Ricardo;Doi, I.; IANO, Y.. Contribuição na Implementação de Ferramentas Tecnológicas para a Codificação de Transações e Integração de Redes de Comunicação Sem Fio com Redes Fixas. 2003. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Adeilton Cavalcante de Oliveira Junior

Doi, I.FREIRE, Raimundo Carlos SilvérioDINIZ, José AlexandreFERREIRA, Luiz Otávio Saraiva. Desenvolvimento de Micro-Aquecedores Compatíveis com Tecnologias de Microeletrônica para Aplicações em Transdutores Térmicos. 2003. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Roberto Ribeiro Neli

Doi, I.DINIZ, José AlexandreFERREIRA, L. O. S.MOSCHIM, E.. Desenvolvimento de Micro-Estruturas Mecânicas Sobre o Silício Através da Corrosão do Substrato pela Superfície. 2002. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Pedro Ricardo Barbaroto

Doi, I.DINIZ, José Alexandre. Projeto, Microfabricação e Caracterização de Defletor de Luz de Silício Acionado por Indução. 2002. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Antonio Gilberto de Moura

IANO, Y.; NASCIMENTO, Ayres Mardem Almeida Do; DALTRINI, Beatriz Máscia;Doi, I.MOSCHIM, E.. Proposta de um Sistema para Geração de Applets Java para Animação de Páginas HTML Destinadas à Educação a Distância. 2002. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Ana Lúcia Mendes Cruz Silvestre da Silva

IANO, Y.; STELLE, Á. L.; DIAS, J. A. S.;Doi, I.MOSCHIM, E.. Procedimentos para Redução do Efeito de Bloco em Sinais de Vídeo Codificados por MPEG-2 Test Model 5. 2001. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: RICARDO COTRIN TEIXEIRA

Doi, I.ZAKIA, Maria Beny PMOSCHIM, E.; COTTA, M. A.; TATSCH, Peter Jurgen. Implementação de Um Sistema LPCVD Vertical para Obtenção de Filmes Finos de Silício Policristalino. 2001. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Éfeso Francisco de Melo Maricato

Doi, I.SWART, Jacobus W; CARVALHO, M. M. G.; REIS FILHO, C. A.. Sensor Hall de GaAs por Implantação de Íons. 2000. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Maria de Fátima de Gouveia

BARANAUSKAS, V.;Doi, I.. Filmes Finos de Pentóxido de Tântalo Crescidas por Oxidação Anódica Visando Suas Aplicações Como Dielétricos em Capacitores. 2000. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Hugo Ricardo Jiménez Grados

REIS FILHO, C. A.; PÉREZ, M. A. J.;Doi, I.. Contribuição ao Estudo do Transistor MOS Split-Drain Como Sensor de Campo Magnético. 1999. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Daniel Cardoso de Souza

KRETLY, L. C.; BARBOSA, L. C.;Doi, I.. Projeto de Um Circuito Integrado Divisor de Frequências/Contador de Década em Tecnologia GaAs - Família DCFL para Operação com Clock na Faixa de 1 GHz. 1998. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Daniela M

PAGAN, C. J. B.; ALGATTI, M. A.;Doi, I.. F. Navarro da Cruz. Crescimento Seletivo de Diamante Assistido à Laser - Um Estudo Preliminar. 1997. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Edgar Alberto de Brito

Doi, I.PAGAN, C. J. B.. Morfologia dos Filmes de Diamante Depositados por Chama de Combustão Oxiacetileno. 1997. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Graziela N

PAGAN, C. J. B.; TRIGUEIROS, A. G.;Doi, I.. Wakamatu. Laser de Argônio Excitado por Descarga Tipo Theta-Pinch. 1997. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Yasushi Kochinda

BARANAUSKAS, V.;Doi, I.. Fabricação de Pontas de Tungstênio e Ouro para a Microscopia de Tunelamento. 1994. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Cesar A

BARANAUSKAS, V.;Doi, I.. R. Cordova. Caracterizaçãode Rugosidades de Superfícies Atômicas por Fractais. 1993. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Ana Kátia de Mesquita Braga

BARANAUSKAS, V.;Doi, I.. Fotodeposição de Ouro Sobre Sílicio Induzida a Laser. 1992. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: JOSÉ O

UEDA, M.;Doi, I.. Rossi. Desenvolvimento de Uma Fonte Pulsada de -50kV. 1992. Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

Aluno: Henildo M

Doi, I.. de Barros. Implementação de Modelos de Efeito Corona em Sistema Multifásicos. 1992. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal do Rio de Janeiro.

Aluno: Joaquim Paulo da Silva

NEGRISOLI, M. E. M.;Doi, I.; CURI, M. A.. Influência da Distância Entre o Pára-Raios de òxido de Zinco e o Transformador na Coordenação de Isolamento de Uma Subestação em Alta Tensão. 1992. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal de Itajubá.

Aluno: Alberto J

Doi, I.. S. Junqueira. Estudo de Propagação de Surtos em Linhas de Transmissão Através de Modelos Reduzidos. 1991. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal do Rio de Janeiro.

Aluno: Orsino B

Doi, I.. de Oliveira Filho. Modelagem de Arco Elétrico - Parte Experimental. 1991. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal do Rio de Janeiro.

Aluno: Antônio V

Doi, I.. de Godoy. Sobretensões em Cadeia de Isoladores Frente a Descargas Atmosféricas: Um Estudo Comparativo dos Métodos de Cálculo e do Parâmetro Zt. 1989. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Rogério B

Doi, I.. Romano. Gerador de Impulso de Alta Tensão Para Simulação em Redes Telefônicas. 1989. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Vitor Monassi

Doi, I.. Comportamento Dielétrico de Uma Cadeia de Isoladores de Vidro de Classe de Tensão 138kV, Com Unidades Danificadas. 1988. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: José A

Doi, I.. D. Rossi. Análise do Método de Acréscimo e Decréscimo para Ensaios de Impulso - Simulação Computacional e Sua Comparação com Ensaios em Gaps do Tipo Haste-Haste. 1987. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Moacyr T

Doi, I.; OLIVEIRA, J. C.. O. Andrade. Filosofia de Carregamento em Transformadores de Potência. 1987. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Carlos A

Doi, I.. Baldan. Dimensionamento, Construção e Testes de Magnetos Supercondutores. 1987. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Onofre de A

Doi, I.. Martins. Pesquisa do Desempenho de Isolamentos Cerâmicos Externos Sob Poluição. 1986. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal de Itajubá.

Aluno: ANTÔNIO CARLOS C

Doi, I.. de Carvalho. Desempenho do Circuito de Weil Durante a Realização de Ensaios Sintéticos em Disjuntores de Alta Tensão. 1984. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal do Rio de Janeiro.

Aluno: Ruy A

REHDER, O. A.;Doi, I.; GUERRINI, D. P.. C. Altafim. Pesquisa Para a Construção de Um Laboratório de Alta Tensão de Baixo Custo Especificamente Para Gerar Tensões de Impulso e Contínuas. 1984. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: José Mário M

Doi, I.. de Oliveira. Contribuição ao Estudo dos Fenômenos Transitórios Eletromagnéticos em Sistemas Elétricos de Potência. 1984. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Maria Zanin

Doi, I.. Contribuição ao Estudo dos Efeitos da Tensão Disruptiva de Impulso Atmosférico em Materiais Isolantes. 1984. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Aloisio de Oliveira

MISKULIN, M. S.;Doi, I.. Uma Contribuição ao Estudo da Instabilidade Causada por Conversores Estáticos. 1983. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Wanderley Mauro Dib

Doi, I.. Contribuição ao Estudo de Sobretensões em Subestações Convencionais e a SF6. 1982. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Jose Pissolato Filho

Doi, I.. Cálculo de Campo Elétrico em Alta Tensão Com Dois Meios Dielétricos Pelo Método Numérico de Simulação de Cargas. 1982. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Luiz Carlos Tavares Villela

OLIVEIRA, J. C.;Doi, I.; COGO, J. R.. Modelagem e Simulação de Fluxo de Harmônico em Sistemas Elétricos. 1982. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal de Itajubá.

Aluno: Francisca A

Doi, I.. C. Pires. Contribuição ao Estudo de Campo Elétrico pelo Método Numérico de Simulação de Cargas em Configurações de Eletrodos Infinitos. 1981. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: David Mendes Soares

Doi, I.. Fonte de Alta Tensão Para Cerga do Capacitor. 1979. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Leonardo Breseghello Zoccal

DINIZ, José Alexandre; MARTINS, E.; FRATESCHI, Newton Cesário;SWART, Jacobus Willibrordus; TATSCH, Peter Jurgen;Doi, Ioshiaki. Desenvolvimento de Dispositivos Baseados em Substrato de GaAs com Passivação por Plasma ECR. 2007. Tese (Doutorado em Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: RICARDO COTRIN TEIXEIRA

Doi, I.; ZAMBOM, Luis da Silva;ZAKIA, Maria Beny P; TATSCH, Peter Jurgen; FRUETT, Fabiano;DINIZ, José Alexandre. Desenvolvimento de Filmes de Silício-Germânio Policristalino para Aplicações em Dispositivos MOS. 2006. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Luiz Claudio Marangoni de Oliveira

FERREIRA, Luiz Otávio SaraivaDoi, I.; CESCATO, Lucila Helena D; PAVANELLO, Renato; MEIRELLES, Pablo Siqueira. Contribuições para a Melhoria de Desempenho e Viabilidade de Fabricação de Scanners Indutivos. 2006. Tese (Doutorado em Engenharia Mecânica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Ronaldo Willian Reis

SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; MARTINO, João Antonio; DIRANI, Ely Antonio Tadeu;Doi, I.; VILELA, José Mário Carneiro. Obtenção de Contatos Rasos de Mono-Siliceto de Níquel Visando a Fabricação de Circuitos Integrados MOS. 2006. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Washington Luiz Alves Corrêa

BARANAUSKAS, V.; MORO, Jõao Roberto; BALDAN, Maurício Ribeiro;Doi, I.; PETERLEVITZ, Alfredo Carlos; CERAGIOLI, Helder José. Contribuição para a Síntese de Diamante com Dopagens de Boro, Nitrogênio ou Enxofre. 2004. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Ana Carola Iniguez Caleo

COMEDI, David Mario; TABACNIKS, Manfredo Harri;Doi, I.; CARDOSO, Lisandro Pavie; LANDERS, Richard. Estudo de Filmes Finos de TiOx Depositados por Sputtering para Aplicações Fotoeletroquímicas. 2004. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Márcio Fontana

BARANAUSKAS, V.; DURRANT, Steven Frederick; BALDAN, Maurício Ribeiro;Doi, I.; PETERLEVITZ, Alfredo Carlos; CERAGIOLI, Helder José. Síntese e Caracterização de Filmes Porosos de Carbono, Silício e Óxido de Estanho. 2004. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Hugo Ricardo Jiménez Grados

Doi, I.; SEABRA, Antonio Carlos; PAVANELLO, Marcelo Antonio;SWART, Jacobus WillibrordusDINIZ, José Alexandre. Desenvolvimento de um Processo CMOS (2 micrometros): Fabricação do Chip Teste CMOS, Células APS e Chips Didáticos. 2003. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: José Lino Gonçalves

TATSCH, Peter Jurgen; FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu;Doi, I.; DAMIANI, Furio; MOSHKALEV, Stanislav. Síntese e Deposição de Óxido de Gálio (beta-Ga2O3) pelo Processo CVD. 2002. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Marcelo Renato Guerino

BARANAUSKAS, V.; BUCALON, A. J.; DURRANT, S. F.;Doi, I.; PARIZOTTO, N. A.; MUHLEN, S. S.. Efeitos da Fotoestimulação com Laser no Processo Inflamatório Crônico da Cartilagem Articular. 2001. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Helder José Ceragioli

BARANAUSKAS, V.; DURRANT, S. F.; RIVA, R.; MORO, J. R.;Doi, I.MOSCHIM, E.; PETERLEVITZ, A. C.. Influência de Gases Nobres no Crescimento de Diamante e de Nanoestruturas de Carbono pelo Método de Deposição Química a Partir da Fase Vapor (CVD). 2001. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Ricardo Toshinori Yoshioka

SWART, Jacobus W; CARVALHO, M. M. G.; SAITO, M.;Doi, I.DINIZ, José Alexandre; BARROS JÚNIOR, L. E. M.. Processo de Fabricação de HBT em Camadas de InGaP/GaAs. 2001. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Manoel César Valente Lopes

BARANAUSKAS, V.;Doi, I.. Estudo da Rugosidade Eletrônica em Capacitores MOS Nanométricos. 2000. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Carlos Alberto Baldan

RUPPERT FILHO, E.;Doi, I.. Dimensionamento, Construção e Teste de Magneto Supercondutor para Gerar 12T(Nb3Sn + NbTi). 2000. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: LI BIN BIN

BARANAUSKAS, V.;Doi, I.. Contribuição ao Crescimento e Caracterização do Diamante Dopado Visando Futuras Aplicações em Eletrônica. 2000. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Juan Carlos Alvarado Alcócer

BARANAUSKAS, V.;Doi, I.. Contribuição 'a Modelagem Computacional de Reatores de Deposição Química a Partir da Fase Vapor Visando o Crescimento de Diamante. 1999. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Dahge Chiadin Chang

BARANAUSKAS, V.; CORAT, E. J.; TRAVAAIROLDI, V. J.;Doi, I.MOSCHIM, E.. Estudo da Morfologia do Silício Poroso Luminescente com Nucleação Diamantífera. 1999. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Nilson Cristino da Cruz

MORAES, M. A. B.;Doi, I.. Propriedades Estruturais e Ópticas de Filmes Finos de Óxido de Titânio Depositados por PECVD. 1999. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Nivaldo Antonio Parizotto

BARANAUSKAS, V.; BUCALON, A. J.; VILARTA, R.;Doi, I.; CLIQUET JR, A.. Ação do Laser de Hélio Neônio Sobre o Processo de Reparo Tecidual: Um Estudo do Colágeno por Microscopia Eletrônica de Varredura, Microscopia de Força Atômica e Espectroscopia por Infravermelho. 1998. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Mario S

NAGAI, Y. E.; LEITE, N. F.;Doi, I.; GUALBERTO, G. M.; FERRARI, C. A.. Haga. Deposição de Filme de Diamante Policristalino e Diamond-Like Carbon - DLC por Chama Oxi-Acetilênica. 1997. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Margareth K

Doi, I.; BARANAUSKAS, V.. K. D. Franco. Deposição e Caracterização de Filmes de Diamante Semicondutor. 1996. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: César R

BARANAUSKAS, V.; AIROLDI, V. J. T.;Doi, I.; CORAT, E. J.. Rodrigues. Síntese e Caracterização de Diamantes pelo Método CVD para Aplicações em Dispositivos Eletrônicos. 1993. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Roberto Y

MACHIDA, M.;Doi, I.; MAMANA, A. P.. Honda. Métodos de Análise Experimental de Uma Configuração de Campo Reverso no TC1-Unicamp. 1993. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Manoel E

Doi, I.. M. Neglisoli. Métodos de Cálculo de Isolamento de Torres de Transmissão de Energia Elétrica Face ao Risco Desejado para Surtos de Manobra. 1989. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Milton Eiji Kayama

Doi, I.. Reconexão de Linhas Magnéticas e Formação da Configuração Reversa de Campo. 1987. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Heronides Xavier da Silva Filho

Doi, I.. Distribuição Probabilística das Sobretensões de Origem Atmosférica Incidentes em Uma SubEstação a Partir da Linha de Transmissão. 1985. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal do Rio de Janeiro.

Aluno: Pablo Mourente Miguel

Doi, I.. Chaveamento Síncrono em Extra Alta Tensão por Meio de Uma Chave a Plasma. 1984. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal do Rio de Janeiro.

Aluno: Guilherme Augusto Limeira de Araújo

LUCIANO, Benedito Antonio;Doi, I.; CATUNDA, Sebastian Yuri Cavalcanti; BARROS, Allan Kardek Duailibe;FREIRE, Raimundo Carlos Silvério; SILVA, José Felício da; AQUINO, João Bosco de. Utilização de Sensores Termo-Resistivos e Ultra-Sônicos na Medição de Fluxo Respiratório. 2005. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal de Campina Grande.

Aluno: Manoel César Valente Lopes

BARANAUSKAS, V.;Doi, I.. Rugosidades na Interface Si-SiO2: Efeitos nas Características de Ruptura e na Distribuição de Campos Elétricos em Óxidos de Ponta Finos. 1994. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Ubirajara Rocha Meira

ARAÚJO, T. S.; NOWACK, K.;Doi, I.; NAIDU, S. R.; SRIVASTAVA, K. D.; PRECKER, J.; NASCIMENTO, L. F. M.. Estudo da Degradação de Pára-Raios Sem Centelhadores à Base de Óxido de Zinco. 1985. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal da Paraíba.

Aluno: Pablo Mourente Miguel

Doi, I.. Chaveamento Síncrono em Extra Alta Tensão por Meio de Uma Chave a Plasma. 1982. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal do Rio de Janeiro.

Orientou

Frederico Hummel Cioldin

Desenvolvimento de Filmes Finos de Silicetos de NiPt; Início: 2011; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; (Orientador);

Marcos Antônio da Silva Eleotério

Fabricação e Caracterização de Germanosilicetos de Ni e NiPt em SiGe para Dispositivos Submicrométricos; Início: 2007; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; (Orientador);

Cleuson de Menezes Atayde

Desenvolvimento de Filme Fino Higroscópico Polimérico para Sensor de Umidade Relativa Microeletronico; Início: 2007; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas; (Orientador);

Heraldo Maquette Scalise

Técnica de isolação alternativa ao LOCOS para CMOS; Início: 2003; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; (Orientador);

Milena de Albuquerque Moreira

Desenvolvimento de Dispositivos Eletroacústicos em Filmes Finos de AlN Piezoelétrico; Início: 2008; Tese (Doutorado em Doutorado em Engenharia Elétrica - UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; (Orientador);

Emílio Sérgio Marins Vieira Pinto

Síntese e Caracterização de Nanocristais de Ge por LPCVD; 2006; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Ioshiaki Doi;

Marcus Anibal Pereira

Tecnologia LOCOS Utilizando Nitretos de Silício Depositados por ECR-CVD; 2005; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Regis Eugênio dos Santos

Investigação sobre Formação e Estabilidade Térmica dos Filmes de Silicetos de Ni e Ni(Pt) em Substratos de Si(100); 2003; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Adeilton Cavalcante de Oliveira Junior

Desenvolvimento de Micro-Aquecedores Compatíveis com Tecnologias de Microeletrônica para Aplicações em Transdutores Térmicos; 2003; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Ioshiaki Doi;

Roberto Ribeiro Neli

Desenvolvimento de Micro-Estruturas Mecânicas sobre o Silício através da Corrosão do Substrato pela Superfície; 2002; 100 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Ioshiaki Doi;

Pedro Ricardo Barbaroto

Projeto, Microfabricação e Caracterização de Deflector de Luz de Silício Acionado por Indução; 2002; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Ioshiaki Doi;

RICARDO COTRIN TEIXEIRA

Implementação de um Sistema LPCVD Vertical para Obtenção de Filmes Finos de Silício Policristalino; 2001; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Ioshiaki Doi;

Edgard Alberto de Brito

Morfologia dos Filmes de Diamante Depositados Por Chama de Combustão Oxiacetileno; 1997; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Dahge Chiading Chang

Caracterização da Superfície do Silício Poroso Por Microscopia de Força Atômica (Co-Orientação); 1995; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Juan Carlos A

Alcócer; Crescimento de Filmes de Diamante Sobre Safira (Co-Orientação); 1994; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Antônio V

de Godoy; Sobretensões Em Cadeia de Isoladores Frente A Descargas Atmosféricas: Um Estudo Comparativo dos Métodos de Cálculo e do Parâmetro Zt; 1989; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Rogério B

Romano; Gerador de Impulso de Alta Tensão Para Simulação Em Redes Telefônicas; 1989; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Vitor Monassi

Comportamento Dielétrico de Uma Cadeia de Isoladores de Vidro de Classe 138kv, Com Unidades Danificadas; 1988; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

José A

D; Rossi; Análise do Método de Acréscimo e Decréscimo Para Ensaios de Impulso - Simulação Computacional e Sua Comparação Com Os Ensaios Em Gaps do Tipo Haste-Haste; 1987; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Moacyr T

O; Andrade; Filosofia de Carregamento Em Transformadores de Potência; 1987; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Carlos Alberto Baldan

Dimensionamento, Construções e Testes de Magnetos Supercondutores; 1987; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Jose M

Menescal de Oliveira; Contribuição Ao Estudo dos Fenômenos Transitórios Eletromagnéticos Em Sistemas Elétricos de Potência; 1984; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Maria Zanin

Contribuição Ao Estudo dos Efeitos da Tensão Disruptiva de Impulso Atmosférico Em Materiais Isolantes; 1984; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Wanderley Mauro Dib

Contribuição Ao Estudo de Sobretensões Em Sub-Estações Convencionais e Isoladas A Sf6; 1982; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Jose Pissolato Filho

Cálculo de Campo Elétrico Em Alta Tensão Com Dois Meios Dielétricos Pelo Método Numérico de Simulação de Cargas; 1982; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Francisca A

C; Pires; Contribuição Ao Estudo de Campo Elétrico Pelo Método de Simulação de Cargas Em Configurações de Eletrodos Infinitos; 1981; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Milena de Albuquerque Moreira

SYNTHESIS OF THIN PIEZOELECTRIC ALN FILMS IN VIEW OF SENSORS AND TELECOM APPLICATIONS; 2014; Tese (Doutorado em Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Roberto Ribeiro Neli

Desenvolvimento de Dispositivos Bolométricos para Detecção de Radiação Infravermelha Distante; 2012; Tese (Doutorado em Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Ioshiaki Doi;

RICARDO COTRIN TEIXEIRA

Desenvolvimento de Filmes de Silício-Germânio Policristalino para Aplicações em Dispositivos MOS; 2006; 86 f; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Ioshiaki Doi;

Hugo Ricardo Jiménez Grados

Desenvolvimento de um Processo CMOS (2 micrometros): Fabricação do Chip Teste CMOS, Células APS e Chips Didáticos; 2003; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Ioshiaki Doi;

Margareth K

K; D; Franco; Deposição e Caracterização de Filmes de Diamante Semicondutor; 1996; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Manoel E

M; Neglisoli; Métodos de Cálculo de Isolamento de Torres de Transmissão de Energia Elétrica Face Ao Risco Desejado Para Surtos de Manobra; 1989; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ioshiaki Doi;

Fernanda Cristina Adabo Atizani

Estudo, Desenvolvimento e Implementação de um Programa de Atualização do Controle Automático Computacional de um Sistema de Sputtering; 2006; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Ioshiaki Doi;

Raphael Oliveira Barbieri

Estudo e Implementação da Atualização do Controle Automático Computacional de um Sistema de Sputtering; 2006; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Ioshiaki Doi;

Cleber Scoralick Jr

Estudo de Propriedades Elétricas e Mecânicas de Filmes Espessos de Silício Policristalino para Aplicações em MEMS; 2004; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Ioshiaki Doi;

Produções bibliográficas

MEDEROS, M. ; MESTANZA, S.N.M. ; LANG, R. ; DOI, I. ; Diniz, J.A. . Germanium nanoparticles grown at different deposition times for memory device applications. Thin Solid Films , v. 611, p. 39-45, 2016.
MEDEROS, M. ; MESTANZA, S.N.M. ; DOI, I. ; Diniz, J.A. . Effects of temperature and deposition time on the structural and optical properties of Si1−xGex nanoparticles grown by low pressure chemical vapor deposition. Thin Solid Films , v. 579, p. 116-122, 2015.
CÉSAR, R.R. ; Barros, A.D. ; NASCIMENTO, R.O. ; ALVES, O.L. ; DOI, I. ; Diniz, J.A. ; SWART, J.W. . Electrolyte-Insulator-Semiconductor Structure for Pb+ Detecting. Procedia Engineering , v. 87, p. 188-191, 2014.
Silva, A.R. ; Miyoshi, J. ; Diniz, J.A. ; DOI, I. ; GODOY, J. . The Surface Texturing of Monocrystalline Silicon with NH4OH and Ion Implantation for Applications in Solar Cells Compatible with CMOS Technology. Energy Procedia , v. 44, p. 132-137, 2014.
Lima, Lucas P. B. ; DINIZ, JOSE' A. ; RADTKE, CLAUDIO ; DOS SANTOS, MARCOS V. P. ; Doi, Ioshiaki ; GODOY FO, JOSE' . Influence of Al/TiN/SiO2 structure on MOS capacitor, Schottky diode, and fin field effect transistors devices. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures , v. 31, p. 052202, 2013.
Lima, L.P.B. ; Diniz, J.A. ; DOI, I. ; Godoy Fo, J. . Titanium nitride as electrode for MOS technology and Schottky diode: Alternative extraction method of titanium nitride work function. Microelectronic Engineering , v. 92, p. 86-90, 2012.
Miyoshi, J. ; Lima, L.P.B. ; Diniz, J.A. ; Cavarsan, F.A. ; DOI, I. ; GODOY FILHO, J. ; Silva, A.R. . TiN/titanium aluminum oxynitride/Si as new gate structure for 3D MOS technology. Microelectronic Engineering , v. 92, p. 140-144, 2012.
SOUZA, J. F. ; MOREIRA, M. A. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. ; Tatsch, P. J. ; Gonçalves, J. L. . Preparation and characterization of high-k aluminium nitride (AlN) thin film for sensor and integrated circuits applications. Physica Status Solidi. C, Current Topics in Solid State Physics (Print) , v. 9, p. 1454-1457, 2012.
Lima, Lucas P. B. ; Moreira, Milena A. ; Diniz, José A. ; Doi, Ioshiaki . Titanium nitride as promising gate electrode for MOS technology. Physica Status Solidi. C, Current Topics in Solid State Physics (Print) , v. 9, p. 1427-1430, 2012.
Lima, L.P.B. ; SANTOS, M. V. P. ; CIOLDIN, F. H. ; DINIZ, J. A. ; I. Doi ; GODOY FILHO, J. . Junctionless fabricaqtion on SOI wafers using Focused Ion Beam milling and Al diffusion. ECS Transactions , v. 49, p. 367-374, 2012.
MEDEROS, M. ; MESTANZA, S. N. M. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. . Influence of a Thickness and Percentage of Ge in Optical Properties of Thin Films of Si(1-x)Ge(x) Grown by LPCVD. ECS Transactions , v. 49, p. 391-397, 2012.
CIOLDIN, F. H. ; Lima, L.P.B. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. ; GODOY FILHO, J. ; ZAMBOTTI, E. A. . Investigation of Thermal Stability of Titanium Nitride Using a RTA Process. ECS Transactions , v. 49, p. 407-413, 2012.
Lima, Lucas P. B. ; DINIZ, JOSE' A. ; Doi, Ioshiaki ; MIYOSHI, JULIANA ; SILVA, AUDREY R. ; GODOY FO, JOSE' ; RADTKE, CLAUDIO . Oxygen incorporation and dipole variation in tantalum nitride film used as metal-gate electrode. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures , v. 30, p. 042202, 2012.
MOREIRA, M. A. ; DOI, I. ; SOUZA, J. F. ; DINIZ, J A . Electrical characterization and morphological properties of AlN films prepared by dc reactive magnetron sputtering. Microelectronic Engineering , v. 88, p. 802-806, 2011.
LIMA, L. P. B. ; DINIZ, J. A. ; DOI, I. ; Miyoshi, J. ; Silva, A.R. ; GODOY FILHO, J . Tantalum Nitride as Electrode for MOS Technology and Schottky Diode. ECS Transactions , v. 39, p. 69-75, 2011.
Barros, A.D. ; Albertin, K.F. ; Miyoshi, J. ; DOI, I. ; Diniz, J.A. . Thin titanium oxide films deposited by e-beam evaporation with additional rapid thermal oxidation and annealing for ISFET applications. Microelectronic Engineering , v. 87, p. 443-446, 2010.
Miyoshi, J. ; Diniz, J.A. ; Barros, A.D. ; DOI, I. ; Von Zuben, A. A. G. . Titanium?aluminum oxynitride (TAON) as high-k gate dielectric for sub-32 nm CMOS technology. Microelectronic Engineering , v. 87, p. 267-270, 2010.
GRADOS, Hugo Ricardo Jiménez ; Manera, Leandro T. ; Wada, Ricardo ; DINIZ, José Alexandre ; Ioshiaki Doi ; TATSCH, Peter Jurgen ; Figueroa, Hugo Enrique ; SWART, Jacobus W. . DC Improvements and Low-Frequency 1/ Noise Characteristics of Complimentary Metal Oxide Semiconductor Transistors with a Single n -Doped Polycrystalline Si/SiGe Gate Stack. Japanese Journal of Applied Physics , v. 49, p. 04DC04, 2010.
DE MENEZES ATAYDE, CLEUSON ; Doi, Ioshiaki . Highly stable hydrophilic surfaces of PDMS thin layer obtained by UV radiation and oxygen plasma treatments. Physica Status Solidi. C, Current Topics in Solid State Physics (Print) , v. 7, p. 189-192, 2010.
JIMENEZ, H. G. ; Manera, L. T. ; Rautemberg, M. F. ; DINIZ, J. A. ; DOI, I. ; Tatsch, P. J. ; Figueroa, H. E. ; SWART, J. W. . The influence of poly-Si/SiGe gate in CMOS transistors for RF and microwave circuit applications. Physica Status Solidi. C, Current Topics in Solid State Physics (Print) , v. 7, p. 440-443, 2010.
dos Anjos, A. M. P. ; I. Doi ; DINIZ, J. A. . Raman Characterization of SiGe Nanostructures Formed by Rapid Thermal Annealing. E-Journal of Surface Science and Nanotechnology , v. 7, p. 301-306, 2009.
Figueroa R. ; I. Doi ; Cruz, Tersio G. S. ; Airton Lourenço . Deposition of WO3 Thin Films at Oblique Angle ? Growth and Electrochemical Behavior. E-Journal of Surface Science and Nanotechnology , v. 7, p. 465-470, 2009.
JIMENEZ, H. G. ; Manera, L. T. ; Rautemberg, M. F. ; DINIZ, J. A. ; DOI, I. ; Tatsch, P. J. ; Figueroa, H. E. ; Swart, J. W. . The Influence of Poly-Si/SiGe Gate in Threshold, Sub-Threshold Parameters and Low Frequency Noise in p-MOSFETs. ECS transactions , v. 23, p. 371-378, 2009.
dos Anjos, A. M. P. ; Doi, Ioshiaki ; DINIZ, José Alexandre . Structural Characterization of SiGe Nanoclusters Formed by Rapid Thermal Annealing. Applied Surface Science , v. 254, p. 6055-6058, 2008.
MANERA, L T ; ZOCCAL, L B ; DINIZ, J. A. ; Tatsch, P. J. ; DOI, I. . Surface Passivation of InGaP/GaAs HBT Using Silicon-Nitride Film Deposited by ECR-CVD Plasma. Applied Surface Science , v. 254, p. 6063-6066, 2008.
Figueroa R. ; DOI, I. ; Diniz, J.A. . Physical Properties of (Al-Si-Cu)-N Thin Films Deposited by DC-Reactive Magnetron Sputtering. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo (Impresso) , v. 27, p. 97-102, 2008.
Marcos Eleotério ; I. Doi ; Figueroa R. ; DINIZ, J. A. . Thermal Degradation of NiPt Germanosilicide Films Formed on Undoped and Doped SiGe Substrates. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo (Impresso) , v. 27, p. 217-221, 2008.
C. Biasotto ; DALTRINI, A. M. ; TEIXEIRA, R. C. ; BOSCOLI, F. A. ; DINIZ, J. A. ; MOSHKHALEV, S. A. ; Doi, I. . Deposition of Sacrificial Silicon Oxide Layers by Electron Cyclotron Resonance Plasma. Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement and Phenomena , v. 25, p. 1166-1170, 2007.
MESTANZA, S. N. M. ; I. Doi ; Frateschi, N. C. . Effect of Nucleation Parameters of Ge Quantum Dots Grown over Silicon Oxide by LPCVD. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems , v. 2, p. 81-84, 2007.
MESTANZA, S. N. M. ; DOI, I. ; SWART, J. W. ; Frateschi, N. C. . Fabrication and Characterization of Ge Nanocrystalline Growth by Ion Implantation in SiO2 Matrix. Journal of Materials Science , v. 42, p. 7757-7761, 2007.
TEIXEIRA, R. C. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. ; SWART, J. W. ; ZAKIA, M. B. P. . Structural and Surface Properties of Si(1-x)Ge(x) Thin Films Obtained by Reduced Pressure CVD. Applied Surface Science , v. 254, p. 207-212, 2007.
OLIVEIRA, L. C. M. ; BARBAROTO, Pedro Ricardo ; FERREIRA, Luiz Otávio Saraiva ; Doi, I. . A Novel Si micromachined moving-coil induction actuated mm-sized resonant scanner. Journal of Micromechanics and Microengineering , Inglaterra, v. 16, p. 165-172, 2006.
MESTANZA, Segundo Nilo M ; OBRADOR, M P ; RODRIGUES, e ; BIASOTO, C ; Doi, I. ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, Jacobus W . Characterization and Modeling of Antireflective Coatings of SiO2, Si3N4, and SiOxNy Deposited by Electron Cyclotron Resonance Enhanced Plasma Chemical Vapor Deposition. Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement and Phenomena , Estados Unidos, v. 24, n.2, p. 823-827, 2006.
TEIXEIRA, R C ; Doi, I. ; DINIZ, J A ; SWART, J W ; ZAKIA, M B P . Morphological Study of Polycrystalline SiGe Alloy Deposited by Vertical LPCVD. Brazilian Journal of Physics (Impresso) , São Paulo-SP, v. 36, n.2A, p. 466-469, 2006.
NELI, Roberto R ; Doi, I. ; DINIZ, José A ; SWART, Jacobus W . Development of Process for Far Infrared Sensor Fabrication. Sensors and Actuators. A, Physical , Holanda, v. 132, p. 400-406, 2006.
ZOCCAL, L B ; DINIZ, J A ; Doi, I. ; SWART, J W ; DALTRINI, A M ; MOSHKALYOV, S A . Efficacy of ECR-CVD Silicon Nitride Passivation in InGaP/GaAs HBTs. Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement and Phenomena , v. 24, n.4, p. 1762-1765, 2006.
MARINS, Emilio S ; MESTANZA, S N M ; Doi, I. . Influence of Nucleation Parameters in the Spatial Distribution of the Ge Nanocrystals Formed by LPCVD. Materials Science in Semiconductor Processing , Holanda, v. 9, n.4-5, p. 828-831, 2006.
TEIXEIRA, Ricardo Cotrin ; Doi, I. ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, Jacobus Willibrordus ; ZAKIA, Maria Beny P . CV Characteristics of Polycrystalline SiGe Films with Low Ge Concentration. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B, Beam Interactions with Materials and Atoms (Print) , Holanda, v. 253, n.1-2, p. 37-40, 2006.
MESTANZA, S N M ; MARINS, Emilio S V P ; Doi, I. . Influence of Nucleation Parameters in the Spatial Distribution of the Ge Nanocrystals. Activity Report (Laboratório Nacional de Luz Síncrotron) , LNLS, v. 1, p. 1-2, 2006.
RODRIGUES, e ; QUEIROZ, J e C ; MESTANZA, S N M ; MARINS, Emilio S V P ; Doi, I. ; DIAS, G O ; BIGGEMANN, D . Growth and Characterization of Silicon Nanocrystals Obtained by Ion Implantation. Activity Report (Laboratório Nacional de Luz Síncrotron) , LNLS, v. 1, p. 1-2, 2006.
SWART, J W ; RODRIGUES, e ; QUEIROZ, José Eudóxio C ; MESTANZA, S N M ; MARINS, Emilio S V P ; Doi, I. ; DIAS, G O . Influence of Post-Annealing Time in Gas Passivation on the Photoluminescence Spectral Emission of Silicon Nanostructures Embedded in SiO2. Activity Report (Laboratório Nacional de Luz Síncrotron) , LNLS, v. 1, p. 1-2, 2006.
SWART, J W ; RODRIGUES, e ; QUEIROZ, José Eudóxio C ; MESTANZA, S N M ; MARINS, Emilio S V P ; Doi, I. ; DIAS, G O . Light Gain from Silicon Nanocrystals by Passivation. Activity Report (Laboratório Nacional de Luz Síncrotron) , LNLS, v. 1, p. 1-2, 2006.
Doi, I. ; TEIXEIRA, Ricardo C ; SANTOS, Regis e ; DINIZ, José A ; SWART, Jacobus W ; SANTOS FILHO, Sebastião G dos . Thermal Stability of Ni(Pt) Silicide Films Formed on Poly-Si. Microelectronic Engineering , Holanda, v. 82, p. 485-491, 2005.
TEIXEIRA, Ricardo Cotrin ; Doi, I. ; ZAKIA, Maria B. P. ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, Jacobus W. . Low Electrical Resistivity Polycrystalline SIGE Films Obtained by Vertical LPCVD for MOS Devices. Materials Science and Engineering. B, Solid State Materials for Advanced Technology , Holanda, v. 124-12, p. 138-142, 2005.
TEIXEIRA, R C ; Doi, I. ; ZAKIA, M B P ; DINIZ, J A ; SWART, J W . AFM and SEM Study of Poly-SiGe Alloy Deposited by Vertical LPCVD. Activity Report (Laboratório Nacional de Luz Síncrotron) , LNLS, Campinas-SP, p. 1-2, 2005.
Doi, I. ; TEIXEIRA, R C ; SANTOS, Regis Eugenio dos ; DINIZ, J A ; SWART, J W ; SANTOS, S G . XAFS Measurements of Ni and Ni(Pt) Silicides. Activity Report (Laboratório Nacional de Luz Síncrotron) , LNLS, Campinas-SP, p. 1-2, 2005.
CAVARSAN, F A ; DINIZ, J A ; Doi, I. ; SWART, J W . Characteristics of Silicon Oxide Gate MOS Capacitors Formed by Rapid Thermal Oxidation and Annealing. Activity Report (Laboratório Nacional de Luz Síncrotron) , LNLS, Campinas-SP, p. 1-2, 2005.
SANTOS, Regis Eugenio dos ; Doi, I. ; TEIXEIRA, R C ; DINIZ, J A ; SWART, J W . NiPt Silicide Formation on Poly-Si Surface Studied by Cross Section TEM Measurements. Activity Report (Laboratório Nacional de Luz Síncrotron) , LNLS, Campinas-SP, p. 1-1, 2005.
SANTOS, Regis Eugenio dos ; Doi, I. ; DINIZ, J A ; SWART, J W . NiPt Silicide Stability Studied by SEM/EDS Measurements. Activity Report (Laboratório Nacional de Luz Síncrotron) , LNLS, Campinas-SP, p. 1-1, 2005.
DINIZ, J A ; SANTOS, Regis Eugenio dos ; MOSHKALYOV, S A ; Doi, I. ; SWART, J W . Silicon Oxynitride Gate-dielectric Made by ECR Plasma Oxynitridation. Activity Report (Laboratório Nacional de Luz Síncrotron) , LNLS, Campinas-SP, p. 1-2, 2005.
TEIXEIRA, R C ; Doi, I. ; ZAKIA, M B P ; DINIZ, J A ; SWART, J W . Micro-Raman Stress Characterization of Polycrystalline Silicon Films Grown at High Temperature. Materials Science and Engineering. B, Solid State Materials for Advanced Technology , v. 112, p. 160-164, 2004.
NELI, Roberto R ; MELO, Arline M ; ARBEX, Cristiano J N ; ZAKIA, Maria B P ; Doi, I. ; KAUFMANN, Pierre ; SWART, Jacobus W ; MOSCHIM, E. . The Development of a Submm-Wave Uncooled Bolometric System and Field Test. Telecomunicações (Santa Rita do Sapucaí) , v. 07, n.01, p. 60-65, 2004.
FELÍCIO, A G ; DINIZ, José A ; GODOY FILHO, J. ; Doi, I. ; PUDENZI, M A A ; SWART, Jacobus W . The Effect of Nitrogen Concentration at Oxynitride Gate Insulators Formed by 28N2+ Implantation into Silicon with Additional Conventional or Rapid Thermal Oxidation. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems , S. Paulo, SP, v. 1, n.2, p. 41-47, 2004.
TEIXEIRA, Ricardo C ; Doi, I. ; DINIZ, José A ; ZAKIA, Maria B P ; SWART, Jacobus W . Influence of Temperature on the Deposition Rate of Polycrystalline Silicon Obtained by Vertical LPCVD. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo , Campinas-SP, v. 23, n.2, p. 49-51, 2004.
SANTOS, Regis Eugenio dos ; Doi, I. ; DINIZ, José A ; SWART, Jacobus W ; SANTOS FILHO, Sebastião G dos . Investigation of Ni Silicides Formation on (100) Si by X-Ray Diffraction (XRD). Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo , Campinas-SP, v. 23, n.1, p. 32-35, 2004.
PEREIRA, M. A. ; DINIZ, José Alexandre ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Silicon Nitride Deposited by ECR-CVD at Room-Temperature for LOCOS Isolation Technology. Applied Surface Science , The Netherlands, v. 212-13, p. 388-392, 2003.
BARBAROTO, Pedro Ricardo ; Doi, I. ; FERREIRA, Luiz Otávio Saraiva . Si-LiG Process for Inductive Meso Systems. Applied Surface Science , The Netherlands, v. 212-13, p. 406-410, 2003.
DINIZ, José Alexandre ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Insulators Obtained by Electron Cycloton Resonance Plasmas on Si or GaAs.. Materials Characterization , Holanda, v. 50, p. 135-147, 2003.
SANTOS, R e ; Doi, I. . Study of Agglomeration and Degradations Formations on Ni and Ni(Pt) Silicide Surface with SEM/EDS. Activity Report (Laboratório Nacional de Luz Síncrotron) , LNLS, Campinas, SP, p. 243-244, 2003.
SWART, Jacobus Willibrordus ; DINIZ, J A ; Doi, I. ; MORAES, M. A. B. . Modification of the Refractive Index and the Dielectric Constant of Silicon Dioxide by Means of Ion Implantation. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research (Print) (Cessou em 1983. Desmembrado em 2: ISSN 0168-9002 Nuclear iInstruments & Methods in Physic , Elsevier Science B. V., v. 166, n.167, p. 171-176, 2000.
CHANG, D. C. ; BARANAUSKAS, V. ; Doi, I. ; PROHASKA, T. . Observation of Structural Depth Profiles of Porous Silicon by Atomic Force Microscopy. J. Porous Materials, The Netherlands, v. 1, p. 349-352, 2000.
Doi, I. ; HAGA, M. S. ; NAGAI, Y. E. . Properties of DLC Films Deposited by Oxyacetylene Flame. Diamond and Related Materials , The Netherlands, v. 8-9, p. 1682-1685, 1999.
LI, B. B. ; BARANAUSKAS, V. ; PETERLEVITZ, A. ; CHANG, D. C. ; Doi, I. ; TRAVA-AIROLDI, V. J. ; CORAT, E. J. . Annealing-Induced Enhancement In The Activation Energy Of Heavily Boron- Doped Polycrystalline Diamond. Diamond and Related Materials , The Netherlands, v. 7, n.9, p. 1259-1262, 1998.
PAGAN, C. J. B. ; Doi, I. ; WAKAMATU, G. N. ; POMILIO, J. A. . A Theta-Pinch Laser. Revista de Física Aplicada e Instrumentação, Brasil, v. 13, n.1, p. 13, 1998.
FRANCO, M. K. K. ; Doi, I. ; PETERLEVITZ, A. C. ; BARANAUSKAS, V. . Resistividade Elétrica de Filmes de Diamante CVD Dopados Com Boro Durante A Deposição. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, Campinas-SP, v. 15, n.1 e 2, p. 15-18, 1996.
FRANCO, M. K. K. ; Doi, I. ; PETERLEVITZ, A. C. ; BARANAUSKAS, V. . Característica I-V de Filmes de Diamante CVD Obtidos Usando A Mistura Etanol/Acetona e Hidrogênio. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, Campinas-SP, v. 14, n.1 E 2, p. 12-15, 1995.
BARANAUSKAS, V. ; Doi, I. ; PELED, A. ; AIROLDI, V. J. T. ; S, L. C. A. ; CORAT, E. J. . Morphological Studies of Laser Etching Processes In Self Sustained CVD Diamond Wafers. Applied Surface Science, Switzerland, v. 79/80, p. 129-135, 1994.
Doi, I. ; FRANCO, M. K. P. A. C. ; ALCÓCER, J. C. A. ; CHANG, D. C. ; AIROLDI, V. J. T. R. C. R. ; BARANAUSKAS, V. . Estudo da Nucleação do Diamante Sobre Silício Através da Microscopia de Força Atômica. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, Campinas, SP, v. 13, n.1 E 2, p. 51-54, 1994.
Doi, I. ; FRANCO, M. K. K. ; PETERLEVITZ, A. C. ; CHANG, D. A. J. C. A. ; BARANAUSKAS, V. ; RODRIGUES, C. R. ; AIROLDI, V. J. T. . Caracterização de Filmes de Diamante Dopados Com Boro. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, Campinas-SP, v. 13, n.1-2, p. 46-50, 1994.
Doi, I. ; BARANAUSKAS, V. ; FRANCO, M. K. K. D. ; CHANG, D. C. ; PETERLEVITZ, A. C. ; ALCÓCER, J. C. A. . Crescimento de Diamante Sobre Substratos de Safira Por HFCVD Usando Etanol/Acetona e Hidrogênio. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, Campinas, SP, v. 12, n.1 E 2, p. 12-15, 1993.
Doi, I. ; PETERLEVITZ, A. C. ; RODRIGUES, C. R. ; BARANAUSKAS, V. . Crescimento de Filmes de Carbono Por Eletroquímica. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, Campinas, SP, v. 12, n.1 E 2, p. 8-11, 1993.
Doi, I. ; PETERLEVITZ, A. C. ; RODRIGUES, C. R. ; BARANAUSKAS, V. ; AIROLDI, V. J. T. . Caracterização de Filmes de Diamante Obtidos A Partir da Mistura Etanol/Acetona/Hidrogênio. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, Campinas, SP, v. 11, n.2, p. 75-78, 1992.
PETERLEVITZ, A. C. ; PICOLO, W. A. ; Doi, I. ; BARANAUSKAS, V. . Estudo XPS/AES de Sistemas Au/Nb/Si. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, Campinas, SP, v. 11, n.2, p. 81-84, 1992.
Doi, I. ; HONDA, R. Y. ; ARAMAKI, E. A. ; MACHIDA, M. ; PORTO, P. ; UEDA, M. . O Efeito da Pressão na Formação CCR no TC-1 Unicamp. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, Campinas, SP, v. 9, n.2, p. 76-79, 1990.
ARAMAKI, E. A. ; PORTO, P. ; BERNI, L. ; HONDA, R. Y. ; UEDA, M. ; Doi, I. ; MACHIDA, M. . Optimization of Implosion Phase on TC-I by Light Emission Analysis. Nucl. Instrum. and Methods in Phys. Research, Switzerland, v. A280, n.2-3, p. 597-601, 1989.
DIB, W. M. ; OLIVEIRA, J. C. ; Doi, I. . Sobretensões em Subestações Convencionais e a SF6. Revista Siemens, São Paulo, SP, v. 1, n.1, p. 25-28, 1985.
MASUDA, S. ; Doi, I. ; AOYAMA, M. ; SHIBUYA, A. . Bias-Controlled Pulse Charging System for an Electrostatic Precipitator. STAUB-REINHALT DER LUFT, Alemanha, v. 36, n.1, p. 19-26, 1976.
MASUDA, S. ; Doi, I. ; AKUTSU, K. . Bia-Controlled Pulse Charging System for an Electrostatic Precipitator - AC Voltage Current Density Distribution II. Ann. Report of The Engineering Research Institute of The Faculty of Engineering, University of Tokyo, Tokyo, Japão, v. 35, p. 115-117, 1976.
MASUDA, S. ; Doi, I. ; AKUTSU, K. . A Bias-Controlled Pulse Charging System for an Electrostatic Precipitator. Ann. Report of the Engineering Research Institute of The Faculty of Engineering, University of Tokyo, Tokyo, Japão, v. 34, p. 157-159, 1975.
ROSA, ANDRESSA M. ; DINIZ, JOSE A. ; Doi, Ioshiaki ; CANESQUI, MARA A. ; DOS SANTOS, MARCOS V.P. ; VAZ, ALFREDO R. . Spacer lithography for 3D MOS devices using amorphous silicon deposited by ECR-CVD. In: 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2015, Salvador. 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1-4.
DE BARROS, A.D. ; DOI, I. ; SWART, J.W. ; Diniz, J.A. . Thin titanium oxide films deposited by e-beam evaporation or by sputtering technique with additional rapid thermal oxidation. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014. p. 1-4.
CESAR, R. R. ; BARROS, A. D. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. ; SWART, J. W. . Thin titanium oxide films obtained by RTP and by sputtering. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014. p. 1-4.
MEDEROS, M. ; MESTANZA, S. N. M. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. . Effect of annealing time on memory behavior of MOS structures based on Ge nanoparticles. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014. p. 1-5.
CESAR, R. R. ; BARROS, A. D. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. ; SWART, J. W. . Electrolyte-Insulator-Semiconductor field effect device for pH detecting. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014, Aracaju. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2014. p. 1-4.
NELI, R. R. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. . Characterization of fast-response and low-noise poly si uncooled far infrared sensor. In: 2014 IEEE 5th Latin American Symposium on Circuits and Systems (LASCAS), 2014, Santiago. 2014 IEEE 5th Latin American Symposium on Circuits and Systems. p. 1-4.
MEDEROS, M. ; MESTANZA, S. N. M. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. . Structural and electrical properties of Ge nanoparticles grown by LPCVD for MOSstructures. In: 2013 Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2013, Curitiba. 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2013), 2013. p. 1-4.
CIOLDIN, F.H. ; DOS SANTOS, M.V.P. ; DOI, I. ; Diniz, J.A. ; FLACKER, A. ; RAUTEMBER, M. ; TESCHKE, O. ; BONUGLI, L. ; ZAMBOTTI, E.A. ; FILHO, J.G. . Raman study of Nickel-Platinum Silicide formed by RTP process. In: 2013 Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2013, Curitiba. 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2013), 2013. p. 1-4.
SOUZA, J. F. ; LIMA, M. B. ; DOI, I. ; Tatsch, P. J. ; DINIZ, J A ; Gonçalves, J. L. . SINX/SIO2 STACKED SENSITIVE THIN FILM FOR ISFET-BASED CHEMICAL AND BIOCHEMICAL SENSORS-Preparation and Characterization of the Stacked Thin Films and Sensors. In: International Conferenceon Biomedical Electronics and Devices - Biodevices 2012, 2012, Vilamoura, Algarve, Portugal. Proceedings of the International Conference on Biomedical Electronics and Devices,, 2012. v. 1. p. 302-306.
LIMA, L. P. B. ; MOREIRA, M. A. ; CIOLDIN, F. H. ; DINIZ, J A ; DOI, I. . Tantalum Nitride as Promissing Gate Electrode for MOS Technology. In: 25th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 2010, São Paulo-SP. ECS Transactions. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, 2010. v. 31. p. 319-325.
Marcos Eleotério ; Doi, Ioshiaki ; Figueroa R. ; DINIZ, José Alexandre ; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos . Post-Silicidation Annealing Effects on Electrical and Structural Properties of NiPt Germanosilicide. In: 23rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices, SBMicro 2008, 2008, Gramado-RS, Brazil. Electrochemical Society Transactions. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 385-393.
SCALISE, Heraldo Maquette ; Doi, Ioshiaki ; DINIZ, José Alexandre . Bird's Beak and Thermally Induced Stress Defects Evaluations of LOCOS Structures Fabricated Using ECR-CVD SiNx Without Pad Oxide. In: 23rd Symposium on Microelectronics Tecnology and Devices, 2008, Gramado-RS, Brazil. Electrochemical Society Transactions. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 395-402.
Della Lucia, F. L. ; SWART, Jacobus W. ; Zoccal, L. B. ; DINIZ, José A ; Doi, Ioshiaki ; Frateschi, N. C. . Simulation and Fabrication of Suspended-Membrane Resistive Microbolometers Using Gold-Black as Adsorber. In: 23rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2008, Gramado-RS. Electrochemical Society Transactions. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 93-98.
Jiménez, H. G. ; Manera, L. T. ; TEIXEIRA, R. C. ; Rautemberg, M. F. ; DINIZ, J. A. ; I. Doi ; Tatsch, P. J. ; Figueroa, H. E. ; SWART, J. W. . DC Performance and Low Frequency Noise in n-MOSFETs Using Self-Aligned Poly-Si/SiGe Gate. In: 23rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2008, Gramado-RS. Electrochemical Society Transactions. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 137-146.
Miyoshi, J. ; Wada, R. ; de Barros, A. D. ; Von Zuben, A. A. G. ; Cavarsan, F. A. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. . High-k Gate-Dielectrics Based on Titanium-Aluminum for Sub-32 nm CMOS Technology. In: 23rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2008, Gramado-RS. Electrochemical Society Transactions. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 295-302.
de Barros, A. D. ; Miyoshi, J. ; Wada, R. ; Cavarsan, F. A. ; I. Doi ; DINIZ, J. A. . Characteristics of Titanium Oxide Gate nMOSFET Formed by E-Beam Evaporation with Additional Rapid Thermal Oxidation and Annealing. In: 23rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2008, Gramado-RS. Electrochemical Society Transactions. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, 2008. v. 14. p. 327-333.
dos Anjos, A. M. P. ; DINIZ, J. A. ; ZOCCAL, L B ; Mengui, U. A. ; CANESQUI, M A ; DOI, I. . Clusters Formation by Rapid Thermal Annealing on SiO2/Ge and SiH/Ge Heterostructures. In: 22nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2007, 2007, Rio de Janeiro. The Electrochemical Society Transactions. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2007. v. 9. p. 269-277.
MESTANZA, S. N. M. ; Rodriguez, E. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. ; SWART, J. W. ; FRATESCH, N C . Photoresponse Analysis of Sensors Fabricated with Standard 2.0 um CMOS Technology. In: 22nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2007, 2007, Rio de Janeiro. The Electrochemical Society Transactions. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2007. v. 9. p. 553-560.
MESTANZA, S. N. M. ; Rodriguez, E. ; DOI, I. ; Vaz, A. R. ; FRATESCH, N C . The Effect of Si Substrate on the Optical Characterization of Ge Nanostructures Obtained by LPCVD. In: 22nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2007, 2007, Rio de Janeiro. The Electrochemical Society Transactions. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2007. v. 9. p. 143-149.
Cavarsan, F. A. ; TOMA, A. ; GODOY FILHO, J ; DINIZ, José A ; DOI, I. . Characteristics of Silicon Oxide Gate MOS Capacitors Formed by Rapid Thermal Oxidation and Annealing. In: 15th IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors - RTP 2007, 2007, Catania, Sicily, Italy. Proc. 15th IEEE Int. Conf. on Advanced Thermal Processing of Semiconductors - RTP 2007, 2007. v. 1. p. 197-202.
MESTANZA, S N M ; SWART, J W ; Doi, I. ; FRATESCH, N C . Synthesis of Ge Nanocrystals Grown by Ion Implantation and Subsequent Annealing. In: Sixth International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems - ICCDCS 2006, 2006, Playa del Carmen, Mexico. Proceedings of the ICCDCS 2006, CD-ROM IEEE Catalog Number 06TH8859C, 2006. v. CD-ROM. p. 151-155.
MARINS, Emilio S ; MESTANZA, S N M ; Doi, I. . Influence of Nucleation Parameters in Ge NCs Formation by LPCVD. In: 21th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2006, 2006, Ouro Preto, MG. ECS Transactions. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2006. v. 4. p. 339-343.
SANTOS, R. E. ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W ; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos . SEM/EDS Characterization of Ni and Ni/Pt Silicide Formation. In: 21th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2006, 2006, Ouro Preto, MG. ECS Transactions. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2006. v. 4. p. 443-451.
REIS, Ronaldo W ; SANTOS FILHO, Sebastião G dos ; Doi, I. ; FURLAN, Rogério ; LANDERS, Richard . Carbon Outdiffusion from Ni(C)/Pt/Si Structures During Nickel Silicide Formation by Rapid Thermal Annealing. In: 21th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2006, 2006, Ouro Preto, MG. ECS Transactions. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2006. v. 4. p. 503-511.
MESTANZA, S N M ; RODRIGUES, e ; JIMÉNEZ, H G ; DINIZ, José Alexandre ; Doi, I. ; DOI, I ; SWART, Jacobus W . Characterization and Performance Evaluation of an APS Pixel in a Standard 2 um CMOS Technology. In: 20th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2005, 2005, Florianópolis, SC. Proc. of the 20th Internacional Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2005. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2005. v. PV2005. p. 32-38.
TEIXEIRA, Ricardo Cotrin ; Doi, I. ; ZAKIA, Maria Beny P ; DINIZ, José A . Morphological and Electrical Study of Poly-SiGe Alloy Deposited by Vertical LPCVD. In: 20th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2005, 2005, Florianópolis, SC. Proc. of the 20th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2005. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2005. v. PV2005. p. 188-196.
SANTOS, Regis Eugenio dos ; Doi, I. ; HAYASHI, Marcelo A ; DINIZ, José Alexandre ; SANTOS FILHO, Sebastiâo Gomes dos . Thermal Stability of Ni/Pt Silicide Films on BF Doped and Undoped (100)Si. In: 20th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2005, 2005, Florianópolis, SC. Proc. of the 20th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2005. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2005. v. PV2005. p. 197-203.
DIAS, Guilherme O ; MESTANZA, S N M ; QUEIROZ, J e C ; MARINS, Emilio S V P ; Doi, I. ; RODRIGUES, e ; TEJERO, D C B . Growth and Characterization of Silicon Nanocrystals Obtained by Ion Implantation. In: 20th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2005, 2005, Florianópolics, SC. Proc. of the 20th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2005. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2005. v. PV2005. p. 297-303.
NELI, Roberto Ribeiro ; Doi, I. ; DINIZ, José Alexandre . Process Optimization for Microbolometers Fabrication. In: 20th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2005, 2005, Florianópolis, SC. Proc. of the 20th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2005. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2005. v. PV2005. p. 357-362.
OLIVEIRA JÚNIOR, Adeilton C ; Doi, I. ; DINIZ, José Alexandre . A Comparative Analysis of Electrical Characteristics of Silicon Micro-Heaters for Thermal Transducers Applications. In: 20th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2005, 2005, Florianópolis, SC. Proc. of the 20th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2005. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2005. v. PV2005. p. 363-371.
BIASOTO, Cleber ; BOSCOLI, Fernando Azenha ; TEIXEIRA, Ricardo Cotrin ; RAMOS, A C S ; DINIZ, José Alexandre ; DALTRINI, A M ; MOSHKALYOV, S A ; Doi, I. . Silicon Oxide Sacrificial Layer for MEMS Applications. In: 20th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2005, 2005, Florianópolis, SC. Proc. of the 20th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2005. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2005. v. PV2005. p. 389-397.
LIRA, J. G. A. ; OLIVEIRA JÚNIOR, Adeilton C de ; FREIRE, Raimundo Carlos Silvério ; Doi, I. ; LUCIANO, B. A. ; SWART, Jacobus Willibrordus . Dynamic Characterization of Thermo-Resistive Micro-Sensor. In: IMTC/05 - IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference, 2005, Canada. Proceedings IMTC/05 - IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference. New Jersey, USA: IEEE, 2005. v. CD-Rom. p. 1647-1651.
NELI, Roberto R ; Doi, I. ; MELO, Arline M ; ARBEX, Cristiano J N ; ZAKIA, Maria B P ; KAUFMANN, Pierre ; DINIZ, José A ; SWART, Jacobus W . Uncooled Thermal Infrared Detector for Detection of Far-Infrared Radiation. In: 19th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004, 2004, Porto de Galinhas, Pe. Proc. of the 19th Internacional Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2004. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2004. v. PV2004. p. 95-100.
SCORALICK JÚNIOR, C ; Doi, I. ; TEIXEIRA, Ricardo C ; DINIZ, José A ; SWART, Jacobus W . Stress Analysis of Vertical LPCVD Thiick Poly-Si by Micro-Raman Spectroscopy for MEMS Applications. In: 19th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004, 2004, Porto de Galinhas, Pe. Proc. of the 19th International Symposium on Mcroelectronics and Devices - SBMicro 2004. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2004. v. PV2004. p. 113-118.
BIASOTTO, C ; MONTE, B ; NELI, Roberto R ; RAMOS, A C S ; DINIZ, José A ; MOSHKALYOV, S A ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Suspended Membranes Made by Silicon Nitride Deposited by ECR-CVD. In: 19th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004, 2004, Porto de Galinhas, Pe. Proc. of the 19th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2004. v. PV2004. p. 119-123.
MESTANZA, S N M ; DIAS, G O ; QUEIROZ, J e C ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Preparation and Characterization of Silicon Nanostructure Obtained by ion Implantation. In: 19th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004, 2004, Porto de Galinhas, Pe. Proc. of the 19th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2004. v. PV2004. p. 169-174.
MESTANZA, S N M ; BIASOTTO, C ; COSTA, A C ; DIAS, G O ; Doi, I. ; DINIZ, José A ; SWART, Jacobus W . High Sensitivity Obtained by Three-Color Detector APS-CMOS Using Antireflective Coating. In: 19th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004, 2004, Porto de Galinhas, Pe. Proc. of the 19th International Symposium on Microelectronics technology and Devices - SBMicro2004. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2004. v. PV2004. p. 201-206.
MANERA, G A ; DINIZ, José A ; MOSHKALYOV, S A ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Silicon Oxynitride Gate-Dielectric Made by ECR Plasma Oxynitridation. In: 19th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004, 2004, Porto de Galinhas, Pe. Proc. of the 19th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2004. v. PV2004. p. 253-258.
SANTOS, Regis e ; Doi, I. ; TEIXEIRA, Ricardo C ; DINIZ, José A ; SWART, Jacobus W ; SANTOS, S. G. . Formation and Stability of Ni(Pt)Si/Poly-Si Layered Structure. In: 19th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004, 2004, Porto de Galinhas, Pe. Proc. of the 19th Int. Symp. on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2004. v. PV2004. p. 259-264.
TEIXEIRA, Ricardo C ; Doi, I. ; DINIZ, José A ; SWART, Jacobus W ; ZAKIA, Maria B P ; SANTOS, S. G. . Characteristics of Polycrystalline Si1-xGex Alloy Deposited in a Vertical LPCVD System. In: 19th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004, 2004, Porto de Galinhas, Pe. Proc. of the 19th Int. Symp. on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2004. v. PV2004. p. 307-311.
REIS, Ronaldo W ; SANTOS FILHO, Sebastião G dos ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Formation of Nickel Silicides onto As-Doped Silicon Using a Thin Pt/Pd Interlayer. In: 19th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004, 2004, Porto de Galinhas, Pe. Proc. of the 19th Int. Symp. on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2004. v. PV2004. p. 357-362.
FIORAVANTE JR, Nemer P ; MANERA, Leandro T ; MOSHKALYOV, S. A. ; DINIZ, José A ; TATSCH, Peter J ; GRADOS, Hugo R J ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Control of Micron and Submicron Feature Dimensions in 2 um resolution photolithographic system for MOS and MEMS Applications. In: 19th International Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004, 2004, Porto de Galinhas, Pe. Proc. of the 19th Int. Symp. on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2004. v. PV2004. p. 369-374.
MANERA, G A ; DINIZ, J A ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Ultra-Thin Silicon Oxynitride Gate-Dielectric Made by ECR Plasmas. In: Internacional Symposium on Advanced Short-Time Thermal Processing for Si-Based CMOS Devices II, 2004, San Antonio, Texas, USA. Proc. of the Int. Symp. on Advanced Short-Time Thermal Processing for Si-Based CMOS Devices II. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2004. v. PV2004. p. 216-221.
MESTANZA, S N M ; JIMENEZ, H G ; SILVA, I F ; DINIZ, J A ; Doi, I. ; SWART, J W . High Performance Active Pixel Sensors Fabricated in a Standard 2.0 um CMOS Technology. In: IEEE Fifth International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems - ICCDCS 2004, 2004, Punta Cana. Proc. 2004, ICCDCS 2004, CD-Rom, IEEE Catalog Number 04TH8783, 2004. v. 2004. p. 276-280.
SCORALICK JÚNIOR, Cleber ; Doi, I. ; TEIXEIRA, Ricardo Cotrin . Stress Analysis of Vertical LPCVD Poly-Si for MEMS Applications. In: Student Forum on Microelectronics 2004 - SFORUM 2004, 2004, Porto de Galinhas, Pe. Proc. of the SBForum 2004, 2004. v. CD Rom. p. 1-2.
MAMEDE, Gabriel L ; OLIVEIRA JÚNIOR, Adeilton C de ; Doi, I. ; DINIZ, José A ; SWART, Jacobus W . Conditioning and Interface Circuits for Thermo-Resistive Temperature Microsensor with Digital Output. In: Student Forum on Microelectronics 2004 - SFORUM 2004, 2004, Porto de Galinhas, Pe. Proc. of the SBForum 2004, 2004. v. CD Rom. p. 1-2.
FELÍCIO, Alexandre Gorni ; DINIZ, José Alexandre ; GODOY FILHO, J. ; Doi, I. ; PUDENZI, M A A ; SWART, Jacobus Willibrordus . The Effect of Nitrogen Concentration at Silicon Oxynitride Gate Insulators Formed by 28N2+ Implantation Into Silicon with Additional Conventional or Rapid Thermal Oxidation. In: 18th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2003, São Paulo-SP. Electrochemical Society Proceedings. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2003. v. PV2003. p. 250-258.
REIS, Ronaldo W ; SANTOS FILHO, Sebastião G dos ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Formation of Nickel Silicides onto (100) Silicon Wafer Surfaces using a Thin Platinun Interlayer. In: 18th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2003, São Paulo-SP. Electrochemical Society Proceedings. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2003. v. PV2003. p. 259-266.
NELI, Roberto R ; Doi, I. ; RIBAS, Renato P ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, Jacobus W . Orientation-Dependent Anisotropic Etching Simulation in Silicon Wafer. In: 18th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2003, São Paulo-SP. Electrochemical Society Proceedings. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2003. v. PV2003. p. 389-397.
MESTANZA, S N N ; MANERA, L T ; SOUZA, A C T de ; SILVA, I F ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Three-Color Detectors for APS-CMOS Image Sensors Employing a Triple Junctions. In: 18th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2003, São Paulo-SP. Electrochemical Society Proceedings. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2003. v. PV2003. p. 428-436.
OLIVEIRA JÚNIOR, Adeilton C ; Doi, I. ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, Jacobus W ; SIMÕES, Eliphas W . Modeling and Simulation of Static Characteristics of a PMOS Compatible Hot Wire Principle-Based Flow Micro-Sensor. In: 18th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2003, São Paulo-SP. Electrochemical Society Proceedings. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2003. v. PV2003. p. 437-444.
NELI, Roberto R ; MELO, Arline M ; ARBEX, Cristiano J N ; ZAKIA, Maria B P ; Doi, I. ; KAUFMANN, Pierre ; SWART, Jacobus W ; MOSCHIM, E. . A Submm-Wave/Far IR Uncooled Bolometer System and Applications. In: International Microwave and Optoelectronics Conference - IMOC 2003, 2003, Fóz do Iguaçu, PR. Proc. of the SBMO/IEEE MTT-S IMOC 2003, IEEE Catalog Number: 03TH8678. Piscataway, NJ, USA: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., 2003. v. V.II. p. 785-789.
SANTOS, R. E. ; Doi, I. ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, Jacobus W ; SANTOS, S. G. . Formation and Characterization of the Ni(Pt)Si and NiSi for MOS Devices Applications. In: 17th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2002, 2002, Porto Alegre, RS. Electrochemical Society Proceedings. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, 2002. v. 2002-8. p. 109-116.
NELI, Roberto Ribeiro ; Doi, I. ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, Jacobus W . Wet Anisotropic Etching Characterization of Crystalline Silicon for Suspended Micro-Mechanical Structure Manufacture. In: 17th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2002, 2002, Porto Alegre, RS. Electrochemical Society Proceedings. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002-8. p. 157-166.
JIMENEZ, H. G. ; MUÑOZ, S. N. M. ; PAVANELLO, M. A. ; SILVA, I. F. ; DINIZ, José Alexandre ; ZAKIA, M. B. ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Development of CMOS-APS Technology. In: 17th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2002, 2002, Porto Alegre, RS. ElectroChemical Society Proceedings. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002-8. p. 223-229.
BARBAOTO, P. R. ; Doi, I. ; FERREIRA, Luiz Otávio Saraiva . A Novel Silicon-Metal Process for MEMS. In: 17th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2002, 2002, Porto Alegre, RS. Electrochemical Society Proceedings. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002-8. p. 367-372.
PEREIRA, M. A. ; DINIZ, José Alexandre ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . LOCOS Isolation Made by Silicon Nitride ECR Plasma Deposition at Room-Temperature. In: 17th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2002, 2002, Porto Alegre, RS. Electrochemical Society Proceedings. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002-8. p. 373-380.
REIS, R. W. ; SANTOS FILHO, Sebastião G dos ; LAGANÁ, A. A. M. ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Formation of Nickel Monosilicide onto (100) Silicon Wafer Surfaces. In: 17th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2002, 2002, Porto Alegre, RS. Electrochemical Society Proceedings. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2002. v. 2002-8. p. 101-108.
PEREIRA, M. A. ; DINIZ, José Alexandre ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Silicon Nitride Deposited by ECR-CVD at Room-Temperature for LOCOS Isolation Technology. In: 11th International Conference on Solid Films and Surfaces, 2002, Marseille, France. Proceedings of 11-ICSFS, paper PII-47, 2002.
BARBAROTO, Pedro Ricardo ; Doi, I. ; FERREIRA, L. O. S. . Si-LIG Process for Inductive Meso Systems. In: 11th International Conference on Solid Films and Surfaces, 2002, Marseille, France. Proceedings of 11-ICSFS, paper PII-58, 2002.
BARBAROTO, Pedro R ; FERREIRA, L. O. S. ; Doi, I. . Micromachined Scanner Actuated by Electromagnetic Induction. In: Optomechatronics Systems III - SPIE, 2002, Stuttgart, Germany. Proceedings of SPIE - Optomechatronic Systems III, 2002. v. 4902. p. 691-698.
MOSHKALYOV, S. A. ; BETANZO, C. R. ; TEIXEIRA, Ricardo Cotrin ; Doi, I. ; ZAKIA, M. B. P. ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, Jacobus W . Etching of Polycrystalline Silicon in SF6 Containing Plasmas. In: SBMicro 2001 - XVI International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001, Pirenópolis-Go. Proc. of the SBMicro 2001 - XVI International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001. p. 208-211.
NOIJE, W. A. M. V. ; SWART, Jacobus W ; SEABRA, A. C. ; VERDONCK, P. ; ZAMBOM, L. S. ; DINIZ, José Alexandre ; Doi, I. ; ZAKIA, M. B. P. ; MANZANO, R. D. ; MOREIRA, L. . Initiatives for Promotion of Microelectronics and Microfabrication at São Paulo State Universities - Brazil. In: Fourteenth Biennial University/Government/Industry Microelectronics Symposium, 2001, Richmond, Virginia, USA. Proc. of the Fourteenth Biennial University/Government/Industry Microelectronics Symposium, 2001. p. 16-19.
GRADOS, H. J. ; PAVANELLO, M. A. ; SWART, Jacobus W ; Doi, I. ; DINIZ, José Alexandre . Project and Development of an Educational CMOS Process. In: XVI - International Conference on Microelectronic and Packing, SBMicro 2001, 2001, Pirenópolis-Go. Proceedings of XVI ICMP/SBMicro 2001. S. Paulo: SBMiicro, 2001. p. 260-263.
TEIXEIRA, Ricardo Cotrin ; Doi, I. ; ZAKIA, M. B. ; SWART, Jacobus W ; DINIZ, José Alexandre . Deposition and Characterization of LPCVD Polycrystalline Silicon. In: XVI Congresso Brasileiro de Engenharia Mecânica - COBEM 2001, 2001, Uberlândia-MG. Anais do XVI Congresso Brasileiro de Engenharia Mecânica - COBEM 2001, 2001. p. 62-70.
BARBAROTO, Pedro Ricardo ; FERREIRA, Luiz Otávio Saraiva ; Doi, I. ; SSWART, J. W. . Determinação da Razão entre as Taxas R{411} e R{100} para Compensação de Cantos Convexos em Corrosão de Silício com KOH. In: XVI Congresso Brasileiro de Engenharia Mecânica - COBEM 2001, 2001, Uberlândia-MG. Anais do XVI Congresso Brasileiro de Engenharia Mecânica - COBEM 2001, 2001. p. 71-74.
DINIZ, José Alexandre ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Characteristics of Silicon Oxynitrides Made by ECR Plasmas. In: The Electrochemical Society 199th Meeting/Sixth International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films, 2001, Washington, DC, USA. Electrochemical Society Proceedings. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2001. v. 2001-7. p. 156-162.
DINIZ, José Alexandre ; GODOY FILHO, J. ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Radiation Hardening of Oxynitrides Formed by Low Energy Nitrogen Implantation into Silicon Prior to Oxidation. In: The Electrochemical Society 199th Meeting/Sixth International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films, 2001, Washington, DC, USA. Electrochemical Society Proceedings. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, Inc, 2001. v. 2001-7. p. 163-171.
DINIZ, José Alexandre ; GODOY FILHO, J. ; ZAKIA, Maria Beny P ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Proton Radiation Hardening of Silicon Oxynitride Gate nMOSFETs Formed by Nitrogen Implantation into Silicon prior to Oxidation. In: 6th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems - RADECS 2001, 2001, Grenoble-França. Proc. RADECS 2001, CD-Rom, IEEE Catalog Nr. 01TH8605C, 2001. p. 229-233.
DINIZ, José Alexandre ; GODOY FILHO, J. ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Proton Irradiation Hardening of Ultra-Thin Silicon Oxynitride Gate Insulator Formed by Nitrogen Implantation into Silicon with Additional Conventional or Rapid Thermal Oxidation. In: MRS - International Workshop on Device Technology - Alternatives to SiO2 as Gate Dielectric for Future Si-Based Microelectronics, 2001, Porto Alegre, RS. Proc. MRS - International Workshop on Device Technology - Alternatives to SiO2 as Gate Dielectric for Future Si-Based Microelectronics, 2001. p. 26-31.
TEIXEIRA, Ricardo Cotrin ; Doi, I. ; ZAKIA, M. B. P. ; SWART, Jacobus W ; DINIZ, José Alexandre . Grain Size Influence on Sheet Resistance of P-and As-Implanted Polycrystalline Silicon Deposited by Vertical CVD Reactor. In: SBMicro 2001 - XVI International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001, Pirenópolis-Go. Proc. of the SBMicro 2001 - XVI International Conference on Microelectronics and Packaging, 2001. p. 215-218.
DANILOV, I. ; RIBAS, R. P. ; Doi, I. ; SWART, Jacobus Willibrordus ; DANILOVA, T. ; LARA, D. S. ; SOTERO, A. P. . Post-Etching Characterization for Front-Side Bilk Micromachining. In: XV SBMICRO,ICMP2000 - International Conference on Microelectronic and Packing, 2000, Manaus-AM. Proceeding of XV CBMICRO-icmp2000, 2000. p. 262-267.
SWART, Jacobus Willibrordus ; Doi, I. ; DINIZ, J A ; DANIEL, G. B. . A New Education Program on Microfabrication at UNICAMP. In: Internacional Conference on Microelectronics and Packaging - ICMP'99, 1999, Campinas, SP. Proceedings of the ICMP'99. São Paulo, SP: Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1999. p. 312-315.
SWART, Jacobus Willibrordus ; Doi, I. ; DINIZ, J A ; DANIEL, G. B. . Hands-on Education Program on Microfabrication at UNICAMP. In: International Conference on Engineering and Computer Education - ICECE'99, 1999, Rio de Janeiro, RJ. Proceedings of the ICECE'99, 1999. p. 325-329.
SWART, Jacobus W ; DINIZ, J A ; Doi, I. ; MORAES, M. A. B. . Modification of the refractive index and the dieletric constant of silicon dioxide by means of ion implantation. In: 10th International Conf. on Radiation Effects in IUnsulators, 1999, Jena. Anais of PREI-10, 1999. p. 171-176.
Doi, I. ; HAGA, M. S. ; NAGAI, Y. E. . Properties of DLC Films Deposited by Oxyacetylene Flame. In: 6th International Conference on New Diamond Science and Technology - ICNDST-6, 1998, Pretória - South Africa. Proc. of the 6th ICNDST, 1998. p. 1682-1685.
PAGAN, C. J. B. ; POMILIO, J. A. ; Doi, I. ; WAKAMATU, G. N. . A Theta-Pinch Laser. In: Symposium in Lasers and Their Applications, 1997, Campinas, SP. Proceedings of the Symposium in Lasers and Their Applications, 1997. v. 1. p. 3-5.
Doi, I. ; BRITO, E. A. ; PAGAN, C. J. B. ; CHANG, D. C. ; BARANAUSKAS, V. . Resultados Preliminares de Deposição de Diamante Sobre Silício Por Chama de Combustão. In: 50 Congresso Anual da Associação Brasileira de Metalurgia e Materiais, 1995, São Pedro, SP. Anais do 50 Congresso Anual da Associação Brasileira de Metalurgia e Materiais - ABM. São Pedro, SP, 1995. p. 517-529.
Doi, I. ; FRANCO, M. K. K. ; BARANAUSKAS, V. ; PETERLEVITZ, A. C. ; CHANG, D. C. ; ALCÓCER, J. C. A. . Crescimento de Diamante a Pressão Sub-Atmosférica Usando Vapor de Compostos Orgânicos Líquidos. In: 50 Congresso Anual da Associação Brasileira de Metalurgia e Materiais, 1995, São Pedro, SP. Anais do 50 Congresso Anual da Associação Brasileira de Metalurgia e Materiais - ABM. São Pedro, SP, 1995. p. 505-515.
Doi, I. ; CHANG, D. C. ; FRANCO, M. K. K. ; BARANAUSKAS, V. ; PETERLEVITZ, A. C. ; ALCÓCER, J. C. A. . Deposição de Filmes de Diamante Policristalino a Partir de Etanol e Acetona. In: Simpósio Nipo-Brasileiro de Ciência e Tecnologia, 1995, Campos do Jordão, SP. Anais do Simpósio Nipo-Brasileiro de Ciência e Tecnologia - Vol. Novos Materiais e Tecnologia de Feixes. Campos do Jordão, SP: Academia de Ciências do Estado de São Paulo, 1995. p. 102-114.
CHANG, D. C. ; Doi, I. ; BARANAUSKAS, V. . Microstructural Investigation of Porous Silicon Depth Profiles by Direct Surface Force Microscopy Etching. In: 1995 Materials Research Society Fall Meeting, 1995, Boston. Proceedings of the 1995 MRS Fall Meeting, Symposium K - Surface/Interface and Stress Effects in Electronic Material Nanostructures. Boston, MA, USA: Materials Research Society, 1995.
Doi, I. ; SOUZA, J. D. F. ; BARANAUSKAS, V. . Influences of CnH and Cn Species In Diamond Films Growth On Silicon Substrate. In: 1995 Materials Research Society Fall Meeting, 1995, Boston. Proceedings of the 1995 MRS Fall Meeting, Symposium DD - Diamond for Electronic Applications. Boston, MA, USA, 1995. v. 1.
PAGAN, C. J. B. ; Doi, I. ; BASTOS, L. L. ; LOBOSCHI, E. ; SANTOS, P. S. ; PARIZOTTO, N. . Estudos de Potenciais Evocados Somatosensoriais Causados por Estimulação Laser. In: VI Simpósio Estadual de Laser e Aplicações, 1994, São Carlos - SP. Anais do VI Simpósio Estadual de Laser e Aplicações. São Carlos, SP, 1994. p. 85-87.
PAGAN, C. J. B. ; Doi, I. ; WAKAMATU, G. N. ; DAVOGLIO, A. F. R. . Laser de Argônio Excitado por Descarga Tipo Theta-Pinch. In: VI Simpósio Estadual de Laser e Aplicações, 1994, São Carlos, SP. Anais do VI Simpósio Estadual de Laser e Aplicações. São Carlos, SP, 1994. p. 175-178.
Doi, I. ; FRANCO, M. K. K. ; PETERLEVITZ, A. C. ; ALCÓCER, J. C. A. ; CHANG, D. C. ; CARNEVALLI, A. ; RODRIGUES, C. R. ; AIROLDI, V. J. T. ; BARANAUSKAS, V. . Espectroscopia de Tunelamento Eletrônico de Filmes de Diamante Dopado. In: XI Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência dos Materiais, 1994, Águas de São Pedro, SP. Anais do XI Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência dos Materiais - CBECIMAT. Águas de S. Pedro, SP, 1994. p. 663-665.
BARANAUSKAS, V. ; AIROLDI, V. J. T. ; RODRIGUES, C. R. ; PETERLEVITZ, A. C. ; Doi, I. . Investigation of the Nucleation of Diamond Films on Siliconb by Atomic Force Microscopy. In: 2nd International Symposium on Diamond Films (ISDF2) and NATO Workshop on Wide Band Gap Electronic Materials, 1994, Minsk. Proceedings of the 2nd Intern. Symposium on Diamond Films (ISDF2). Minsk, Belarus, 1994. v. 1.
HONDA, R. Y. ; Doi, I. ; MACHIDA, M. ; KAYAMA, M. . Otimização do Sistema Crowbar do TC-1 Unicamp. In: I Congresso Brasileiro de Física dos Plasmas, 1991, Santos - SP. Anais do I Congresso Brasileiro de Física dos Plasmas. Santos, SP, 1991. p. 231-235.
ARAMAKI, E. A. ; Doi, I. ; MACHIDA, M. ; HONDA, R. Y. ; E DOI, I. BERNI L . Influência de Sondas Internas na Configuração a Campo Reverso. In: I Congresso Brasileiro de Física dos Plasmas, 1991, Santos - SP. Anais do I Congresso Brasileiro de Física dos Plasmas. Santos, SP, 1991. p. 145-149.
BALDAN, C. A. ; Doi, I. . Dimensionamento Elétrico e Mecânico de Magnetos Supercondutores. In: III Congresso Latino Americano de Automatica, 1988, Vinã del Mar. Anais do III Congresso Latino Americano de Automatica. Vinã del Mar, Chile, 1988. p. 331-336.
ANDRADE, M. T. O. ; Doi, I. . Filosofia de Carregamento em Transformadores de Potência. In: Simpósio Nacional de Produção e Transmissão de Energia Elétrica - SNPTEE, 1987, Belo Horizonte - MG. Anais do IX Simpósio Nacional de Produção e Transmissão de Energia Elétrica. Belo Horizonte, MG, 1987.
MIELE, A. C. ; Doi, I. . Desenvolvimento de um Gerador de Impulso de 10 kV, 1000J. In: IV Congresso Brasileiro de Energia, 1987. Anais do IV Congresso Brasileiro de Energia. Rio de Janeiro, RJ. p. 798-807.
Doi, I. . Origem e Efeitos de Transitórios Eletromagnéticos em Equipamentos Eletrônicos e Aparelhos Correlatos. In: I Encontro Nacional sobre Técnicas de Ensaios Elétricos de Alta Tensão, 1987. Anais do I Encontro Nacional sobre Técnicas de Ensaios Elétricos de Alta Tensão. São Paulo, SP.
DIB, W. M. ; Doi, I. ; OLIVEIRA, J. C. . Estudos de Sobretensões em Sub-Estações SF6 e sua Comparação com as Convencionais. In: Simpósio Nacional de Produção e Transmissão de Energia Elétrica, 1986, São Paulo - SP. Anais do VIII Simpósio Nacional de Produção e Transmissão de Energia Elétrica. São Paulo, SP, 1986.
Doi, I. . Equipamentos Geradores de Surto Para Ensaios Em Componentes de Proteção Elétrica. In: Encontro Nacional sobre Proteção Elétrica, 1986, Brasília - DF. Anais do II Encontro Nacional sobre Proteção Elétrica. Brasília, DF, 1986. p. 47-59.
P FILHO, J. ; Doi, I. ; ROSSI, J. A. D. . Estudos do Fator de Utilização (Relação de Schwaiger) do Sistema Esfera-Placa com Dois Dielétricos. In: Seminário sobre Cálculo de Campos Elétricos com Métodos Numéricos, 1985, Santo André - SP. Anais do Seminário sobre Cálculo de Campos Elétricos com Métodos Numéricos. Santo André, SP, 1985. p. 122-137.
Doi, I. . Equipamentos para Ensaios e Simulação em Proteção Elétrica. In: I Simpósio Internacional sobre Novas Tecnologias em Redes Telefonicas, 1985. Anais do I Simpósio Internacional sobre Novas Tecnologias em Redes Telefonicas. Campinas, SP. p. 116-128.
Doi, I. ; MASUDA, S. ; HATTORI, I. ; SHIBUYA, A. . Utility Limit And Mode Of Back Discharge In Bias-Controlled Pulse Charging System.. In: 1977 Annual Meeting of Institute of Electrical and Electronic Engineering - Industrial Application Society, 1977. Proceeding of the Institute of Electrical and Electronic Engineering - Industrial Application Society 1977 Annual Meeting. Los Angeles, CA, USA. p. 875-881.
Doi, I. ; MASUDA, S. ; HATTORI, I. ; SHIBUYA, A. . Back Discharge Phenomena In Bias-Controlled Pulse Charging System.. In: 4th International Clean Air Congress, 1977. Proceeding of the 4th International Clean Air Congress. Tokyo, Japan.
Doi, I. ; MASUDA, S. ; Performance Of Bias-Controlled Pulse Charging System For An Electrostatic Precipitator. In: 1977 Conference of Electrostatic Society of Japan, 1977. Proceeding of 1977 Conference of Electrostatic Society of Japan. Tokyo, Japan. p. 42-45.
Doi, I. ; MASUDA, S. ; Mode And Characteristics Of Back Discharge Phenomena In Electrostatic Precipitator. In: 1977 General Conference of the Institute of Electrical Engineering of Japan, 1977. Proceeding of the 1977 General Conference of the Institute of Electrical Engineering of Japan. Tokyo, Japan. p. 79-80.
Doi, I. ; MASUDA, S. ; Bias-Controlled Pulse Charging System For An Electrostatic Precipitator - Current Density Distribution Of Ac Voltage Application I. In: 1976 General Conference of Institute of Electrical Engineering of Japan, 1976. 1976 Proceeding of General Conference of Institute of Electrical Engineering of Japan. Tokyo, Japan. p. 469-470.
Doi, I. ; MASUDA, S. ; Bias-Controlled Pulse Charging System For An Electrostatic Precipitator - Current Density Distribution And Its Characteristics For Ac Voltage Application. In: 21st Annual Meeting of the Electrostatic Group - Institute of Polymer Science, 1976. Proceeding of 21st Annual Meeting of the Electrostatic Group of the Institute of the Polymer Science. Tokyo, Japan. p. 47-49.
Doi, I. ; MASUDA, S. ; AOYAMA, M. ; SHIBUYA, A. . Ep-Es Type Precipitator And Bias-Controlled Pulse Charging System. In: 1975 International Conference on Electrostatics, 1975. Proceeding of the 1975 International Conference on Electrostatics. Ann Arbor, Mi, USA. p. 275-279.
Doi, I. ; MASUDA, S. ; Basic Characteristics Of Bias-Controlled Pulse Charging System. In: 20th Annual Meeting of the Electrostatic Group of Institute of Polymer Science, 1975. Proceeding of the 20th Annual Meeting of the Electrostatic Group of Institute of Polymer Science. Tokyo, Japan. p. 61-63.
Doi, I. ; MASUDA, S. ; AOYAMA, M. ; SHIBUYA, S. . Bias-Controlled Pulse Charging System For An Electrostatic Precipitator. In: International Conference on "Dusts and Gases at Working Place", 1975. Proceeding of the International Conference on "Dusts and Gases at Working Place". Bonn, Bad-Godesberg, W. German. p. 62-65.
Doi, I. ; MASUDA, S. ; Static Characteristics For The Bias-Controlled Pulse Charging System. In: 1975 General Conference of the Institute of Electrical Engineering of Japan, 1975. Proceeding of the 1975 General Conference of the Institute of Electrical Engineering of Japan. Tokyo, Japan. p. 97-98.
Mederos, M. ; MESTANZA, S. N. M. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. . Study of Structural and Optical Properties of Germanium Nanoparticles Embedded in SiO2 Matrix. In: E-MRS 2012 Fall Meeting, 2012, Varsóvia. Program & Abstracts E-MRS 2012 Fall Meeting, paper E-41, 2012. p. 1-1.
Mederos, M. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. ; MESTANZA, S. N. M. . Optical Properties of SiGe Nanoparticles Grown by LPCVD. In: XI Braziliam Materials Research Society Meeting, 2012, Florianópolis-SC. Proc. of the XI Braziliam Materials Research Society Meeting, paper PS-FL57, 2012. p. 1-1.
CIOLDIN, F. H. ; DOI, I. ; Lima, L.P.B. ; DINIZ, J. A. ; GODOY FILHO, J. ; ZAMBOTTI, E. A. . Characterization of Silicon Oxide Obtained by Reactive Magnetron Sputtering. In: XI Braziliam Materials Research Society Meeting, 2012, Florianópolis-SC. Proc. of the XI Braziliam Materials Research Society Meeting, paper PS-FL68, 2012. p. 1-1.
Mederos, M. ; MESTANZA, S N M ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. . Influence of the time of exposure of the Germanic in the growth of Ge nanocrystals on Si nuclei using the technique of LPCVD. In: E-MRS 2012 Spring Meeting, 2012, Strasbourg, France. Program & Abstracts E-MRS 2012 Spring Meeting, paper L8P-20, 2012. p. 1-1.
SILVA, C. C. C. E. ; SOUZA, J. F. ; DOI, I. ; DINIZ, José A ; KUBOTA, L. T. . Wafer-scale Fabrication and Characterization of Chemiresistors Based on Multiwalled Carbon Nanotubes Networks. In: MRS 2012 Fall Meeting, 2012, Boston. Program and Abstracts MRS 2012 Fall Meeting, paper W3.41, 2012. p. 1-1.
SOUZA, J. F. ; MOREIRA, M. A. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. ; Tatsch, P. J. . Preparation and characterization of high-k Aluminum nitride (AlN) thin film for sensors and integrated circuits applications. In: 13th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces ? ICFSI-13, 2011, Prague. Book of Program and Abstracts, Paper 17763, 2011. p. 1-1.
LIMA, L. P. B. ; MOREIRA, M. A. ; DINIZ, J. A. ; DOI, I. . Titanium Nitride Deposited by DC Sputtering for MOS Gate Electrode Application. In: 13th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces ? ICFSI-13, 2011, Prague. Book of Program and Abstracts, Paper 17657, 2011. p. 1-1.
SOUZA, J. F. ; MOREIRA, M. A. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. ; Tatsch, P. J. . Preparation and characterization of high-k tantalum pentoxide (Ta2O5) thin film for sensors and integrated circuits applications. In: 24th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors - ICANS24, 2011, Nara. Program & Abstract Book of ICANS24, paper P2-45, 2011. v. 1. p. 282-282.
Mederos, M. ; MESTANZA, S. N. M. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. . Influence of Deposition Rate on the Optical Properties of Si(1-x)Ge(x) Thin Films Obtained by LPCVD. In: Xth Braziliam Materials Research Society Meeting, 2011, Gramado-RS. Proc. of the Xth Braziliam Materials Research Society Meeting, paper SP1-C23, 2011. p. 1-1.
SOUZA, J. F. ; MOREIRA, M. A. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. ; Tatsch, P. J. . Growth and characterization of TiO2 thin films prepared by DC reactive magnetron sputter at room temperature. In: Xth Brasiliam Materials Research Society Meetin, 2011, Gramado-RS. Proc. of the Xth Braziliam Materials Research Society Meeting, paper SP1-C9, 2011. p. 1-1.
Lima, L.P.B. ; DINIZ, J. A. ; RADTKE, C. ; DOI, I. ; Miyoshi, J. ; Silva, A.R. ; GODOY FILHO, J. . XPS Analyses and Work Function Extraction of Titanium Nitride Electrodes for MOS Technology and Schoktty Diode. In: 28th Annual Advanced Metallization Conference 2011 - AMC 2011, 2011, San Diego, Ca, USA. Book of Abstracts AMC 2011, paper 43, 2011. p. 1-1.
MOREIRA, M. A. ; SOUZA, J. F. ; DOI, I. . Electrical characterization and morphological properties of AlN films prepared by dc reactive magnetron sputtering. In: International Conference on Materials for Advanced Metallization - MAM 2010, 2010, Mechelen, Belgium. MAM 2010, Book of Abstract, Ref.2010-12-Moreira, 2010. p. 1-2.
MOREIRA, M. A. ; DOI, I. ; SOUZA, J. F. ; DINIZ, J A . Electrical Properties of AlN MIS Capacitors Prepared by DC Reactive Magnetron Sputtering Technique. In: International Conference on Electronic Materials 2010 - ICEM 2010, 2010, KINTEX, GyeongGi-Do, Korea. IUMRS-ICEM2010, Book of Program and Abstracts, Ref. D3-3. Seoul, Korea: IUMRS-ICEM 2010, 2010. p. 1-2.
LIMA, L. P. B. ; MOREIRA, M. A. ; DINIZ, J. A. ; DOI, I. . Titanium Nitride as Promissing Gate Electrode for CMOS Technology and for 3D Transistors. In: International Conference on Electronic Materials 2010 - ICEM 2010, 2010, KINTEX, GyeongGi-Do, Korea. IUMRS-ICEM2010, Book of Program and Abstracts, Ref.B4-4. Seoul, Korea: IUMRS-ICEM2010, 2010. p. 1-2.
LIMA, L. P. B. ; DINIZ, J. A. ; DOI, I. ; G. FILHO, J. . Titanium nitride as electrode for MOS Technology and Schoktty Diode. In: Advanced Metallization Conference 2010, 2010, Albany, NY, USA. Book of Abstracts AMC2010, paper 37, 2010. p. 1-2.
Miyoshi, J. ; LIMA, L. P. B. ; DINIZ, J. A. ; CAVARSAN, F A ; DOI, I. ; GODOY FILHO, J . TiN/Titanium?Aluminum Oxynitride /Si as new gate structure for 3D MOS Technology. In: Advanced Metallization Conference 2010, 2010, Albany, NY, USA. Book of Abstracts AMC 2010, paper 44, 2010. p. 1-2.
Miyoshi, J. ; DINIZ, J. A. ; DOI, I. ; de Barros, A. D. ; Von Zuben, A. A. G. . Titanium-Aluminum Oxynitride (TAON) as High-k Gate Dielectric for Sub-32 nm CMOS Technology. In: International Conference on Materials for Advanced Metallization, MAM 2009, 2009, Grenoble, France. MAM 2009, Book of Abstracts, Ref. 01-06, 2009. p. 43-44.
de Barros, A. D. ; Miyoshi, J. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. . Thin Titanium Oxide Films Deposited by E-Beam Evaporation with Additional Rapid Thermal Oxidation and Annealing for ISFET Application. In: International Conference on Materials for Advanced Metallization, MAM 2009, 2009, Grenoble, France. MAM 2009, Book of Abstracts, Ref. P7-03, 2009. p. 213-213.
ATAYDE, C. M. ; I. Doi . Highly stable hydrophilic surfaces of PDMS thin layer obtained by UV radiation and oxygen plasma treatments. In: 12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, 2009, Weimar. Abstract-Book of 12th ICFSI. Chemnitz, Germany: Chemnitz University of Technology, 2009. p. 474-474.
JIMENEZ, H. G. ; MANERA, L T ; Rautemberg, M. F. ; DINIZ, J. A. ; I. Doi ; Tatsch, P. J. ; Figueroa, H. E. ; SWART, J. W. . The influence of Poly-Si/SiGe Gate in CMOS Transistors for RF and Microwave circuit applications. In: 12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, 2009, Weimar. Abstract-Book of 12th ICFSI. Chemnitz, Germany: Chemnitz University of Technology, 2009. p. 214-214.
JIMÉNEZ, H G ; Manera, L. T. ; Wada, R. ; Diniz, J.A. ; I. Doi ; Tatsch, P. J. ; Figueroa, H. E. ; SWART, J. W. . Low Frequency Noise (1/f ) Improvements on CMOS Transistors with a Single n+ Doped Poly Si-SiGe Gate Stack. In: 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, SSDM 2009, 2009, Sendai, Miyagi, Japan. Extended Abstracts of the 2009 Int. Conf. Solid State Devices and Materials. Tokyo, Japan: The Japan Society of Applied Physics, 2009. v. 1. p. 418-419.
MESTANZA, Segundo Nilo M ; R. S. Moreira ; Rodirguez, E. ; Doi, Ioshiaki ; Frateschi, N. C. . Influence of the SiO2 Functionalization on the Growth of Ge Nanostructures by LPCVD. In: VII Encontro SBPMat, SBPMat 2008, 2008, Guarujá-SP, Brazil. Anais do SBPMat 2008, Resumos ref. G875. São Paulo-SP: SBPMat, 2008. p. 1-1.
MESTANZA, Segundo Nilo M ; Duft, F. ; Rocha, A. C. G. ; Rodirguez, E. ; Doi, Ioshiaki ; DINIZ, José Alexandre . Influence of the Process Parameters in the Luminescence of Si-nanostructures Obtained by Ion Implantation. In: VII Encontro SBPMat, SBPMat 2008, 2008, Guarujá-SP, Brazil. Anais do SBPMat 2008, Resumo ref. G773. São Paulo-SP: SBPMat, 2008. p. 1-1.
Marcos Eleotério ; Doi, Ioshiaki ; Figueroa R. ; DINIZ, José Alexandre . Thermal Degradation of NiPt Germanosilicide Films Formed on Undoped and Doped SiGe Substrates. In: XXIX CBrAVIC, 2008, Joinville-SC. Anais do XXIX CBrAVIC, Resumo ref. 125. São Paulo-SP: SBV, 2008. p. 1-1.
Figueroa R. ; Doi, Ioshiaki ; DINIZ, José Alexandre . Physical Properties of (Al-Si-Cu)-N Thin Films Deposited by DC Reactive Magnetron Sputtering. In: XXIX CBrAVIC, 2008, Joinville-SC. Anais do XXIX CBrAVIC, Resumo ref. 124. São Paulo-SP: SBV, 2008. p. 1-1.
dos Anjos, A. M. P. ; Doi, Ioshiaki ; DINIZ, José Alexandre . Raman Characterization of SiGe Nanostructures Formed by Rapid Thermal Annealing. In: 14th International Conference on Solid Films and Surfaces, ICSFS-14, 2008, Dublin, Ireland. ICSFS-14, Programme & Book of Abstracts, Ref. Wed-P-43,, 2008. p. 352-353.
Figueroa R. ; Doi, Ioshiaki ; Cruz, Tersio G. S. ; Lourenço, A. . Deposition of WO3 in Oblique Angle - Growth and Electrochemical Behavior. In: 14th International Conference on Solid Films and Surfaces, ICSFS-14, 2008, Dublin, Ireland. ICSFS-14, Programme & Book of Abstracts, Ref. Wed-P-44, 2008. p. 353-354.
dos Anjos, A. M. P. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. . Structural Characterization of SiGe Nanoclusters Formed by Rapid Thermal Annealing. In: Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces - ISCSI-V, 2007, Hachioji, Tokyo, Japan. ISCSI-V, Book of Extended Abstracts & Program. Tokyo, Japan: JSPS, 2007. v. 1. p. 89-90.
Manera, L. T. ; Zoccal, L. B. ; DINIZ, J. A. ; Tatsch, P. J. ; DOI, I. . Surface Passivation of InGaP/GaAs HBT using Silicon Nitride Film Deposited by ECR-CVD Plasma. In: Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, ISCSI-V, 2007, Hachioji, Tokyo, Japan. ISCSI-V, Book of Extended Abstracts & Program. Tokyo, Japana: JSPS, 2007. v. 1. p. 185-186.
dos Anjos, A. M. P. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. . Raman Characterization of SiGe Nanostructures. In: 6th Brazilian MRS Meeting, 2007, Natal. SBPMat2007, CD-rom, paper D649, 2007. v. 1. p. 1-1.
Figueroa R. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. . Morphological and Optical Properties of DC Sputtered (Al-Si-Cu)-N Films. In: 6th Brazilian MRS Meeting, 2007, Natal. SBPMat2007, CD-rom, paper E529, 2007. v. 1. p. 1-1.
MESTANZA, S. N. M. ; DOI, I. ; Rodriguez, E. ; Garcia-Flores, A. F. ; Frateschi, N. C. . Synthesis and Characterization of Germanium Nanocrystallites Grown on Silicon Nuclei on Ultra-Thin Oxides by LPCVD. In: 6th Brazilian MRS Meeting, 2007, Natal. SBPMat2007, CD-rom, paper D615, 2007. v. 1. p. 1-1.
Doi, I. ; FLACKER, Alexander ; ZAMBOTTI, Eduardo A ; ATIZANI, Fernanda C A ; BARBIERI, Raphael O ; SWART, Jacobus W . Adaptação de um Equipamento de Vácuo Industria (Pulverização Cadódica) para Aplicação e Pesquisa. In: XXVII Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - XXVII CBRAVIC, 2006, Itatiba, SP. Resumos XXVII CBRAVIC, Resumo PI-37. Campinas, SP: SBV, 2006.
TEIXEIRA, Ricardo C ; Doi, I. ; DINIZ, José A ; SWART, Jacobus W ; ZAKIA, Maria B P . Structural and Surface Properties of SiGe Thin Films obtained by Reduced Pressure CVD. In: 13th International Conference on Solid Films and Surfaces, ICSFS-13, 2006, San Carlos de Bariloche, Ar,. Book of Program & Abstracts, paper PI-11, 2006. v. 1. p. 1-1.
RAMOS, A C S ; DINIZ, José A ; PUDENZI, M A A ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Aluminum Oxynitride Gate pMOSFET Formed by Sputtering DC Deposition in Nitrogen Ambient with Additional Rapid Thermal Oxidation and Annealing. In: 13th International Conference on Solid Films and Surfaces, ICSFS-13, 2006, San Carlos de Bariloche, Ar,. Book of Program & Abstracts, paper PI-73, 2006. v. 1. p. 1-1.
DINIZ, José A ; MOSHKALYOV, S A ; MANERA, G A ; SANTOS, Regis e dos ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . High K Titanium-Silicon Oxynitride Gate Dielectric Film. In: 13th International Conference on Solid Films and Surfaces, ICSFS-13, 2006, San Carlos de Bariloche, Ar,. Book of Programs & Abstracts, paper PI-74, 2006. v. 1. p. 1-1.
Doi, I. ; TEIXEIRA, Ricardo C ; SANTOS, Regis e ; DINIZ, José A ; SWART, Jacobus W ; SANTOS FILHO, Sebastião G dos . Thermal Stability of Ni(Pt) Silicide Films Formed on Poly-Si. In: The European Workshop Materials for Advanced Metallization 2005 - MAM 2005, 2005, Dresden. MAM 2005 - Book of Abstracts, 2005. p. 147-148.
NELI, Roberto Ribeiro ; Doi, I. ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, Jacobus W . Process Development for Far Infrared Sensor Fabrication. In: EUROSENSORS XIX, 2005, Barcelona, Spain. Proc. of the Eurosensors XIX, paper WPb23, 2005. v. II(W). p. 1-2.
OLIVEIRA JÚNIOR, Adeilton C ; Doi, I. ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, Jacobus W . Thermo-Electrical Characterization of Polysilicon Hot-Wire Flow Microsensors. In: EUROSENSORS XIX, 2005, Barcelona, Spain. Proc. of the Eurosensors XIX, paper WPb24, 2005. v. II(W). p. 1-2.
NELI, Roberto Ribeiro ; Doi, I. ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, Jacobus W . Process Development for Far Infrared Sensor Fabrication. In: EUROSENSORS XIX, 2005, Barcelona, Spain,. Proc. of the EUROSENSORS XIX, paper WPb23, 2005. v. CD Rom. p. 1-4.
Doi, I. ; OLIVEIRA JÚNIOR, Adeilton C ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, Jacobus W . Thermo-Electrical Charcterization of Polysilicon Hot-Wire Flow Microsensors. In: EUROSENSORS XIX, 2005, Barcelona, Spain,. Proc. of the EUROSENSORS XIX, paper WPb24, 2005. v. CD Rom. p. 1-4.
COTRIN, R C ; Doi, I. ; ZAKIA, M B P ; DINIZ, J A ; SWART, J W . Surface Analysis of Polycrystalline SiGe Thin Films by AFM. In: XXVI Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - XXVI CBRAVIC, 2005, Londrina, PR. Resumos do XXVI CBRAVIC. Campinas, SP: SBV, 2005. p. 1-1.
BIASOTTO, C ; BOSCOLI, F. A. ; TEIXEIRA, R. C. ; DINIZ, J. A. ; DALTRINI, A. M. ; MOSHKALYOV, S A ; DOI, I. . Silicon Oxide Deposition by ECR Plasma for MEMS Applications. In: DPS 2005 - 5th International Symposium on Dry Process, 2005, Jeju, South Korea. Book of Abstracts of DPS 2005, 2005. v. 1. p. 383-384.
BIASOTO, C ; DINIZ, J. A. ; DALTRINI, A. M. ; MOSHKALYOV, S. A. ; DOI, I. . Suspended Silicon Oxynitride Structures Fabricated by ECR Plasma and Wet Etching. In: DPS 2005 - 5th International Symposium on Dry Process, 2005, Jeju, South Korea. Book of Abstracts of DPS 2005, 2005. v. 1. p. 387-388.
ZOCCAL, L B ; DINIZ, J. A. ; DOI, I. ; Swart, J. W. ; DALTRINI, A. M. ; MOSHKALYOV, S. A. . The Efficacy of ECR-CVD Silicon Nitride Passivation in InGaP/GaAs HBTs. In: DPS 2005 - 5th International Symposium on Dry Process, 2005, Jeju, South Korea. Book of Abstracts of DPS 2005, 2005. v. 1. p. 335-336.
MANERA, G A ; DINIZ, José A ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Ultra-Thin Silicon Oxynitride Gate-Dielectric Made by ECR Plasmas. In: 205th Meeting of Electrochemical Society, 2004, San Antonio, Texas, USA. Proc. of the 205th Meeting of ECS. Pennington, New Jersey, USA: The Electrochemical Society, Inc., 2004. v. Abs. p. 262-262.
TEIXEIRA, Ricardo Cotrin ; Doi, I. ; DINIZ, José Alexandre ; ZAKIA, Maria Beny P ; SWART, Jacobus W . XRD Study of High Temperature Si-poly Structures Deposited in Vertical LPCVD. In: XXIV Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência, 2003, Bauru-SP. XXIV CBrAVIC - Programa Oficial - Resumos de Trabalhos, 2003. p. 107-107.
TEIXEIRA, Ricardo Cotrin ; Doi, I. ; DINIZ, José Alexandre ; ZAKIA, Maria Beny P ; SWART, Jacobus W . Deposition Rate of Si-poly Obtained in Vertical CVD at Reduced Pressure. In: XXIV Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência, 2003, Bauru-SP. XXIV CBrAVIC - Programa Oficial - Resumos de Trabalhos, 2003. p. 108-108.
SANTOS, Regis Eugenio dos ; Doi, I. ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, Jacobus W ; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos . Investigation of Ni Silicides Formation on (100) Si by X-Ray Diffraction (XRD). In: XXIV Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência, 2003, Bauru-SP. XXIV CBrAVIC - Programa Oficial - Resumos de Trabalhos, 2003. p. 119-119.
Mederos, M. ; MESTANZA, S. N. M. ; DOI, I. ; Diniz, J.A. . Influence of the Deposition Time in Optical and Electric Characteristics of Ge Nanoparticles Grown in SiO2 by LPCVD Technique. In: AVS 61st International Symposium and Exhibition, 2014, Baltimore. Book of Program & Abstracts, paper 2D-ThP, pg.239, 2014. p. 1-1.
MEDEROS, M. ; MESTANZA, S. N. M. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. . Effects of Different Functionalization Times of SiO2 Surface in the Formation of Ge Nanoparticles over SiO2 by LPCVD Technique. In: 14th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, ICFSI-14, 2013, Gyeongju, South Korea. Book of Abstracts of ICFSI-14, paper TuA-3-PS07, 2013. p. 40-40.
SOUZA, J. F. ; DOI, I. ; DINIZ, J. A. ; Tatsch, P. J. . Preparation and Characterization of High-k Tantalum Oxide Thin Films for Sensors and Silicon Devices Applications. In: 14th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, ICFSI-14, 2013, Gyeongju, South Korea. Book of Abstracts of ICFSI-14, paper TuA-3-PS48, 2013. p. 60-60.
SANTOS, R e dos ; Doi, I. ; TEIXEIRA, R C ; DINIZ, J A ; SWART, J W ; SANTOS FILHO, S G dos . Influence of silicidation temperature on the Ni(Pt) silicide stability studied by AFM and SEM measurements. In: 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-12, April 4-8, 2005, S. J. dos Campos,. Book of Program and Abstracts, paper Th064, 2005.
TEIXEIRA, R C ; Doi, I. ; DINIZ, J A ; SWART, J W ; ZAKIA, M B P . Morphological study of polycrystalline SiGe alloy deposited by vertical LPCVD. In: 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-12, April 4-8, 2005, S. J. dos Campos,. Book of Program and Abstracts, paperTh070, 2005.
DIAS, G O ; MESTANZA, S N M ; QUEIROZ, J e C ; MARINS, e S V P ; Doi, I. ; SWART, J W ; RODRIGUES, e . Influence of post-annealing time in gas passivation on the photoluminescence spectral emission of silicon nanaostructure embedded in SiO2.. In: 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-12, April 4-8, 2005, S. J. dos Campos. Book of Program and Abstracts, paper Th040, 2005.
MARINS, e S V P ; MESTANZA, S N M ; Doi, I. ; TEIXEIRA, Ricardo Cotrin ; DIAS, G O ; QUEIROZ, J e C ; SWART, Jacobus W ; TEJERO, D C B ; TESSLER, L R . Formation of nanometer silicon dots with germanium core by low pressure chemical vapor deposition.. In: 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-12, April 4-8, 2005, S. J. dos Campos. Book of Program and Abstracts, paper Th046, 2005.
MESTANZA, S N M ; DIAS, G O ; QUEIROZ, J e C ; MARINS, e S V P ; Doi, I. ; SWART, J W . Structural and Optical Characterization of Silicon Nanocrystals in SiO2, SiOx and SiOxNy matrices. In: XXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2004, Poços de Caldas, MG. Proc. of the XXVII ENFMC, paper P236. S. Paulo, SP: Sociedade Brasileira de Física, 2004. v. Resumo. p. 303-304.
Doi, I. ; TEIXEIRA, R C ; SANTOS, R e ; DINIZ, José A ; HAYASHI, M ; SWART, Jacobus W ; SANTOS FILHO, S G . Phase Shift of Ni and Ni(Pt) Silicides by XAFS Measurements. In: 16th International Vacuum Congress, 2004, Veneza. Proc. of the IVC-16, CD-Rom, paper EM-TuA3, 2004. v. Book 1. p. 234-234.
TEIXEIRA, R C ; Doi, I. ; SCORALICK JR, Cleber ; DINIZ, José A ; ZAKIA, Maria B P ; SWART, Jacobus W . Stress Analysis of Rapid Thermal Annealed Polycrystalline Silicon Thin Films Deposited by Reduced Pressure Vertical CVD. In: 16th International Vacuum Congress, 2004, Veneza, Itália. Proc. of the 16th IVC, CD-Rom, paper TF+SE-ThM5, 2004. v. Book 1. p. 598-598.
MESTANZA, S N M ; DIAS, G O ; QUEIROZ, J e C ; Doi, I. ; SWART, J W ; RODRIGUES, e ; NEVES, A A R ; MARTINHO, H . Fabrication and Characterization of Si nanocrystals grown by ion implantation in SiO2 and SiOxNy. In: 16th International Vacuum Congress, 2004, Veneza, Itália. Proc. of the IVC-16, CD Rom, paper TuP242, 2004. v. Book 2. p. 332-332.
FINARDI, M R ; Doi, I. ; TEIXEIRA, R C ; DINIZ, J A ; SWART, J W ; CANESQUI, M A . Differences in Wet Isotropic Etching - NH4OH and Wet Anisotropic Etchings Based on NH4OH, KOH, KOH+2-Propanol and TMAH for Silicon Micromachining Technology. In: 16th International Vacuum Congress, 2004, Itália, Veneza,. Proc. of the IVC-16, CD Rom, paper TuP426, 2004. v. Book 2. p. 590-590.
NELI, Roberto R ; Doi, I. ; GODOY FILHO, J ; DINIZ, José A ; SWART, Jacobus W . Deposition and Characterization of Gold for Micromachined Bolometers Utilized as Detector of Infrared Radiation. In: 16th International Vacuum Congress, 2004, Veneza, Itália. Proc. of the IVC-16, CD Rom, paper ThP716, 2004. v. Book 2. p. 953-953.
MESTANZA, S N M ; QUEIROZ, J e C ; DIAS, G O ; MARINS, e S V ; Doi, I. ; SWART, J W ; RODRIGUES, e ; GAZOTO, A L ; MARTINHO, H . Capacitance-Voltage Characteristics in Metal Oxide Semiconductor Structure Containing Nanostructure of Silicon. In: III Encontro da Soc. Bras. Pesq. em Materiais - III SBPMat, 2004, Fóz de Iguaçu, PR. Proc. of the III SBPMat, Book of Abstracts, paper A-037, 2004. p. 28-28.
TEIXEIRA, Ricardo C ; Doi, I. ; DINIZ, José A ; SWART, Jacobus W ; ZAKIA, Maria B P . Deposition of Polycrystalline Si(1-x)Ge(x) Alloy Using Vertical LPCVD System. In: III Encontro da Soc. Bras. Pesq. em Materiais - III SBPMat, 2004, Fóz de Iguaçu, PR. Proc. of the III SBPMat, Book of Abstracts, paper A-P-101, 2004. p. 74-74.
MESTANZA, S N M ; MARINS, e S V ; DIAS, G O ; QUEIROZ, J e C ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W ; TESLER, L R ; MARTINHO, H ; TEJERO, D C B ; TEIXEIRA, Ricardo C . Fabrication and Characterization of Silicon Nanostructures with a Core Germany by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD). In: III Encontro da Soc. Bras. Pesq. em Materiais - III SBPMat, 2004, Fóz de Iguaçu, PR. Proc. of the III SBPMat, Book of Abstracts, paper A-P-110, 2003. p. 78-78.
MESTANZA, S N M ; QUEIROZ, J e C ; DIAS, G O ; MARINS, e S V P ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W ; RODRIGUES, e ; MARTINHO, H ; GAZOTO, A L . The Influence of the Phosphorus-Doped in Silicon Nanostrucutre Fabricated by Ion Implantation. In: III Encontro da Soc. Bras. Pesq. em Materiais - III SBPMat, 2004, Fóz de Iguaçu, PR. Proc. of the III SBPMat, Book of Abstracts, paper A-P-111, 2004. p. 79-79.
MESTANZA, S N M ; DIAS, G O ; QUEIROZ, J e C ; MARINS, e S V P ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W ; RODRIGUES, e ; MARTINHO, H ; GAZOTO, A L . Influence of N2, H2 and Forming Gás on Spectroscopic Properties of Silicon nanostructure. In: III Encontro da Soc. Bras. Pesq. em Materiais - III SBPMat, 2004, Fóz de Iguaçu, PR. Proc. of the III SBPMat, Book of Abstracts, paper A-P-112, 2004. p. 79-79.
MESTANZA, S N M ; JIMENEZ, H G ; SILVA, I F ; DINIZ, J A ; Doi, I. ; SWART, J W . High Performance Active Pixel Sensors Fabricated in a Standard 2.0 um CMOS Technology. In: IEEE Fifth International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems - ICCDCS 2004, 2004, Punta Cana. ICCDCS 2004 - Program and Technical Digest, 2004. p. 39-39.
MESTANZA, S N M ; JIMENEZ, H G ; SILVA, I F ; RODRIGUES, e ; DINIZ, J A ; Doi, I. ; SWART, J W . Active Pixel Sensors Fabricated in a Standard 2.0 um CMOS Technology. In: IV Congresso Iberoamericano de Sensores, 2004, Puebla. IberSensor 2004 - Abstract Book, 2004. p. 65-65.
TEIXEIRA, Ricardo C ; Doi, I. ; ZAKIA, Maria B P ; DINIZ, José A ; SWART, Jacobus W . Micro-Raman Stress Characterization of Polycrystalline Silicon Films Grown at High Temperature. In: II Encontro da Soc. Bras. Pesq. em Materiais - II SBPMat, 2003, Rio de Janeiro, RJ. Anais do II SBPMat. Rio de Janeiro, RJ: Soc. Bras. Pesq. em Materiais, 2003. v. Resumo. p. 51-51.
MESTANZA, S N M ; QUEIROZ, J e C ; GUTIERREZ, H R ; NEVES, A A R ; DIAS, G O ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Structural and Optical Characterization of Silicon nanocrystals Obtained by Ion Implantation. In: II Encontro da Soc. Bras. Pesq. em Materiais - II SBPMat, 2003, Rio de Janeiro, RJ. Anais do II SBPMat. Rio de Janeiro, RJ: Soc. Bras. Pesq. em Materiais, 2003. v. Resumo. p. 51-51.
SANTOS, Regis e dos ; Doi, I. ; DINIZ, José A ; SWART, Jacobus W ; SANTOS FILHO, Sebastião G dos . Microstructure Characterization of Agglomerations Formed on Ni and Ni(Pt) Silicide Thin Films with SEM/EDS. In: International Conference on Materials for Advanced Technologies - ICMAT 2003, 2003, Cingapura, Cingapura. Proc. of the ICMAT 2003. Singapore, Singapore: Materials Research Society - Singapore, 2003. p. 529-529.
RAMOS, A C S ; DINIZ, José A ; PUDENZI, M A A ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Aluminum Oxynitride Gate PMOSFET Formed by Sputtering DC Deposition in Nitrogen Ambient with Additional Rapid Thermal Oxidation and Annealing. In: International Conference on Materials for Advanced Technologies - ICMAT 2003, 2003, Cingapura, Cingapura. Proc. of the ICMAT 2003. Singapore, Singapore: Materials Research Society - Singapore, 2003. v. Abst.. p. 539-539.
DINIZ, José Alexandre ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Insulators Made by ECR Plasmas on Si or GaAs Substrates at Room Temperature. In: I Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2002, Rio de Janeiro. Program and Book of Abstracts of I SBPMat, 2002. p. 131-131.
BARBAROTO, Pedro Ricardo ; FERREIRA, Luiz Otávio Saraiva ; Doi, I. . Projeto, Microfabricação e Caracterização de Deflector de Luz de Silício Acionado por Indução. In: 12a. Reunião Anual de Usuários do LNLS, RAU - LNLS 2002, 2002, Campinas, SP. Caderno de Resumos do RAU - LNLS 2002. Campinas, SP: LNLS, 2002. p. 251-251.
DINIZ, José Alexandre ; GODOY FILHO, J. ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Proton Radiation Hardening Study of Oxynitride Gate nMOSFETs Formed by Low Energy Nitrogen Implantation into Silicon Prior to Oxidation. In: 6th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems - RADECS 2001, 2001, Grenoble-França. Final Program and Abstracts of the RADECS 2001, 2001. p. 21-21.
TEIXEIRA, Ricardo Cotrin ; Doi, I. ; ZAKIA, M. B. ; SWART, Jacobus W ; DINIZ, José Alexandre . Deposition and Characterization of LPCVD Polycrystalline Silicon. In: XVI Congresso Brasileiro de Engenharia Mecânica - COBEM 2001, 2001, Uberlândia-MG. Anais do XVI Congresso Brasileira de Engenharia Mecânica - COBEM 2001, 2001.
BARBAROTO, Pedro Ricardo ; FERREIRA, Luiz Otávio Saraiva ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Determination of the Ratio Between the Rates R{411} and R{100} for Convex Corners Compensation in KOH Silicon Etch. In: XVI Congresso Brasileiro de Engenharia Mecânica - COBEM 2001, 2001, Uberlândia-MG. Anais do XVI Congresso Brasileiro de Engenharia Mecânica - COBEM 2001, 2001.
DINIZ, José Alexandre ; GODOY FILHO, J. ; Doi, I. ; SWART, Jacobus W . Proton Radiation Hardening of Ultra-Thin Silicon Oxynitride Gate nMOSFETs Formed by Low-Energy Nitrogen Implantation into Silicon with Additional Conventional or Rapid Thermal Oxidation. In: MRS - International Workshop on Device Technology - Alternatives to SiO2 as Gate Dielectric for Future Si-Based Microelectronics, 2001, Porto Alegre-RS. Proceedings of MRS - International Workshop on Device Technology, 2001. p. 45-45.
SWART, Jacobus Willibrordus ; DINIZ, J A ; Doi, I. ; MORAES, M. A. B. . Modification of the Refractive index and the Dielectric Constant of Silicon Dioxide by Means of Ion Implantation. In: International Conference on Radiation Effects in Insulators - REI-10, 1999, Jena, Germany. Proceedings of the REI-10, 1999. p. 123-123.
NAVARRO, D. F. ; PAGAN, C. J. B. ; Doi, I. . Selective Diamond Growth by Laser Temperature Control. In: 14th International Vacuum Congress/10th Int. Conf. on Solid Surfaces, 1998, Birmingham. 14th IVC/10th ICSS - Book of Abstracts - ref. EM.PTh.26. Birmingham, England, 1998. v. 1. p. 250-250.
Doi, I. ; HAGA, M. S. ; NAGAI, Y. E. . Properties of DLC Films Deposited By Oxyacetylene Flame. In: Sixth International Conference on New Diamond Science and Technology - ICNDST-6, 1998, Pretoria. ICNDST-6 Programe and Abstract Book. Pretoria, South Africa, 1998. v. 1. p. 67-67.
CHANG, D. C. ; BARANAUSKAS, V. ; Doi, I. ; PROHASKA, T. . Observation of Structural Depth Profiles of Porous Silicon by Atomic Force Microscopy. In: International Congress on Porous Semiconductors Science and Technology - ICPSST, 1998, Mallorca, Espanha. Proceedings of the ICPSST, 1998.
BRITO, E. A. ; Doi, I. ; PAGAN, C. J. B. . Influência da Temperatura do Substrato na Morfologia dos Filmes de Diamante Depositados por Tocha Oxiacetilênica. In: XVIII CBRAVIC - Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Industria e na Ciência, 1997, Petrópolis, RJ. Resumos do XVIII CBRAVIC - ref.091. Petrópolis - RJ, 1997. p. 1-3.
VICENTIM, W. ; Doi, I. . Obtenção de Alta Tensão Pulsada Usando Uma Chave Spark Gap Rotativa. In: V Congresso Interno de Iniciação Científica da UNICAMP, 1997, Campinas. Caderno de Resumos do V Congresso Interno de Iniciação Científica. CAMPINAS - SP, 1997. v. 1. p. 127-127.
WAKAMATU, G. N. ; PAGAN, C. J. B. ; Doi, I. ; POMILIO, J. A. . Laser de Gás Nobre Excitado por Descarga Elétrica Sem Eletrodos. In: 49a. Reunião Anual da SBPC, 1997, Belo Horizonte, MG. Anais da Reunião Anual da SBPC - resumo ref. A.5-017. Belo Horizonte-MG, 1997. v. 2. p. 69-69.
Doi, I. ; BRITO, E. A. ; BARANAUSKAS, V. . Análise da Nucleação dos Filmes de Diamante Depositados Sobre Silício por Chama de Combustão de Oxiacetileno. In: XVII CBRAVIC - XVII Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência, 1996, Belo Horizonte, MG. Resumos do XVII CBRAVIC. Belo Horizonte - MG, 1996. v. 1. p. 10-12.
PETERLEVITZ, A. C. ; FRANCO, M. K. K. ; BARANAUSKAS, Vitor ; TOSIN, M. C. ; Doi, I. . Propriedades Foto-Induzidas de Filmes de Diamante CVD Sobre Silício. In: XVII Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Industria e na Ciência, 1996, Belo Horizonte, MG. Resumos do XVII CBRAVIC. Belo Horizonte, 1996. v. 1. p. 1-2.
PÉREZ, J. L. J. ; Doi, I. ; CRUZ-OREA, A. . Desenvolviemnto de Dois Modelos de Temperatura para a Oxidação Induzida a Laser em Superfícies Metálicas. In: XIX Encontro Nacional de Física de Matéria Condensada, 1996, Águas de Lindóia - SP. Resumos do XIX Encontro Nacional de Física de Matéria Condensada. Aguas de Lindóia - SP, 1996. v. 1. p. 629-629.
DAVANÇO, M. I. ; Doi, I. ; PAGAN, C. J. B. . Projeto e Montagem de Uma Placa Controladora Utilizada Em Um Gerador de Pulsos de Alta Tensão Para Laser Com Excitação Theta-Pinch. In: IV Congresso Interno de Iniciação Científica da UNICAMP, 1996, Campinas - SP. Caderno de Resumos. Campinas - SP, 1996. v. 1. p. 90-90.
DURANT, S. F. ; Doi, I. ; PETERLEVITZ, A. C. ; PICOLO, W. A. ; BARANAUSKAS, V. . Search for A Si-Nb-Au-O Superconductor. In: XIX Encontro Nacional de Física de Matéria Condensada, 1996, Águas de Lindóia - SP. Anais do XIX Encontro Nacional de Física de Matéria Condensada. Águas de Lindóia, SP, 1996. p. 182-183.
Doi, I. ; PETERLEVITZ, A. C. ; FRANCO, M. K. K. ; CHANG, D. C. ; BARANAUSKAS, V. ; AIROLDI, V. J. T. . Electrical Characterization of P-Doped CVD-Diamond Films. In: 13th Int. Vacuum Congress/9th Int. Conf. on Solid Surfaces, 1995, Yokohama. 13th IVC/9th ICSS, Book of Abstracts - ref.TF-Wep-7. Yokohama, Japão, 1995. v. 1. p. 278-278.
ALCÓCER, J. C. ; Doi, I. ; PETERLEVITZ, A. C. ; CHANG, D. C. ; BARANAUSKAS, V. ; AIROLDI, V. J. T. . Study of CVD Growth of Diamond-on-Saphire. In: 13th Int. Vacuum Congress/9th Int. Conf. on Solid Surfaces, 1995, Yokohama. 13th IVC/9th ICSS, Book of Abstracts - ref. TF-Wep-30. Yokohama, Japão, 1995. v. 1. p. 285-285.
FRANCO, M. K. K. ; Doi, I. ; BARANAUSKAS, V. ; CHANG, D. C. ; PETERLEVITZ, A. C. ; ALCÓCER, J. C. A. . Crescimento de Diamante a Pressão Sub-Atmosférica Usando-se Vapor de Compostos Orgânicos. In: 50o. Congresso Anual da Associação Brasileira de Met. e Materiais, 1995, São Pedro, SP. Resumos. S. Pedro - SP, 1995. v. 1. p. 58-58.
Doi, I. ; BRITO, E. A. ; PAGAN, C. J. B. ; CHANG, D. C. ; BARANAUSKAS, V. . Resultados Preliminares de Deposição de Diamante sobre Silício por Chama de Combustão. In: 50o. Congresso Anual da Associção Brasileira de Met. e Materiais, 1995, São Pedro, SP. Resumos. S. Pedro - SP, 1995. v. 1. p. 58-58.
Doi, I. ; PETERLEVITZ, A. C. ; FRANCO, M. K. K. ; BARANAUSKAS, V. ; CHANG, D. C. . Resistividade Elétrica de Filmes de Diamante CVD Dopados com Boro Durante a Deposição. In: XVI CBRAVIC Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Industria e na Ciência, 1995, Brasília, DF. resumos - ref 093. Brasília - DF, 1995. v. 1. p. 1-2.
FRANCO, M. K. K. ; Doi, I. ; PETERLEVITZ, A. C. ; BARANAUSKAS, V. ; CHANG, D. C. . Característica I-V de Filmes de Diamante CVD Obtidos Usando a Mistura Etanol/Acetona e Hidrogênio. In: XVI CBRAVIC Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Industria e na Ciência, 1995, Brasília, DF. Anais do XVI CBRAVIC. Brasília - DF, 1995. v. 1. p. 1-2.
ALCÓCER, J. C. A. ; Doi, I. ; BARANAUSKAS, V. ; FRANCO, M. K. K. ; PETERLEVITZ, A. C. ; CHANG, D. C. . Crescimento de Diamante Sobre Substratos de Safira por HFCVD Usando Etanol/Acetona e Hidrogênio. In: XVI CBRAVIC - Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Industria e na Ciência, 1995, Brasília, DF. Caderno de Resumos - ref.094. Brasília - DF, 1995. v. 1. p. 1-2.
Doi, I. ; PAGAN, C. J. B. ; BRITO, E. A. ; CHANG, D. C. ; KOSHINDA, Y. ; CRUZ, D. M. N. ; WAKAMATSU, G. N. ; BARANAUSKAS, V. . Análise Espectral de Emissão da Chama de Combustão Oxi-Acetileno Empregado na Deposição de Filmes de Diamante. In: XVI CBRAVIC - Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Industria e na Ciência, 1995, Brasília, DF. Caderno de Resumos - ref.096. Brasília - DF, 1995. v. 1. p. 1-2.
CHANG, D. C. ; BARANAUSKAS, V. ; Doi, I. ; PROHASKA, T. . Análise Por Microscopia de Força Atômica das Diferentes Superfícies do Silício Poroso Obtidos Pelo Processo Eletroquímico. In: XVI CBRAVIC - Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Industria e na Ciência, 1995, Brasília, DF. resumos - ref. 014. Brasília - DF, 1995. v. 1. p. 1-2.
CARNEVALLI FILHO, A. ; BARANAUSKAS, V. ; Doi, I. . Limits of Validity of Local Density of States (LDOS) and Resolution In Scanning Tunneling Microscopy (STM) and Spectroscopy (STS). In: XVI CBRAVIC - Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Industria e na Ciência, 1995, Brasília, DF. Resumos - ref. 005. Brasília - DF, 1995. v. 1. p. 1-2.
BASTOS, L. L. ; Doi, I. ; PAGAN, C. J. B. ; FRANCO, M. K. K. ; PARIZOTTO, N. . Uso do Laser Em Diagnóstico Neurofisiológico. In: XVI Congresso Brasileiro de Neurologia, 1994. resumos. Fortaleza - CE. v. 1. p. 119-119.
Doi, I. ; PETERLEVITZ, A. C. ; FRANCO, M. K. K. ; ALCÓCER, J. C. A. ; CHANG, D. C. ; PAGAN, C. J. ; AIROLDI, V. J. T. ; RODRIGUES, C. ; BARANAUSKAS, V. . Estudo da Nucleação do Diamante Sobre Silício Através da Microscopia de Força Atômica. In: XV CBRAVIC - Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Industria e na Ciência, 1994, São Carlos-SP. resumos ref. 049. S. Carlos - SP, 1994. v. 1. p. 1-2.
Doi, I. ; FRANCO, M. K. K. ; ALCÓCER, J. C. A. ; PETERLEVITZ, A. C. ; CHANG, D. C. ; PAGAN, C. J. ; AIROLDI, V. J. T. ; RODRIGUES, C. ; BARANAUSKAS, V. . Crescimento de Filmes de Diamante com Dopagem de Boro. In: XV CBRAVIC - Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Industria e na Ciência, 1994, São Carlos-SP. resumos ref.050. S. Carlos - SP, 1994. v. 1. p. 1-2.
Doi, I. ; ALCÓCER, J. C. A. ; FRANCO, M. K. K. ; CHANG, D. C. ; PETERLEVITZ, A. C. ; BARANAUSKAS, V. . Influência dos Parâmetros de Crescimento do Filme de Diamante a partir de Álcool Etílico e Acetona. In: XV CBRAVIC Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Industria e na Ciência, 1994, São Carlos - SP. resumos - ref. 051. S. Carlos - SP, 1994. v. 1. p. 1-2.
Doi, I. ; CHANG, D. C. ; KOCHINDA, Y. ; PETERLEVITZ, A. C. ; FRANCO, M. K. K. ; ALCÓCER, J. C. A. ; CARNEVALLI, A. ; BARANAUSKAS, V. . Caracterização de Pontas de Tungstênio para Microscopia de Tunelamento. In: XV CBRAVIC - Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Industria e na Ciência, 1994, São Carlos - SP. resumos - ref. 052. S. Carlos - SP, 1994. v. 1. p. 1-2.
Doi, I. ; FRANCO, M. K. K. ; PETERLEVITZ, A. C. ; ALCÓCER, J. C. A. ; CHANG, D. C. ; CARNEVALLI, A. ; RODRIGUES, C. R. ; AIROLDI, V. J. T. ; BARANAUSKAS, V. . Espectroscopia de Tunelamento Eletrônico (Ete) de Filmes de Diamante Dopado. In: XI Cbecimat - Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência dos Materiais, 1994, Águas de Lindóia - SP. resumos. Águas de S. Pedro - SP, 1994. v. 1. p. 1-2.
PAGAN, C. J. B. ; Doi, I. ; BASTO, L. L. ; LOBOSCHI, E. ; SANTOS, P. S. ; PARIZOTTO, N. . Estudo de Potenciais Evocados Somatosensoriais Causados Por Estimulação Laser. In: VI Simpósio Estadual de Laser e Aplicações, 1994, São Carlos - SP. resumos - painel 43. S. Carlos - SP, 1994. v. 1. p. 1-2.
PAGAN, C. J. B. ; Doi, I. ; WAKAMATSU, G. N. ; DAVOGLIO, A. F. R. . Laser de Argônio Excitado Por Descarga Tipo Theta-Pinch. In: VI Simpósio Estadual de Laser e Aplicações, 1994. Resumos - Painel 32. S. Carlos - SP. v. 1. p. 1-2.
BARANAUSKAS, V. ; Doi, I. ; PELED, A. ; AIROLDI, V. J. T. ; LIMA, C. A. . Laser Etching of Self-Sustained CVD Diamond Wafers. In: 1st. Intern. Conf. on Photo-Excited Processes and Applications, 1993, Sendai, Miyagui, Japão. Extended Abstract. Sendai, Miyagui, Japão, 1993. v. 1. p. 1-2.
Doi, I. ; BARANAUSKAS, V. ; PETERLEVITZ, A. C. ; RODRIGUES, C. R. ; AIROLDI, V. J. T. . Aplicações dos Filmes de Diamante Na Microeletrônica, Optoeletrônica e Óptica. In: XIV CBRAVIC - Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Industria e na Ciência, 1993, Recife - Pe. Resumos - painel 29. Recife - PE, 1993. v. 1. p. 1-2.
Doi, I. ; PETERLEVITZ, A. C. ; PICOLO, W. A. ; BARANAUSKAS, V. . Estudo Xps/Aes de Sistemas Au/Nb/Si. In: XIV CBRAVIC - Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Industria e na Ciência, 1993, Recife-Pe. resumos - p. 63. Recife - PE, 1993. v. 1. p. 1-2.
Doi, I. ; KOCHINDA, I. ; PETERLEVITZ, A. C. ; BARANAUSKAS, V. . Usinagem Eletroquímica de Pontas de Tungstênio Para A Microscopia de Tunelamento. In: XIV CBRAVIC - Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência, 1993, Recife - Pe. Resumos - p.41. Recife - PE, 1993. v. 1. p. 1-2.
Doi, I. ; PETERLEVITZ, A. C. ; RODRIGUES, C. R. ; BARANAUSKAS, V. . Crescimento de Filmes de Diamante Por Eletroquímica. In: XIV CBRAVIC - Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Industria e na Ciência, 1993, Recife - Pe. resumos - p.43. Recife - PE, 1993. v. 1. p. 1-2.
PETERLEVITZ, A. C. ; Doi, I. ; RODRIGUES, C. R. ; BARANAUSKAS, V. . Caracterização de Filmes de Diamante Obtidos a Partir da Mistura Etanol/Acetona/Hidrogênio. In: XIV CBRAVIC - Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência, 1993, Recife-Pe. Resumos - p.41. Recife - PE, 1993. v. 1. p. 1-2.
Doi, I. ; RODRIGUES, C. R. ; PETERLEVITZ, A. C. ; AIROLDI, V. J. T. ; BARANAUSKAS, V. . Estudo Experimental da Influência de Pré-Tratamentos na Superfície para a Nucleação de Diamantes CVD. In: XIV CBRAVIC - Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência, 1993, Recife-Pe. Resumos - p. 43. Recife - PE, 1993. v. 1. p. 1-2.
HONDA, R. Y. ; Doi, I. ; ARAMAKI, E. A. ; MACHIDA, M. ; PORTO, P. ; UEDA, M. . O Efeito da Pressão na Formação da CCR No TC-1. In: X Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência, 1989, São José dos Campos - SP. Resumos do X Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência. S. J. Campos, SP, 1989. p. 1-2.
MONASSI, V. ; Doi, I. . Comportamento da Cadeia de Isoladores com Unidades Danificadas. In: 39a. Reunião Anual da SBPC, 1987. Anais da Reunião Anual da SBPC. Brasília, DF. p. 39-39.
DIOGO, A. P. ; Doi, I. . Efeito do Comprimento da Haste no Campo Elétrico de Centelhadores Esféricos. In: 39a. Reunião Anual da SBPC, 1987. Anais da Reunião Anual da SBPC. Brasília, DF. p. 40-40.
ROSSI, J. A. D. ; Doi, I. . Confiabilidade no Cálculo do Valor da Tensão Disruptiva Crítica V50 pelo Método de Acréscimo e Decréscimo. In: 38a. Reunião Anual da SBPC, 1986, Curitiba - PR. Anais da Reunião Anual da SBPC. Curitiba, PR, 1986. v. 1. p. 45-45.
ROMANO, R. B. ; Doi, I. . Contribuição Ao Estudo dos Parâmetros Elétricos de Um Gerador de Impulso de Tensão. In: 38a. Reunião da SBPC, 1986, Curitiba - PR. Anais da Reunião Anual da SBPC. Curitiba, PR, 1986. v. 1. p. 45-46.
Doi, I. ; TEIJERO, D. G. ; Automatização Digital dos Ensaios de Vida Útil de Dispositivos de Proteção Empregados Em Redes Telefônicas. In: 38a. Reunião Anual da SBPC, 1986, Curitiba - PR. Anais da Reunião Anual da SBPC. Curitiba, PR, 1986. v. 1. p. 46-46.
TOME, T. ; Doi, I. ; BONOMI, S. . Voltímetro de Pico Para Impulsos Atmosféricos. In: 38a. Reunião Anual da SBPC, 1986, Curitiba - PR. Anais da Reunião Anual da SBPC. Curitiba, PR, 1986. v. 1. p. 46-46.
ROSSI, J. A. D. ; Doi, I. . Cálculo do Desvio Padrão Pelo Método de Acréscimo e Decréscimo Em Eletrodos Haste-Haste. In: 38a. Reunião Anual da SBPC, 1986, Curitiba - PR. Anais da Reunião Anual da SBPC. Curitiba, PR, 1986. v. 1. p. 46-47.
ROSSI, J. A. D. ; Doi, I. . Variação com o Degrau de Tensão da Dispersão dos Resultados de Testes de Impulso Atmosférico pelo Método de Acréscimo e Decréscimo. In: 37a. Reunião Anual da SBPC, 1985, Belo Horizonte - MG. Anais da Reunião da SBPC. Belo Horizonte, MG, 1985. v. 1. p. 27-27.
ROMANO, R. B. ; Doi, I. . Contribuição Ao Estudo dos Parâmetros Elétricos de Um Gerador de Impulso. In: 37a. Reunião Anual da SBPC, 1985, Belo Horizonte - MG. Anais da Reunião Anual da SBPC. Belo Horizonte, MG, 1985. v. 1. p. 26-26.
ROSSI, J. A. D. ; Doi, I. . Parâmetros a se Considerar no Projeto de um Transformador para Fontes de Alta Tensão. In: 37a. Reunião Anual da SBPC, 1985, Belo Horizonte - MG. Anais da Reunião Anual da SBPC. Belo Horizonte, MG, 1985. v. 1. p. 27-27.
ROSSI, J. A. D. ; Doi, I. . Dispersão dos Resultados de Ensaios de Impulso Atmosférico Pelo Método de Acréscimo e Descréscimo. In: 37a. Reunião Anual da SBPC, 1985, Belo Horizonte - MG. Anais da Reunião Anual da SBPC. Belo Horizonte, MG, 1985. v. 1. p. 27-27.
ROSSI, J. A. D. ; Doi, I. . Tensão de Descarga CC em Centelhadores Esféricos de Pequenas Dimensões. In: 37a. Reunião Anual da SBPC, 1985, Belo Horizonte - MG. Anais da Reunião Anual da SBPC. Belo Horizonte, MG, 1985. p. 28-28.
TOME, T. ; Doi, I. . Divisores de Tensão Para Impulsos (Até 10 Kv). In: 37a. Reunião Anual da SBPC, 1985, Belo Horizonte - MG. Anais da Reunião Anual da SBPC. Belo Horizonte, MG, 1985. p. 26-26.
ROMANO, R. B. ; Doi, I. . Influência da Relação Cg/C no Rendimento de um Gerador de Impulso. In: Reunião Anual da SBPC, 1984, São Paulo - SP. Anais da Reunião Anual da SBPC. São Paulo, SP, 1984. p. 39-39.
ROSSI, J. A. D. ; Doi, I. . Efeitos do Desvio Padrão na Determinação da Tensão Suportável de Impulso. In: Reunião Anual da SBPC, 1984, São Paulo - SP. Anais da Reunião Anual da SBPC. São Paulo, SP, 1984. p. 41-41.
Doi, I. ; ROSSI, J. A. D. ; Estudos dos Parâmetros Que Influem Na Tensão Disruptiva Crítica de Impulso. In: Reunião Anual da SBPC, 1984. Anais da Reunião Anual da SBPC. São Paulo, SP. p. 40-40.
ZANIN, M. ; Doi, I. . Considerações sobre a Influência que a Descarga de Impulso Atmosférico Provoca na Porcelana. In: Reunião Anual da SBPC, 1984. Anais da Reunião Anual da SBPC. São Paulo, SP. p. 42-42.
DIB, W. M. ; Doi, I. ; OLIVEIRA, J. C. . Comparações entre os Desempenhos de Sub-Estações Convencionais e Isoladas a SF6. In: Ia. Jornada Científica da FEIS-UNESP, 1984. Anais da Ia. Jornada Científica da FEIS-UNESP. Ilha Solteira, SP. p. 136-136.
ROSSI, J. A. D. ; Doi, I. . Simulação de um Teste de Impulso. In: 35a. Reunião Anual da SBPC, 1983, Belo Horizonte - MG. Anais da Reunião Anual da SBPC. Belo Horizonte, MG, 1983. p. 44-44.
ZANIN, M. ; Doi, I. . Processos de Falhas em Materiais Isolantes Elétricos Sólidos: - Análise Bibliográfica. In: 2a. Jornada Científica da UFSCar, 1982, São Carlos - SP. Anais da 2a. Jornada Científica da UFSCar. São Carlos, SP, 1982. p. 206-206.
LIMA, V. L. ; Doi, I. . Efeitos Eletrostáticos em Linhas de Transmissão. In: Reunião Anual da SBPC, 1980. Anais da Reunião Anual da SBPC. Rio de Janeiro, RJ. p. 28-28.
P FILHO, J. ; Doi, I. . Método Numérico para Cálculo de Campo Eletrostático com Simetria Rotacional. In: Reunião Anual da SBPC, 1980. Anais da Reunião Anual da SBPC. Rio de Janeiro, RJ. p. 28-28.
PIRES, F. A. C. ; Doi, I. . Determinação de Campo Elétrico de Sistema Cilindro Infinito-Plano Pelo Método das Cargas Substitutivas. In: Reunião Anual da SBPC, 1980. Anais da Reunião Anual da SBPC. Rio de Janeiro, RJ. p. 28-28.
LEITE, J. R. ; Doi, I. . Campo Hiperfino de Contacto Hc para os Elementos Leves. In: 23a. Reunião Anual da SBPC, 1971. Anais da Reunião Anual da SBPC. Curitiba, PR. p. 15-15.
LEITE, J. R. ; Doi, I. . Comportamento das Funções de Onda de Átomos em Face as Várias Aproximações de Exchange. In: 22a. Reunião Anual da SBPC, 1970. Anais da Reunião Anual da SBPC. São Paulo, SP. p. 13-13.
KIM, J. ; Doi, I. ; WIGHT, J. . Rogowski Coil for In-Situ Measurement of Beam Current. 1990 (GA INTERNAL PUBLICATION, GENERAL ATOMICS, SAN DIEGO, CA, USA, JULY 1990) .
UEDA, M. ; Doi, I. ; MACHIDA, M. ; ARAMAKI, E. A. ; HONDA, R. Y. ; PORTO, P. ; BERNI, L. A. . Diagnósticos de Plasma Gerado no Toróide Compacto da Unicamp. 1989 (RELATÓRIO TÉCNICO, PUBLICAÇÃO INTERNA, INPE-4862-RPE/593, AGOSTO DE 1989) .
Doi, I. . Centelhadores a Gás e Geradores de Surtos para Testes de Desempenho Elétrico de Centelhadores. 1987 (RELATÓRIO TÉCNICO, PUBLICAÇÃO INTERNA, FEC N.16/87) .
Doi, I. . Desenvolvimento de Geradores de Surtos de Alta Tensão Para Testes de Desempenho de Centelhadores, Parte Ii. 1986 (RELATÓRIO TÉCNICO, PUBLICAÇÃO INTERNA, FEC?UNICAMP, FEC N.14/86) .
Doi, I. . Desenvolvimento de Geradores de Surtos de Alta Tensão para Testes de Desempenho de Centelhadores. 1985 (RELATÓRIO TÉCNICO, PUBLICAÇÃO INTERNA FEC/UNICAMP, FEC N.108/85) .
Doi, I. . Desenvolvimento de um Gerador de Surtos de Alta Tensão para SimulaçãoeEm Redes Telefônicas e Testes de Centelhadores. 1985 (RELATÓRIO TÉCNICO, PUBLICAÇÃO INTERNA FEC/UNICAMP, FEC N.81/85) .
Doi, I. . Desenvolvimento de um Gerador de Surtos de Alta Tensão para Simulação em Redes Telefônicas, Parte III. 1985 (RELATÓRIO TÉCNICO, PUBLICAÇÃO INTERNA FEC/UNICAMP, FEC N. 33/85) .
Doi, I. . Desenvolvimento de um Gerador de Surtos de Alta Tensão para Simulação em Redes Telefônicas, Parte II. 1985 (RELATÓRIO TÉCNICO, PUBLICAÇÃO INTERNA FEC/UNICAMP, FEC N.28/85) .
Doi, I. . Desenvolvimento de um Gerador de Surtos de Alta Tensão para Simulação em Redes Telefônicas. 1984 (RELATÓRIO TÉCNICO, PUBLICAÇÃO INTERNA FEC/UNICAMP, FEC N.186/84) .
MASUDA, S. ; Doi, I. ; AKUTSU, K. . Back Discharge Phenomena in Bias-Controlled Pulse Charging System. 1977 (REPORT OF ENGINEERING RESEARCH INSTITUTE, FACULTY OF ENGINEERING, UNIVERSITY OF TOKYO) .
Doi, I. . Recent Progress in Electrostatic Precipitators. 1975 (PUBLICAÇÃO INTERNA, DEPARTMENT OF ELECTRICAL ENGINEERING, UNIVERSITY OF TOKYO) .

Histórico profissional

Endereço profissional

Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação da UNICAMP, Departamento de Semicondutores, Instrumentos e Fotônica da FEEC/UNICAMP. , Av. Albert Einstein, 400 - sala 204, Cid. Universitária, 13083852 - Campinas, SP - Brasil - Caixa-postal: 6101, Telefone: (19) 35213731, Ramal: 13731, Fax: (19) 32891395, URL da Homepage:

Experiência profissional

2009 - Atual

Universidade Estadual de Campinas

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Professor Colaborador

2001 - 2009

Universidade Estadual de Campinas

Vínculo: , Enquadramento Funcional: Professor titular, Regime: Dedicação exclusiva.

1988 - 2001

Universidade Estadual de Campinas

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto, Regime: Dedicação exclusiva.

1985 - 1988

Universidade Estadual de Campinas

Vínculo: , Enquadramento Funcional: Professor Associado, Regime: Dedicação exclusiva.

1977 - 1985

Universidade Estadual de Campinas

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Assistente Doutor, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

01/1977
Pesquisa e desenvolvimento , Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Departamento de Máquinas Componentes e Sistemas Inteligentes.,Linhas de pesquisa
04/2003 - 04/2005
Direção e administração, Centro de Componentes Semicondutores, .,Cargo ou função, Diretor Associado.
04/2001 - 03/2003
Direção e administração, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Departamento de Máquinas Componentes e Sistemas Inteligentes.,Cargo ou função, Chefe de Departamento.
07/1998 - 03/2001
Direção e administração, Centro de Componentes Semicondutores, .,Cargo ou função, Coordenador Associado.
04/1997 - 03/1999
Direção e administração, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Departamento de Máquinas Componentes e Sistemas Inteligentes.,Cargo ou função, Vice-Chefe do Departamento.
04/1995 - 03/1997
Direção e administração, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Departamento de Máquinas Componentes e Sistemas Inteligentes.,Cargo ou função, Chefe de Departamento.
04/1993 - 03/1995
Direção e administração, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Departamento de Máquinas Componentes e Sistemas Inteligentes.,Cargo ou função, Chefe de Departamento.
08/1990 - 03/1993
Direção e administração, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Departamento de Máquinas Componentes e Sistemas Inteligentes.,Cargo ou função, Vice-Chefe do Departamento.
09/1991 - 01/1992
Direção e administração, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Departamento de Máquinas Componentes e Sistemas Inteligentes.,Cargo ou função, Chefe de Departamento.
10/1990 - 01/1991
Direção e administração, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Departamento de Máquinas Componentes e Sistemas Inteligentes.,Cargo ou função, Chefe de Departamento.
01/1988 - 07/1989
Direção e administração, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação da UNICAMP, Departamento de Máquinas Componentes e Sistemas Inteligentes.,Cargo ou função, Vice-Chefe do Departamento.

Propriedade Intelectual

Patentes (1)

Tipo	Título	Data depósito
INVENTOR	Método para excitação de lasers a gás por meio de descarga tipo theta-pinch.	08/06/1998