Jefferson Almeida Matos

Formação complementar

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Áreas de atuação

Participação em eventos

Produções bibliográficas

• MATOS, J. A. ; SILVA, C. ; CASTRO, M. ; LOPES, F. . Arrythmia Classification Using MATLAB Classification Learner App. In: 16th International Joint Conference on Biomedical Engineering Systems and Technologies - BIOSIGNALS, 2023, Lisbon. Proceedings of the 16th International Joint Conference on Biomedical Engineering Systems and Technologies. v. 4. p. 220-225.

Projetos de pesquisa

• 2022 - Atual

  APLICAÇÃO DE TECNOLOGIAS CMOS DO ESTADO DA ARTE EM SISTEMAS ELETRÔNICOS APLICADOS À COMPUTAÇÃO QUÂNTICA, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Marcelo Antonio Pavanello em 25/03/2023., Descrição: Este projeto de pesquisa objetiva expor as estruturas de transistores MOS do estado da arte, fabricadas em substratos de silício convencionais e do tipo silício sobre isolante, à faixa de temperaturas adequada para os circuitos de interface com os Qubits, avaliando seu desempenho. Serão estudados transistores MOS convencionais, além de transistores MOS de nanofios e nanofolhas, empilhados ou não. Esta exposição permitirá a obtenção de dados relevantes para I) a evolução desses transistores para operação em temperaturas criogênicas; II) desenvolvimento de modelos compactos para a simulação de circuitos eletrônicos em tecnologia CMOS utilizando estas estruturas do estado da arte, III) adaptação dos modelos de simulação numéricas para comportar a realização de simulações em temperaturas criogênicas, permitindo a observação de variáveis internas relevantes para os transistores. O projeto utilizará transistores MOS de nanofios ou nanofolhas, empilhados ou não, fabricados no CEA-Leti, França. Para os transistores convencionais, o projeto iniciará avaliando a tecnologia CMOS com 180 nm de comprimento mínimo de canal da UMC Technologies. O projeto também objetiva a criação de um núcleo de especialistas, multidisciplinar e multi-institucional, capacitado para atuar na área de sistemas eletrônicos aplicados à computação quântica.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (6) / Doutorado: (4) . , Integrantes: Jefferson Almeida Matos - Integrante / Marcelo Antonio Pavanello - Coordenador / Michelly de Souza - Integrante / Antonio Cerdeira - Integrante / Bruna Cardoso Paz - Integrante / Rodrigo Trevisoli Doria - Integrante / Francisco Paulo Marques Rouxinol - Integrante / Francisco De Assis Brito Filho - Integrante / Leonardo Augusto Gomes Paro - Integrante / Victor Nogueira Cirillo - Integrante / Felipe Jeferson de Souza - Integrante / Mikael Cassé - Integrante / Olivier Faynot - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

• 2021 - 2022

  Implementação Do Modelo Analítico Para Nanofios Transistores Empilhados, Descrição: Iniciação científica que objetiva a implementação do modelo de carga de inversão e corrente analítico compacto, válido para nanofios transistores com diferentes geometrias, usando a ferramenta matemática MathCAD. A implementação realizada será comparada com resultados obtidos por autores em um artigo de referência, validando-a.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) . , Integrantes: Jefferson Almeida Matos - Coordenador / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante.

• 2018 - Atual

  MODELAGEM, EXTRAÇÃO DE PARÂMETROS ELÉTRICOS E FABRICAÇÃO DE NANOFIOS TRANSISTORES MOS, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Marcelo Antonio Pavanello em 17/04/2023., Descrição: A constante miniaturização dos transistores MOS, atingindo dezenas de nanômetros de, tem dificultado a utilização de tecnologias MOS tradicionais, fabricadas em substratos de Si monocristalino, devido à presença de efeitos de canal curto. De modo indesejável, tais efeitos afastam o transistor MOS de suas características elétricas ideais, promovendo o aumento da corrente de desligamento, redução da tensão de limiar e inclinação de sublimiar, entre outros problemas. Recentemente, como forma para minimizar os efeitos decorrente da miniaturização, transistores MOS com múltiplas portas passaram a ser utilizados, uma vez que melhoram sensivelmente o controle eletrostático das cargas na região de canal, reduzindo a incidência dos efeitos de canal curto. Portanto, estes dispositivos têm sido considerados bastante promissores para tecnologias futuras e, inclusive, tem sido utilizados em produção de larga escala, nas tecnologias dedicadas ao baixo consumo de potência. Diversos transistores de múltiplas portas, tais como os FinFETs de porta dupla ou tripla, têm ganhado bastante atenção da comunidade científica graças ao seu bom desempenho em aplicações digitais. Outra estrutura de múltiplas portas, desenvolvida recentemente, que tem apresentado resultados promissores são os nanofios transistores MOS. Estas estruturas possuem seção transversal de poucos nanômetros, possibilitando excelente controle eletrostático e minimizando os efeitos indesejáveis encontrados em transistores MOS com comprimentos de canal da ordem de 10 nanometros. Atualmente, nanofios transistores tem sido investigados utilizando arquiteturas que possuem ou não junções PN entre a região de canal e as regiões de fonte e dreno. Ambas as arquiteturas possuem vantagens e desvantagens próprias, que ainda não foram completamente exploradas na literatura mundial. Este projeto de pesquisa tem por objetivos aprofundar os conhecimentos sobre as propriedades elétricas de nanofios transistores MOS, quando submetidos a condições de temperatura variável, assim como desenvolver ferramentas que permitam o projeto de circuitos CMOS utilizando estas estruturas, e investigar o desempenho de circuitos elétricos digitais e analógicos projetados com as ferramentas desenvolvidas. Também objetiva a fabricação e o desenvolvimento de nanofios transistores MOS no país. Serão utilizados para as medidas elétricas nanofios transistores MOS fabricados no CEA-Leti, França, além dos nanofios desenvolvidos no país.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Mestrado acadêmico: (3) / Doutorado: (4) . , Integrantes: Jefferson Almeida Matos - Integrante / Marcelo Antonio Pavanello - Coordenador / Michelly de Souza - Integrante / Antonio Cerdeira - Integrante / Bruna Cardoso Paz - Integrante / Rodrigo Trevisoli Doria - Integrante / Renan Trevisoli Doria - Integrante / Magali Estrada - Integrante / A. R. Molto - Integrante / Thales Augusto Ribeiro - Integrante / Flávio Enrico Bergamaschi - Integrante / Claudio Vilela Moreira - Integrante / Rhaycen Rodrigues Prates - Integrante / Giovanni Almeida Matos - Integrante / Felipe Rodrigues Garé Carnielli - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

Prêmios