Ricardo Guerra Pereira
Possui graduação em Bacharelado em Fisica pela Universidade Federal Fluminense(1978), mestradopela Universidade Federal do Rio de Janeiro(1982), doutorado em Faculdade de Ciências pela Catholiec University of Leuven(1993) e pós-doutorado pela Universidade Estadual de Campinas(1996). Atualmente é Professor da Universidade Estácio de Sá. Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em Materiais Elétricos. Atuando principalmente nos seguintes temas:Transistors, High Electrom Mobility Transistors, Deep Levels, Optical Switch, Memorias Nao-Volateis.
Informações coletadas do Lattes em 18/10/2022
Acadêmico
Formação acadêmica
Doutorado em Faculdade de Ciências
1989 - 1993
Catholiec University of Leuven
Título: THE EFFECT OF CH4/H2 REACTIVE ION ETCHING ON PSEUDOMORPHIC ALGAAS/ IN GAAS/GAAS MODULATION DOPED HETEROSTRUCTURES
Orientador: MARK VAN ROSSUM E GUIDO LANGOUCHE
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Palavras-chave: Transistors; High Electrom Mobility Transistors; Deep Levels; Optical Switch; Memorias Nao-Volateis.Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos / Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores. Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação / Especialidade: Medidas Elétricas. Setores de atividade: Educação Superior; Atividades de Assessoria e Consultoria Às Empresas; Atividades No Campo das Nanotecnologias e Desenvolvimento de Nanoprodutos.
Mestrado
1979 - 1982
Universidade Federal do Rio de Janeiro
Orientador: WOLFGANG LOSCH
Palavras-chave: Contatos; Interdifusao; Resistividade.Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos / Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.
Pós-doutorado
1996 - 1996
Pós-Doutorado. , Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil. , Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. , Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos / Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.
Idiomas
Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Espanhol
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.
Francês
Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Pouco, Escreve Pouco.
Áreas de atuação
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Telecomunicações.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Telecomunicações/Especialidade: Sistemas de Telecomunicações.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação/Especialidade: Medidas Elétricas.
Produções bibliográficas
-
MORAIS, J. ; PEREIRA, R. G. ; FAZAN, T. A. ; LANDERS, R. ; SATO, E. A. S. ; CARVALHO, W. . The Effect Of Rapid Thermal Annealing On The Microstructure Of Augeni Multilayers Deposited On N-Type Ingaas Layers. JOURNAL OF VACCUM SCIENCE AND TECHNOLOGY B, p. 0-0, 1996.
-
VAN, M. ; PEREIRA, R. G. ; HOVE, M. ; POTTER, M. . Influence Of Ch4/H2 Reactive Ion Etching On The Deep Levels Of Si-Doped Algaas. JOURNAL OF VACCUM SCIENCE AND TECHNOLOGY B, v. 14, n.03, p. 1-7, 1996.
-
ABBADE, M. L. F. ; PEREIRA, R. G. ; IIKAWA, F. ; BRUM, J. A. ; TROSTER, A. A. T. ; BERNUSSI, R. G. . State Coupling Effects In Gaas/Ingaas/Algaas Modulation Doped Quantum Wells. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, p. 0-0, 1996.
-
IIKAWA, F. ; PEREIRA, R. G. ; ABBADE, M. L. F. ; BRUM, J. A. ; BERNUSSI, A. A. ; BORGHS, G. . Magneto-Optical Experiments Of Ingaas/Gaas/Algaas Modulation Doped Single Quantum Wells. PHYSICS REVIEW B, p. 0-0, 1996.
-
TRIQUES, A. L. C. ; PEREIRA, R. G. ; IIKAWA, F. ; BRUM, J. A. ; MAIALLE, M. Z. ; BORGHS, G. . Carrier Spin Polarization Near The Fermi Level In N-Modulation Doped Algaas/Ingaas/Gaas Quantum Well. SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, v. 20, p. 1-4, 1996.
-
VAN, M. ; PEREIRA, R. G. ; HOVE, M. . Enhncement Of The Metal/Si-Doped Algaas Schottky Barrier Height By Ch4/H2 Reactive Ion Etching. JORNAL OF SOLID STATE DEVICES AND CIRCUITS, v. 04, n.01, p. 11-16, 1996.
-
VAN, M. ; PEREIRA, R. G. ; HOVE, M. . Modifications Of The Three-Dimensional Transport Properties Of Si-Doped Algaas Exposed To Ch4/H2 Reactive Ion Etching. JORNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY, v. B, n.14(1), p. 1-6, 1996.
-
IIKAWA, F. ; PEREIRA, R. G. ; BRASIL, M. J. S. A. ; BRUM, J. A. ; SCHULZ, P. A. ; BERNUSSI, A. A. ; OLIVEIRA, R. C. ; VAN, W. ; GRAAF, G. D. . Optical Properties Of A Dense 2-D Electron Gas.. BRAZILIAN JOURNAL OF PHYSICS, v. 24, n.01, p. 224-229, 1994.
-
VAN, M. ; PEREIRA, R. G. ; HOVE, M. ; POTTER, M. . Influence Of Ch4/H2 Reactive Ion Etching On Deep Levels In Si-Doped Algaas.. MATERIALS RESEARCH SOCIETY, v. 300, p. 197-202, 1993.
-
VAN, M. ; PEREIRA, R. G. ; HOVE, W. ; READT, J. ; ALAY, H. ; BENDER, W. ; VANDERVORST, M. . Enhancement Of The Metal/Si-Doped Algaas Schottky Barrier Height By Ch4/H2 Reactive Ion Etching.. MATERIAL RESEARCH SOCIETY., v. 300, p. 211-216, 1993.
-
VAN, C. M. ; PEREIRA, R. G. ; ES, T. J. ; EISKEMANS, R. G. ; HOVE, M. V. . Transport Properties Of Algaas/Gaas And Pseudomorphic Algaas/Ingaas Heretostructures Subject To Ch4/H2 Rie. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 74, n.10, p. 6242-6246, 1993.
-
VAN, M. ; PEREIRA, R. G. ; HOVE, W. ; RAEDT, C. ; HOOF, G. V. ; BORGHS, M. . Damage Introduced By Ch4/H2 Reactive Ion Etching In Pseudomorphic Algaas/Ingaas/Gaas Modfets.. MATERIALS RESEARCH SOCIETY, v. 240, p. 361-365, 1992.
-
WOLF, I. ; PEREIRA, R. G. ; VAN, M. ; HOVE, R. G. ; ROSSUM, H. E. V. ; MAES, H. . Raman Spectroscopy Study Of Damage In N-Gaas Introduced By H2 And Ch4/H2 Rie.. MATERIALS RESEARCH SOCIETY, v. 240, p. 355-360, 1992.
-
VAN, M. ; PEREIRA, R. G. ; HOVE, R. G. ; RAEDT, G. ; BORGHS, R. ; JONCKHEERE, C. ; SALA, W. ; MAGNUS, W. ; SCHOENMAKER, M. . Zero-Dimensional State In Submicron Double Barrier Heterostructures Laterally Constricted By H2 Plasma Isolation.. JOURNAL OF APLLIED PHYSICS, v. 72, n.01, p. 158-160, 1992.
-
ZOO, G. ; PEREIRA, R. G. ; POTTER, M. ; VAN, M. ; HOVE, W. ; RAEDT, M. . Highly Uniform E/D Mesfets By Ion-Implantation And Methane/Hydrogen Plasma Gate Recessing.. SEMICONDUCTORS SCIENCE AND TECHNOLOGY, v. 06, p. 912-915, 1991.
-
VAN, M. ; PEREIRA, R. G. ; HOVE, W. ; JANSEN, G. R. P. ; BORGHS, R. ; JONCKHEERE, M. . Ch4/ H2 Reactive Ion Etching For Gate Recessing Of Pseudomorphic Algaas/Ingaas Modfets.. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY, v. B, n.09, p. 1978-1980, 1991.
-
VAN, M. ; PEREIRA, R. G. ; HOVE, M. ; POTTER, M. . Use Of Methane/Hydrogen Plasma For Gate Recessing Of E/D Mesfets.. ELECTRONICS LETTERS, v. 26, p. 462-463, 1990.
-
KUIJK, M. ; PEREIRA, R. G. ; VAN, M. ; HOVE, R. P. ; MERTENS, G. ; BORGHS, J. I. . Optoelectronic Switch With Low Holding Power.. ELECTRONICS LETTERS, v. 26, p. 260-261, 1990.
-
KUIJK, M. ; PEREIRA, R. G. ; VROUNCKX, R. ; MERTENS, R. P. ; BORGHS, G. . Scaling Down Of The Double Heterostructures Npnp Optoelectronic Switching Device.. TECHNICAL DIGEST SERIES, v. 07, p. 18-20, 1990.
-
RAEDT, W. ; PEREIRA, R. G. ; VAN, M. ; HOVE, R. ; JONCKHEERE, R. G. . Submicron Pseudomorphic Hemts Using Non-Alloyed Ohimic Contacts With Contrast Enhancement.. MATERIALS REASEARCH SOCIETY, v. 181, p. 411-416, 1990.
-
LOSCH, W. ; PEREIRA, R. G. . Analise das Transicoes Auger Si (Lvv) e Pd (Mvv) Nas Interfaces Pd/Si.. REVISTA BRASILEIRA DE APLICACOES DE VACUO, v. 04, p. 71-77, 1984.
-
LOSCH, W. ; PEREIRA, R. G. . Estudos Sobre Contatos Al-Si Poli.. REVISTA BRASILEIRA DE APLICACOES DE VACUO, v. 01, p. 95-101, 1981.
-
PEREIRA, R. G. . Ohmic Contacts Suitable For Base, Emitter And Collector Metallizationsin Algaas/Gaas Hbt'S. In: XI BRAZILIAN CONGRESS OF MICROELECTRONICS, 1996, Aguas de Lindoia. Anais do XI Congresso Brasileiro de Microeletronica. AGUAS DE LINDOIA, BRASIL, 1996. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Resonant Effects In The Magneto-Optical Properties In Gaas/Ingaas/ Algaas Modulation Doped Quantum Wells. In: INT. CONF. ON THE APPL. OF HIGH MAGANETIC FIELDS IN SEMICONDUCTOR DEVICES, 1996, Wurgburg. Proceedinds of Int. COnf. on the Appl. of High Magnetic Fields. WURGBURG, ALEMANHA, 1996. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Carrier-Spin Polarization Near Fermi Level In N-Modulation Doped Algaas/Ingaas/Gaas Quantum Wells. In: INT. CONF. ON SUPERLATTICES, MICROSTRUCTURES, AND MICRODEVICES, 1996, Liege, Belgica. Proceedings on International Conference on Superlattices. LIEGE, BELGICA, 1996. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Fabrication Of Pseudomorphic Algaas/Ingaas/Gaas Hemts Using Ch4/H2 Rie. In: X CONGRESSO BRASILEIRO DE MICROELETRONICA, 1995. CANELA - RS. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Resonant Magneto-Polaron Effects In Algaas/Ingaas/Gaas Modulation Doped Single Well. In: 7TH BRAZILIAN WORKSHOP ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, 1995. RIO DE JANEIRO. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Influence Of Ch4/H2 Rie On The Electrical And Optical Properties Of Algaas/Ingaas And Heterostructures.. In: 1ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON MATERIALS FOR MICROELECTRONICS, 1994. MADRID - SPAIN. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Influence Of Ch4/H2 Rie On The Electrical And Optical Properties Of Algaas/Gaas And Algaas/Ingaas Heterostructures.. In: 21ST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUDID SEMICONDUCTORS, 1994. SAN DIEGO - USA. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . New Features In Optical Emission Of A Dense 2-D Electron Gas.. In: 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SUPERLATIVE, MICROSTRUCTURES AND, 1994. ALBERTA - CANADA. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Optical Properties Of A Dense 2-D Eletron Gas.. In: 6TH BRAZILIAN SCHOOL OF SEMICONDU PHYSICS, 1993. SAO CARLOS - SP. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Influence Of Ch4/H2 Reactive Ion Etching On Deep Levels In Si-Doped Algaas.. In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM, 1993. SAN FRANCISCO - USA. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Enhancement Of The Metal/Si-Doped Algaas Schottky Barrier Height By Ch4/H2 Reactive Ion Etching.. In: MATERIALS RESEARCH COCIETY SYMPOSIUM, 1993. SAN FRANCISCO - USA. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Pecvd Silion Nitride Assisted Process For Fabrication Of Ch4/H2 Plasmagate Recessed Pseudomorphic Hemts.. In: 3RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID STATE AND IC TECHNOLOGY, 1992. BEIJING - CHINA. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Damage Introduced By Ch4/H2 Reactive Ion Etching In Pseudomorphic Algaas/Ingaas Modfets.. In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM, 1991. BOSTON - USA. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Raman Spectroscopy Study Of Damage In N-Gaas Introduced By H2 And Ch4/H2 Rie.. In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM, 1991. BOSTON - USA. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Scaling Down Of Double Heterostructure Npnp Optoelectronics Switching Device.. In: CONFERENCE ON LIGHT EMITTING OPTOELECTRONICS (CLEO), 1990. WASHINGTON - DC - USA. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Submicron Pseudomorphic Hemts Using Non-Alloyed Ohmic Contacts With Constrast Enhacement.. In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM, 1990. SAN FRANCISCO - USA. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Desenvolvimento de Lasers de Ingaas/Inp do Tipo Ridge-Waveguide.. In: IV CONGRESSO BRASILEIRO DE MIVROELETRONICA, 1989. PORTO ALEGRE - RS. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Analise das Transicoes Auger Si(L2,3vv) And Pd(M4,5vv) Nas Interfaces Pd/Si. In: V CONGRESSO BRASILEIRO DE APLICACOES DE VACUO NA INDUSTRIA E NA CIENCIA, 1984. CAMPINAS, BRASIL. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Interdiffusion And Silicide Formation In Thin Films Of Pd And A-Si. In: CONGRESS OF MATERIALS RESEARCH SOCIETY, 1984. STRASBURG, FRANCA. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Pd/A-Si Contacts. In: I SIMP. LATINO-AMERICANO DE FISICA DE SISTEMAS AMORFOS, 1984. NITEROI, BRASIL. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Interdiffusion In Cr/Ag Thin Films. In: IX INT. VACCUM CONGRESS AND V INT. CONF. ON SOLID SURFACE, 1983. MADRID, ESPANHA. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Caracterizacao de Filmes Finos de Silicio Amorfo Obtidos Por Evaporacao. In: III CONGRESSO BRASILEIRO DE MICROELETRONICA, 1983. SAO PAULO, BRASIL. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Filmes Finos de Silicio Amorfo Para Celulas Solares Obtidos Por Sputtering. In: IV CONGRESSO BRASILEIRO DE APLICACOES DE VACUO NA INDUSTRIA E NA CIENCIA, 1983. SAO JOSE DOS CAMPOS, BRASIL. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Interdifusao Em Filmes de Au/Ag. In: III CONGRESSO BRASILEIRO DE APLICACOES DE VACUO NA INDUSTRIA E NA CIENCIA, 1982. RIO DE JANEIRO, BRASIL. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Estudos Sobre Contatos Al-Si Poli. In: II CONGRESSO BRASILEIRO DE APLICACOES DE VACUO NA INDUSTRIA E NA CIENCIA, 1981. CAMPINAS, BRASIL. p. 0-0.
-
PEREIRA, R. G. . Onmic Contact Technology For Submicron Gate Length Alinas/Ingaas/Inp Hemts.. In: HETEROSTRUCTURES TECHNOLOGY WORKSHOP, 1993. LILLE - FRANCE. p. 0-0.
Histórico profissional
Endereço profissional
-
Universidade do Estado do Rio de Janeiro, Reitoria, Sub-Reitoria de Graduação. , CIDADE UNIVERSITARIA ZEFERINO VAZ, CID. UNIVERSITARIA, B3030 - Campinas, - Bélgica - Caixa-postal: 6165, Telefone: (0019) 22398101, Fax: (0019) 393127
Experiência profissional
2004 - 2004
Universidade do Estado do Rio de JaneiroVínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor Visitante, Carga horária: 40
Outras informações:
Sistemas de Televisão Comunicações Ópticas; Sistemas de Rádio
Atividades
-
04/2004 - 12/2004
Ensino, Engenharia de Telecomunicações, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Fibras Ópticas e Componentes, Sistema de Televisão, Sistemas de Telecomunicações - Rádio
2003 - 2003
Serviço Nacional de Aprendizado do ComércioVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Consultor Docente IV, Carga horária: 20
Outras informações:
Coordenador do Curso de Superior de Curta Duração de Tecnologo em Infra-estrutura de Telecomunicações
Atividades
-
02/2003 - 11/2003
Direção e administração, Instituto Politécnico, .,Cargo ou função, Coordenador.
-
02/2003 - 07/2003
Ensino, Infra-estrutura em Telecomunicações, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Gestão Comercial de Negócios em Telecomunicações
2000 - 2003
ALCATEL TELECOMUNICAÇÕES S/AVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Consultor, Carga horária: 40
Outras informações:
Gerente da Tecnologia de Multiplexção em Comprimentos de Onda - WDM; Planejamento de Redes de Dados; Projeto de Sistemas SDH.
Atividades
-
04/2000 - 05/2003
Serviços técnicos especializados , Divisão de Transmissão Óptica, .,Serviço realizado, Projetos de Redes WDM.
1999 - 2000
Marítima Petróleo e Engenharia LtdaVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Gerente de Telecomunicações, Carga horária: 40
Outras informações:
Gerente do Projeto de Rede Óptica em SDH
Atividades
-
05/2003 - 04/2004
Serviços técnicos especializados , Divisão de Telecomunicações, .,Serviço realizado, Projeto de Rede Optica e de Radio SDH.
-
01/1999 - 04/2000
Serviços técnicos especializados , Divisão de Telecomunicações, .,Serviço realizado, Gerencia de Projeto de Rede Óptica - Rede SDH.
1997 - 2003
Universidade Estácio de SáVínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor Visitante, Carga horária: 12
Outras informações:
Docente no Curso de Tecnologo em Fibras Ópticas e Transmissão Digital e na Faculdade de Engenharia de Produção.
Atividades
-
05/1997 - 06/2003
Ensino, Telecomunicações, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Redes de Banda Larga, Redes de Acesso, Redes de Longas Distancias, Segurança e Gerencia de Redes, Analise e Projeto de Redes de Dados, Linhas de Transmissão, Componentes Optoeletronicos, Introdução as Telecomunicações
1997 - 1998
Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro, PUC-RioVínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor Visitante, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações:
Período de 01/1997-06/1998 - Laboratório de Semicondutores do Centro de Estudos em Telecomunicações (CETUC); Período de 07/1998-12/1998 - Laboratório de Sistemas Ópticos e de Micro-Ondas do CETUC
Atividades
-
08/1998 - 12/2001
Extensão universitária , Reitoria, Coordenação Central de Extensão.,Atividade de extensão realizada, Cursos Projeto de Redes Ópticas - 40 horas.
-
07/1998 - 12/2001
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Projeto de Redes Ópticas de Alta Velocidade, Redes Ópticas: uma visão de componentes
-
01/1997 - 12/1998
Pesquisa e desenvolvimento , Reitoria, Centro de Estudos em Telecomunicações -CETUC.,Linhas de pesquisa
-
07/1997 - 12/1997
Ensino, FIsica IV - Óptica e Micro-Ondas, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Fisica IV
1996 - 1996
Universidade Estadual de CampinasVínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: PESQUISADOR ASSOCIADO, 2A, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações:
Departamento de Semicondutores, Intrumentação e Fotônica da Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (DSIF/FEEC/UNICAMP)
Atividades
-
07/1996 - 12/1996
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, DISPOSITIVOS E CI'S EM GAAS - IE326/FEEC/UNICAMP // PROCESSOS DE FABRICACAO DE CI'S EM GAAS - IE347/FEEC
-
01/1996 - 12/1996
Pesquisa e desenvolvimento , Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Departamento de Semicondutores Instrumentos e Fotônica.,Linhas de pesquisa
-
01/1996 - 02/1996
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Especialização,Disciplinas ministradas, Medidas de Diodos Schottky, Dispositivos MESFET´s
1984 - 1995
Telebras Telecomunicações BrasileirasVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Pesquisador em Telecomunicações, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações:
Consultor técnico para dispositivos optoeletronicos em GaAs, InP e compostos; Coordenador de projeto de pesquisa aplicada em lasers guiados por indice efetivo para aplicações em altas frequências; Coordenador da transferencia de tecnologia em processamento de lasers de GaAS para a industria Elebra Optoeletronica; Chefe das areas de processamento e solda de dispositivos optoeletronicos; Coordenação do projeto de Moduladores eletro-opticos em semicondutores compostos para operarem am altas taxas de transmissão;
Atividades
-
09/1984 - 12/1995
Pesquisa e desenvolvimento , Centro de Pesquisas e Desenvolvimento -CPqD, .,Linhas de pesquisa
-
04/1987 - 02/1989
Extensão universitária , Centro de Pesquisas e Desenvolvimento -CPqD, .,Atividade de extensão realizada, CONSULTOR TECNICO.
Criando um monitoramento
Nossos robôs irão buscar nos nossos bancos de dados todos os processos de Ricardo Guerra Pereira e sempre que o nome aparecer em publicações dos Diários Oficiais, avisaremos por e-mail e pelo painel do usuário
Criando um monitoramento
Nossos robôs irão buscar nos nossos bancos de dados todas as movimentações desse processo e sempre que o processo aparecer em publicações dos Diários Oficiais e nos Tribunais, avisaremos por e-mail e pelo painel do usuário
Confirma a exclusão?