Ricardo Guerra Pereira

Possui graduação em Bacharelado em Fisica pela Universidade Federal Fluminense(1978), mestradopela Universidade Federal do Rio de Janeiro(1982), doutorado em Faculdade de Ciências pela Catholiec University of Leuven(1993) e pós-doutorado pela Universidade Estadual de Campinas(1996). Atualmente é Professor da Universidade Estácio de Sá. Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em Materiais Elétricos. Atuando principalmente nos seguintes temas:Transistors, High Electrom Mobility Transistors, Deep Levels, Optical Switch, Memorias Nao-Volateis.

Informações coletadas do Lattes em 18/10/2022

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Faculdade de Ciências

1989 - 1993

Catholiec University of Leuven
Título: THE EFFECT OF CH4/H2 REACTIVE ION ETCHING ON PSEUDOMORPHIC ALGAAS/ IN GAAS/GAAS MODULATION DOPED HETEROSTRUCTURES
Orientador: MARK VAN ROSSUM E GUIDO LANGOUCHE
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Palavras-chave: Transistors; High Electrom Mobility Transistors; Deep Levels; Optical Switch; Memorias Nao-Volateis.Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos / Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores. Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação / Especialidade: Medidas Elétricas. Setores de atividade: Educação Superior; Atividades de Assessoria e Consultoria Às Empresas; Atividades No Campo das Nanotecnologias e Desenvolvimento de Nanoprodutos.

Mestrado

1979 - 1982

Universidade Federal do Rio de Janeiro
Orientador: WOLFGANG LOSCH
Palavras-chave: Contatos; Interdifusao; Resistividade.Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos / Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.

Graduação em Bacharelado em Fisica

1974 - 1978

Universidade Federal Fluminense

Pós-doutorado

1996 - 1996

Pós-Doutorado. , Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil. , Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. , Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos / Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.

Idiomas

Bandeira representando o idioma Inglês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Bandeira representando o idioma Espanhol

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.

Bandeira representando o idioma Francês

Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Pouco, Escreve Pouco.

Áreas de atuação

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Telecomunicações.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Telecomunicações/Especialidade: Sistemas de Telecomunicações.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação/Especialidade: Medidas Elétricas.

Produções bibliográficas

  • MORAIS, J. ; PEREIRA, R. G. ; FAZAN, T. A. ; LANDERS, R. ; SATO, E. A. S. ; CARVALHO, W. . The Effect Of Rapid Thermal Annealing On The Microstructure Of Augeni Multilayers Deposited On N-Type Ingaas Layers. JOURNAL OF VACCUM SCIENCE AND TECHNOLOGY B, p. 0-0, 1996.

  • VAN, M. ; PEREIRA, R. G. ; HOVE, M. ; POTTER, M. . Influence Of Ch4/H2 Reactive Ion Etching On The Deep Levels Of Si-Doped Algaas. JOURNAL OF VACCUM SCIENCE AND TECHNOLOGY B, v. 14, n.03, p. 1-7, 1996.

  • ABBADE, M. L. F. ; PEREIRA, R. G. ; IIKAWA, F. ; BRUM, J. A. ; TROSTER, A. A. T. ; BERNUSSI, R. G. . State Coupling Effects In Gaas/Ingaas/Algaas Modulation Doped Quantum Wells. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, p. 0-0, 1996.

  • IIKAWA, F. ; PEREIRA, R. G. ; ABBADE, M. L. F. ; BRUM, J. A. ; BERNUSSI, A. A. ; BORGHS, G. . Magneto-Optical Experiments Of Ingaas/Gaas/Algaas Modulation Doped Single Quantum Wells. PHYSICS REVIEW B, p. 0-0, 1996.

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  • PEREIRA, R. G. . Influence Of Ch4/H2 Reactive Ion Etching On Deep Levels In Si-Doped Algaas.. In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM, 1993. SAN FRANCISCO - USA. p. 0-0.

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  • PEREIRA, R. G. . Submicron Pseudomorphic Hemts Using Non-Alloyed Ohmic Contacts With Constrast Enhacement.. In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM, 1990. SAN FRANCISCO - USA. p. 0-0.

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  • PEREIRA, R. G. . Interdiffusion And Silicide Formation In Thin Films Of Pd And A-Si. In: CONGRESS OF MATERIALS RESEARCH SOCIETY, 1984. STRASBURG, FRANCA. p. 0-0.

  • PEREIRA, R. G. . Pd/A-Si Contacts. In: I SIMP. LATINO-AMERICANO DE FISICA DE SISTEMAS AMORFOS, 1984. NITEROI, BRASIL. p. 0-0.

  • PEREIRA, R. G. . Interdiffusion In Cr/Ag Thin Films. In: IX INT. VACCUM CONGRESS AND V INT. CONF. ON SOLID SURFACE, 1983. MADRID, ESPANHA. p. 0-0.

  • PEREIRA, R. G. . Caracterizacao de Filmes Finos de Silicio Amorfo Obtidos Por Evaporacao. In: III CONGRESSO BRASILEIRO DE MICROELETRONICA, 1983. SAO PAULO, BRASIL. p. 0-0.

  • PEREIRA, R. G. . Filmes Finos de Silicio Amorfo Para Celulas Solares Obtidos Por Sputtering. In: IV CONGRESSO BRASILEIRO DE APLICACOES DE VACUO NA INDUSTRIA E NA CIENCIA, 1983. SAO JOSE DOS CAMPOS, BRASIL. p. 0-0.

  • PEREIRA, R. G. . Interdifusao Em Filmes de Au/Ag. In: III CONGRESSO BRASILEIRO DE APLICACOES DE VACUO NA INDUSTRIA E NA CIENCIA, 1982. RIO DE JANEIRO, BRASIL. p. 0-0.

  • PEREIRA, R. G. . Estudos Sobre Contatos Al-Si Poli. In: II CONGRESSO BRASILEIRO DE APLICACOES DE VACUO NA INDUSTRIA E NA CIENCIA, 1981. CAMPINAS, BRASIL. p. 0-0.

  • PEREIRA, R. G. . Onmic Contact Technology For Submicron Gate Length Alinas/Ingaas/Inp Hemts.. In: HETEROSTRUCTURES TECHNOLOGY WORKSHOP, 1993. LILLE - FRANCE. p. 0-0.

Histórico profissional

Endereço profissional

  • Universidade do Estado do Rio de Janeiro, Reitoria, Sub-Reitoria de Graduação. , CIDADE UNIVERSITARIA ZEFERINO VAZ, CID. UNIVERSITARIA, B3030 - Campinas, - Bélgica - Caixa-postal: 6165, Telefone: (0019) 22398101, Fax: (0019) 393127

Experiência profissional

2004 - 2004

Universidade do Estado do Rio de Janeiro

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor Visitante, Carga horária: 40

Outras informações:
Sistemas de Televisão Comunicações Ópticas; Sistemas de Rádio

Atividades

  • 04/2004 - 12/2004

    Ensino, Engenharia de Telecomunicações, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Fibras Ópticas e Componentes, Sistema de Televisão, Sistemas de Telecomunicações - Rádio

2003 - 2003

Serviço Nacional de Aprendizado do Comércio

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Consultor Docente IV, Carga horária: 20

Outras informações:
Coordenador do Curso de Superior de Curta Duração de Tecnologo em Infra-estrutura de Telecomunicações

Atividades

  • 02/2003 - 11/2003

    Direção e administração, Instituto Politécnico, .,Cargo ou função, Coordenador.

  • 02/2003 - 07/2003

    Ensino, Infra-estrutura em Telecomunicações, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Gestão Comercial de Negócios em Telecomunicações

2000 - 2003

ALCATEL TELECOMUNICAÇÕES S/A

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Consultor, Carga horária: 40

Outras informações:
Gerente da Tecnologia de Multiplexção em Comprimentos de Onda - WDM; Planejamento de Redes de Dados; Projeto de Sistemas SDH.

Atividades

  • 04/2000 - 05/2003

    Serviços técnicos especializados , Divisão de Transmissão Óptica, .,Serviço realizado, Projetos de Redes WDM.

1999 - 2000

Marítima Petróleo e Engenharia Ltda

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Gerente de Telecomunicações, Carga horária: 40

Outras informações:
Gerente do Projeto de Rede Óptica em SDH

Atividades

  • 05/2003 - 04/2004

    Serviços técnicos especializados , Divisão de Telecomunicações, .,Serviço realizado, Projeto de Rede Optica e de Radio SDH.

  • 01/1999 - 04/2000

    Serviços técnicos especializados , Divisão de Telecomunicações, .,Serviço realizado, Gerencia de Projeto de Rede Óptica - Rede SDH.

1997 - 2003

Universidade Estácio de Sá

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor Visitante, Carga horária: 12

Outras informações:
Docente no Curso de Tecnologo em Fibras Ópticas e Transmissão Digital e na Faculdade de Engenharia de Produção.

Atividades

  • 05/1997 - 06/2003

    Ensino, Telecomunicações, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Redes de Banda Larga, Redes de Acesso, Redes de Longas Distancias, Segurança e Gerencia de Redes, Analise e Projeto de Redes de Dados, Linhas de Transmissão, Componentes Optoeletronicos, Introdução as Telecomunicações

1997 - 1998

Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro, PUC-Rio

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor Visitante, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Período de 01/1997-06/1998 - Laboratório de Semicondutores do Centro de Estudos em Telecomunicações (CETUC); Período de 07/1998-12/1998 - Laboratório de Sistemas Ópticos e de Micro-Ondas do CETUC

Atividades

  • 08/1998 - 12/2001

    Extensão universitária , Reitoria, Coordenação Central de Extensão.,Atividade de extensão realizada, Cursos Projeto de Redes Ópticas - 40 horas.

  • 07/1998 - 12/2001

    Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Projeto de Redes Ópticas de Alta Velocidade, Redes Ópticas: uma visão de componentes

  • 01/1997 - 12/1998

    Pesquisa e desenvolvimento , Reitoria, Centro de Estudos em Telecomunicações -CETUC.,Linhas de pesquisa

  • 07/1997 - 12/1997

    Ensino, FIsica IV - Óptica e Micro-Ondas, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Fisica IV

1996 - 1996

Universidade Estadual de Campinas

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: PESQUISADOR ASSOCIADO, 2A, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Departamento de Semicondutores, Intrumentação e Fotônica da Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (DSIF/FEEC/UNICAMP)

Atividades

  • 07/1996 - 12/1996

    Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, DISPOSITIVOS E CI'S EM GAAS - IE326/FEEC/UNICAMP // PROCESSOS DE FABRICACAO DE CI'S EM GAAS - IE347/FEEC

  • 01/1996 - 12/1996

    Pesquisa e desenvolvimento , Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Departamento de Semicondutores Instrumentos e Fotônica.,Linhas de pesquisa

  • 01/1996 - 02/1996

    Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Especialização,Disciplinas ministradas, Medidas de Diodos Schottky, Dispositivos MESFET´s

1984 - 1995

Telebras Telecomunicações Brasileiras

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Pesquisador em Telecomunicações, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Consultor técnico para dispositivos optoeletronicos em GaAs, InP e compostos; Coordenador de projeto de pesquisa aplicada em lasers guiados por indice efetivo para aplicações em altas frequências; Coordenador da transferencia de tecnologia em processamento de lasers de GaAS para a industria Elebra Optoeletronica; Chefe das areas de processamento e solda de dispositivos optoeletronicos; Coordenação do projeto de Moduladores eletro-opticos em semicondutores compostos para operarem am altas taxas de transmissão;

Atividades

  • 09/1984 - 12/1995

    Pesquisa e desenvolvimento , Centro de Pesquisas e Desenvolvimento -CPqD, .,Linhas de pesquisa

  • 04/1987 - 02/1989

    Extensão universitária , Centro de Pesquisas e Desenvolvimento -CPqD, .,Atividade de extensão realizada, CONSULTOR TECNICO.