RICARDO COTRIN TEIXEIRA

R.C. Teixeira has B.Sc. in Physics (Londrina University - Brazil, 1996) and Ph.D. in Electrical Engineering (Campinas University - Brazil, 2006). Studies microelectronics since 1992 and during the graduation course he focused on LPCVD techniques for poly-Si and Poly-SiGe thin films deposition aiming both MOS and MEMS applications. Member of the EDS/IEEE, he was founder-president of the EDS Student Chapter at Unicamp and idealized/hosted or co-hosted many workshops and conferences, e.g. the Workshop on Semiconductors and Micro and Nano Technology (Seminatec) and the VI Microelectronics Students Forum (www.lecom.dcc.ufmg.br/sbcci/en/sforum.php). He is author/co-author of more than 100 papers, co-author of the book "Introdução aos semicondutores e suas aplicações tecnológicas" (Introduction to the semiconductors and their technological applications - ISBN 85-7216-410-3) and has two patents filled (Method for reducing the thickness of substrates" and "Method for etching 3d structures in a semiconductor substrate, including surface preparation"). From 2006-2009, R.C. Teixeira was part of IMEC/Belgium staff, performing research on Si thinning (wafer and die level) for 3D-integration and biomedical applications. At present, R.C. Teixeira is a permanent staff at CTI Renato Archer, Campinas, Brasil. After developing several processes (e.g. semiconductor quantum dots for photovoltaic applications and metal evaporation and integration processes for OLED displays) he was invited on 2016 to head of the Electronic Packaging and System Integration team, implementing and developing processes for Advanced Packaging Technologies such as flip chip, stud bumps and 3D integration. He resigned the comission on sept/2022 to focus on RDI activities. R.C. Teixeira coordinated the project EMPAVAN (FINEP 01.10.0521.01 R$4.423.935,12), that completely refurbished the Electronic Packaging clean room at CTI and introduced new processes. Currently R.C. Teixeira coordinates the packaging area for the INCT Namitec project (CNPq 406193/2022-3 - R$6.000.000,00)

Informações coletadas do Lattes em 21/01/2026

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Engenharia Elétrica

2001 - 2006

Universidade Estadual de Campinas
Título: Desenvolvimento de filmes de silício-germânio para aplicações em dispositivos MOS
, Ano de obtenção: 2006. Ioshiaki Doi. Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. Palavras-chave: Silício; Germânio; Deposição Química de Vapor; Filmes Finos.Grande área: EngenhariasSetores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais; Fabricação de Máquinas, Aparelhos e Materiais Elétricos.

Mestrado em Engenharia Elétrica

1999 - 2001

Universidade Estadual de Campinas
Título: Implementação de um Sistema LPCVD para Obtenção de Filmes Finos de Silício Policristalino, Ano de Obtenção: 2001
Ioshiaki doi.Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil. Palavras-chave: Silício; Deposição Química de Vapor; Filmes Finos.Grande área: EngenhariasSetores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais; Fabricação de Máquinas, Aparelhos e Materiais Elétricos.

Graduação em Fisica

1990 - 1996

Universidade Estadual de Londrina
Título: Bacharelado e Licenciatura em Física

Pós-doutorado

2010 - 2010

Pós-Doutorado. , Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer, CTI, Brasil. , Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra

2006 - 2008

Pós-Doutorado. , Interuniversitair Microeletronica Centrum Vew, IMEC, Bélgica. , Bolsista do(a): Katholieke Universiteit Leuven, KUL, Bélgica. , Grande área: Engenharias

Formação complementar

2020 - 2020

Avaliação de Incerteza de Medição. (Carga horária: 30h). , Instituto Nacional de Metrologia, Qualidade e Tecnologia, INMETRO, Brasil.

2020 - 2020

Planejamento Estratégico para Organizações Públicas. (Carga horária: 40h). , Escola Nacional de Administração Pública, ENAP, Brasil.

2019 - 2019

Elaboração de estudos preliminares e termo de referência. (Carga horária: 24h). , In Company Treinamentos Direcionados, INCOMPANY, Brasil.

2019 - 2019

Tirando do Papel - Transformando minha pesquisa em negócio. (Carga horária: 8h). , Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.

2014 - 2014

Gestão de Projetos. (Carga horária: 24h). , Escola Nacional de Administração Pública, ENAP, Brasil.

2011 - 2011

Projeto de Salas Limpas. (Carga horária: 18h). , Sociedade Brasileira de Controle de Contaminação, SBCC, Brasil.

2010 - 2010

Segurança em Laboratórios Físico-Químicos. (Carga horária: 4h). , IsoLab Treinamentos Ltda., ISOLAB, Brasil.

2007 - 2007

Emerging Trend o SOP after SIP and 3D Packaging. (Carga horária: 8h). , Institute Of Electrical And Electronics Engineers, Inc., IEEE, Estados Unidos.

2007 - 2007

Electromigration in Interconnect and Packaging Technologies. (Carga horária: 8h). , Institute Of Electrical And Electronics Engineers, Inc., IEEE, Estados Unidos.

2005 - 2005

Introdução ao Sistema Operacional Linux. (Carga horária: 7h). , Institute of Electrical and Electronic Engineers, IEEE, Brasil.

2004 - 2004

Criando Empresas Inovadoras. (Carga horária: 8h). , Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.

2004 - 2004

Operação das Máquinas de Extração de Parâmetros HP4145 e SCS4200 Keithley. (Carga horária: 6h). , Institute of Electrical and Electronic Engineers, IEEE, Brasil.

2004 - 2004

Quantum Engineering of Nanoelectronics Devices. (Carga horária: 8h). , Institute of Electrical and Electronic Engineers, IEEE, Brasil.

2002 - 2002

2nd international londrina winter school mathematical methods in physics. (Carga horária: 27h). , Universidade Estadual de Londrina, UEL, Brasil.

2000 - 2000

Técnicas de caracterização aplicadas a dispositivos microeletrônicos. (Carga horária: 40h). , Universidade de São Paulo, USP, Brasil.

1997 - 1997

802: NetWare 3.1x Installation & Configuration. (Carga horária: 16h). , LAN University, LANU, Estados Unidos.

1997 - 1997

508: NetWare 3.1x Administration. (Carga horária: 16h). , LAN University, LANU, Estados Unidos.

1997 - 1997

518: NetWare 3.1x Advanced Administration. (Carga horária: 16h). , LAN University, LANU, Estados Unidos.

1994 - 1994

Dispositivos Opto-Eletrônicos. (Carga horária: 16h). , Sociedade Brasileira de Vacuo, SBV, Brasil.

1994 - 1994

I Escola de Verão do Departamento de Física. (Carga horária: 48h). , Universidade Estadual de Londrina, UEL, Brasil.

Idiomas

Inglês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Áreas de atuação

Grande área: Outros / Área: Microeletrônica.

Grande área: Outros / Área: Microeletrônica / Subárea: Processos de Fabricação.

Grande área: Outros / Área: Microeletrônica / Subárea: Empacotamento Eletrônico.

Grande área: Outros / Área: Microeletrônica / Subárea: Integração em 3D.

Grande área: Outros / Área: Microeletrônica / Subárea: Materiais e Componentes Semicondutores.

Grande área: Outros / Área: Microeletrônica / Subárea: Estruturas Eletrônicas e Propriedades Elétricas de Superfícies; Interf. e Partículas.

Organização de eventos

Teixeira, Ricardo Cotrin . 3rd Workshop on Semiconducots and Micro and Nano Technology. 2007. (Congresso).

Teixeira, Ricardo Cotrin . 2nd Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. 2006. (Congresso).

Teixeira, Ricardo Cotrin . VI Student Fórum. 2006. (Congresso).

Teixeira, Ricardo Cotrin . 10th Week of Electrical Engineering. 2006. (Outro).

Teixeira, Ricardo Cotrin . 1st Workshop on Semiconductors and Micro and Nano Technology. 2005. (Congresso).

Teixeira, Ricardo Cotrin . 9th Week of Electrical Engineering. 2005. (Outro).

Teixeira, Ricardo Cotrin . Workshop OSA Chapter: Science and Technology in Optical Communication. 2005. (Congresso).

Teixeira, Ricardo Cotrin . 8th Week of Electrical Engineering. 2004. (Outro).

Teixeira, Ricardo Cotrin . 1st Workshop of the SCEDS at Unicamp. 2004. (Congresso).

Participação em bancas

Aluno: Lucas Stucchi-Zucchi

DINIZ, José Alexandre; Leandro T. Manera;TEIXEIRA, R. C.. Corrosão de Silício em solução de NH4OH como forma de afinamento do canal para dispositivos juctionless_FET. 2019. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.

Produções bibliográficas

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Teixeira, Ricardo Cotrin ; DOI, Ioshiaki ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, J. W. ; ZAKIA, Maria Beny Pinto . Morphological Study of Polycrystalline SiGe Alloy Deposited by Vertical LPCVD. In: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2005, São josé dos Campos. Book of Programs and Abstracts, 2005.
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Teixeira, Ricardo Cotrin ; DOI, Ioshiaki ; ZAKIA, Maria Beny Pinto ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, J. W. . Low Electrical Resistivity Polycrystalline SiGe Films Obtained by Vertical LPCVD for MOS Devices. In: European Materials Research Society Spring Meeting, 2005, Estrasburgo. Book of Program and Abstracts, 2005.
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Boscoli, F. A. ; DOI, Ioshiaki ; Teixeira, Ricardo Cotrin ; RIBAS, R. P. . Comb Drive Devices for Communications. In: Workshop on Semiconductors and Micro and Nano Technology, 2005, Campinas. Book of Program and Abstracts, 2005.
HAYASHI, M. ; ORLOSKI, R. V. ; Teixeira, Ricardo Cotrin ; SANTOS, Regis Eugenio dos ; DOI, Ioshiaki ; SWART, J. W. ; PUDENZI, M. A. A. ; CARDOSO, L. P. . Boron Shallow Junctions in Silicon. In: Workshop on Semiconductors and Micro and Nano Technology, 2005, Campinas. Book of Program and Abstracts, 2005.
SANTOS, Regis Eugenio dos ; DOI, Ioshiaki ; Teixeira, Ricardo Cotrin ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, J. W. . Study of NiPt Silicide by AFM and SEM Measurements. In: Workshop on Semiconductors and Micro and Nano Technology, 2005, Campinas. Book of Program and Abstracts, 2005.
MARINS, Emílio Sérgio V P ; MESTANZA, Segundo Nilo Munhos ; DOI, Ioshiaki ; Teixeira, Ricardo Cotrin ; DIAS, Guilherme Osvaldo ; QUEIRÓS, José Eudóxio C ; SWART, J. W. ; TEJERO, D. C. B. ; TESSLER, L. . Formation of Nanometer Silicon Dots with Germanium Core by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition. In: Workshop on Semiconductors and Micro and Nano Technology, 2005, Campinas. Book of Program and Abstracts, 2005.
TEIXEIRA, R. C. ; DOI, Ioshiaki ; DINIZ, José Alexandre ; ZAKIA, Maria Beny Pinto ; HAYASHI, Marcelo A . EXAFS Study of Spin on Glass P-doped Polycrystalline Silicon. In: Reunião Anual de Usuários do LNLS, 2004, Campinas. Caderno de Resumos do 14 RAU, 2004.
TEIXEIRA, R. C. ; DOI, Ioshiaki ; SCORALIK JÚNIOR, Cleber ; DINIZ, José Alexandre ; ZAKIA, Maria Beny Pinto . Stress Analysis of Rapid Thermal Annealed Polycrystalline Silicon Thin Films Deposited by Reduced Pressure Vertical CVD. In: International Vacuum Conference, 2004, Veneza. Proceedings of IVC-16, 2004. p. 590-590.
DOI, Ioshiaki ; TEIXEIRA, R. C. ; SANTOS, Regis Eugenio dos ; DINIZ, José Alexandre ; SANTOS FILHO, Sebastiao Gomes dos . Phase Shift of Ni and Ni(Pt) Silicides by XAFS Measyrements. In: International Vacuum Conference, 2004, Veneza. Proceeding of IVC-16, 2004. p. 234-234.
FINARDI, Marcia Rautember ; DOI, Ioshiaki ; TEIXEIRA, R. C. ; DINIZ, José Alexandre ; CANESQUI, Mara Adriana . Differences in Wet Isotropic Etching ? NH4OH and Wet Anisotropic Etchings Based on KOH, KOH+2-Propanol and TMAH, for Silicon Micromachining Technology. In: International Vacuum Conference, 2004, Veneza. Proceedings of IVC-16, 2004. p. 590-590.
Teixeira, Ricardo Cotrin ; DOI, Ioshiaki ; DINIZ, José Alexandre ; SWART, J. W. ; ZAKIA, Maria Beny Pinto . Deposition of Polycrystalline Si(1-x)Ge(x) Allow Using Vertical LPCVD System. In: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais, 2004, Foz do Iguaçu. Proceedings fo the III SBPMat - Book of Abstracts, 2004. p. 74-74.
SANTOS, Regis Eugenio dos ; DOI, Ioshiaki ; TEIXEIRA, R. C. ; DINIZ, José Alexandre ; SANTOS FILHO, Sebastiao Gomes dos . Microstructure Characterization of Agglomerations Formed on Ni and Ni(Pt) Silicide Thin Films with SEM/EDS. In: International Conference on Materials for Advanced Technologies, 2003, Suntec City. Anals ICMAT 2003, 2003.
TEIXEIRA, R. C. ; DOI, Ioshiaki ; ZAKIA, Maria Beny Pinto ; DINIZ, José Alexandre . Micro-Raman Stress Characterization of Polycrystalline Silicon Films Grown at High Temperature. In: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais, 2003, Foz do Iguaçu. Anals do II SBPMat, 2003. p. 51-51.
MESTANZA, Segundo Nilo Munhos ; MARINS, Emílio Sérgio V P ; DIAS, Guilherme Osvaldo ; QUEIRÓS, José Eudóxio C ; DOI, Ioshiaki ; TESLER, Leandro R ; MARTINHO, H ; TEJERO, D C B ; TEIXEIRA, R. C. . Fabrication and Characterization of Silicon Nanostructures with a Core Germany by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD). In: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais, 2003, Foz do Iguaçu. Book of Abstracts II SBPMat, 2003. p. 51-51.
Teixeira, Ricardo Cotrin ; ZAKIA, Maria Beny Pinto ; SWART, J. W. ; DOI, Ioshiaki . Implementation of a LPCVD System for Polycrystalline Silicon Thin Films. In: DMI Workshop, 2000, São Paulo. 2000 DMI Workshop - Abstracts, 2000.
TEIXEIRA, R.C. . Micro e Nano Eletrônica como Tecnologias Habilitadoras. 2023. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
TEIXEIRA, R.C. . Painel Temático C&T e Defesa. 2023. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
ROTONDARO, A. L. P. ; TEIXEIRA, R. C. ; LIMA, V. D. P. ; GOMES, E. A. ; MAIOLINI, G. ; HINOME, T. ; ROCHA, M. M. . Microelectronic Packaging 2013 (Relatório Anual de Atividades INCT Namitec).

Outras produções

VERDONCK, P. ; CAUWENBERGHE, M. V. ; PHOMMAHAXAY, A. ; TEIXEIRA, R. C. ; Tutunjyan, N. . Method for etching 3D structures in a semiconductor substrate including surface preparation. 2010.

Teixeira, Ricardo Cotrin . Method for reducing the thickness of substrates. 2008.

Projetos de pesquisa

2025 - Atual

INCT NanoQuantSS - Nanotecnologia Aplicada em Sensores, Dispositivos Semicondutores e Tecnologias Quânticas, Descrição: Este projeto faz parte do Instituto Nacional de Ciências e Tecnologia (INCT) intitulado Nanotecnologiaaplicada em sensores, dispositivos semicondutores e tecnologias quânticas (NanoQuantSS), Processo CNPqn. 408596/2024-4. É uma ampla rede de pesquisa colaborativa (80 doutores, 15 universidades e 5empresas) focada em pesquisa, desenvolvimento, inovação, formação de recursos humanos e divulgaçãocientífica em cinco áreas principais:Área 1) Dispositivos semicondutores nanotecnológicos: Tecnologiascomo Nanosheet, Forksheet, CFET, são essenciais para circuitos e processadores de próxima geração, comimpacto direto em computadores, celulares e comunicação móvel 5G/6G.Área 2) Sensoresnanotecnológicos: Incluem sensores ópticos, químicos e biológicos que integrarão a sociedade sensorizada,com aplicações significativas na medicina e no monitoramento ambiental, com fabricação totalmente noBrasil.Área 3) Estruturas nanotecnológicas para dispositivos de potência: Para eletrificação veicular,fundamentais para a redução de emissões de carbono. A CEITEC, empresa nacional vinculada ao GovernoFederal e parceira deste INCT, fabricará esses dispositivos com base no desenvolvimento realizado nasinstituições participantes.Área 4) Tecnologias e dispositivos de comunicação e criptografia quântica:Envolvem a fabricação de Qubits, circuitos e sistemas de controle, fomentando o avanço da computaçãoquântica no Brasil.Área 5) Divulgação científica em nanotecnologia e tecnologias quânticas por meio deworkshops, oficinas, redes sociais, hubs e materiais educativos.O INCT impulsionará o setor de tecnologiaavançada no Brasil, promovendo competitividade e independência tecnológica. Seu impacto incluicomputadores e celulares mais rápidos, veículos elétricos para redução de emissões de carbono e avançosna computação quântica, transformando o país em um protagonista em inovação tecnológica econtribuindo para uma sociedade mais sustentável e avançada.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Ricardo Cotrin Teixeira - Integrante / João Antônio Martino - Coordenador / Francisco Paulo Marques Rouxinol - Integrante / Marcos Vinicius Puydinger dos Santos - Integrante.
2022 - Atual

INCT Namitec, Descrição: Nano e Microeletrônica para tecnologias habilitadoras CHAMADA No 58/2022 - PROGRAMA INSTITUTOS NACIONAIS DE CIÊNCIA E TECNOLOGIA - INCT; Processo: 406193/2022-3; Vigência: início: 22/12/2022 fim: 31/12/2027; Instituição de Execução: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação da UNICAMP; Valor Global: R$ 6.000.000,00; Coordenador: Prof. Jacobus W. Swart; Participação: Responsável pela área de atuação A7 - Packaging / Encapsulamento. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Ricardo Cotrin Teixeira - Integrante / Jacobus Willibrordus Swart - Coordenador.

Histórico profissional

Endereço profissional

Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Coordenação de Pesquisa Aplicada e Desenvolvimento Tecnológico. , Avenida dos Astronautas, 1.58, Jardim da Granja, 12227010 - São José dos Campos, SP - Brasil, Telefone: (12) 32086709, Ramal: 6709, URL da Homepage:

Experiência profissional

2025 - Atual

Universidade de São Paulo

Vínculo: , Enquadramento Funcional:

2021 - Atual

Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Membro Titular Comissão de Ética do CTI

Outras informações:
Nomeado pela PORTARIA Nº 103/2021/SEI-CTI DE 4 DE MARÇO DE 2021

2013 - 2024

Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Tecnologista - Processos Físico-Químicos, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Aprovado em 1 lugar no concurso público realizado através do Edital N 1, de 1 de junho de 2012

2017 - 2023

Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer

Vínculo: Civil servant, Enquadramento Funcional: Membro da equipe de apoio de licitações

Outras informações:
Nomeado pela PORTARIA Nº 64, DE 6 DE ABRIL DE 2017; Reconduzido pelas Portarias - Nº 89/SEI, DE 27 DE NOVEMBRO DE 2017 - N 36 SEI-CTI, DE 6 DE ABRIL DE 2018 - Nº 44, DE 11 DE ABRIL DE 2019 - Nº 27/2020/SEI-CTI DE 20 DE MARÇO DE 2020 - Nº 108, DE 30 DE MARÇO DE 2021 - Nº 181, DE 30 DE MARÇO DE 2022

2020 - 2022

Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Chefe DIMES, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Nomeado Chefe da Divisão de Montagem, Empacotamento e Integração de Sistemas pela PORTARIA Nº 3.594, DE 11 DE SETEMBRO DE 2020

2019 - 2022

Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer

Vínculo: Civil servant, Enquadramento Funcional: Membro Comissão Permanente de Licitações

Outras informações:
nomeado pela PORTARIA Nº 40, DE 2 DE ABRIL DE 2019 Reconduzido pelas Portarias: - Nº 26/2020/SEI-CTI DE 20 DE MARÇO DE 2020 - Nº 109, de 30 de 03 de 2021

2019 - 2020

Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer

Vínculo: Civil servant, Enquadramento Funcional: Chefe Div Infraestru p/ Sistemas Mesoscópicos, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
nomeado pela PORTARIA Nº 206, DE 28 DE JANEIRO DE 2019. A Div. de Inf para Sistemas Mesoscópicos foi extinta pelo novo regimento interno, estabelecido pela PORTARIA Nº 3.426, DE 10 DE SETEMBRO DE 2020

2019 - 2020

Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer

Vínculo: Civil servant, Enquadramento Funcional: substituto do Coordenador de Atuação Regional

Outras informações:
Nomeado pela PORTARIA Nº 57-SEI, DE 30 DE ABRIL DE 2019 A Coordenação de Atuação Regional foi extinta pelo novo regimento interno, estabelecido pela PORTARIA Nº 3.426, DE 10 DE SETEMBRO DE 2020

2019 - 2020

Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: COORDENADOR DO GT CTI-SUL

Outras informações:
Grupo de Trabalho com a missão de levantar informações sobre a atuação, projetos e condições de funcionamento do Núcleo Regional do CTI no Sul (GT CTI-SUL); Nomeado pela PORTARIA Nº 163/2019/SEI-CTI DE 29 DE OUTUBRO DE 2019, pelo prazo de 90 dias Prorrogado por 90 dias, pela PORTARIA Nº 20/2020/SEI-CTI DE 19 DE FEVEREIRO DE 2020

2016 - 2020

Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Coord. Núcleo de Empacotamento Eletrônico, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Nomeado pela PORTARIA Nº 226, DE 24 DE NOVEMBRO DE 2016; O NEE foi extinto pelo novo regimento interno, estabelecido pela PORTARIA Nº 3.426, DE 10 DE SETEMBRO DE 2020

2019 - 2019

Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Integrante GT-SNCT

Outras informações:
Grupo de Trabalho para a realização da 16ᵃ Semana Nacional de Ciência e Tecnologia ?SNCT 2019, com prazo até 30 (trinta) dias após o término da SNCT 2019 Nomeado pela PORTARIA Nº 52/2019/SEI-CTI DE 29 DE ABRIL DE 2019

2019 - 2019

Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Coordenador GT-SGQ

Outras informações:
Coordenador do Grupo de Trabalho do Sistema de Gestão da Qualidade; com duração de 180 dias Nomeado pela PORTARIA Nº 101/2019/SEI-CTI de 04 de junho de 2019;

2018 - 2019

Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Presidente da CIPA

Outras informações:
Nomeado pela PORTARIA Nº 185/2018/SEI-CTI DE 03 DE DEZEMBRO DE 2018

2011 - 2013

Fundação de Apoio à Capacitação em Tecnologia e Informação

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Físico, Carga horária: 40

Outras informações:
Projeto Finep EMPAVAN; encomenda vertical ao CTI Renato Archer principáis funções/atividades - projeto e reforma da sala limpa da Divisão de Empacotamento Eletrônico - gerência de manutenção e aquisição de equipamentos - Implantação de processos avançados de empacotamento (flip chip e MCM - Multi Chip Modules)

2010 - 2011

Fundação de Apoio à Capacitação em Tecnologia e Informação

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Físico, Carga horária: 40

Outras informações:
Projeto Displays OLED desenvolvido pelo CTI Renato Archer em conjunto com a empresa HP; principais funções/atividades - síntese de nanopartículas de compostos II-VI - evaporação térmica de metais - técnicas de integração para displays OLED flexíveis

2008 - 2009

Interuniversitair Microeletronica Centrum Vew

Vínculo: Celetista formal, Enquadramento Funcional: Process Step Developer, Carga horária: 40

Outras informações:
- Thinning of Si and related materials at wafer and die level - Temporary wafer to wafer bonding materials and techniques - Temporary die to wafer bonding materials and techniques - 3D integration technology - Flexible electronics

2024 - Atual

Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais

Vínculo: Civil servant, Enquadramento Funcional: Senior Researcher, Carga horária: 40