Oliver Schumann

Possui mestrado em Física (diploma) - University of Stuttgart (2001) e doutorado em Física - Technical University of Munich (2004). Atualmente é gerente de produto seguro - Carl Zeiss SMT.

Informações coletadas do Lattes em 10/11/2022

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Física

2001 - 2004

Technical University of Munich
Título: Influência do nitrogênio sobre o crescimento e as propriedades dos pontos quânticos do InAs/GaAs
Orientador: Prof. Dr. Gerhard Abstreiter
Palavras-chave: semicondutores; Laser; Epitaxia por feixe molecular.Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física de Semicondutores / Especialidade: Laser de Semicondutores. Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física de Semicondutores / Especialidade: pontos quânticos.

Mestrado em Física (diploma)

1995 - 2001

University of Stuttgart
Orientador: Prof. Dr. Martin Dressel
Bolsista do(a): Studienstiftung des deutschen Volkes. Palavras-chave: Espectroscopia por perda de energia de elétrons.Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física dos Fluídos, Física de Plasmas e Descargas Elétricas / Especialidade: Física de Plasmas. Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física de Semicondutores.

Idiomas

Inglês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Português

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Francês

Compreende Pouco, Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.

Alemão

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Participação em eventos

Quantum Dots Conference. Effects of Stress and Confinement of a GaAsN Capping Layer on the Emission Wavelength of InAs/GaAs Quantum Dots. 2004. (Congresso).

Frühjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft. Influence of nitrogen containing barrier layers on the emission wavelength of InAs/GaAs quantum dots. 2004. (Congresso).

13th International Winterschool on New Developments in Solid State Physics: Low-Dimensional Systems. Effects of stress and confinement of a GaAsN capping layer on the emission wavelength of InAs/GaAs quantum dots. 2004. (Congresso).

Deutscher MBE-Workshop 2003. InAs/GaAs Quantenpunkte überwachsen mit GaAsN. 2003. (Congresso).

12th Euro-MBE Workshop. Influence of Nitrogen on the Density and Size of InAs Quantum Dots. 2003. (Congresso).

Frühjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft. Optimale Wachstumsparameter für hohe PL-Intensitäten von InAs-Quantenpunkten auf GaAs. 2002. (Congresso).

Sommerakademie der Studienstiftung des Deutschen Volkes: Diffusion.Diffusionsinduzierte Kernspinrelaxation. 2000. (Seminário).

Sommerakademie der Studienstiftung des Deutschen Volkes: Biologische Maschinen.Photosynthese, Elektronentransport. 1999. (Seminário).

Sommerakademie der Studienstiftung des Deutschen Volkes: Räumliche und zeitliche Symmetrien in Physik und Chemie.Zeitumkehrinvarianz mikroskopischer klassischer und quantenmechanischer Bewegungsgleichungen sowie Grobkörnungsargumente. 1998. (Seminário).

Produções bibliográficas

Ivanova, L. ; Eisele, H. ; Lenz, A. ; Timm, R. ; Da?hne, M. ; SCHUMANN, O. ; Geelhaar, L. ; Riechert, H. . Nitrogen-induced intermixing of InAsN quantum dots with the GaAs matrix. Applied Physics Letters , v. 92, p. 203101, 2008.
Schumann, O. ; Birner, S. ; Baudach, M. ; Geelhaar, L. ; Eisele, H. ; Ivanova, L. ; Timm, R. ; Lenz, A. ; Becker, S. K. ; Povolotskyi, M. ; Dähne, M. ; Abstreiter, G. ; Riechert, H. . Effects of strain and confinement on the emission wavelength of InAs quantum dots due to a GaAs_{1?x}N_{x} capping layer. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 71, p. 245316, 2005.
Schumann, O. ; Geelhaar, L. ; Riechert, H. ; Cerva, H. ; Abstreiter, G. . Morphology and optical properties of InAs(N) quantum dots. Journal of Applied Physics , v. 96, p. 2832, 2004.

Prêmios

1989

Primeiro premio do concurso matemático, Ministerium für Kultus, Jugend und Sport Baden-Württemberg (Alemanha).

Histórico profissional

Experiência profissional

2004 - Atual

Carl Zeiss SMT

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Gerente de produto seguro, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
-Área: sistema litografia ótica -Responsável pela evolução do tempo de vida de um produto -Analise das causes dos problemas do cliente relativo aos efeitos do tempo de vida (usando o método dos `six sigma´ -Validação dos modelos (com provação do experimento), como também a sua modificação

2001 - 2004

Infineon

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Doutorado, Carga horária: 35, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
-Sujeito: Influência do nitrogênio sobre o crescimento e as propriedades dos pontos quânticos do InAs/GaAs -Sistema de material: III-V semicondutores, especialmente InAs pontos quânticos e nitretos diluídos -Equipamento de crescimento: Epitaxia por feixe molecular (MBE), célula com rádio frequência para geração de plasma -Métodos de Caracterização: Fotoluminescência (PL), microscopia de força atômica (AFM)

1998 - 1998

Robert Bosch Gmbh

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Estagiário, Carga horária: 35

Atividades

02/1998 - 04/1998
Estágios , FV/FLP, .,Estágio realizado, Análises dos modos em tubos sucção sintéticos.