LI BIN BIN

Possui graduação em Engenharia Quimica pela Tshinghua University(1979), mestrado em Engenharia Elétrica pela Universidade Estadual de Campinas(1995), doutorado em Engenharia Elétrica pela Universidade Estadual de Campinas(2000) e pós-doutorado pela Universidade Estadual de Campinas(2001). Atuando principalmente nos seguintes temas:CVD, Diamante, Filme fino, Propriedade optica, Dopagem e Revestimento.

Informações coletadas do Lattes em 10/11/2022

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Engenharia Elétrica

1995 - 2000

Universidade Estadual de Campinas
Título: Contribuição ao Crescimento e Caracterização do Diamante Dopado visando Futuras Aplicações em Eletrônica
Orientador: Vitor Baranauskas
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil. Palavras-chave: CVD; Diamante; Filme fino; Propriedade optica; Dopagem; Revestimento. Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação / Especialidade: Medidas Elétricas. Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia de Materiais e Metalúrgica / Subárea: Materiais Não-Metálicos / Especialidade: Materiais Conjugados Não-Metálicos. Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia de Materiais e Metalúrgica / Subárea: Materiais Não-Metálicos / Especialidade: Cerâmicos. Setores de atividade: Desenvolvimento de novos materiais.

Mestrado em Engenharia Elétrica

1993 - 1995

Universidade Estadual de Campinas
Orientador: José Antônio Siqueira Dia
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPQ, Brasil. Palavras-chave: Ceramicas eletrônicas; Implantação de Íons; Propriedades Elétricas.Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação. Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Materiais Dielétricos e Propriedades Dielétricas. Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.

Graduação em Engenharia Quimica

1975 - 1979

Tshinghua University

Pós-doutorado

2001 - 0000

Pós-Doutorado. , Centro de Pesquisas Renato Archer, CENPRA, Brasil. , Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Materiais Dielétricos e Propriedades Dielétricas.

2000 - 0000

Pós-Doutorado. , Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil. , Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estrutura de Líquidos e Sólidos; Cristalografia. , Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.

Idiomas

Inglês

Compreende Bem, Fala Razoavelmente, Lê Bem, Escreve Bem.

Chinês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Português

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Razoavelmente.

Áreas de atuação

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Eletroóticos e Magnetoóticos, Materiais Fotoelétricos.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Materiais Dielétricos e Propriedades Dielétricas.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Estrutura de Líquidos e Sólidos; Cristalografia.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.

Produções bibliográficas

B. B. Li . Rochelle Salt Piezoelectric Coefficients Obtained by X-ray Multiple Diffraction. Joural Of Physics Condensed Matter, 2001.
B. B. Li ; CHANG, D. C. ; BARANAUSKAS, V. ; PETERLEVIZ, A. ; TRAVA-AIROLDI, V. J. ; CORAT, E. J. ; SINGH, R. K. ; LEE, D. . Diamond Coating of Porous Silicon. Journal Of Porous Materials, v. 7, n.1, p. 401-404, 2000.
B. B. Li ; SANTOS, A. O. ; GELAMO, R. V. ; CARDOSO, L. P. ; MIRANDA, M. A. R. ; NOGUEIRA, M. A. M. ; REMÉDIOS, C. M. R. ; MELO, F. E. A. ; SASAKI, J. M. . Synchrotron Radiation X-Ray Multiple Diffraction in the Study of KDP Phase Transition Induced by Electric Field. Materials Research , v. 4, n.1, p. 43-46, 2000.
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Prêmios

1998

Prêmio de melhor publicação científica (3a lugar), Congresso Internacional: Porous Semiconductor Science and Technology - PSST - 98, Mallorca, Spain.

1992

Prêmio da melhor publicação científica (1a lugar), I Congresso Estadual do Controle de Conflagração, Urumqi, Xinjiang, China.

1988

Prêmio de melhor publicação científica (1a lugar), Instituto de Física de Xinjiang, Urumqi, Xinjiang, Academia de Ciências da China.

Histórico profissional

Endereço profissional

Centro de Pesquisas Renato Archer, Ministério de Ciência e Tecnologia, Laboratório de Tecnologia de Mostradores de Informação. , RODOVIA DOM PEDRO I KM 143,6., CAMPINAS, 13082-120 - SAO PAULO, SP - Brasil, Telefone: (19) 37466049, Ramal: 6045, Fax: (19) 37466051, URL da Homepage:

Experiência profissional

1979 - 1993

Instituto de Fisica de Xinjiang

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Pesquisadora na China, Carga horária: 40

Atividades

12/1990 - 03/1993
Pesquisa e desenvolvimento , Academia de Ciencias da China, Setor de Materiais Semicondutores e Seus Dispostivos.,Linhas de pesquisa
01/1987 - 12/1990
Pesquisa e desenvolvimento , Academia de Ciencias da China, Setor de Materiais Semicondutores e Seus Dispostivos.,Linhas de pesquisa
01/1985 - 01/1987
Pesquisa e desenvolvimento , Academia de Ciencias da China, Setor de Materiais Semicondutores e Seus Dispostivos.,Linhas de pesquisa
01/1982 - 01/1985
Pesquisa e desenvolvimento , Academia de Ciencias da China, Setor de Materiais Semicondutores e Seus Dispostivos.,Linhas de pesquisa
01/1980 - 12/1981
Pesquisa e desenvolvimento , Academia de Ciencias da China, Setor de Materiais Semicondutores e Seus Dispostivos.,Linhas de pesquisa
12/1979 - 06/1980
Pesquisa e desenvolvimento , Academia de Ciencias da China, Setor de Materiais Semicondutores e Seus Dispostivos.,Linhas de pesquisa