João Antonio Martino
Formou-se em Engenharia Eletrônica em 1981 no Centro Universitário da FEI. Iniciou as atividades em microeletrônica em 1982 na Escola Politécnica da Universidade de São Paulo onde tornou-se Mestre (1984), Doutor (1988) e Livre-Docente (1998) em Engenharia Elétrica (Microeletrônica). O pós-doutorado foi realizado em cooperação entre o Imec (Interuniversity Microelectronic Center) na Universidade Católica de Leuven, Bélgica e a Universidade de São Paulo. Foi Professor Titular, Chefe do Departamento de Engenharia Elétrica e Coordenador dos Cursos de Engenharia Elétrica (Ênfases Eletrônica, Computadores e Telecomunicações) do Centro Universitário da FEI no período de 1996 a 2005. É Professor da Escola Politécnica desde 1992 e tornou-se Professor Titular do Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos (PSI) da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP) em 2005. Foi o Chefe do Depto PSI/EPUSP (2009-2013) e Vice-Chefe (2007-2009). Foi Professor convidado da Universidade Católica de Leuven, Bélgica em 2003, 2008 e 2016. É o coordenador do Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) da Escola Politécnica da USP em 2017. É o coordenador do programa de pós-graduação em Engenharia Elétrica da EPUSP desde 2019.Introduziu o estudo de dispositivos SOI no Brasil desde 1990. Orientou a proposta de um novo transistor SOI (GC SOI MOSFET) para aplicações analógicas em 2000. Coordenou a proposta/fabricação/patente de um novo transistor SOI MOSFET planar reconfigurável (RFET) chamado de Back Enhanced (BE) SOI MOSFET em 2015 na USP. A arquitetura do BE SOI MOSFET tem permitido também seu uso como sensor (sensor de luz) e biossensor (Bio-FET). Coordenou e participou da equipe que fabricou o primeiro transistor SOI FinFET construído com feixe de elétrons do Brasil em 2012.O seu campo de pesquisa atual em circuitos integrados inclui a fabricação, caracterização elétrica e modelagem de dispositivos obtidos pelas tecnologias SOI CMOS planares e de múltiplas portas (FinFET, nanofio e nanofolha, forksheet), Túnel-FET e Bio-FET. A aplicação de transistores avançados no desenvolvimento de circuitos básicos analógicos tem sido também alvo de pesquisa.É coautor/coeditor de 10 livros/anais. É autor e coautor de mais de 600 publicações (sendo mais de 150 artigos completos publicados em revistas e mais de 450 artigos completos apresentados em congressos). Concluiu a orientação de 73 alunos de pós-graduação sendo 40 mestrados e 23 doutorados como orientador principal e 8 mestrados e 2 doutorados como coorientador. É Senior Member do IEEE e Presidente do Capítulo da Electron Devices Society (EDS) do IEEE da Seção Sul-Brasil de 2007 a 2023. É atualmente tesoureiro do capítulo do EDS/IEEE. Tornou-se Distinguished Lecturer da EDS-IEEE desde 2008. É pesquisador Nível 1A do CNPq. Foi coordenador do Centro de Treinamento de São Paulo (CT-SP) para formação de projetistas de circuitos integrados do programa CI-Brasil na Escola Politécnica da USP de 2014 a 2020. Foi eleito e participou do comitê assessor de microeletrônica do CNPq (CA-ME) de 2015 a 2021. Tornou-se Professor Honorário da Hangzhou Dianzi University, China, em 2014. Recebeu o Prêmio Padre Roberto Landell de Moura em 2016 da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Foi eleito Presidente da Sociedade Brasileira de Microeletrônica para o período de 2024 a 2026.
Informações coletadas do Lattes em 30/11/2024
Acadêmico
Formação acadêmica
Doutorado em Engenharia Elétrica
1984 - 1988
Universidade de São Paulo
Título: Um Processo CMOS Cavidade Dupla para Comprimento de Porta de 2 Micrometros
, Ano de obtenção: 1988. Jacobus Willibrordus Swart. Palavras-chave: tecnologia CMOS; Fabricação de circuitos integrados MOS.Grande área: EngenhariasGrande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos / Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores. Setores de atividade: Pesquisa e desenvolvimento científico; Industria Eletro-Eletrônica.
Mestrado em Engenharia Elétrica
1982 - 1984
Universidade de São Paulo
Título: Proposta de Uma Sequência Simples de Fabricação de Circuitos Integrados Digitais NMOS com Carga em Depleção e Porta de Silício Policristalino
, Ano de Obtenção: 1984.João Antonio Zuffo.Palavras-chave: Tecnologia nMOS; Circuitos Integrados Digitais; Fabricação de circuitos integrados MOS.Grande área: EngenhariasGrande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos / Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores. Setores de atividade: Pesquisa e desenvolvimento científico; Industria Eletro-Eletrônica.
Graduação em Engenharia Eletrônica
1977 - 1981
Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros
Título: Projeto de uma unidade de disco flexivel
Orientador: Alessandro La Neve
Pós-doutorado
1998
Livre-docência. , Universidade de São Paulo, USP, Brasil. , Título: Modelagem do Substrato e Novos Métodos de Caracterização Elétrica de SOI MOSFET, Ano de obtenção: 1998., Palavras-chave: SOI MOSFET; Tecnologia SOI; Armadilhas de Interface; Efeito do Substrato; Modelagem., Grande área: Engenharias, Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Microeletrônica. , Setores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica.
1989 - 1990
Pós-Doutorado. , Interuniversity Microelectronics Centre, IMEC, Bélgica. , Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. , Grande área: Engenharias
Formação complementar
2015 - 2015
III-V Semiconductor materials in nanoelectronics. (Carga horária: 4h). , EUROSOI/ULIS, EUROSOI/ULIS, Itália.
2015 - 2015
SOI Fundamental Class. (Carga horária: 4h). , IEEE S3S, IEEE S3S, Estados Unidos.
2014 - 2014
POWER EFFICIENCY SHORT COURSE. (Carga horária: 8h). , IEEE S3S, IEEE S3S, Estados Unidos.
2012 - 2012
Design including planar and FinFET/multi-gate. (Carga horária: 8h). , IEEE SOI CONFERENCE, IEEE SOI, Estados Unidos.
2012 - 2012
Tutorial Day - EUROSOI 2012. (Carga horária: 8h). , EUROSOI 2012, EUROSOI, França.
2011 - 2011
Silicon on Insulator Technology. , EUROSOI 2011, EUROSOI, Espanha.
2007 - 2007
Inpact of Strain and Defects on CMOS process. (Carga horária: 7h). , INFOS2007, INFOS2007, Grécia.
2007 - 2007
Silicon On Insulator Technology and Devices. (Carga horária: 11h). , EUROSOI 2007, EUROSOI, Bélgica.
1997 - 1997
Microelectronic Structures. (Carga horária: 4h). , Escola Federal de Engenharia de Itajubá, EFEI, Brasil.
1997 - 1997
Metodologia de Projeto de Asics. (Carga horária: 4h). , Escola Federal de Engenharia de Itajubá, EFEI, Brasil.
1995 - 1995
Introdução à Intenet e Seu Uso. (Carga horária: 4h). , Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
1995 - 1995
IV Brazilian Microelectronics School. (Carga horária: 40h). , Universidade Federal de Pernambuco, UFPE, Brasil.
1992 - 1992
II Brazilian Microelectronic School. (Carga horária: 40h). , Sociedade Brasileira de Microeletrônica, SBMICRO, Brasil.
1991 - 1991
MOS Devices for Advanced VLSI. (Carga horária: 40h). , Centro de Cursos, CEI, Itália.
1990 - 1990
VLSI Process and Device Simulation. (Carga horária: 40h). , Centro de Cursos, CEI, Suiça.
1990 - 1990
Semiconductor Interface. (Carga horária: 8h). , Sociedade Brasileira de Microeletrônica, SBMICRO, Brasil.
1989 - 1989
I Escola Brasileira de Dispositivos Eletrônicos. (Carga horária: 40h). , Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.
1980 - 1980
Sistemas de Comunicações Digitais. (Carga horária: 30h). , FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS, FEI, Brasil.
1980 - 1980
Microprocessadores na Engenharia. (Carga horária: 30h). , Instituto de Engenharia de São Paulo, IESP, Brasil.
1979 - 1979
Cálculo. (Carga horária: 40h). , Universidade de São Paulo, USP, Brasil.
Idiomas
Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Espanhol
Compreende Bem, Fala Pouco, Lê Bem, Escreve Pouco.
Italiano
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Razoavelmente.
Francês
Compreende Razoavelmente, Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.
Áreas de atuação
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Nanoeletrônica.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Microeletrônica.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação/Especialidade: Medidas Elétricas.
Grande área: Outros / Área: Microeletrônica / Subárea: Dispositivos.
Organização de eventos
MARTINO, JOAO ANTONIO ; SIMOEN, Eddy ; GAMIZ, F. ; RASKIN, Jean Pierre ; Selberherr, S. ; Ishii, H. . 243rd ECS Meeting - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 20. 2023. (Congresso).
AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER ; MARTINO, J. A. . SEMINATEC 2021 - XV Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. 2021. (Congresso).
MARTINO, J. A. . 237th ECS Meeting - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 19. 2020. (Congresso).
MARTINO, J. A. ; RANGEL, RICARDO C. ; AGOPIAN, PAULA G D . OFICINA USP DE CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TRANSISTORES AVANÇADOS - 2020. 2020. (Outro).
MARTINO, J. A. ; Agopian, Paula G. D. ; CLAEYS, Cor . CHIP IN SAMPA 2019 (SBMICRO, SBCCI, INSCIT, WCAS, SFORUM). 2019. (Congresso).
MARTINO, J. A. ; CARRENO, M. ; RANGEL, R. C. ; AGOPIAN, PAULA G D . OFICINA USP DE FABRICAÇÃO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MOS (TECNOLOGIA SOI). 2019. (Outro).
Emam, Mostafa ; Nguyen, Bich-Yen ; MARTINO, J. A. . 2019 SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). 2019. (Congresso).
MARTINO, J. A. . OFICINA DE INTRODUÇÃO AO PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS. 2019. (Outro).
MARTINO, J. A. . 233 ECS Meeting - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 18. 2018. (Congresso).
MARTINO, J. A. . 2018 SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). 2018. (Congresso).
MARTINO, J. A. ; RANGEL, RICARDO C. ; CARRENO, M. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der . OFICINA USP DE FABRICAÇÃO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MOS (TECNOLOGIA SOI). 2018. (Outro).
MARTINO, J. A. ; Roberto Rangel . OFICINA DE INTRODUÇÃO AO PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MISTOS. 2018. (Outro).
MARTINO, J. A. ; Vinicius Martins . OFICINA DE INTRODUÇÃO AO PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS. 2018. (Outro).
MARTINO, J. A. ; Agopian, Paula G. D. . SEMINATEC 2017 - XII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. 2017. (Congresso).
MARTINO, J. A. . 2017 SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). 2017. (Congresso).
MARTINO, J. A. . 2016 SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). 2016. (Congresso).
MARTINO, J. A. . 227th ECS Meeting - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 17. 2015. (Congresso).
MARTINO, J. A. . 2015 SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). 2015. (Congresso).
MARTINO, J. A. . SEMINATEC 2014 - IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. 2014. (Congresso).
MARTINO, J. A. . 223th Electrochemical Society Meeting - Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 16. 2013. (Congresso).
MARTINO, J. A. . SBMICRO 2013 - Symposium on Microeletronics Technology and Devices. 2013. (Congresso).
MARTINO, J. A. . 219th Electrochemical Society Meeting - Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15. 2011. (Congresso).
PAVANELLO, Marcelo Antonio ; CLAEYS, Cor ; MARTINO, J. A. . CHIP IN SAMPA 2010 (SBMICRO, SBCCI e SFORUM). 2010. (Congresso).
MARTINO, J. A. . SBMICRO 2007 - Microeletronics Technology and Devices. 2007. (Congresso).
MARTINO, J. A. . SBMICRO 2003 - Microelectronics Technology and Devices. 2003. (Congresso).
Participação em eventos
2022 36th Symposium on Microelectronics Technology (SBMICRO).Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel FET and beyond. 2022. (Simpósio).
2022 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EuroSOI-ULIS). 2022. (Congresso).
IEEE-EDS Distinguished Lecturer Presentation.Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel FET and beyond. 2022. (Seminário).
IEEE-EDS Distinguished Lecturer Presentation - Delhi Chapter.Transistor Evolution: From Micro to Nano Era. 2022. (Seminário).
2021 35th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). 2021. (Simpósio).
2021 IEEE Latin America Electron Devices Conference (LAEDC). Field Effect Transistor Evolution: From MOSFET to BioFET. 2021. (Congresso).
2021 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EuroSOIULIS). 2021. (Congresso).
IEEE-EDS Distinguished Lecturer Presentation - SEMINATEC 2021. MOSFET evolution: From planar to gate all around devices and BioFET. 2021. (Congresso).
2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS). 2020. (Congresso).
237th ECS Meeting - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 19. 2020. (Congresso).
2019 34th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). 2019. (Simpósio).
2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS). Thin Si channel Back Enhanced (BE) SOI pMOSFET Photodetector under different bias conditions. 2019. (Congresso).
2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS). New method for self-heating estimation using only DC measurements. 2018. (Congresso).
233rd ECS Meeting - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 18. Parasitic Conduction on Ω-Gate Nanowires SOI nMOSFETs. 2018. (Congresso).
33rd Symposium on Microelectronics Technology and Device (SBMicro). 2018. (Simpósio).
IEEE-EDS Distinguished Lecturer Presentation.Transistor Evolution: From MOSFET to Tunnel-FET. 2018. (Seminário).
2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). The influence of low-energy proton irradiaiton on threshold voltage and tranconductance of nanowire SOI n and p-channel transistors. 2017. (Congresso).
2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Unified Conference (S3S). Experimental Analysis of Differential Pairs Designed with Line Tunnel FET Devices. 2017. (Congresso).
2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS). Back Enhanced (BE) SOI MOSFET under non-conventional bias conditions. 2017. (Congresso).
7th Annual World Congress of Nano Science & Technology-2017. Field effect Transistors: From Micro to Nano Devices. 2017. (Congresso).
13rd IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. Zero Temperature Coefficient Behavior for Advanced MOSFETs. 2016. (Congresso).
2016 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). Back gate bias influence on SOI Ω-gate nanowire down to 10 nm width. 2016. (Congresso).
Erasmus Mundus Master of Nanoscience and Nanotechnology (EMM-nano).Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel-FET. 2016. (Seminário).
EUROSOI-ULIS 2016: Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon. Analysis of TFET and FinFET Differential Pairs with Active Load from 300K to 450K. 2016. (Congresso).
IEEE Distinguished Lecturer Presentation.Field Effect Transistor: From MOSFET to Tunnel-FET. 2016. (Seminário).
Universidade Santa Cecília.Evolução da Micro para Nanoeletrônica. 2016. (Seminário).
Université de Caen Normandie.Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel-FET. 2016. (Seminário).
2015 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). Impact of Supercoupling Effect on Mobility Enhancement in UTBB SOI in Dynamic Threshold Mode. 2015. (Congresso).
2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS). Study of Low Frequency Noise in Vertical NW-Tunnel FETs with Different Source Compositions. 2015. (Congresso).
227th ECS Meeting - Silicon Compatible Materials, Processes, and Technologies for Advanced Integrated Circuits and Emerging Applications 5. The Impact of the Ge Concentration in the Source for Vertical Tunnel-FETs. 2015. (Congresso).
IEEE Distinguished Lecturer Presentation.Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel-FET. 2015. (Seminário).
219th Electrochemical Society Meeting.global. 2011. (Simpósio).
EDS/IEEE Distinguished Lecturer.From Micro to Nanoelectronics: A Historical Perpective. 2011. (Seminário).
EUROSOI 2011 VII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits.GIDL Behavior with different TiN metal gate thickness and high-k gate dielectric on MuGFET devices. 2011. (Simpósio).
IEEE International SOI Conference. BJT effect analysis in p- and n-SOI MuGFETs with high-k gate dielectrics and TiN metal gate electrode for a 1T-DRAM application. 2011. (Congresso).
10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. Zero-Temperature-Coefficient of Planar and MuGFET SOI Devices. 2010. (Congresso).
6th international SemOI Workshop. Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Materials, Sensors and Devices. 2010. (Congresso).
EuroSOI 2010 - Sixth workshop of the thematic network on silicon on insulator technology, devices and circuits.Magnetoresistance technique for mobility extraction in triple gate FinFETs at low temperature. 2010. (Simpósio).
IEEE International SOI Conference. Effects of HfSiO nitridation and TiN metal gate thickness on p- and nSOI MuGFETs for analog application. 2010. (Congresso).
Ninth International Workshop on Low Temperature Electronics WOLTE9. Analog application of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness operating at cryogenic temperatures. 2010. (Congresso).
2009 IEEE International SOI Conference. Transconductance Ramp Effect in High-k Triple Gate sSOI nFinFETs. 2009. (Congresso).
215th Electrochemical Society Meeting - Silicon-On-Insulator Technology and Devices 14. Gate Stack Influence on GIFBE in nFinFETs. 2009. (Congresso).
24th Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Analysis of the interface trap density in SOI FinFETs with different tin gate electrode thickness through charge pumping technique. 2009. (Congresso).
EuroSOI 2009 - Fifth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits.Impact of Temperature Reduction and Channel Engineering on the Linearity of FD SOI nMOSFEs. 2009. (Simpósio).
23rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2008. Influence of the Drain Bias and Gate Length of Partially Depleted SOI MOSFETs on the ZTC Biasing Point. 2008. (Congresso).
EuroSOI 2008 - Fourth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits. Threshold Voltages of Double and Triple Gate SOI FinFETs. 2008. (Congresso).
ICSICT - 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology. Strain influence on analog performance of single-gate and FinFET SOI nMOSFETs. 2008. (Congresso).
2007 IEEE International SOI Conference. Analog Operation of Uniaxially Strained FD SOI nMOSFETs in Cryogenic Temperatures. 2007. (Congresso).
211th Electrochemical Society Meeting - Silicon-On-Insulator Technology and Devices 13.Improved Model to Determine the Generation Lifetime in Short-Channel SOI nMOSFETs; Non-Vertical Sidewall Angle Influence on Triple-Gate FinFETs Corner Effects. 2007. (Simpósio).
22st Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2007. Improved Model do Determine the Generation Lifetime in Double Gate SOI nMOSFET. 2007. (Congresso).
EUROSOI 2007 - Third Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits. Impact of Uniaxial and Biaxial Strain on the Linearity of Fully Depleted SOI MOSFETs. 2007. (Congresso).
INFOS 2007 - 15th Biennal Conference on Insulating Films on Semiconductors. Low Temperature Influence on the uniaxially strained FD SOI nMOSFETs behavior. 2007. (Congresso).
2006 IEEE International SOI Conference. Low Temperature Analog Operation of Triple-Gate FinFET with HfO2 Dielectrics and TiN Gate Material. 2006. (Congresso).
21st Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2006. 21st SBMICRO. 2006. (Congresso).
EUROSOI 2006 - Second Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits. EUROSOI 2006. 2006. (Congresso).
12th International Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices.SOI Symposium. 2005. (Simpósio).
2005 IEEE International SOI Conference. Saturation Threshold Voltage Degradation in Deep-Submicrometer Fully Depleted SOI nMOSFETs Operating in Cryogenic Environments. 2005. (Congresso).
20th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2005. 20th SBMICRO. 2005. (Congresso).
19th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2004. 19th SBMICRO. 2004. (Congresso).
High Purity Silicon VIII. Temperature Influence on the Generation Lifetime Determination Based on Drain Current Transients in Partially Depleted SOI nMOSFETs. 2004. (Congresso).
11th International Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices.SOI Symposium. 2003. (Simpósio).
18th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2003. 18th SBMICRO. 2003. (Congresso).
Seventh International Symposiom on Low temperature electronics. Low Temperature Electronics. 2003. (Congresso).
17th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2002. 17th SBMICRO. 2002. (Congresso).
Workshop on Low Temperature Electronics. WOLTE 5. 2002. (Congresso).
XXX COBENGE - Congresso Brasileiro de Ensino de Engenharia. XXX COBENGE - Congresso Brasileiro de Ensino de Engenharia. 2002. (Congresso).
International Conference on Microlelectronics and Packaging. XVI SBMicro. 2001. (Congresso).
Tenth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.SOI Symposium. 2001. (Simpósio).
15th International Conference on Microlelectronics and Packaging. 5th International Conference on Microelectronics and Packaging. 2000. (Congresso).
Thirth International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems. ICCDCS. 2000. (Congresso).
14th International Conference on Microlelectronics and Packaging. ICMP99. 1999. (Congresso).
Nineth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.SOI Symposium. 1999. (Simpósio).
International Conference on Microelectronics and Packaging. ICMP98. 1998. (Congresso).
Workshop on Low Temperature Electronics. WOLTE 3. 1998. (Congresso).
Insulating Films on Semiconductors. Infos'97. 1997. (Congresso).
Silicon on Insulator Technology and Devices.SOI Symposium. 1997. (Simpósio).
XII Conference of the Brazilian Microleletronics Society. XII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. 1997. (Congresso).
II Workshop IBERCHIP.II Workshop IBERCHIP. 1996. (Outra).
Worksop on Low Temperature Electronics. WOLTE 2. 1996. (Congresso).
XI Congresso Brasileiro da Sociedade Brasileira de Microleletrônica. XI Congresso Brasileiro da Sociedade Brasileira de Microleletrônica. 1996. (Congresso).
II Seminário Brasileiro de Carcaterização em Microeletrônica.II Seminário Brasileiro de Caracterização em Microeletrônica. 1995. (Seminário).
IV Escola Brasileira de Microeletrônica.IV Escola Brasileira de Microeletrônica. 1995. (Outra).
Low temperature Electronics Symposium. Low Temperature Electronics Symposium. 1995. (Congresso).
X Congresso da Sociedade Brasileira de Microleletrônica. X SBMicro. 1995. (Congresso).
IX Congresso da Sociedade Brasileira de Microleletrônica. IX SBMicro. 1994. (Congresso).
Participação em bancas
Martino, Joao AntonioGIMENEZ, Salvador Pinillos; OKA, M. M.. Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs. 2024. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
MARTINO, JOAO ANTONIOSONNENBERG, Victor; OLIVEIRA, ALBERTO VINÍCIUS. Proposta de um transistor BE SOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte. 2023. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
MARTINO, JOAO ANTONIO; Silva, Ana neilde Rodrigues; Hernandez, Leonardo Frois. Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em Sensor/Biossensor. 2022. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
MARTINO, JOAO ANTONIOSONNENBERG, Victor; SANTOS, SARA DERESTE DOS. Estudo de junções Schottky para aplicação em BE SOI MOSFET. 2022. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
MARTINO, JOAO ANTONIORODRIGUES, Michele; SANTOS, SARA DERESTE DOS. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas. 2022. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.GIMENEZ, Salvador Pinillos; Herrera, Hugo D. H.. Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. 2021. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.NICOLETT, Aparecido SirleyGIMENEZ, Salvador Pinillos. Estudo de Amplificadores Operacionais de Transcondutância Projetados com Túnel-FETs e MOSFETs Fabricados em Estruturas de Nanofios. 2020. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
MARTINO, JOAO ANTONIO; SANTOS, SARA DERESTE DOS; Melo, Emerson Gonçalves de. Aplicação do BE SOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. 2019. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
MARTINO, JOAO ANTONIOGIMENEZ, Salvador Pinillos; Zambom, Luis da Silva. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
MARTINO, JOAO ANTONIOSONNENBERG, Victor; WIRTH, GILSON I.. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB. 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
MARTINO, JOAO ANTONIONICOLETT, Aparecido Sirley; FONTES, Marcelo Bariatto. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados. 2017. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
MARTINO, JOAO ANTONIO; ANDRADE, MARIA GLÓRIA CAÑO DE;SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs. 2017. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
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MARTINO, J. A.; DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI; ALMEIDA, LUCIANO MENDES. Automação do processo de medidas de parâmetros de transistores para o LSI-USP. 2015. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Sistemas Eletrônicos) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
PAVANELLO, Marcelo AntonioMARTINO, J. A.GIMENEZ, Salvador Pinillos. Estudo de Linearidade em Transistores SOI de Porta Dupla com Estrutura de Canal Gradual. 2006. Outra participação, FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.
RODRIGUEZ, Edgar Charry; VASQUES, Jaime Hernando Lasso;MARTINO, J. A.. Microssistema Transmissor de Pressão Piezoresistivo de 4-20mA de Alta Precisão. 2005. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.NICOLETT, Aparecido Sirley; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Caracterização Elétrica de Capacitores obtidos através da Tecnologia Ultra-Sub-Micrométrica. 2005. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.PAVANELLO, Marcelo Antonio; ONMORI, Roberto Koji. Estudo do Efeito de Auto-Aquecimento em Transistores SOI com Estrutura de Canal Gradual - GC SOI MOSFET. 2005. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
RODRIGUEZ, Edgar Charry;MARTINO, J. A.; JORGE, Alberto Martins. Implementação de um transdutor de pressão piezoresistivo de alta precisão. 2005. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.PAVANELLO, Marcelo Antonio; ONMORI, Roberto Koji. Caracterização Elétrica de Transistores SOI de Porta Circundante com Estrutura de Canal Gradual. 2004. Outra participação, Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.PAVANELLO, Marcelo Antonio; FONSECA, Fernando Josepetti. Desenvolvimento de Modelo Analítico Contínuo para Transistores GC SOI nMOSFETs. 2004. Outra participação, Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.NICOLETT, Aparecido Sirley; FONSECA, Fernando Josepetti. Método de Extração de Parâmetros de Transistores GC SOI MOSFET. 2003. Outra participação, Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.PAVANELLO, Marcelo Antonio; SOARES JUNIOR, João Navarro. Caracterização Elétrica de Espelhos de Corrente Baseados em Transistores GC SOI MOSFET em Função da Temperatura. 2003. Outra participação, Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.PAVANELLO, Marcelo Antonio; DIRANI, Ely Antonio Tadeu. Análise do Funcionamento dos Dispositivos GC SOI MOSFET em Baixas Temperaturas. 2002. Outra participação, Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.PAVANELLO, Marcelo Antonio; FONSECA, Fernando Josepetti. Análise do Funcionamento dos Dispositivos GC SOI MOSFET em Altas Temperaturas. 2002. Outra participação, Universidade de São Paulo.
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos;MARTINO, J. A.; FONTES, Marcelo Bariatto. Estudo Experimental da Deposição Química Espontânea de Níquel sobre Alumínio ou Silício-Policristalino visando a Fabricação de Microeletrodos e Portas MOS. 2001. Outra participação, Universidade de São Paulo.
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos;MARTINO, J. A.; SWART, Jacobus Willibroudu. Construção e Caracterização de Diodos Controlados por Porta para Sensoriamento de Radiação Luminosa. 1999. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; VERDONCK, Patrick Bernard. Simulação de Dispositivos SOI MOSFET Utilizando SPICE. 1999. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos;MARTINO, J. A.SWART, Jacobus Willibrordus. Estudo dos Mecanismos de Ruptura a Rigidez Dielétrica em Óxidos de Porta MOS Crescidos por RTO. 1998. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; VERDONCK, Patrick. Caracterização Elétrica e Simulação do Transistor SOI MOSFET de Porta Gêmea. 1998. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
VERDONCK, Patrick;MARTINO, J. A.; FURLAN, Rogerio. Corrosão de Silício por Plasma. 1997. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
NEVE, Alessandro La;MARTINO, J. A.. Implementação de um Processador Algoritmico para Compressão e Descompressão das informações de Vídeo Digital de Alta Resolução em Tempo Real. 1997. Outra participação, FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.
MARTINO, J. A.; ZASNICOFF, Luis Sergio; VERDONCK, Patrick. Desempenho de Dispositivos SOI em Alta Temperatura. 1996. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
ZASNICOFF, Luis Sergio; BRAGA, Nelson;MARTINO, J. A.. Efeitos do Auto-Aquecimento das Características I-V de Dispositivos SOI-MOS. 1996. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
RODRIGUEZ, Edgar Charry; VERDONCK, Patrick;MARTINO, J. A.. Implementação de Membranas de sensores de Pressão a Elementos Piezoresistivos em Pós-processamento. 1996. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.; VERDONCK, Patrick; BRAGA, Nelson. Influência do Substrato no Transistor SOI MOSFET em Temperatura Ambiente ( 300K) e em Baixa Temperatura (77K). 1995. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
PEREYRA, Ines;MARTINO, J. A.; FERNADEZ, Francisco Javier. Deposição e Caracterização de Filmes SiO2 Crescidos pela Técnica PECVD a Baixa Temperatura. 1995. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.; ZASNICOFF, Luiz Sérgio. Análise da Região de Sublimiar em Transistores SOI MOSFET em Temperatura Ambiente e Criogênica (77K). 1994. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
FURLAN, Rogério;MARTINO, J. A.; GOLDENSTEIN, Hélio. Aplicação da Técnica de Processamento Térmico Rápido (RTP) na Sinterização de Contatos Al-Si e Recozimento de Estados de Interface. 1993. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
FERNADEZ, Francisco Javier;MARTINO, J. A.. Efeitos do Hidrogênio Implantado no Silício Cristalino. 1993. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
FERNANDEZ, Francisco Javier Ramirez;MARTINO, J. A.. Microporos no Silício. 1993. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.; VERDONCK, Patrick Bernard; HASENACK, Claus Martin. Estudo da Resistência Série e do Comprimento Efetivo de Canal em Transistores MOS Convencionais e SOI MOS.. 1993. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
NEVE, Alessandro La;MARTINO, J. A.. Sistema de Servo-Gravação para Centralização de Trilhas em Unidades de Disco Rígido. 1992. Outra participação, FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.
MARTINO, J. A.; GOLDENSTEIN, Hélio; FURLAN, Rogério. Estruturas de Fonte e Dreno de Transistores MOS Submicrométricos. 1990. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.; GOLDENSTEIN, Hélio;SWART, Jacobus Willibrordus. Comparação entre as Estruturas CMOS Cavidade Dupla e CMOS Cavidade Gêmea. 1990. Outra participação, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
Amico, Sandro Campos;Martino, Joao Antonio; Barbastefano, Rafael Garcia; Cassel, Eduardo. Promoção à Classe de Professor Titular da Escola de Engenharia. 2023. Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
MARTINO, JOAO ANTONIOSONNENBERG, Victor; NOIJE, W. A. M. V.; Figueiras Filho, Thomas Edson. Comissão Especial de Avaliação para a Carreira de Professor Titular. 2022. Instituto Federal de São Paulo.
MELO, C. P.; Sergio Paulo Gallindo; Fernando Lazaro Freire Junior;Martino, Joao Antonio. Comitê de Busca para o CTI Renato Archer. 2023. Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer.
MARTINO, J. A.. Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica. 2012. Universidade Estadual de Campinas.
JORGE, Alberto Martins; TATSCH, P. J.; DINIZ, José Alexandre;MARTINO, J. A.; FERREIRA, E. C.. Participação da comissão julgadora do Concurso de Professor Doutor nas especialidades eletrônica, microeletrônica e optoeletrônica. 2009. Universidade Estadual de Campinas.
BRAGA, E. S.; MOSCHIM, Edson; DIAS, J. A. S.; SCHNEIDER, M. C.;MARTINO, J. A.. Participação da comissão julgadora do Concurso de Professor Doutor nas especialidades eletrônica, microeletrônica e optoeletrônica. 2008. Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.; NASCIMENTO, V. H.; LANDGRAF, F. J. G.; ITIKI, C.; SANTOS, J. C.. Presidente da comissão julgadora do concurso de Professor Doutor junto ao Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, na especialidade de Sistemas Eletrônicos. 2008. Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.; NOIJE, W. A. M. V.; DIAS, L. A. V.; GONZAGA, A.; SATO, L. M.. Computação Visual e Mídias Eletrônicas Interativas. 1999. Universidade de São Paulo.
Hugo Enrique Hernández Figueroa; José Wilson Magalhães Bassani; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos; João Paulo Pereira do Carmo;MARTINO, JOAO ANTONIO. Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica. 2022. Universidade Estadual de Campinas.
ROMERO, M. A.;SWART, Jacobus Willibrordus; Reis Filho, Carlos Alberto;MARTINO, JOAO ANTONIO; Pavanello, Marcelo Antonio. Processamento de Sinais e Instrumentação. 2021. Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.; MANSANO, R. D.; CESCATO, L. H. D.; MARQUES, F. C.. Participação da comissão julgadora do Concurso à Livre-Docência na especialidade 'Microondas Optoeletrônicas', tendo como candidato o Prof. Dr. Marco Isaías Alayo Chávez. 2009. Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.SANTOS FILHO, S. G.; BOUDINOR, H.. Participação da comissão julgadora do Concurso à Livre-Docência na especialidade 'Eletrônica', tendo como candidato o Prof. Dr. José Alexandre Diniz. 2007. Universidade Estadual de Campinas.
PEREYRA, Inês;MARTINO, J. A.; TORRESI, Susana Inés Cordoba de; BRITO, Hermi Felinto de; ASSALI, Lucy Vitória Credidio. Participação da comissão julgadora do Concurso à Livre-Docência na especialidade 'Materiais e Processos em Microeletrônica', tendo como candidato o Prof. Dr. Walter Jaimes Salcedo. 2005. Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
MARTINO, J. A.. Comissão de Avaliação do Concurso de Acesso do Professor Victor Sonnenberg. 1996. Faculdade de Tecnologia de São Paulo.
MARTINO, J. A.. Comissão de Avaliação do Concurso de Acesso do Professor Aparecido Sirley Nicolett. 1996. Faculdade de Tecnologia de São Paulo.
MARTINO, J. A.. Participação no Comitê Assessor do Grupo de Consultores Credenciados -PADCT. 1985. Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
Orientou
Projeto de um amplificador operacional utilizando forksheet MOSFET; Início: 2024; Dissertação (Mestrado profissional em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo; (Orientador);
Projeto de amplificador operacional utilizando Omega-Gate Nanowire; Início: 2023; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; (Coorientador);
Estudo de capacitores fracionários; Início: 2022; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo; (Orientador);
Projeto de amplificador operacional com FinFET em altas temperaturas; Início: 2022; Dissertação (Mestrado profissional em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo; (Orientador);
Fabricação e Caracterização do BE SOI MOSFET com regiões dopadas; Início: 2022; Dissertação (Mestrado profissional em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo; (Orientador);
Fabricação e caracterização de resinas anti-refletivas de banda larga e integração com diodos MOS visando detecção de luz e alto rendimento de conversão fotovoltaica; Início: 2023; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; (Orientador);
Amplificador com MISHEMT; Início: 2023; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; (Coorientador);
Estudo dos contatos de Fonte/Dreno do Transistor BE SOI MOSFET para incremento de corrente; Início: 2023; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; (Orientador);
Estudo de BE SOI MOSFET como BioFET; Início: 2022; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; (Orientador);
Estudo de Transistor MISHEMT; Início: 2021; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; (Coorientador);
Estudo do Transistor Forksheet e suas Aplicações; Início: 2024; Iniciação científica (Graduando em Engenharia Elétrica - Ênfase em Sistemas Eletrônicos) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; (Orientador);
Modelagem de Transistores BE SOI MOSFET; Início: 2024; Iniciação científica (Graduando em Engenharia Elétrica - Ênfase em Sistemas Eletrônicos) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; (Orientador);
Estudo Teórico e Experimental de Transistores Reconfiguráveis; Início: 2023; Iniciação científica (Graduando em Engenharia Elétrica - Ênfase em Sistemas Eletrônicos) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; (Orientador);
Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs; 2024; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Proposta de um transistor BE SOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte; 2023; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: João Antonio Martino;
Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício; 2023; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Coorientador: João Antonio Martino;
Estudo de Junções Schottky para Aplicação em BE SOI MOSFET; 2022; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de Transistores de Nanofolha de Silício com Porta ao Redor em Baixas Temperaturas; 2022; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em Sensor/Biossensor; 2022; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: João Antonio Martino;
Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício; 2022; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Coorientador: João Antonio Martino;
Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs; 2021; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de transistores em estrutura de nanofios e de nanofolhas e aplicações em fontes de corrente; 2021; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Coorientador: João Antonio Martino;
Estudo de Transistores FinFET de germânio com canal não tensionado; 2020; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de Amplificadores Operacionais de Transcondutância Projetados com Túnel-FETs e MOSFETs Fabricados em Estruturas de Nanofios; 2020; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Projeto e Aplicação de Amplificadores Operacionais de Transcondutância Baseados no Comportamento Experimental de Line-TFETs; 2020; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Coorientador: João Antonio Martino;
Projeto de um amplificador de ganho programável para bluetooth de baixa energia em tecnologia CMOS de 0,13 um; 2020; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal de Campina Grande, ; Coorientador: João Antonio Martino;
Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível; 2019; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo, Caracterização Elétrica e Modelagem de Transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFETs; 2018; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo Comparativo do Efeito de Autoaquecimento em Transistores FinFET e SOI UTBB; 2018; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Efeitos da radiação em transistores Túnel-FETs de porta tripla; 2018; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Coorientador: João Antonio Martino;
Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados; 2018; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Coorientador: João Antonio Martino;
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI FinFETs tensionados e radiados; 2017; Dissertação (Mestrado em Engenharia Eletrica - Microeletronica) - Escola Politécnica da USP, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo do Ponto Invariante com a Temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs; 2017; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas; 2017; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Coorientador: João Antonio Martino;
Efeitos da radiação de protóns em FinFETs de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET); 2016; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio; 2016; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Sequência Simples de Fabricação de Transistores SOI NMOSFET; 2014; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo do Substrato em Transistores SOI de Camada de Silício e Óxido Enterrado Ultrafinos; 2014; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Efeitos da Radiação em Transistores 3D Tensionados; 2014; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo Dinâmico de Memórias 1T-DRAM; 2013; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI; 2013; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Influência do Crescimento Epitaxial Seletivo (SEG) em Transistores SOI de Porta Tripla de canal N Tensionado; 2011; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Influência da Tensão Mecânica no Abaixamento de Barreira Induzida pelo Dreno(DIBL) em FinFETs de Porta Tripla; 2010; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Comportamento Analógico de Transistores SOI DTMOS; 2009; 0 f; Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo da Resistência Série de Fonte e Dreno de Transistores SOI FinFETs de Porta Tripla e Com Canal Tensionado; 2009; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo do Halo em Transistores SOI MOSFETs ultra-submicrométricos em Função da Temperatura; 2008; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS, ; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo do Efeito de Auto Aquecimento em Transistores SOI com estrutura de Canal Gradual-GC SOI MOSFET; 2007; 0 f; Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo da Tensão de Limiar e da Inclinação de Sublimiar em Transistores FinFETs de Porta Dupla e Porta Trípla; 2007; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS, ; Orientador: João Antonio Martino;
Caracterização Elétrica de Capacitores obtidos através de Tecnologia Ultra-Submicrométrica; 2006; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Caracterização Elétrica de Transistores SOI de Porta Circundante com Estrutura de Canal Gradual em Alta Temperatura; 2005; 123 f; Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo do comportamento da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores GC SOI nMOSFET; 2004; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Análise do Funcionamento do Dispositivo GC SOI MOSFET em Baixas Temperaturas; 2003; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: João Antonio Martino;
Análise do Funcionamento do Dispositivo GC SOI MOSFET em Altas Temperaturas; 2003; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Caracterização Elétrica e Simulação do Transistor SOI MOSFET de Porta Gêmea; 2000; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Simulação de Dispositivos SOI MOSFET Utilizando SPICE; 2000; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Análise da Região de Sublimiar em Transistores SOI MOSFET em Temperatura Ambiente e Criogênica (T=77K); 1996; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Metodologia para a Obtenção da Corrente de Fuga em Transistores SOI MOSFETs Operando em Altas Temperaturas; 1996; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Influência do Substrato no Transistor SOI MOSFET em Temperatura Ambiente (300 K) e em Baixa Temperatura (77 K); 1996; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Comparação Entre as Estruturas CMOS Cavidade Dupla e CMOS Cavidade Gêmea; 1995; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Efeitos Especiais na Caracterização de Dispositivos MOS Convencionais e SOI-MOSFET; 1995; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Estruturas de Fonte e Dreno de Transistores MOS Submicrométricos; 1992; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Projeto e Fabricação de um BE SOI Túnel-FET como elemento Biossensor; 2023; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Apoio à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico - BE SOI MOSFET; 2022; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Otimização de Transistores BE SOI MOSFET como Plataforma para Aplicação como Biossensores; 2022; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de transistores fabricados em estruturas de nanofio e nanofolha de silício; 2022; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Coorientador: João Antonio Martino;
Estudo de transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores; 2021; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW); 2018; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo do Comportamento de Transistores de Tunelamento Induzido por Efeito de Campo (TFET) Operando em Diferentes Temperaturas; 2017; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica (Microeletrônica)) - Escola Politécnica da USP, Fundação de Apoio à Pesquisa do Estado de São Paulo; Coorientador: João Antonio Martino;
Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos em modo de tensão de limiar dinâmica; 2016; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de Transistores de Porta Tripla (FinFET) de Silício e de Germânio; 2016; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: João Antonio Martino;
Caracterização Elétrica de Túnel-FET em Estrutura de Nanofio com Fontes de SiGe e Ge em Função da Temperatura; 2015; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: João Antonio Martino;
Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D); 2014; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de Transistores Avançados de Canal Tensionado; 2014; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de Transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória; 2013; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de Transistores de Porta Tripla de Corpo (Bulk FinFET); 2012; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino; 2012; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo do Ponto Invariante com a Temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores MOS e SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica; 2011; 0 f; Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo da mobilidade em dispositivos planares e de múltiplas portas; 2010; 0 f; Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico; 2010; 0 f; Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo do Efeito de Elevação Atípica da Transcondutância na Região Linear de Polarização em Dispositivos SOI MOSFETs Ultra-Submicrométrico; 2008; 0 f; Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo Teórico-Experimental do Transitório da Corrente de Dreno e do Tempo de Vida de Geração em tecnologias SOI MOSFETs; 2008; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância; 2004; 115 f; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo do Comportamento da Resistência Série e Desenvolvimento de Novos Métodos de Caracterização Elétrica em Transistores SOI NMOSFET; 2001; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Novos Métodos para a Determinação de Parâmetros da Tecnologia SOI Através de Capacitores; 2001; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, ; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo das Componentes das Correntes de Fuga em Dispositivos SOI MOSFET Operando em Altas Temperaturas; 2001; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Projeto, Fabricação e Caracterização Elétrica de uma Nova Estrutura para o SOI MOSFET; 2000; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
2023; Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; João Antonio Martino;
2019; Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; João Antonio Martino;
2017; Escola Politécnica da USP, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; João Antonio Martino;
2014; Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; João Antonio Martino;
2013; Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, ; João Antonio Martino;
Análise de Capacitores com Comportamento Fracionário; 2020; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Matemática Aplicada e Computacional Com Habilitação em Mecatrônica e Sistem) - Universidade de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de Métodos para Extração da Tensão de Limiar em Transistores BE SOI MOSFET; 2019; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Engenharia Elétrica - Ênfase em Sistemas Eletrônicos) - Universidade de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de Métodos para Extração da Tensão de Limiar em Transistores BE SOI MOSFET; 2019; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Engenharia Elétrica - Ênfase em Sistemas Eletrônicos) - Universidade de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Modelo Computacional de um TFET e Otimização de Parâmetros; 2017; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Sistemas Eletrônicos) - Escola Politécnica da USP; Orientador: João Antonio Martino;
Modelo Computacional de um TFET e Otimização de Parâmetros; 2017; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Sistemas Eletrônicos) - Escola Politécnica da USP; Orientador: João Antonio Martino;
Simulador Analítico para a Obtenção das Curvas Características do Transistor MOSFET; 1998; 78 f; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Ensaios de Segurança em Eletrocardógrafos; 1996; 36 f; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Caracterização Elétrica de Transistores MOS; 1995; 56 f; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos) - Faculdade de Tecnologia de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo do BE SOI MOSFET como Biossensor; 2024; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Elétrica - Ênfase em Sistemas Eletrônicos) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de Circuitos Analógicos Aplicando o Transistor BE SOI MOSFET; 2022; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Elétrica - Ênfase em Sistemas Eletrônicos) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Circuitos digitais aplicando o transistor BE SOI MOSFET; 2022; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Elétrica - Ênfase em Sistemas Eletrônicos) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo e aplicação do método de obtenção do efeito de auto aquecimento em transistores avançados utilizando curvas de corrente contínua (CC); 2019; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Elétrica - Ênfase em Sistemas Eletrônicos) - Universidade de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo do efeito de corpo em transistores SOI MOSFET avançados; 2018; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Elétrica - Ênfase em Sistemas Eletrônicos) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Caracterização de dispositivos Back Enhanced (BE) SOI pMOSFET usando uma configuração de limiar dinâmico; 2016; Iniciação Científica; (Graduando em Sistemas Eletrônicos) - Escola Politécnica da USP, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Implementação de um programa de extração de parâmetros tecnologicos utilizando curvas C-V de uma estrutura p-i-n SOI; 2016; Iniciação Científica; (Graduando em Microeletronica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de Transistores SOI em Altas Temperaturas; 2015; Iniciação Científica; (Graduando em Microeletronica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, FDTE; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de Transistores 3D em Altas Temperaturas; 2014; Iniciação Científica; (Graduando em Microeletronica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de Transistores 3D Construídos em Substrato de Silício; 2014; Iniciação Científica; (Graduando em Microeletronica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo e Caracterização Elétrica de Transistores de Múltiplas Portas; 2013; Iniciação Científica; (Graduando em Microeletronica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de transistores PD SOI pMOSFET para Aplicação Espacial; 2009; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Caracterização Elétrica de Tecnologia NMOS; 2007; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Vantagens dos dispositivos SOI MOSFETs de porta dupla com relação ao de porta única; 2007; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo de Capacitores de Porta Tipo Pi; 2007; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Escola Politécnica da Universidade de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOSFETs operando em altas temperaturas; 2002; 95 f; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Simulador analítico para a obtenção das curvas características do transistor MOSFET com efeitos de segunda ordem; 1998; 50 f; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE; 1997; 50 f; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Caracterização elétrica de transistores MOS; 1996; 50 f; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Análise Comparativa entre transistores convencionais e SOI-MOSFET; 1995; 50 f; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Estudo dos efeitos da corrente de porta em transistores SOI-MOSFET; 1994; 50 f; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Simulação e caracterização elétrica de dispositivos SOI; 1993; 50 f; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Caracterização elétrica de Capacitores SOI; 1993; 50 f; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Implementação de Programas para obtenção e análise de curvas I-V de dispositivos MOS; 1991; 50 f; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: João Antonio Martino;
Implementação de Programas para Extração e Análise de curvas C-V de dispositivos MOS; 1991; 50 f; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Simulação bidimensional de transistores MOS; 1991; 50 f; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Simulação de transistores MOS; 1988; 50 f; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Simulação de Processo CMOS; 1986; 50 f; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: João Antonio Martino;
Caracterização elétrica de dispositivos NMOS; 1984; 50 f; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Eletrônica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: João Antonio Martino;
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AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. . Experimental Behavior of the GC SOI MOSFET Operating at Low temperature. In: 2nd Student Forum on Microelectronics, 2002, Porto Alegre. Proceedings of II Student Forum on Microelectronics, 2002.
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COSTA, Sára Elizabeth de Souza ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. ; NOULLET, Jean Louis . Process and Electrical Characterization of Diode in nMOS technology. In: 2nd Student Forum on Microelectronics, 2002, Porto Alegre. Proceedings of II Student Forum on Microelectronics, 2002.
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SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos ; MARTINO, J. A. ; PAVANELLO, Marcelo Antonio . Two-Dimensional Simulation of SOI-MOSFET at High Temperature. In: 2nd Student Forum on Microelectronics, 2002, Porto Alegre. Proceedings of II Student Forum on Microelectronics, 2002.
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PAIOLA, Artur Gasparetto ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. . Techniques of Parameters Extraction in SOI-MOSFET Devices. In: 2nd Student Forum on Microelectronics, 2002, Porto Alegre. Proceedings of II Student Forum on Microelectronics, 2002.
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RODRIGUES, Michele ; NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. ; NOULLET, Jean Louis . Fabrication and Electrical Characterization of nMOSFET Transistors. In: 2nd Student Forum on Microelectronics, 2002, Porto Alegre. Proceedings of II Student Forum on Microelectronics, 2002.
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MARTINO, J. A. . (invited) Advanced FinFET and Related Devices. In: WOFE 2013 ? 8th Workshop on Frontiers in Electronics, 2013, San Juan, Porto Rico. WOFE 2013 - Conference Proceedings, 2013. v. 1. p. meio digital.
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PAIOLA, Artur Gasparetto ; PAVANELLO, M. ; MARTINO, J. A. . Métodos de Extração de parâmetros em dispositivos SOI-MOSFET. In: 4o Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica da FATEC-SP, 2002, São Paulo. Anais do 4° Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica da FATEC-SP. São Paulo: FATEC-SP, 2002. v. BT/13. p. 51-51.
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RODRIGUES, Michele ; NICOLETT, A. S. ; PAVANELLO, M. ; MARTINO, J. A. ; NOULLET, Jean Louis . Fabricação e Caracterização Elétrica de Transistores nMOSFET. In: 4° Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica da FATEC-SP, 2002, São Paulo. Anais do 4° Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica da FATEC-SP. São PAulo: FATEC-SP, 2002. v. BT/13. p. 50-50.
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COSTA, Sára Elizabeth de Souza ; PAVANELLO, M. ; NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. ; NOULLET, Jean Louis . Caracterização Elétrica de Diodo em Tecnologia nMOS. In: 4° Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica da FATEC-SP, 2002, São Paulo. Anais do 4° Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica da FATEC-SP. São Paulo: FATEC-SP, 2002. v. BT/13. p. 49-49.
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SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos ; MARTINO, J. A. ; PAVANELLO, Marcelo Antonio . Simulação Bidimensional para SOI MOSFET em alta temperatura. In: 4° Simpósio de Iniciação científica e Tecnológica da FATEC-SP, 2002, São Paulo. Anais do 4° Simpósio de Iniciação científica e Tecnológica da FATEC-SP. São Paulo: FATEC-SP, 2002. v. BT/13. p. 47-47.
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PAIOLA, Artur Gasparetto ; MARTINO, J. A. ; PAVANELLO, Marcelo Antonio . Técnicas de Extração de Parâmetros em Dispositivos SOI MOSFETTECNICAS DE EXTRACAO DE PARAMETROS EM DISPOSITIVOS SOI MOSFET. In: 10° Simpósio Internacional de Iniciação Científica (SIICUSP), 2002, São Carlos. 10° Simpósio Internacional de Iniciação Científica (SIICUSP), 2002.
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SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; MARTINO, J. A. . Simulações de um dispositivo SOI nMOSFET em alta temperatura. In: 10° Simpósio Internacional de Iniciação Científica (SIICUSP), 2002, São Carlos. 10° Simpósio Internacional de Iniciação Científica (SIICUSP), 2002.
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COSTA, Sára Elizabeth de Souza ; NICOLETT, Aparecido Sirley ; MARTINO, J. A. ; NOULLET, Jean Louis ; PAVANELLO, Marcelo Antonio . Processo e Caracterização Elétrica de Diodo em Tecnologia NMOS. In: 10° Simpósio Internacional de Iniciação Científica (SIICUSP), 2002, São Carlos. 10° Simpósio Internacional de Iniciação Científica (SIICUSP), 2002.
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CAMILLO, Luciano Mendes ; MARTINO, J. A. . Obtenção da Estrutura de Perfil de um Transistor MOS a partir de Parâmetros PSPICE. In: 5o Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo, 1997, São Paulo. 5o Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo, 1997.
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ORTEGA, Antonio ; CAMPOS, Sandro ; MARTINO, J. A. ; NICOLETT, Aparecido Sirley . Carcaterização Elétrica de Transistores MOSFETs. In: Congresso de Iniciação Científica e Tecnológica em Engenharia - 1995, 1995, São Carlos. Anais do Congresso de Iniciação Científica e Tecnológica em Engenharia, 1995.
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NOGUEIRA, William ; MARTINO, J. A. ; NICOLETT, Aparecido Sirley . Estudo da Influência da Resistência Série na Determinação da Tensão de Limiar. In: Congresso de Iniciação Científica e Tecnológica em Engenharia - 1995, 1995, São Carlos. Anais do Congresso de Iniciação Científica e Tecnológica em Engenharia, 1995.
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BELLODI, Marcello ; MARTINO, J. A. . Transistores SOI ( Silicon On Insulator ) MOSFETs Operando em Altas Temperaturas. In: 2o Simpósio de Iniciação Científica, 1994, São Paulo. Anais do 2o Simpósio de Iniciação Científica1. p. OD14-OD14.
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SONNENBERG, Victor ; MARTINO, J. A. . Extração Automática de Parâmetros Elétricos de Componentes Semicondutores. In: Congresso de Iniciação Científica e Tecnológica em Engenharia, 1991, São Carlos. Anais do CICTE-91, 1991.
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SONNENBERG, Victor ; MARTINO, J. A. . Obtenção de Parâmetros de Componentes Semicondutores. In: Congresso de Iniciação científica e tecnológica em engenharia - 90, 1990, São Carlos. Anais do CICTE 90, 1990.
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MARTINO, J. A. ; SATO, e A ; NEVE, A La . Arquitetura de uma CPU didática. In: I Congresso de Iniciação científica e tecnológica em engenharia, 1982, São Carlos. Anais do I Congresso de Iniciação científica e tecnológica em engenharia, 1982. p. 75-75.
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GONÇALEZ FILHO, WALTER ; MARTINO, JOÃO ANTONIO ; RANGEL, ROBERTO SILVA ; GHEDINI DER AGOPIAN, PAULA ; SIMOEN, EDDY ; ROOYACKERS, Rita ; CLAEYS, COR ; COLLAERT, Nadine . Two-stage Amplifier Design Based on Experimental Line-Tunnel FET Data. 2019. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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MARTINO, JOAO ANTONIO . Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel-FET. 2019. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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MARTINO, JOAO ANTONIO . Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel-FET. 2019. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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MARTINO, JOAO ANTONIO . Transistor Evolution: From MOSFET to Tunnel-FET. 2018. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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MORI, C. A. B. ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; MARTINO, JOAO ANTONIO . New method for self-heating estimation using only DC measurements. 2018. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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JOAO ANTONIO MARTINO . Transistor Evolution: From MOSFET to Tunnel-FET. 2017. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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JOAO ANTONIO MARTINO . EMICRO-NE: CURSOS PRÁTICOS (OFICINAS) DE FABRICAÇÃO, CARACTERIZAÇÃO E PROJETOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS E ANALÓGICOS. 2017. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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MARTINO, JOAO ANTONIO . Field effect Transistors: From Micro to Nano Devices. 2017. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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JOAO ANTONIO MARTINO . Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel-FET. 2016. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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MARTINO, J. A. . Field Effect Transistor: From MOSFET to Tunnel FET. 2015. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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BORDALLO, CAIO CESAR MENDES ; SIVIERI, VICTOR B. ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI ; ROOYACKERS, Rita ; VANDOOREN, ANNE ; SIMOEN, Eddy ; THEAN, AARON ; CLAEYS, COR . Study of Low Frequency Noise in Vertical NW-Tunnel FETs with Different Source Compositions. 2015. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SASAKI, KÁTIA REGINA AKEMI ; NAVARRO, CARLOS ; BAWEDIN, MARYLINE ; CRISTOLOVEANU, SORIN ; MARTINO, JOAO ANTONIO ; ANDRIEU, FRANCOIS . Impact of Supercoupling Effect on Mobility Enhancement in UTBB SOI in Dynamic Threshold Mode. 2015. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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MARTINO, J. A. ; SONNENBERG, V. ; ITOCAZU, V.T. ; SIMOEN, E ; CLAEYS, C . Substrate Effect on Threshold Voltage of long and short channel UTBB SOI nMOSFETs. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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Martino, Joao Antonio . Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel-FET. 2014. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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Martino, Joao Antonio . Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel-FET. 2014. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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MARTINO, J. A. . (invited) Advanced FinFET and Related Devices. 2013. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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MARTINO, J. A. . Brazilian and South Korean Trajectory in Semiconductors: University of Sao Paulo Contribution. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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MARTINO, J. A. . Field Effect Transistors: From MOSFET to Tunnel-FET. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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Martino, Joao Antonio . DESIGN, FABRICATION AND ELETRICAL CHARACTERIZATION OF SOI FINFET TRANSISTORS. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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Martino, João Antonio . From Micro to Nanoelectronics: A Historical Perspective. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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GALETI, Milene ; RODRIGUES, Michele ; Martino, João Antonio ; COLLAERT, Nadine ; SIMOEN, Eddy ; AOULAICHE, M. ; JURCZAK, M. ; CLAEYS, Cor . BJT effect analysis in p- and n-SOI MuGFETs with high-k gate dielectrics and TiN metal gate electrode for a 1T-DRAM application. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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ANDRADE, Maria Glória Cano de ; Martino, João Antonio ; AOULAICHE, M. ; COLLAERT, Nadine ; MERCHA, A ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Influence of Proton Irradiation in Bulk and DTMOS Triple Gate FinFETs. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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Martino, João Antonio ; AGOPIAN, Paula Ghedini Der ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . SOI MOSFET Transconductance Behavior from Micro to Nano Era. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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Martino, João Antonio ; CAMILLO, Luciano Mendes ; ALMEIDA, L. M. ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Zero-Temperature-Coefficient of Planar and MuGFET SOI Devices. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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Martino, João Antonio . SOI MOSFET Transconductance Behavior from Micro to Nano Era. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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Martino, João Antonio . Strain Influence on Analog Performance of Planar and FinFET SOI nMOSFETs at room and at low temperatures. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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Martino, João Antonio . Strain Influence on Analog Performance of FinFET SOI nMOSFETs at room and at low temperatures. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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Martino, João Antonio ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; SIMOEN, Eddy ; CLAEYS, Cor . Strain Influence on Analog Performance of Single-Gate and FinFET SOI nMOSFETs. 2008. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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Martino, João Antonio . Strain Influence on Analog Performance of FinFET SOI nMOSFETs at room and at low temperatures. 2008. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
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MARTINO, J. A. . Sistemas Digitais : Princípios e Aplicações. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2007. (Tradução/Livro).
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MARTINO, J. A. . Microeletrônica. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2007. (Tradução/Livro).
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MARTINO, J. A. . Eletrônica de Potência. São Paulo: Pearson Educational do Brasil, 2000. (Tradução/Livro).
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MARTINO, JOAO ANTONIO ; RANGEL, RICARDO CARDOSO ; AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER . EMICRO-SP: OFICINA USP DE CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TRANSISTORES AVANÇADOS - 2020. 2020. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).
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MARTINO, JOAO ANTONIO ; CARRENO, M. ; RANGEL, RICARDO CARDOSO . EMICRO-SP: OFICINA USP DE FABRICAÇÃO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MOS (TECNOLOGIA SOI) - 2019. 2019. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).
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MARTINO, JOAO ANTONIO . EMICRO-SP: OFICINA DE INTRODUÇÃO AO PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS. 2019. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).
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MARTINO, JOAO ANTONIO ; CARRENO, M. ; RANGEL, RICARDO CARDOSO . EMICRO-SP: OFICINA USP DE FABRICAÇÃO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MOS (TECNOLOGIA SOI) - 2018. 2018. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).
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MARTINO, JOAO ANTONIO ; Vinicius Martins . EMICRO-SP: OFICINA DE INTRODUÇÃO AO PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS. 2018. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).
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MARTINO, JOAO ANTONIO ; RANGEL, ROBERTO SILVA . EMICRO-SP: OFICINA DE INTRODUÇÃO AO PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS MISTOS. 2018. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).
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MARTINO, JOAO ANTONIO ; RANGEL, RICARDO CARDOSO ; AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER . EMICRO-SP: OFICINA USP DE CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TRANSISTORES AVANÇADOS - 2017. 2017. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).
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MARTINO, JOAO ANTONIO ; CARRENO, M. ; RANGEL, RICARDO CARDOSO . EMICRO-SP: OFICINA USP DE FABRICAÇÃO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MOS (TECNOLOGIA SOI) - 2017. 2017. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).
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MARTINO, JOAO ANTONIO ; RANGEL, RICARDO CARDOSO ; AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER . EMICRO-SP: OFICINA USP DE CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TRANSISTORES AVANÇADOS - 2016. 2016. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).
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MARTINO, JOAO ANTONIO ; CARRENO, M. ; RANGEL, RICARDO CARDOSO . EMICRO-SP: OFICINA USP DE FABRICAÇÃO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MOS (TECNOLOGIA SOI) - 2016. 2016. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).
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MARTINO, JOAO ANTONIO ; RANGEL, RICARDO CARDOSO ; AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER . EMICRO-SP: OFICINA USP DE CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TRANSISTORES AVANÇADOS - 2015. 2015. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).
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Martino, João Antonio ; Carro, Luigi . Journal of Integrated Circuits and Systems. 2007. (Editoração/Periódico).
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REIS, Ricardo ; MARTINO, J. A. . Journal of Integrated Circuits and Systems. 2004. (Editoração/Periódico).
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MARTINO, J. A. . Introdução ao Projeto de Circuitos Integrados I. 1985. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).
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MARTINO, J. A. . Microcomputador Pessoal e suas Aplicações. 1983. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).
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MARTINO, J. A. . Dispositivos MOS. 1982. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).
Projetos de pesquisa
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2023 - Atual
Desenvolvimento de uma Plataforma Nacional Biossensora: BioFET, Biodiodo e amplificadores de sinais, Descrição: O objetivo deste PROJETO UNIVERSAL do CNPq (Processo n. 408804/2023-8) é a proposta de uma plataforma nacional biossensora, utilizando biossensores fabricados no Brasil (LSI/USP), utilizando assim o conhecimento de dispositivos semicondutores adquirido ao longo de muitos anos de pesquisa para propor uma ferramenta (o sensoriamento precoce) que proporcione esta melhoria mostra a necessidade do desenvolvimento deste projeto. O elemento biossensor a ser utilizado na detecção da Glicose e Potássio será o BE SOI MOSFET (transistor patenteado pelo LSI/USP em 2015) que está em fase de desenvolvimento para uso como biossensor e requer mais estudo e fabricação para obter sua estabilidade. O elemento biossensor para a detecção da vitamina D3 será o diodo de barreira Schottky (Biodiodo) que está também em fase de desenvolvimento para esta aplicação.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (4) / Mestrado acadêmico: (4) / Doutorado: (3) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / CARDOSO RANGEL, RICARDO - Integrante.
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2022 - Atual
Projeto, Fabricação e Caracterização de BE SOI MOSFET Funcionando como Biossensor (BioFET), Descrição: Este projeto refere-se ao trabalho a ser implementado decorrente da bolsa de produtividade do CNPq nível 1A (Processo n. 313380/2021-0). Em todo o mundo, milhões sofrem de doenças crônicas graves, como diabetes ou condições cardiovasculares entre outros. O controle inadequado dessas condições pode levar a recaídas constantes, hospitalizações e um risco aumentado de morte prematura. Atualmente, as doenças crônicas causam mais de 60% de todas as mortes anuais em todo o mundo, que, considerando o envelhecimento e o rápido crescimento da população mundial, está previsto um aumento de até 52 milhões até 2030. As doenças crônicas também estão associadas a altos custos de saúde agravado pelas técnicas de diagnóstico obsoletas que não podem fornecer monitoramento em tempo real e rápido. Como alternativa para um diagnóstico mais rápido e eficiente, o estudo de Bio-FETs (Bio: biossensores/transdutores com FET: transistores de efeito de campo) tem sido foco de estudo em todo o mundo. No caso deste projeto o estudo se torna ainda mais interessante pelo fato que transistor utilizado ser o BE SOI MOSFET, que é um transistor de efeito de campo projetado, fabricado e patenteado no Brasil (LSI/USP). O estudo de um amplificador de tensão projetados com uma tecnologia compatível ao do biossensor para viabilizar futura integração é também um passo importante para domínio da tecnologia da saúde em nível nacional. Além do resultado técnico a ser alcançado, a formação de recursos humanos qualificados na área é também importante para o Brasil. Segue abaixo de forma resumida as contribuições esperadas como resultante deste projeto: 1) Proposta de uma sequência de fabricação nacional aperfeiçoada do BE SOI MOSFET para funcionamento como biossensor; 2) Caracterização elétrica profunda do BE SOI MOSFET (dispositivo nacional) e respectivas publicações dos resultados obtidos em conferências e revistas internacionais de primeira linha na área; 3) Teste do BE SOI MOSFET como um dispositivo biossensor (inicialmente com Glicose e se houver tempo com outro elemento como por exemplo o Potássio) e respectivas publicações dos resultados obtidos em conferências e revistas internacionais de primeira linha na área; 4) Projeto de amplificadores operacionais com tecnologias compatíveis a do biossensor para futura interação e respectivas publicações dos resultados obtidos em conferências e revistas internacionais de primeira linha na área; 5) Formação de recursos humanos (pelo menos 5 mestrados e 3 doutorados) especializados na área de biossensores compostos por transistores de efeito de campo (BioFETs) e amplificadores de tensão integrados.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (5) Doutorado: (3) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador.
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2022 - Atual
CNPq n 406193/2022- 3 INCT-NAMITEC Nano e Microeletrônica para tecnologias habilitadoras, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Jacobus Willibrordus Swart em 04/01/2023., Descrição: INCT NAMITEC, trata- se de uma rede ampla de colaboração que objetiva pesquisa, desenvolvimento, inovação, formação de recursos humanos e divulgação de ciência no tema de Micro e Nanofabricação para as tecnologias habilitadoras, incluindo Inteligência Artificial, Internet das Coisas, Materiais Avançados, Biotecnologia e Nanotecnologia. Essa rede foi construída e fortalecida com o apoio de projetos INCT anteriores que tiveram aportes financeiro de 2001 a 2016. Posteriormente, no último edital INCT, a rede NAMITEC foi contemplada com o selo de excelência INCT. O projeto atual tem o foco em materiais, processos, novos dispositivos semicondutores e circuitos de interface e aplicações de IoT, entre outras. Inclui-se aplicações para o controle ambiental, qualidade do solo, de águas, do ar, detecção de gases, biomedicina e agropecuária, temas que estão na vanguarda da evolução tecnológica mundial e são cruciais para a inovação em vários setores da economia. Os dispositivos e sensores a serem pesquisados e desenvolvidos incluem FinFET, BioFET, ISFET, FET de grafeno, QuBit e fotônica integrada, incluindo dispositivos de carbeto de silício, necessários para a indústria automobilística, e novas células solares TANDEN com eficiência superior. A proposta inclui uma considerável interação com o setor industrial como empresas de encapsulamento eletrônico ( SMART, HTMicron) , design house ( Chipus, von Braun) ,fotovoltaica ( BYD) , equipamentos de rede elétrica (Treetech) , tratamento de águas e efluentes (Digimed) ,pecuária ( Embrapa) , equipamentoss ( Toth, Novetech) , entre outras. Inclui também uma forte colaboração internacional com centros avançados como IMEC, CEA/LETI e NXP Semiconductors, entre vários outros,totalizando 37 colaboradores do exterior. O INCT NAMITEC contribuirá significativamente para o desenvolvimento do setor industrial de tecnologia avançada, tornando o país mais competitivo, independente e avançado.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / Jacobus Willibrordus Swart - Coordenador.
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2019 - 2023
Projeto, fabricação e caracterização de transistores de efeito de campo funcionando como biossensor (Bio- FET), Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq-Universal: 426072/2018-9) propõe a caracterização elétrica do BE SOI MOSFET funcionando como biossensor, assim como propõe a fabricação inédita de um novo dispositivo, que chamaremos de transistor de tunelamento induzido por efeito de campo (BE SOI Túnel-FET), tomando como base a estrutura do BE SOI MOSFET. A proposta é que ambos os dispositivos sejam utilizados como elemento biossensor (Bio-FET), na qual seu desempenho e princípios físicos serão avaliados a partir da observação das curvas características dos transistores fabricados (inseridos ou não em meios biológicos) e de simulações numéricas para estudo da sua física de funcionamento. Como elemento de teste será utilizado inicialmente a glicose, por ser já bem conhecida, para testar a sensibilidade deste dispositivo como biossensor que uma vez validado será também testado para outros elementos a serem selecionados durante pesquisa.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (7) Doutorado: (5) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Victor Sonnenberg - Integrante / DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI - Integrante / SASAKI, KÁTIA REGINA AKEMI - Integrante / RANGEL, RICARDO C. - Integrante / YOJO, LEONARDO - Integrante / MACAMBIRA, CHRISTIAN - Integrante / Carlos Augusto Bergfeld Mori - Integrante / SILVA, V. C. P. - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 5
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2017 - 2022
INCT de Sistemas Micro e Nanoeletrônicos (INCT NAMITEC), Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Jacobus Willibrordus Swart em 08/09/2018., Descrição: INCT de Sistemas Micro e Nanoeletrônicos, apresentado no âmbito da Chamada INCT - MCTI/CNPq/CAPES/FAPs nº 16/2014, sob coordenação do Prof. Jacobus Willibrordus Swart. No processo de análise de mérito técnico-científico, realizada por consultores estrangeiros e brasileiros, o projeto integra a relação das propostas que receberam recomendação de financiamento, no âmbito da referida Chamada. O projeto foi classificado na posição 108, dos projetos aprovados no edital. CNPq emitiu certificado de Selo INCT em outubro de 2017, atestando a excelência do projeto. O projeto proposto lida com o desafio de estudar, projetar e desenvolver elementos de hardware e software a serem utilizados na formação de Redes de Sensores sem Fio usadas em associação com outras tecnologias com objetivo de habilitar a Internet das Coisas. A base para o desenvolvimento e o ponto de partida do projeto de pesquisa proposto neste documento será o trabalho que vem sendo desenvolvido desde o Instituto do Milênio (período), INCT NAMTEC ( 2009-2014) e cujas contribuições contam com a participação de pesquisadores de diferentes áreas do saber tais como física, química, engenharias, computação, etc. O projeto ainda assume compromissos com a formação de recursos humanos, popularização da ciência e fortalecimento de grupos incipientes da área de micro e nanoeletrônica bem como o fortalecimento das interações com empresas considerando a inovação e a transferência de tecnologia. As principais oportunidades de pesquisa em Redes de Sensores sem Fio decorrem de suas características particulares, da novidade e da interdisciplinaridade do tema. Os desafios de sistemas embarcados e elementos de hardware para Redes de Sensores sem Fio e Internet das Coisas não é trivial, uma vez que o projeto desses sistemas deve considerar avanços em micro e nanoeletrônica. Em particular, a pesquisa e desenvolvimento desses elementos de hardware e software deve considerar a eficiência energética, a integração em hardware de dispositivos, circuitos e IPs que ainda estão em desenvolvimento, as diferentes características das aplicações em potencial, o ambiente onde vão operar além do projeto de compiladores e protocolos de comunicação que promovam a formação de redes e aplicações de IoT em atendimento as expectativas do mercado. Os desafios comuns em todo projeto de Redes de Sensores sem Fio e Internet das Coisas estão relacionados com a especificação dos requisitos dos elementos a serem desenvolvidos pela micro e nanoeletrônica. O INCT NAMITEC vem respondendo a estes desafios considerando diferentes aplicações e cenários de RSsF e IoT, desenvolvendo pesquisa e avanços tecnológicos nas áreas de técnicas e processos de nano e microfabricação, desenvolvimento de dispositivos sensores, orgânicos e fotovoltáicos, desenvolvimento de nanodispositivos eletrônicos, de sistemas e circuitos micro e nanoeletrônicos e sistemas embarcados, novas técnicas de colheita e de gestão de energia, assim como de projeto de circuitos e sistemas ultra-eficientes e de ultra-baixo consumo. Tão importante quanto, o INCT NAMITEC vem trabalhando na criação de conjuntos de tecnologias integradas (plataformas tecnológicas) que permitam realizar síntese, caracterização, seleção, modificação das propriedades, montagem, testes e outras operações necessárias para produção de componentes, produtos e sistemas complexos com alto desempenho. É esperado que nos próximos anos as Redes de Sensores sem Fio venham a ser utilizadas em diferentes aplicações, incluindo ambientes de IoT e que sirvam como base para ferramentas de certificação em sistemas ambientais, sociais e econômicos e que tragam ainda mais contribuições para o cotidiano. Adquirir conhecimentos na fabricação de hardware (componentes e circuitos micro e nanotecnológicos) e software bem como promover o surgimento de novas gerações de pesquisadores em micro/nanoeletrônica.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / Jacobus Willibrordus Swart - Coordenador.
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2016 - 2022
Estudo Teórico e Experimental de Transistores de Tunelamento Induzido por Efeito de Campo (TFET) para Aplicações em Circuitos Analógicos e Biosensores, Descrição: Este projeto (CNPq- Universal n. 423554/2016-6) estuda uma alternativa para minimizar a potência dissipada em transistores avançados, o chamado transistor de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET - Tunneling Field Effect Transistor). Este dispositivo é compatível com a tecnologia MOS, porém com princípio de funcionamento diferente. Nestes dispositivos a corrente é constituída pelo tunelamento de portadores entre bandas, o que torna possível uma redução significativa da corrente de desligamento (Ioff) e também uma inclinação de sublimiar abaixo do limite teórico (60mV/dec à temperatura ambiente) normalmente encontrados nos transistores MOS, o que permite que o TFET se comporte como uma chave mais próxima da ideal, i.e., este novo dispositivo apresenta um grande potencial para operar com maior de velocidade de chaveamento. Esse projeto visa estudar de forma inédita no Brasil o uso de um transistor TFET para aplicações em circuitos analógicos (como por exemplo, espelhos de corrente e par diferencial) e biosensores. Este estudo será feito de forma teórica (simulação numérica) e experimental.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (3) . , Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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2013 - 2016
Estudo e Caracterização Elétrica de Transistores de Tunelamento Induzido por Efeito de Campo (TFET), Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Paula Ghedini Der Agopian em 19/12/2014., Descrição: Este projeto (CNPq- Universal n. 476812/2013-5) tem como finalidade entender mais profundamente estes novos dispositivos (Tunnel - FETs) para poder explorar suas potencialidades em aplicações analógicas e digitais tanto em temperatura ambiente como variando-se a mesma. Uma análise mais detalhada será feita sobre a influência do tunelamento entre bandas, o tunelamento assistido pelas armadilhas e a recombinação dos portadores, que são muito importantes no funcionamento destes transistores. A caracterização elétrica dos principais parâmetros de diversas estruturas TFETs, será realizada através de simulações numéricas e de medidas experimentais. As medidas DC serão medidas com os equipamentos já existentes no Laboratório LSI/PSI/USP, ou seja, através do analisador de parâmetros HP4156C e B1500. No entanto para a realização de medidas de alta precisão é necessária à aquisição de uma SMU de alta resolução capaz de medir correntes na ordem de pico amperes solicitada neste projeto. Dentre os parâmetros a serem analisados pode-se citar, a inclinação de sublimiar, a relação entre as correntes de estado ligado e desligado, a transcondutância, a condutância de saída, o ganho de tensão intrínseco, as capacitâncias do dispositivo e a frequência de corte. Pretende-se, portanto com este trabalho, contribuir com a comunidade científica nacional através dos resultados sobre o potencial dos transistores TFETs para substituir os transistores convencionais e suas aplicações na próxima década.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (2) . , Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / Marcio Martino - Integrante / Felipe Neves Souza - Integrante / Agopian, P. G. D. - Coordenador / BORDALLO, CAIO CESAR MENDES - Integrante / Rodrigo D'Angelo - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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2012 - 2021
Fabricação e caracterização elétrica de transistores SOI de Múltiplas Portas (3D), Descrição: Este projeto (CNPq-Produtividade em Pesquisa, n.310545/2011-0) tem como finalidade o estudo de transistores construídos em lâminas de silício sobre isolante SOI (Silicon-On-Insulator) de múltiplas portas (MuGFET) através do projeto, fabricação e caracterização elétrica desta estrutura. Este tipo de transistor tem uma estrutura de canal tri-dimensional (3D) e apresenta-se com alternativa tecnológica para os circuitos integrados sub 22 nm. Na parte de caracterização será dada ênfase ao uso estudo deste tipo de transistor (MuGFET) aplicado na implementação de células de memória dinâmica contendo um só transistor (1T-DRAM), sem a necessidade de uso do capacitor de armazenamento (capacitorless) normalmente utilizado em memórias convencionais.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (10) Doutorado: (5) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador.
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2012 - 2016
Caracterização elétrica e simulação de transistores SOI avançados para aplicações como célula de memória dinâmica composta por um só transistor (sem capacitor), Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n. 480402/2012-4) tem como finalidade o estudo do comportamento de transistores SOI avançados fabricados com as tecnologias SOI CMOS planares de óxido enterrado ultrafino (UTBOX) e de múltiplas portas (MuGFET: FinFET por exemplo) aplicados na implementação de células de memória dinâmica contendo um só transistor (1T-DRAM), sem a necessidade de uso do capacitor de armazenamento (capacitorless), normalmente utilizado em células de memórias DRAM convencionais. O estudo será feito em temperatura ambiente e em temperatura de operação típica, que é da ordem de 85o C. Desta forma neste projeto será estudado a aplicação destas estruturas avançadas como célula 1T-DRAM, de forma a avaliar quais estruturas são mais promissoras para a função.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (5) Doutorado: (4) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Victor Sonnenberg - Integrante / Milene Galeti - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / Michele Rodrigues - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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2012 - 2014
Estudo de transistores SOI MOSFET avançados para aplicações como célula de memória dinâmica de um único transistor (capacitorless), Descrição: Este projeto de cooperação internacional (CNPq-Brasil/FWO-Bélgica, n.490236/2011-1) visa à obtenção de auxílio financeiro para viabilizar missões de pesquisadores brasileiros da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP) ao Interuniversity Microelectronic Center (Imec) da Universidade Católica de Leuven (KULeuven), Leuven, Bélgica. A finalidade deste projeto é de estudar o comportamento de diversos transistores SOI avançados para funcionar como uma célula de memória dinâmica (DRAM) composta de um só transistor, sem a presença do capacitor (capacitorless) de armazenamento de informação normalmente encontrado neste tipo de memória.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (6) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Cor Claeys - Integrante / Eddy Simoen - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante., Número de produções C, T & A: 8
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2010 - 2012
Influência da temperatura nas características elétricas de transistores FinFETs avançados, Descrição: Este projeto de cooperação internacional (CNPq-Brasil/FWO-Bélgica, n. 490288/2009-0) visa à obtenção de auxílio financeiro para viabilizar missões de pesquisadores brasileiros da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (USP) ao Interuniversity Microelectronic Center (IMEC) em Leuven, Bélgica. A finalidade deste projeto é de estudar, de forma inédita, teórico e experimentalmente a influência da temperatura (numa faixa de 80K a 500K) no comportamento de dispositivos fabricados com a tecnologia SOI CMOS de múltiplas portas (FinFET) avançados.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (4) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Victor Sonnenberg - Integrante / Milene Galeti - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / Michele Rodrigues - Integrante., Financiador(es): Fonds voor Wetenschappelijk Onderzoek - Vlaanderen - Auxílio financeiro / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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2009 - 2016
Instituto Nacional de Ciencias e Tecnologia (INCT) de Sistemas Micro e Nanoeletrônicos, Descrição: INCT de Sistemas Micro e Nanoeletrônicos , Processo CNPq no. 573738/2008-4 e processo FAPESP no.2008/57862-6, Período: 2009 a 2015.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / Jacobus Willibrordus Swart - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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2009 - 2013
Projeto, fabricação e caracterização de transistores FinFETs, Descrição: Este projeto de pesquisa (FAPESP-Temático, Processo 2008/05792-4) tem como finalidade o projeto, fabricação, caracterização elétrica e modelagem de transistores construídos em lâminas de silício sobre isolante SOI (Silicon-On-Insulator) de múltiplas portas, com canal vertical, denominado de FinFET.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Mestrado acadêmico: (9) / Doutorado: (7) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / A C Seabra - Integrante / Sebastião Gomes dos Santos Filho - Integrante / José Alexandre Diniz - Integrante / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
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2009 - 2012
Projeto, fabricação e caracterização elétrica de transistores SOI de porta tripla, Descrição: Este projeto (CNPq - Produtividade em Pesquisa, n.304593/2008-7) tem como finalidade o projeto, fabricação e caracterização elétrica de transistores de porta tripla construídos em lâminas SOI. Estes transistores são as estruturas mais promissoras para as próximas gerações da tecnologia de fabricação de circuitos integrados CMOS. Na etapa de caracterização elétrica serão utilizados tanto os dispositivos fabricados no IMEC (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Bélgica) como os fabricados no LSI/USP (Laboratório de Sistemas Integráveis da Universidade de São Paulo, Brasil).. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (5) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
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2009 - 2011
Estudo de transistores SOI avançados (planares e FinFETs) com canal tensionado em baixas temperaturas, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n. 480050/2009-0) tem como finalidade o estudo teórico e experimental do comportamento de dispositivos fabricados com as tecnologias SOI CMOS planar e de múltiplas portas (FinFET) com relação aos principais parâmetros elétricos dos transistores implementados. Em seguida será avaliada a influencia da tecnologia de tensionamento de canal do transistor nestas tecnologias. Será analisado tanto o tensionamento uniaxial como o biaxial. Na sequencia será estudada a influencia da temperatura nestes dispositivos, desde temperatura ambiente até baixas temperaturas (até 80 K). Desta forma, neste projeto será estudado de forma inédita o comportamento digital e analógico dos dispositivos contendo os 3 avanços tecnológicos acima indicados em um só componente (FinFET + Canal Tensionado + Baixas Temperaturas). O estudo será realizado através de medidas experimentais e simulações numéricas tridimensionais a partir da obtenção dos principais parâmetros elétricos dos dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (5) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Victor Sonnenberg - Integrante / Milene Galeti - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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2008 - 2010
Estudo de transistores SOI de Múltiplas Portas para utilização em Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n.478437/2007-2) tem como finalidade o estudo do comportamento de dispositivos fabricados com a tecnologia SOI CMOS de múltiplas portas, variando-se a temperatura de operação de 80K a 700K.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Doutorado: (5) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Marcello Bellodi - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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2006 - 2009
Estudo de Capacitores e Transistores SOI com Dielétrico de Porta Ultra-Fino Operando de 80K a 300K, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Produtividade em Pesquisa n.305555/2005-7) tem como finalidade o estudo de capacitores e transistores fabricados com a tecnologia SOI CMOS de comprimento mínimo de canal de 130 nm, totalmente depletado (Fully Depleted ? FD), com dielétrico de porta ultra-fino, variando a temperatura de operação desde 80 K até 300 K.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (3) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
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2005 - 2008
Tecnologias de Micro e Nanoeletrônica para sistemas integrados inteligentes - NAMITEC, Descrição: O projeto tem como objetivo principal realizar pesquisa e desenvolvimento em sistemas micro e nanoeletrônicos integrados inteligentes, que propiciem a realização de sistemas eletrônicos autônomos tais como redes de sensores inteligentes, sistemas embarcados e sistemas auto-ajustáveis, com várias aplicações em potencial, em particular em agricultura de precisão, no controle ambiental, em energia, na instrumentação biomédica, na indústria automotiva e aeroespacial e nas telecomunicações. Dentro desse contexto listamos os seguintes objetivos: a) Pesquisar e desenvolver sistemas em chip e sistemas de redes de sensores. b) Pesquisar e desenvolver metodologias e ferramentas de projeto e teste de circuitos integrados com baixo consumo de potência, tolerantes a falhas, incluindo circuitos analógicos, RF e digitais. c) Pesquisar e desenvolver dispositivos micro e nanoeletrônicos, fotônicos e optoeletrônicos, MEMS e NEMS e seus processos de integração e encapsulamento. d) Pesquisar materiais e técnicas de micro e nanofabricação necessários para a fabricação dos dispositivos e circuitos integrados.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / Jacobus Willibrordus Swart - Coordenador / José Alexandre Diniz - Integrante / Nilton Morimoto - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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2005 - 2007
Estudo de transistores SOI com dielétrico de porta ultra-fino operando em baixas temperaturas (80K a 300K)., Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n.474129/2004-7) tem como finalidade o estudo de transistores fabricados com a tecnologia SOI CMOS de comprimento mínimo de canal de 0,13 um, totalmente depletado, com dielétrico de porta ultra-fino, variando a temperatura de operação desde 80 K até 300 K, combinando os benefícios da tecnologia SOI com os da operação em temperaturas criogênicas.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / Marcello Bellodi - Integrante / Renato Camargo Giacomini - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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2002 - 2003
Estudo de Transistores SOI Parcialmente Depletados Ultra-Submicrométricos em baixas temperaturas, Descrição: Este projeto tem como finalidade a caracterização elétrica de transistores SOI MOSFETs ultra-submicrométricos ( 0,08um a 0,13um) em baixas temperaturas (80K a 300K).. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (2) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (2) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Luciano Mendes Camillo - Integrante / Carolina Davanzzo Gomes dos Santos - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / Aparecido Sirley Nicolett - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
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2001 - 2005
Rede Pesquisa em Sistema em Chip, Microssistemas e Nanoeletrônica, Descrição: Como objetivos temos realizar pesquisa e desenvolvimento em: materiais e processos para tecnologia CMOS, microssistemas e nanoeletrônica; integração de processos CMOS e de microssistemas; modelagem de dispositivos; ferramentas de CAD de projeto de CI's e de microssistemas; metodologia de projeto de CI's digitais, analógicos e de RF; projeto e metodologias de testes de dispositivos de circuitos; uma aplicação para a validação e integração das atividades do projeto.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (8) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (4) . , Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / J W Swart - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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2000 - 2002
Caracterização Elétrica de Novos Transistores SOI em Função da Temperatura, Descrição: Este projeto tem como finalidade a simulação e caracterização elétrica em função da temperatura de novos transistores de efeito de campo tipo metal-óxido-semicondutor implementados em lâminas de silício sobre isolante ( SOI MOSFET ). Entre estes novos transistores daremos especial atenção ao GC-SOI MOSFET.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (3) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Victor Sonnenberg - Integrante / Marcello Bellodi - Integrante / Luciano Mendes Camillo - Integrante / Marcelo Antoni Pavanello - Integrante / Aparecido Sirley Nicolett - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
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1997 - 1998
Caracterização Elétrica, Simulação e Modelamento de Transistores SOI MOSFET, Descrição: Objetiva-se neste projeto caracterizar eletricamente e modelar fisicamente transistores SOI MOSFET em temperatura ambiente, baixa temperatura (77K) e em altas temperaturas (573K) com relação aos parâmetros elétricos principais.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (2) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (3) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Marcello Bellodi - Integrante / Jairo Bertini - Integrante / Aparecido Sirley Nicolett - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
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1995 - 1996
Caracterização Elétrica de Transistores MOSFET Implementados em Lâminas SOI, Descrição: Caracterização Elétrica de Transistores SOI MOSFETs. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (4) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Marcello Bellodi - Integrante / Aparecido Sirley Nicolett - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
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1991 - 1992
Desenvolvimento de Dispositivos Básicos em Silício Sobre Isolante, Descrição: Caracterização Elétrica de Transistores SOI MOSFETs.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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1991 - 1992
Caracterização Elétrica de Dispositivos Visando o Estudo de Etapas de Processos, Descrição: Este projeto tem como finalidade dar suporte a três dissertações de mestrado e necessitam de sistemas de caracterização elétrica para estudo de etapas de processos na implementação de dispositivos MOS. Para tanto o projeto prevê a formação de dois sistemas completos e autônomos de caracterização elétrica baseados em equipamentos Hewlet-Packard. Um sistema para medidas I-V e outro para medidas C-V. Através das medidas elétricas I-V e ou C-V em dispositivos, poder-se-a extrair parâmetros elétricos, os quais servirão de subsídio para estudo, avaliação e adequação das etapas de processo envolvidas na fabricação dos dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (2) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Johnny José Mafra Junior - Integrante / Claudia Cortes Romanelli - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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1990 - 1992
Estudo e Aplicação de Siliceto de Cobalto em Circuitos Integrados, Descrição: Estudo de CIs. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / João Antonio Zuffo - Coordenador., Financiador(es): Fundação Banco do Brasil - Auxílio financeiro.
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1989 - 1994
Pesquisa e Formação de Recursos Humanos em Materiais e Processos para Microeletrônica, Descrição: Microeletrônica. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / João Antonio Zuffo - Coordenador., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.
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1986 - 1988
Filme de Silicetos para Circuitos Integrados VLSI, Descrição: Projeto. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: João Antonio Martino - Integrante / João Antonio Zuffo - Coordenador.
Projetos de desenvolvimento
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2009 - 2011
Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas). . , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (3) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante / Rudolf Theoderich Bühler - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
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2009 - 2011
Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas). . , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (3) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante / Rudolf Theoderich Bühler - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
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2009 - 2011
Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas). . , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (3) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante / Rudolf Theoderich Bühler - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
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2009 - 2011
Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (3) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante / Rudolf Theoderich Bühler - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
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2009 - 2011
Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (3) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante / Rudolf Theoderich Bühler - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
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2009 - 2011
Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (3) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante / Rudolf Theoderich Bühler - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
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2009 - 2011
Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (3) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante / Rudolf Theoderich Bühler - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
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Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (3) . , Integrantes: João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante / Rudolf Theoderich Bühler - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
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Prêmios
2024
Paper received Honorable Mention in Devices and Circuits - Henrique Lanfredi de Carvalho, aluno de doutorado do Prof. João Antonio Martino, SEMINATEC 2024 - XVIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology ? 2024.
2024
Paper received Honorable Mention in Devices and Circuits - Pedro Henrique Duarte, aluno de doutorado do Prof. João Antonio Martino, SEMINATEC 2024 - XVIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology ? 2024.
2024
Paper received Honorable Mention in Devices and Circuits - Welder Perina, aluno de doutorado coorientado pelo Prof. João Antonio Martino, SEMINATEC 2024 - XVIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology ? 2024.
2024
Best Paper Award in Devices Physics and Characterization - aluno Welder Perina que um doutorando coorientado pelo Prof. Dr. João Antonio Martino, SBMicro 2024 - Sociedade Brasileira de Microeletrônica.
2024
Melhor Dissertação de Mestrado: Rodrigo Nascimento Tolêdo (coorientado por Joao Antonio Martino), Sociedade Brasileira de Microeletrônica (SBMicro).
2024
Presidente da Sociedade Brasileira de Microeletrônica - Eleito para o mandato 2024-2026, Sociedade Brasileira de Microeletrônica (SBMicro).
2023
Melhor Tese de Doutorado do meu orientado Leonardo Shimizu Yojo - Prêmio José Camargo da Costa, Sociedade Brasileira de Microeletrônica (SBMicro).
2022
Best Poster Award, EUROSOI 2022 - Sponsored by Elsevier?s Solid State Electronics.
2021
Melhor Dissertação de Mestrado: Welder Perina (coorientado por Joao Martino), Sociedade Brasileira de Microeletrônica (SBMicro).
2020
Melhor Dissertação de Mestrado: Walter Gonçalez Filho (coorientado por Joao Martino), Sociedade Brasileira de Microeletrônica (SBMicro) e CEITEC.
2019
Best Student Paper Award of SBMicro 2019: Carlos Mori (orientado por Joao Martino), Sociedade Brasileira de Microeletrônica.
2018
Melhor Dissertação de Mestrado: Leonardo Yojo (orientado por Joao Martino), Sociedade Brasileira de Microeletrônica (SBMicro) e CEITEC.
2018
Honorable Mention - Artigo de Guilherme Gonçalves (orientado por Joao Martino), 33rd Symposium on Microeletronics Technology and Devices (SBMicro2018).
2016
Best Student Paper Award: Alberto Oliveira (orientado por Joao Martino), ECS/CSTIC 2016 - Shanghai, China.
2016
Prêmio Padre Roberto Landell de Moura, Sociedade Brasileira de Microeletrônica.
2015
Melhor Dissertação de Mestrado: Fernando Teixeira (orientada por Joao Martino), SBMicro e CEITEC.
2014
Melhor Tese de Doutorado: Sara dos Santos (orientada por Joao Martino), SBMicro e CEITEC.
2014
Professor Honorário da Hangzhou Dianzi University, Hangzhou Dianzi University, China.
2013
Paraninfo de Sistemas Eletrônicos da EPUSP, Escola Politécnica da USP.
2013
Prêmio de Excelência em Docência de Graduação da Escola Politécnica da USP, Universidade de São Paulo.
2012
Pesquisador Nível 1-A do CNPq, CNPq.
2012
Best Paper Award: Felipe Neves (orientado por Joao Martino), Sociedade Brasileira de Microeletrônica.
2011
Best Paper Award, Sociedade Brasileira de Microeletrônica.
2009
Pesquisador Nível 1-B do CNPq, CNPq.
2008
Distinguished Lecturer do EDS/IEEE, Electron Devices Society (EDS/IEEE).
2007
Senior Member do EDS/IEEE, Electron Device Society (EDS/IEEE).
2007
Best Student Paper Award: Sara dos Santos (orientade por Joao Martino), SForum - Sociedade Brasileira de Microeletrônica.
1995
Professor Homenageado da FEI, Curso de Engenharia Elétrica-Ênfase Computadores.
1991
Professor Homenageado da FEI, Curso de Engenharia Elétrica-Ênfase Computadores.
1990
Professor Homenageado da FEI, Curso de Engenharia Elétrica-Ênfase Computadores.
1989
Professor Homenageado da FEI, Curso de Engenharia Elétrica-Ênfase Computadores.
1988
Professor Homenageado da FEI, Curso de Engenharia Elétrica-Ênfase Computadores.
1987
Professor Homenageado da FEI, Curso de Engenharia Elétrica-Ênfase Computadores.
Histórico profissional
Endereço profissional
-
Universidade de São Paulo, Escola Politécnica, Departamento de Engenharia de Sistema Eletrônicos. , Av. Prof. Luciano Gualberto, trav. 3 n. 158, Cidade Universitária, 05508010 - São Paulo, SP - Brasil, Telefone: (11) 30915657, Fax: (11) 30915665
Experiência profissional
2007 - 2009
Instituto Nacional de Estudos e Pesquisas Educacionais Anísio TeixeiraVínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Avaliador de Curso e Institucional
Atividades
-
03/2007
Conselhos, Comissões e Consultoria, INEP/MEC.,Cargo ou função, Avaliador de Curso e Institucional do MEC.
2007 - Atual
Universidade de São PauloVínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor titular, Regime: Dedicação exclusiva.
2014 - 2016
Universidade de São PauloVínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Coordenador do Centro de Treinamento (CT3)
2006 - 2006
Universidade de São PauloVínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 24
1999 - 2005
Universidade de São PauloVínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Associado, Carga horária: 24
1992 - 1998
Universidade de São PauloVínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Doutor, Carga horária: 24
Atividades
-
05/2005
Conselhos, Comissões e Consultoria, Escola Politécnica, Departamento de Engenharia de Sistema Eletrônicos.,Cargo ou função, Membro da Congregação da Escola Politécnica da USP.
-
05/1992
Pesquisa e desenvolvimento, Escola Politécnica, Departamento de Engenharia de Sistema Eletrônicos.,Linhas de pesquisa
-
05/1992
Ensino, Engenharia Eletrônica, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Eletrônica I, Eletrônica II, Introdução à Eletrônica, Laboratório de Eletrônica, Modelamento de Dispositivos Eletrônicos, Laboratório de Fabricação de Dispositivos em Microeletrônica
-
05/1992
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Caracterização Elétrica de Tecnologia e Dispositivos MOS, Modelamento de Transistores MOS em Baixa Temperatura, Princípios de Funcionamento de Transistores MOS em Tecnologia SOI, Processos CMOS, Tópicos Especiais de Transistores SOI MOSFET, Transistores de Efeito de Campo Avançados
-
10/2009 - 09/2013
Direção e administração, Escola Politécnica, Departamento de Engenharia de Sistema Eletrônicos.,Cargo ou função, Chefe de Departamento.
-
10/2007 - 09/2009
Direção e administração, Escola Politécnica, Departamento de Engenharia de Sistema Eletrônicos.,Cargo ou função, Vice-Chefe de Departamento.
1986 - 1988
Escola Politécnica da Universidade de São PauloVínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Assistente Mestre, Carga horária: 24
Outras informações:
Substituição do professor José Roberto de Almeida Amazonas
Atividades
-
10/1986 - 12/1988
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Graduação :, Laboratório de Eletrônica I, Laboratório de Eletrônica III, Laboratório de Eletrônica IV
-
01/1986 - 12/1988
Pesquisa e desenvolvimento, Departamento de Engenharia Elétrica, Laboratório de Sistemas Integráveis.,Linhas de pesquisa
2002 - 2006
Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de MedeirosVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 40
Outras informações:
A FEI (Faculdade de Engenharia Industrial) tornou-se Centro Universitário da FEI em janeiro de 2002.
Atividades
-
03/2005 - 12/2006
Direção e administração, Curso de Pós-Graduação.,Cargo ou função, Coordenador do curso de pós-graduação em Engenharia Elétrica.
-
03/2005 - 12/2006
Pesquisa e desenvolvimento, Departamento de Eletricidade.,Linhas de pesquisa
-
03/2005 - 12/2006
Ensino, Mestrado Em Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Caracterização Elétrica de Dispositivos MOS, Introdução ao Projeto de Circuitos Integrados Dedicados
-
01/2002 - 12/2006
Direção e administração, Departamento de Eletricidade.,Cargo ou função, Chefe de Departamento.
-
01/2002 - 12/2006
Direção e administração, Departamento de Eletricidade.,Cargo ou função, Coordenador de Curso.
-
01/2002 - 12/2006
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Circuitos Integrados para telecomunicações (Laboratório: 2h/semana), Circuitos Integrados para telecomunicações (Teoria: 2h/semana), Sistemas Digitais I (Teoria: 4h/semana)
-
01/2002 - 12/2006
Conselhos, Comissões e Consultoria, FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.,Cargo ou função, Membro de conselho de centro.
1984 - 2001
Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de MedeirosVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 40
Atividades
-
01/1996 - 12/2001
Direção e administração, Departamento de Eletricidade.,Cargo ou função, Chefe de Departamento.
-
03/1984 - 12/2001
Ensino, Engenharia Eletrônica, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Graduação :, Sistemas Digitais I (Teoria : 4h/semana), Sistemas Digitais I (Laboratório : 2h/semana), Sistemas Digitais II (Teoria : 2h/semana), Sistemas Digitais II (Laboratório : 2h/semana), Sistemas Digitais III (Laboratório : 2h/semana), Circuitos Elétricos I (Laboratório : 2h/semana), Controle e Servomenanismos I (Laboratório : 2h/semana), Estrutura de Linguagens (Laboratório : 2h/semana), Tópicos de VLSI (Teoria : 4h/semana), Tópicos de VLSI (Laboratório : 2h/semana), Circuitos Integrados para Telecomunicações (Teoria : 2h/semana), Circuitos Integrados para Telecomunicações (Laboratório : 2h/semana), Projetos de Formatura
-
03/1987 - 12/1992
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Metodologia de Integação de Circuitos Digitais com a Tecnologia CMOS, Metodologia de Integação de Circuitos Digitais com a Tecnologia nMOS
2016 - 2016
Katholieke Universiteit LeuvenVínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor Visitante, Carga horária: 40
Outras informações:
Este foi um estágio no exterior realizado com o apoio da FAPESP durante os 3 meses de licença prêmio da Universidade de São Paulo.
2008 - 2008
Katholieke Universiteit LeuvenVínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor Visitante, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações:
Este foi um estágio senior no exterior realizado com o apoio do CNPq durante os 3 meses de licença prêmio da Universidade de São Paulo.
2003 - 2003
Katholieke Universiteit LeuvenVínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor Visitante, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
1996 - 1996
Katholieke Universiteit LeuvenVínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisador Visitante, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
1994 - 1994
Katholieke Universiteit LeuvenVínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisador Visitante, Carga horária: 40
1992 - 1992
Katholieke Universiteit LeuvenVínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisador Visitante, Carga horária: 40
1991 - 1991
Katholieke Universiteit LeuvenVínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisador Visitante, Carga horária: 40
1989 - 1990
Katholieke Universiteit LeuvenVínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisador Visitante, Carga horária: 40
Atividades
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05/2003 - 07/2003
Pesquisa e desenvolvimento, Interuniversity Micro Electronic Center.,Linhas de pesquisa
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06/1996 - 07/1996
Pesquisa e desenvolvimento, Interuniversity Micro Electronic Center.,Linhas de pesquisa
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05/1994 - 08/1994
Pesquisa e desenvolvimento, Interuniversity Micro Electronic Center.,Linhas de pesquisa
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05/1992 - 08/1992
Pesquisa e desenvolvimento, Interuniversity Micro Electronic Center.,Linhas de pesquisa
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04/1991 - 04/1991
Pesquisa e desenvolvimento, Interuniversity Micro Electronic Center.,Linhas de pesquisa
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12/1989 - 03/1990
Pesquisa e desenvolvimento, Interuniversity Micro Electronic Center.,Linhas de pesquisa
1991 - 2002
faculdade de tecnologia de sao pauloVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Consultor, Carga horária: 4
Outras informações:
Implantamos e Coordemamos a área de Dispositivos do Curso de Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos (MPCE) da FATEC/SP, em convênio firmado com a Universidade de São Paulo.
Atividades
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11/1991 - 12/2002
Direção e administração, Faculdade de Tecnologia de São Paulo.,Cargo ou função, Coordenador da área de componentes eletrônicos.
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03/1994 - 06/1994
Ensino, Materiais Processos e Componentes Eletrônicos, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Estrutura de Caracterização de Processos e Componentes
2016 - 2016
Université de Caen Basse NormandieVínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 40
Criando um monitoramento
Nossos robôs irão buscar nos nossos bancos de dados todos os processos de João Antonio Martino e sempre que o nome aparecer em publicações dos Diários Oficiais, avisaremos por e-mail e pelo painel do usuário
Criando um monitoramento
Nossos robôs irão buscar nos nossos bancos de dados todas as movimentações desse processo e sempre que o processo aparecer em publicações dos Diários Oficiais e nos Tribunais, avisaremos por e-mail e pelo painel do usuário
Confirma a exclusão?