Fernando Cerdeira

Possui graduação em Física pela Universidad de Buenos Aires(1966), doutorado em Física Phd Physics pela Brown University(1971) e pós-doutorado pela Max Planck Institut Fur Festkorperforschung(1974). Atualmente é MS-6 (titular) da Universidade Estadual de Campinas, aposentado da Universidade Estadual de Campinas, Consultor do Ministério da Educação e Consultor do Ministério da Educação. Tem experiência na área de Física, com ênfase em Física da Matéria Condensada. Atuando principalmente nos seguintes temas:Fisica de semicondutores, Propriedades opticas de solidos, Física da materia Condensada.

Informações coletadas do Lattes em 27/10/2025

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Física Phd Physics

1967 - 1971

Brown University
Título: Effect of Deformations on the Electronic and Vibronic Properties of Zincblende and Diamond-type Semiconductors
Orientador: Manuel Cardona
Bolsista do(a): Brown University, BROWN, Estados Unidos. Palavras-chave: Fisica de semicondutores; Propriedades opticas de solidos; Física da materia Condensada.Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part.. Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos. Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Dinâmica da Rede e Estatística de Cristais. Setores de atividade: Educação.

Graduação em Física

1961 - 1966

Universidad de Buenos Aires

Pós-doutorado

1971 - 1974

Pós-Doutorado. , Max Planck Institut Fur Festkorperforschung. , Bolsista do(a): Max Planck Institut Fur Festkorperforschung, MPI, Alemanha. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada. , Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part.. , Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos.

Idiomas

Inglês

Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Espanhol

Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Alemão

Fala Razoavelmente, Lê Pouco, Escreve Pouco.

Áreas de atuação

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Estados Eletrônicos.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Dinâmica da Rede e Estatística de Cristais.

Orientou

Alessandra Abdala Ribeiro

Anisotropia Óptica Em Poços Quânticos de Ingaas Crescidos Por Mbe Sobre Substratos de Gaas Com Orientação; ; 1997; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Fernando Cerdeira;

Evaldo Ribeiro

Absorcao e Refletividade Moduladas Em Superredes e Pocos Quanticos de Ingaas/Gaas; 1993; Dissertação - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Fernando Cerdeira;

Pedro Augusto Matos Rodrigues

Espalhamento Raman Por Semicondutores Mesoscopicos; 1989; Dissertação - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Fernando Cerdeira;

Evaldo Riveiro

Confinamento de Estados Eletrônicos e Vibracionais Em Microestruturas Semicondutoras Com Progressiva Redução da Dimensionalidade; ; 1996; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Fernando Cerdeira;

Marco Antonio Araújo Silva

Espalhamento Raman Em Heteroestruturas Semicondutoras de Si/Ge; 1995; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Fernando Cerdeira;

Pedro Augusto Matos Rodrigues

Estudo das Transicoes Eletronicas Tipo E0 e E1 Em Superredes de Ge/Si Utilizando Eletrorrefletancia e Fotorrfletancia; 1993; Tese - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Fernando Cerdeira;

FRANCISCO ERIVAN DE ABREU MELLO

Transicoes de Fase e Efeitos Anarmonicos Nas Vibracoes de Rede do Iodato de Litio Estudados Com Espalhamento Raman; 1983; Tese - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Fernando Cerdeira;

VOLIA LEMOS CRIVELENTI

Propriedades Estruturais e Dinamica de Redes Em Paratelurite; 1978; Tese - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Fernando Cerdeira;

Produções bibliográficas

CERDEIRA, F. ; GARRIGA, M. ; ALONSO, M. I. ; OSSÓ, J. O. ; SCHREIBER, F. ; DOSCH, H. ; CARDONA, M. . Raman spectroscopy as a probe of molecular order, orientation, and stacking of fluorinated copper-phthalocyanine (F CuPc) thin films. Journal of Raman Spectroscopy , v. 44, p. 597-607, 2013.
GAFFO, LUCIANA ; ZUCOLOTTO, VALTENCIR ; CORDEIRO, MÁRCIA R. ; MOREIRA, WANIA C. ; OLIVEIRA, OSVALDO N. ; CERDEIRA, FERNANDO ; BRASIL, MARIA J.S.P. . Structural aspects of Langmuir-Blodgett and cast films of zinc phthalocyanine and zinc hexadecafluorophthalocyanine. Thin Solid Films , v. 515, p. 7307-7312, 2007.
GOMES, P. F. ; IIKAWA, F ; CERDEIRA, F. ; LARSSON, M. ; ELFVING, A. ; HANSSON, G. V. ; NI, W.-X. ; HOLTZ, P.-O. . Type-I optical emissions in Ge-Si quantum dots. Applied Physics Letters , v. 91, p. 051917, 2007.
PACHECO-SALAZAR, D G ; LEITE, J R ; CERDEIRA, F ; MENESES, E A ; LI, S F ; AS, D J ; LISCHKA, K . Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology , v. 21, p. 846-851, 2006.
GAFFO, LUCIANA ; BRASIL, MARIA J.S.P. ; CERDEIRA, FERNANDO ; MOREIRA, WANIA C. . Effects of laser irradiation and annealing on rhodium phthalocyanine Langmuir-Blodgett films. Thin Solid Films , v. 488, p. 236-241, 2005.
PACHECO-SALAZAR, D.G. ; LI, S.F. ; CERDEIRA, F. ; MENESES, E.A. ; LEITE, J.R. ; SCOLFARO, L.M.R. ; AS, D.J. ; LISCHKA, K. . Growth and characterization of cubic InxGa1−xN epilayers on two different types of substrate. Journal of Crystal Growth , v. 284, p. 379-387, 2005.
GAFFO, LUCIANA ; COUTO, ODILON D.D. ; GIRO, RONALDO ; BRASIL, MARIA J.S.P. ; GALVÃO, DOUGLAS S. ; CERDEIRA, FERNANDO ; DE OLIVEIRA, OSVALDO N. ; WOHNRATH, KAREN . Effects of chlorine gas exposure on the optical properties of rhodium phthalocyanine films. Solid State Communications , v. 131, p. 53-56, 2004.
FERNANDEZ, J. ; NORIEGA, O. ; SOARES, J. ; CERDEIRA, F. ; MENESES, E. A. ; LEITE, J. ; AS, D. ; SCHIKORA, D. ; LISCHKA, K. . Near band-edge Optical Properties of Cubic GaN. Solid State Communications , v. 125, n.3 e 4, p. 205-208, 2003.
CERDEIRA, F. ; NORIEGA, O. ; SOARES, J. ; RODRIGUES, S. P. ; LEITE, J. ; RIBEIRO, E. ; FERNANDEZ, J. ; MENESES, E. A. ; AS, D. . Photoreflectance Studies of Optical Transitions in Cubic GaN Grown on GaAs (001) Substrates.. Journal of Crystal Growth , v. 252, p. 208-212, 2003.
CERDEIRA, F. ; FERNANDEZ, J. ; MENESES, E. A. ; BRASIL, M. J. S. ; SOARES, J. ; NORIEGA, O. ; LEITE, J. ; AS, D. ; KOHLER, U. ; POTTHAST, S. . Optical and X-Ray Diffraction Studies on The Incorporation of Carbon as a Dopant in Cubic GaN. Physical Review B - Solid State , v. 68, p. 15520, 2003.
OSSO, J. O. ; GARRIGA, M. ; SCHREIBER, F. ; KRUPPA, V. ; DOSH, H. ; ALONSO, M. I. ; CERDEIRA, F. . Controlled Molecular Alignment in Phtalocyanine Thin Films on Stepped Sapphire Surfaces.. Adv. Funct. Mater, v. 12, n.6 e 7, p. 455-460, 2002.
RASNIK, I. ; BRASIL, M. J. S. ; CERDEIRA, F. ; MENDONÇA, C. A. C. ; COTTA, M. A. . Light scattering and atomic force microscopy study of InAs island formation on InP. Journal of Applied Physics , v. 87, n.3, p. 1165-1171, 2000.
RIBEIRO, E. ; CERDEIRA, F. ; BRASIL, M. J. S. ; HEINZEL, T. ; ENSSLIN, K. ; RIBEIRO, G. M. . An Optical Study of Self-Assembled In Ga As/Ga As Quantum Dots Embedded in a Two-dimensional Electron Gas. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 87, n.11, p. 7994-7998, 2000.
RODRIGUES, P. A. M. ; SILVA, M. A. A. ; NARVAEZ, G. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Low Temperature Photoluminescence in Ultra-thin Germanium Quantum Wells. Brazilian Journal of Physics , v. 29, n.3, p. 547-550, 1999.
RODRIGUES, P. A. M. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Comment on the formation of Germanium dots with highly uniform size distribution grown on Si(100) substrate by molecular beam epitaxy. Applied Physics Letters , v. 75, n.1, p. 145-146, 1999.
NARVAEZ, G. A. ; SILVA, M. A. A. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . On the cross-over between 2-dimensional and 3-dimensional growth in Si/Ge(n)/Si quantum wells. Solid State Communications , v. 107, n.7, p. 359-362, 1998.
RIBEIRO, E. ; CERDEIRA, F. ; TESCHKE, O. . Tridimension Structural Characterization Of Porous Silicon By Transmission Electron Microscopy And Raman Scattering. Solid State Communications , v. 101, n.5, p. 327-331, 1997.
NARVAEZ, G. ; TORRIANI, I. C. L. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Interface Morphology Of Gen/Si Quantum Wells Studied With Raman Spectroscopy And High Resolution X-Ray Diffraction.. Brazilian Journal of Physics , v. 27, n.4, p. 632-637, 1997.
SILVA, M. A. A. ; RIBEIRO, E. ; SCHULZ, P. A. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Characterization Of Different Length Scales And Periodicities In Ge/Si Microstructures By Raman Spectroscopy. Journal of Raman Spectroscopy , v. 27, n.3, p. 257-263, 1996.
SILVA, M. A. A. ; RIBEIRO, E. ; SCHULZ, P. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Linear-Chain Model Interpretation Of Resonant Raman Scattering In Ge(N)Si(M) Microstructures. Physical Review B - Solid State , v. 53, n.23, p. 15871-15877, 1996.
BRAFMAN, O. ; MANOR, R. ; SILVA, M. A. A. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Evidence For Interface Terraces In Ge/Si Quantum Wells Obtained By Raman Scattering. Physica. B, Condensed Matter , v. 219, p. 502-504, 1996.
RIBEIRO, E. ; CERDEIRA, F. ; CANTARERO, A. . Experimental Evidence Of Anisotropy In The E0- And E1-Optical Spectra Of Corrugated Gaas/Alas Quantum-Wire Superlattices. Physical Review B - Solid State , v. 51, p. 7890, 1995.
BRAFMAN, O. ; SILVA, M. A. A. ; CERDEIRA, F. ; MANOR, R. ; BEAN, J. C. . Interfaces, Confinement And Resonant Raman Scattering In Ge/Si Quantum Wells. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 51, n.24, p. 17800-17805, 1995.
CERDEIRA, F. ; RIBEIRO, E. . Evolution Of The Electronic States Of InGaAs/GaAs Superlattices In The Presence Of An External Dc Electric Field. Philosophical Magazine A , v. 70, n.3, p. 481-492, 1994.
INOKI, C. K. ; RIBEIRO, E. ; LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. ; FINNIE, P. ; ROTH, A. P. . Simultaneous Observation Of Stark-Wannier And Franz-Keldysh Regimes For Different Types Of Carriers In InGaAs/GaAs Superlattices. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 49, n.3, p. 2246-2249, 1994.
RODRIGUES, P. A. M. ; SILVA, M. A. A. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . E1-Like Optical Transitions In Ge/Si Heterosctructures Studied By Electroreflectance And Photoreflectance. Brazilian Journal of Physics , v. 24, p. 243-247, 1994.
CERDEIRA, F. . Modulation Spectroscopy In Semiconductor Heterostructures. Brazilian Journal of Physics , v. 23, n.1, p. 3-22, 1993.
RODRIGUES, P. A. M. ; SILVA, M. A. A. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Confinement And Zone-Folding In The E1-Like Optical Transitions Of Ge/Si Quantum Wells And Superlattices. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 48, n.24, p. 18024-18030, 1993.
INOKI, C. K. ; LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. ; LOPEZ, C. V. . Strain Determination In Ingaas/Aas Strained Layer Superlattices By Photomodulated Reflectance. Journal of Applied Physics , v. 73, n.7, p. 3266-3270, 1993.
RODRIGUES, P. A. M. ; CERDEIRA, F. ; CARDONA, M. ; KASPER, E. ; KIBBEL, H. . Electroreflectance Study Of The E1 And E0 Optical Transitions In Thin Ge/Si Superlattices. Solid State Communications , v. 86, n.10, p. 637-642, 1993.
RIBEIRO, E. ; CERDEIRA, F. ; ROTH, A. P. . Appication Of Electromodulated Transmission To The Study Of The Electric-Field Dependence Of Electronic States In An In Gaas/Gaas Superlattice. Journal of Physics. Condensed Matter , v. 5, n.A, p. 355-356, 1993.
RODRIGUES, P. A. M. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Photoreflectance In Ge/Si-Ge Strained Layer Superlattices. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 46, n.23, p. 15263-15269, 1992.
LEMOS, V. ; INOKI, C. K. ; CERDEIRA, F. ; RITTER, T. ; WEINSTEIN, B. A. . Pressure-Induced Resonant Raman Scattering In Ingaas/Gaas Strained- Layer Superlattice. Solid State Communications , v. 84, n.11, p. 1011-1013, 1992.
RIBEIRO, E. ; CERDEIRA, F. ; ROTH, A. P. . Step-By-Step Evolution From Franz-Keldysh Oscillations To Stark- Wannier Confinement In An Ingaas/Gaas Superlattice. Physical Review B - Solid State , v. 46, n.19, p. 12542-12546, 1992.
MESTRES, N. ; CERDEIRA, F. ; MESEGUER, F. ; RUIZ, A. ; SILVEIRA, J. P. ; BRIONES, F. ; PLOOG, A. K. . Nonequilibrium Luminiscence At The E0+Delta0 Gap In Gaas With Si Delta Doping. Journal of Applied Physics , v. 71, n.11, p. 5619-5622, 1992.
NOVELLINO, R. A. ; LOPEZ, C. V. ; BERNUSSI, A. A. ; SCHMIDT, C. S. ; CERDEIRA, F. ; MOTISUKE, P. ; POLLAK, F. H. ; MESEGUER, F. ; PLOOG, A. K. . On The Origin Of Franz-Keldysh Oscillations In Algas/Gaas Modulation- Doped Heterojunctions. Journal of Applied Physics , v. 70, n.10, p. 5571-5575, 1991.
LOPEZ, C. V. ; RIBEIRO, E. ; CERDEIRA, F. ; MOTISUKE, P. ; SACILOTTI, M. A. ; ROTH, A. P. . A Photomodulated Spectroscopy Study Of InGaAs/GaAs Superlattices And Quantum Wells. Journal of Applied Physics , v. 69, n.11, p. 7833-7836, 1991.
CERDEIRA, F. ; LOPEZ, C. V. ; RIBEIRO, E. ; RODRIGUES, P. A. M. ; LEMOS, V. ; SACILOTTI, M. A. ; ROTH, A. P. . Franz-Keldysh oscillations in the photomodulated spectra of an InGaAs/GaAs strained-layer superlattice. Physical Review. C, Nuclear Physics , v. 42, p. 9480, 1990.
LOPEZ, C. V. ; CERDEIRA, F. ; SINENCIO, F. S. ; ALVAREZ, J. G. M. ; ALVAREZ, O. . Photorefelctance of r.f. sputtered Cd(1-x)FeTe(x) thin films. Journal of Materials Science , v. 24, p. 1053, 1989.
IIKAWA, F. ; MOTISUKE, P. ; CERDEIRA, F. . Effects of thermal anealing on the confined electronic states of InGaAs/GaAs strained-layer superlattices. Superlattices and Microstructures , v. 5, n.2, p. 273-278, 1989.
ALONSO, M. I. ; CERDEIRA, F. ; NILES, D. ; CARDONA, M. . Raman spectra of Si(n)Ge(m) superlattices: theory and experiment. Journal of Applied Physics , v. 66, n.11, p. 5645-5648, 1989.
RODRIGUES, P. A. M. ; CERDEIRA, H. A. ; CERDEIRA, F. . First order Raman scattering from semiconductor quantum dots. International Journal of Modern Physics B , v. 3, n.8, p. 1167-1181, 1989.
CERDEIRA, F. ; ALONSO, M. I. ; NILES, D. ; GARRIGA, M. ; CARDONA, M. . Resonant Raman scattering in short-period Si(n)/Ge(m) superlattices. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 40, n.3, p. 1361-1364, 1989.
CERDEIRA, F. ; TORRIANI, I. C. L. ; MOTISUKE, P. ; LEMOS, V. ; DECKER, F. . Optical and structura lproperties of polycristalline CdSe deposited on Titanium substrates. Applied Physics A, v. 46, p. 107-112, 1988.
IIKAWA, F. ; CERDEIRA, F. ; LOPEZ, C. V. ; MOTISUKE, P. . Optical studies in InGaAs/GaAs strained-layer superlattices. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 38, n.12, p. 8473-8476, 1988.
IIKAWA, F. ; CERDEIRA, F. ; LOPEZ, C. V. ; MOTISUKE, P. ; SACILOTTI, M. A. ; ROTH, A. P. ; MASUT, R. A. . Raman scattering in InGaAs/GaAs strained-layer superlattices. Solid State Communications , v. 68, p. 211, 1988.
MELO, F. E. A. ; CERDEIRA, F. ; LEMOS, V. . Pressure-induced phase transition in KliSO(4). Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 35, n.7, p. 3633-3636, 1987.
MENEDEZ, J. ; PINCZUK, A. ; GOSSARD, A. C. ; LAMONT, M. G. ; CERDEIRA, F. . Light scattering in GaAs parabolic quantum wells. Solid State Communications , v. 61, n.10, p. 601-605, 1987.
CERDEIRA, F. ; ANASTASSAKIS, E. ; KAUSCHKE, W. ; CARDONA, M. . Stress-Induced Doubly Resonant Raman Scattering In GaAs. Physical Review Letters , v. 57, n.25, p. 3209-3212, 1986.
HULL, R. ; BEAN, J. C. ; CERDEIRA, F. ; GIBSON, J. M. ; FIORY, T. A. . Stability of semiconductor strained-layer superlattices. Applied Physics Letters , v. 48, n.1, p. 56-58, 1986.
CERDEIRA, F. ; PINCZUK, A. ; BEAN, J. C. ; BATTLOG, B. ; WILSON, B. A. . A Raman scattering study of GeSi/Si strained-layer superlattices. Journal of Vacuum Science & Technology B , v. 3, n.2, p. 600-602, 1985.
CERDEIRA, F. ; PINCZUK, A. ; BEAN, J. C. . Obsevation of confined electronic states in GeSi/Si strained-layer superlattices. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 31, n.2, p. 1202-1204, 1985.
CERDEIRA, F. ; PINCZUK, A. ; CHIU, T. H. ; TSANG, W. T. . New optical structure near the E(1) transitions of InSb/InAlSb quantum wells. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 32, n.2, p. 1390-1393, 1985.
MELO, F. E. A. ; MENDES FILHO, J. ; MOREIRA, J. E. ; LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. . Anharmonic efects in Raman-active modes of PbCl(2). Journal of Raman Spectroscopy , v. 15, n.2, p. 128-131, 1984.
CERDEIRA, F. ; LEMOS, V. ; CARDONA, M. . Effective charges and their pressure dependence in Apha-LiIO(3). Physica Status Solidi. B, Basic Research , v. 122, p. 53-64, 1984.
CERDEIRA, F. ; MESTRES, N. ; CARDONA, M. . Light scattering by plasmons in Germanium. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 29, n.6, p. 3737-3739, 1984.
MESTRES, N. ; CERDEIRA, F. ; CARDONA, M. . Resonant Raman scattering by plasmons in n-type Ge. Solid State Communications , v. 49, n.12, p. 1103-1105, 1984.
MENDES FILHO, J. ; LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. . Pressure dependence of the Raman spectrum of LiNbO(3) and LiTaO(3). Journal of Raman Spectroscopy , v. 15, n.6, p. 367-369, 1984.
CERDEIRA, F. ; PINCZUK, A. ; BATTLOG, B. ; WILSON, B. A. . Raman scattering from GeSi/Si strained-layer superlattices. Applied Physics Letters , v. 45, p. 1138, 1984.
MENDES FILHO, J. ; LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. ; KATIYAR, R. S. . Raman and X-ray studies of a high pressure phase transition in Beta-LiIO(3) ad the study of anharmonic effects. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 30, n.12, p. 7272-7218, 1984.
MENDES FILHO, J. ; CERDEIRA, F. ; LEMOS, V. . A Raman study of the Beta-phase of LiIO(3). Solid State Communications , v. 45, n.4, p. 331-335, 1983.
CERDEIRA, F. ; MELO, F. E. A. ; LEMOS, V. . A Raman study of anharmonic effects in Alpha-LiIO(3). Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 27, n.12, p. 7716-7729, 1983.
LEMOS, V. ; MENDES FILHO, J. ; MELO, F. E. A. ; KATIYAR, R. S. ; CERDEIRA, F. . Pressure-induced phase transition in Beta-LiIO(3). Physical Review B - Solid State , v. 28, n.6, p. 2985-2989, 1983.
MELO, F. E. A. ; CERDEIRA, F. . Changes in the Raman spectrum of LiIO(3) introduced by uniaxial stress. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 26, n.2, p. 720-728, 1982.
MELO, F. E. A. ; CERDEIRA, F. ; LEMOS, V. . Raman scattering from three phases of LiIO(3). Solid State Communications , v. 41, n.4, p. 281-287, 1982.
LEMOS, V. ; MELO, F. E. A. ; CERDEIRA, F. . Pressure dependence of the Raman spectrum of LiO(3). Solid State Communications , v. 40, p. 1035-1039, 1981.
CERDEIRA, F. ; MELO, F. E. A. ; KATIYAR, R. S. . Piezoespectroscopic study of the Raman spectrum of LiIo(3). The European Physical Journal. B, Condensed Matter Physics , v. 42, n.12-C6, p. 722-724, 1981.
LEMOS, V. ; GUALBERTO, G. M. ; SALZBERG, J. B. ; CERDEIRA, F. . First order Raman scattering in NiS(2-x)Se(x). Physica Status Solidi. B, Basic Research , v. 100, p. 755-762, 1980.
CERDEIRA, F. ; LEMOS, V. ; KATIYAR, R. S. . Stress dependence of the zone-center optical phonons of LaF(3). Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 19, p. 5413, 1979.
CERDEIRA, F. ; LEMOS, V. ; CARDONA, M. . Atomic motions corresponding to zone-center phonons in paratellurite. Physica Status Solidi. B, Basic Research , v. 88, p. 199-206, 1978.
CERDEIRA, F. ; MENESES, E. A. ; GOUSKOV, A. . Splittings and correlations between the long wavelegth optical phonons in layer compounds GaSe, GaTe and GaSe(1-x)Te(x). Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 16, n.4, p. 1648-1654, 1977.
LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. ; SCARPARO, M. A. F. ; KATIYAR, R. S. . Stress induced changes in the Raman spectrum of paratellurite. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 16, n.12, p. 5560-5569, 1977.
LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. ; GOUSKOV, L. . Electroreflectance in GaSeTe solid solutions. Solid State Communications , v. 20, p. 1101-1105, 1976.
CERDEIRA, F. ; HOLZAPFEL, W. B. ; BAUERLE, D. . Effects of pressure on the zone center phonons of PbTiO(3) and on the ferroelectric-paraelectric phase transition. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 11, n.3, p. 1188-1192, 1975.
CERDEIRA, F. ; FJELDLY, T. A. ; CARDONA, M. . Raman study of the interaction between localized vibrations and electronic excitations in boron doped silicon. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 9, n.10, p. 4344-4350, 1974.
YACOBI, Y. ; CERDEIRA, F. ; SCHMIDT, M. ; HOLZAPFEL, W. B. . Pressure dependence of phonon energies at critical points in the Brillouin zone in KTaO(3). Solid State Communications , v. 14, p. 1325-1329, 1974.
CARDONA, M. ; CERDEIRA, F. ; FJELDLY, T. A. . Sign of the Raman tensor of diamond- and zincblende-type semiconductors. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 10, n.8, p. 3433-3435, 1974.
FJELDLY, T. A. ; CERDEIRA, F. ; CARDONA, M. . Effect Of Free Carriers On The Zone-Center Vibrational Modes In Heavily Doped P-Type Si I: Acoustical modes. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 8, n.10, p. 4723-4733, 1973.
CERDEIRA, F. ; FJELDLY, T. A. ; CARDONA, M. . Effect Of Free Carriers On Zone Center Vibracional Modes In Heavily Doped P-Type Si, II: Optical Modes.. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 8, n.10, p. 4734-4745, 1973.
CERDEIRA, F. ; FJELDLY, T. A. ; CARDONA, M. . Elastic constants and Raman frequencies of heavily doped silicon under uniaxial stress. Solid State Communications , v. 12, p. 553, 1973.
CERDEIRA, F. ; FJELDLY, T. A. ; CARDONA, M. . Interaction between electronic and vibronic Raman scattering in heavily doped silicon. Solid State Communications , v. 13, p. 325-328, 1973.
DREYBRODT, W. ; CERDEIRA, F. ; CARDONA, M. . orientation-dependent resonant Raman scattering in InSb and GaSb at the E1 - E1 +D1 region. Physica Status Solidi. B, Basic Research , v. 60, p. 145-156, 1973.
CERDEIRA, F. ; DREIBRODT, W. ; CARDONA, M. . Resonant Raman Scattering In Ge. Solid State Communications , v. 10, n.7, p. 591-595, 1972.
CERDEIRA, F. ; BUCHENAUER, C. J. ; POLLAK, F. H. ; CARDONA, M. . Stress-induced shifts of first order Raman frequencies of diamond- and zincblende-type semiconductors. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 5, n.2, p. 580-593, 1972.
CERDEIRA, F. ; CARDONA, M. . Effect of carrier concentration on the Raman frequencies of Si and Ge. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 5, n.4, p. 1440-1454, 1972.
CERDEIRA, F. ; DEWITT, J. S. ; ROSSLER, U. ; CARDONA, M. . Hydrostatic pressure coefficients and deformation potentials for II-VI compounds. Physica Status Solidi. B, Basic Research , v. 41, p. 735-742, 1970.
CERDEIRA, F. ; CARDONA, M. . Photoreflectance and Electroreflectance in Silicon. Solid State Communications , v. 7, p. 879-882, 1969.
CERDEIRA, F. . Germanium-Silicon:Physics and Materials, Volume 56 da serie Semicoductors and Semimetals (ed. R.K. Willardson and E. R. Weber). In: Robert Hull; John C. Bean. (Org.). Semiconductors and Semimetals-Germanium-Silcon: Phsics and Materials. NEW YORK: ACADEMIC PRESS, 1999, v. 56, p. 226-292.
CERDEIRA, F. ; ALONSO, M. I. ; GARRIGA, M. ; OSSO, J. O. ; KRUPPA, V. . Optical Characterization of Anisotropic Thin Films of Perfluorinated Copper Phtalocyanine. In: 26th ICPS, 2002, Edinburg. Proceedings of the 26th ICPS, 2002.
SILVA, M. A. A. ; CERDEIRA, F. ; SCHULZ, P. A. ; BEAN, J. C. . Interface Roughness And Periodicities In Si/Ge Microstructures Studies By Experimental And Numerically Simulated Raman Scattering.. In: 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors., 1996, Berlin. Proceedings of the 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors.. Cingapura: World Scientific, 1996. v. 3. p. 1721-1730.
SILVA, M. A. A. ; RODRIGUES, P. A. M. ; CERDEIRA, F. ; BEAN, J. C. . Resonant Raman Scattering And Electroreflectance In Ge(5)Si(5) Heterostructures.. In: 22nd International Conference ont he Physics of Semiconductor., 1995, Vancouver, BC-Canada. Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semiconductor.. Cingapura: World Scientific, 1994. v. 2. p. 1540-1543.
LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. ; LOPEZ, C. V. . Strain measurements in InGaAs/GaAs strained-layer superlattices byphotomodulated reflectance. In: Sixth International Conference on microstructures and microdevices, 1993, Xián-China. Superlattices ad microstructures, 1992. v. 13. p. 189.
MARQUES, G. E. ; COHEN, A. M. ; RODRIGUES, P. A. M. ; IIKAWA, F. ; MOTISUKE, P. ; CERDEIRA, F. . Novel lfeatures in the photoreflectance spectra of single quantum wells produced by in-plane subband dispersion: theory and experiment. In: 21st International Conference on the physics of semiconductors, 1992, Beijing-China. Proceedings of the 21st International Conference on the Physics of semiconductors. Cingapura: World Scientific, 1992. p. 1060-1063.
CERDEIRA, F. . Light scattering studies of electronic excitations in delta-doped GaAs. In: XIII-th International Conference on Raman Spectrocopy, 1992, Wurzburg-Alemanha. Proceedings of the XIII-th International Conference on Raman Spectrocopy, 1992. p. 814.
RIBEIRO, E. ; LOPEZ, C. V. ; CERDEIRA, F. ; MOTISUKE, P. . Evidence Of Miniband Dispersion In The Pohtomodulated Absorption Spectra Of Ingaas/Gaas Superlattices. In: PROCEEDINGS OF THE FIFTH BRAZILIAN SCHOOL ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, 1991, São Paulo. Proceedings of the 5th Brazilian School on Semiconductor Physics. Cingapura: World Scientific, 1991. p. 242-246.
CERDEIRA, F. . Characteriztion of semiconductor microstructures by phononRaman Scattering. In: XII-th International Conference on Raman Spectroscopy, 1990, Columbia, SC -Estados unidos. Proceedings of the XII-th Internationalonference on Raman Spectrosopy. New York: John Wily & Sons, 1990. p. 434.
CERDEIRA, F. ; LOPEZ, C. V. ; RIBEIRO, E. ; RODRIGUES, P. A. M. ; LEMOS, V. ; SACILOTTI, M. A. ; ROTH, A. P. . Miniband dispersion and Franz-Keldysh oscillations in the photomodulated spectra of InGaAs/GaAs superlattices. In: 20th International Conference o the Physicas of Semiconductors, 1990, Thessaloniki-Grecia. Proceedings of the 20th InternationalConference o the Physicas of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 1990. p. 1077-1080.
BERNUSSI, A. A. ; MENDONÇA, C. A. C. ; MOTISUKE, P. ; MENESES, E. A. ; CERDEIRA, F. ; POLLAK, F. H. . Photoreflectance of 2-D electron gas: obsevation of quantum Franz-Keldysh effect?. In: 20th InternationalConference on the Physics of Semiconductors, 1990, Thessaloniki- Gracia. Proceedings of the 20th InternationalConference on the Physics of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 1990. p. 1065-1068.
RODRIGUES, P. A. M. ; MENDONÇA, C. A. C. ; BERNUSSI, A. A. ; PLENTZ, F. O. ; LOPEZ, C. V. ; MENESES, E. A. ; CERDEIRA, F. . Photoreflectance, photoluminescence and Raman scatteing of MBE GaAs/AlGaAs multiple quantu wells. In: 4th Brazilian School on Semiconductor Physices, 1989, Belo Horizonte,MG. Proceedings of te fourth Brazilian school on Semiconductoer Physics. Cingapura: World Scientific, 1989. p. 304.
BERNUSSI, A. A. ; RODRIGUES, P. A. M. ; CERDEIRA, F. ; LEMOS, V. ; MOTISUKE, P. ; SACILOTTI, M. A. ; MACHADO, A. M. . Photoreflectance and electroreflectance characterization of GaAs films grown by MOCVD . In: 4th Brazilian School on the physics of Semiconductors, 1989, Belo Horizonte, MG. Proceedings of the 4th Brazilian School on the Physics of semiconductors. Cingapura: World Scientific, 1989. p. 280.
IIKAWA, F. ; CERDEIRA, F. ; MOTISUKE, P. ; SACILOTTI, M. A. . Band off-set for the InGaAs/GaAs syatem obtained from optica lstudies in strained-layer superlattices. In: 19th International Conference o the Physics of Semiconductors, 1988, Varsovia-Polônia. Proceedings of the 19th International Conference on the Physics of Semiconductors. Varsovia: Ploish Scientific Publishers, 1988. p. 545-548.
CERDEIRA, F. ; TORRIANI, I. C. L. ; MOTISUKE, P. ; LEMOS, V. ; DECKER, F. . Quantun size effects in policrystalline CdSe. In: 3rd Brazilian chool on the Phsics of semiconductors, 1988, São Carlos, SP. Proceedings of the 3rd Brazilian School on the Physocas of Semiconductors. Cingapura: World Scientific, 1987. p. 180.
MESTRES, N. ; CERDEIRA, F. ; CARDONA, M. . Light scattering by Plasmons in heavily doped n-type Si. In: 17th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1985, São Francisco, CA- Estados Uni. Proceedings of the 17th International Conference on the Physics of Semiconductors. Heidelberg: Springer Verlag, 1984. p. 1113-1116.
LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. ; KATIYAR, R. S. . New results on the Raman spectrum of LaF(3). In: 6th International Conference on Raman Spectrocopy, 1978, Bangalore- India. Proceedings of the 6th International Conference on Raman Spectroscopy. Londres-Inglaterra: Heyden, 1978. p. 348.
SCARPARO, M. A. F. ; LEMOS, V. ; CERDEIRA, F. ; KATIYAR, R. S. . Lattice dynamics of paratellurite under uniaxial stress. In: International Conference on Lattice dynamics, 1978, Paris-França. Proceedings of the International Conference on Lattice Dynamics. Paris: Flamarion Press, 1978. p. 707.
CERDEIRA, F. . Raman scattering by coupled electron-phonon excitations. In: Third International Conference on Lght Scattering in Solids, 1976, Campinas, sp-Brasil. Proceedings of the third International Conference on Light Scattering in Solids. Paris: Flamarion Press, 1975. p. 119.
CERDEIRA, F. ; DREIBRODT, W. ; CARDONA, M. . Resonant Raman Scattering in Germanium. In: 11th International Conference on the Psics of Semiconductors, 1972, Varsovia-Polônia. Proceedings of the 11th International Conference on the Physics of Semiconductirs. Varsovia: Polish Scientific Publishers, 1972. p. 1142-1145.
BUCHENAUER, C. J. ; CERDEIRA, F. ; CARDONA, M. . Influence of hydrostatic pressure on the first order Raman frequencies of opaque semiconductors. In: Second International Conference on Light Scattering in Solids, 1971, Paris. Proceedings of the Second International Conference on Light Scattering in solids. Paris: Flammarion Press, 1971. p. 280.
CERDEIRA, F. . Resonant Raman scattering and Electroreflectance in Si/Ge superlattices. In: V Talher de Espectroscopias Opticas- CINVESTAV, 1994, Mexico DF, 1994.
CERDEIRA, F. . Optical prperties of semiconductor microstructures. In: Winter School on Mesoscopic Systems, 1992, Brasilia, DF-Brasil, 1992.
CERDEIRA, F. . Modulation Spectroscopy in Semiconductor Heterostructures. In: Workshop on Optical rperties of Solids -LNLS, 1992, Campinas, SP-Brasil, 1992.
CERDEIRA, F. . Propriedades opticas de semicondutores. In: III Escloa Brasileira de Estrutura Eletronica, 1991, Nova Friburgo, RJ-Brasil, 1991.
CERDEIRA, F. . Modulation Spectroscopy in Superlattices and Heterojunctons. In: Conference on Spectroscopy of Solids and Surfaces, 1990, Brasilia, DF-Basil, 1990.
CERDEIRA, F. . Opticalrperties of strained-layer superlattices. In: Research Workshop in Condensed Matter hysics, 1988, Trieste-Italia, 1988.
CERDEIRA, F. . Espalhamento Raman reonate en semiconductores. In: X-SLAFES: Simposio Latinoamericano de Fisica de Estado Solido, 1987, Havana-Cuba, 1987.
CERDEIRA, F. . Espalhamento Raman ressonante em Superredes semicondutoras. In: II Simposio Ibérico de Materia condensada, 1986, Sevilha-Espanha, 1986.
CERDEIRA, F. . Espalhamento de Luz em superredes semicondutoras. In: Escuela de Fisica, Quimica e Ingenieria de semiconductores, 1986, Buenos Aires-Argentina, 1986.

Prêmios

1989

PREMIO ESTIMULO A PESQUISA:MELHOR CONTRIBUICAO A FISICA EXPERIMENTAL, Reitoria/UNICAMP.

1988

Membro titular, Academia de Ciências do Estado de São Paulo.

1984

GUGGENHEIM FELLOW, JOHN SIMON GUGGENHEIM MEMORIAL FOUNDATION/.

Histórico profissional

Endereço profissional

Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais. , DFESCM/IFGW/UNICAMP, Cidade Universitária, 13083970 - Barão Geraldo, SP - Brasil - Caixa-postal: 6165, Telefone: (19) 7882305, Fax: (19) 2392424

Experiência profissional

2000 - 2001

Institut de Ciència de Materials de Barcelona

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor convidado, Carga horária: 40

Outras informações:
Estgio financiado pelo Minsterio de educação Espanhol

1998 - Atual

Ministério da Educação

Vínculo: Membro de comissão especializa, Enquadramento Funcional: Consultor, Carga horária: 0

Outras informações:
Membro de uma comissão de tres docentes que redigiú as diretrizes curriculares para os cursos de Física, acompanha os processos de cadastramento de novos cursos e avalia cursos em funcionamento (SeSu-MEC).

1994 - 1994

Universitat de València

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Bolsista do Concejo Nacional de Investigacio, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

01/1994 - 02/1994
Estágios , Facultad de Ciencias, Departamento de Fisica Aplicada.,Estágio realizado, Professor visitante.

1990 - 1991

Universidad Autónoma de Madrid

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Bolsista do Ministerio de Educacion y Ciencia, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

12/1990 - 02/1991
Estágios , Facultad de Ciencias, Departamento C IV.,Estágio realizado, Professor convidado.

1987 - 1988

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo

Vínculo: (membro do comite assessor), Enquadramento Funcional: BOLSISTA, Carga horária: 4

Atividades

01/1987 - 11/1988
Pesquisa e desenvolvimento .,Linhas de pesquisa

1984 - 1985

At T Bell Laboratories

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Scientific Consultant, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Bolsista da Guggenheim Foundation e do proprio laboratorio

Atividades

01/1984 - 03/1985
Estágios .,Estágio realizado, Pesquisador Convidado.

1974 - 1977

Universidade Estadual de Campinas

Vínculo: professor, Enquadramento Funcional: MS-4, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Aposentado em 02/09/2011

Atividades

03/1986
Direção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, .,Cargo ou função, Membro de colegiado superior (congregção do IFGW).
01/1978
Direção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.,Cargo ou função, Membro de colegiado superior (conselho departamental).
08/1977
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, FI -001 (Mcenica Quântica I-2do sem 1977 ), FI-100 (Mecánica Quântica II-1er sem 1978 e 2do sem 1979), FI 020 (Física do Estado Sólido I:1er sem 1980), FI 120 (Física do EstadoSólido II: 2do sem 1980), FI 104 (Física da Matéria Condensada I: 1er sem 1986), FI 163 (Física de Semicondutores I:1er sem de 1991e 1992), FI 147 (propriedades Opticas de emicondutores: 2do sem 1991), FI 205 (Tópicos de Física da Matéria Condensada: Heteroestruturas semicondutoras- 1er sem 1997), FI 227 (Tópicos em Física Aplicada I: Física aplicada a problemas de biologia e medicina- 2do sem 1999)
03/1975
Ensino,,Disciplinas ministradas, F-128 (Física Geral ), F-129 (Física geral experimental I), F- 228 (Física Geral II), F-229 (Física geral Experimental II), F-318 (Física geral III), F-329 (Física geral experimental III), F- 428 (Física Geral IV), F- 604 (Física Estatística), F-888 (Física da Matéria Condensada)
09/1974
Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.,Linhas de pesquisa
07/1994 - 07/1998
Direção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, .,Cargo ou função, Coordenador de curso (Pósgraduação).
06/1993 - 07/1994
Direção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, .,Cargo ou função, Membro de comissão permanente (Pósgraduação).
07/1992 - 07/1993
Direção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, .,Cargo ou função, Membro de comissão permanente (avaliação docente-CCD).
03/1986 - 03/1988
Direção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física do Estado Sólido e Ciência dos Materiais.,Cargo ou função, CHEFE DO DEPTO DE FISICA DO ESTADO SOLIDO E CIENCIA DOS MATERIAIS.

1971 - 1974

Max Planck Institut Fur Festkorperforschung

Vínculo: bolsista recém-doutor, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: 0

Outras informações:
Estagio de Pósdoutoramento no perodo acima citado e pesquisador convidado em diversas oportunidades posteriores detalhadas no item estagios.

Atividades

12/1988 - 03/1989
Estágios .,Estágio realizado, Pesquisador convidado.
08/1986 - 09/1986
Estágios .,Estágio realizado, Pesquisador convidado.
09/1983 - 12/1983
Estágios .,Estágio realizado, Pesquisador convidado.