Maria Gloria Caño de Andrade
Professora Livre Docênte na UNESP Campus de Sorocaba do Curso de Graduação em Engenharia de Controle e Automação. Possui graduação em Engenharia Elétrica ênfase em Eletrônica pela Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho Campus de Ilha Solteira (1994), Mestrado em Dispositivos Eletrônicos Integrados pelo Centro Universitário da FEI/SP (2007), Doutorado pela Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (2012) onde realizou (período de 1 ano) estágio de doutorado no IMEC (Interuniversity Microelectronic Center), em cooperação com a Universidade Católica de Leuven (Katholieke Universiteit Leuven - Bélgica, 2011-2012) e Pós-doutorado pelo IMEC (2012- 2013, 1 ano), na área de ruído de baixa frequência e ruído RT (Random Telegraph Noise), para aplicações em memórias não voláteis, com ênfase especial em modelagem, simulação e caracterização elétrica de transistores verticais circulares de polisilício em temperatura ambiente e em altas temperaturas. Possui também Livre-Docente em Dispositivos Eletrônicos pela Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho Campus de Sorocaba (2023).Tem experiência no setor empresarial, em um período de 5 anos, atuou em empresas de telecomunicações (Alcatel Telecomunicações e Star Network do Brasil), na área de projetos de migração e atualização de software e dados, testes de software, suporte técnico ao cliente, treinamentos e coordenação. Desde 2005 tem se dedicado a Pesquisas na área de Materiais e Componentes Semicondutores, atuando na caracterização elétrica, modelagem e simulação de transistores avançados planares e de múltiplas portas (Bulk FinFET), obtidos pelas tecnologias CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) e SOI (Silicon-On-Insulator), com ênfase em extração de parâmetros elétricos, circuitos analógicos, células de memória DRAM e ruídos.
Informações coletadas do Lattes em 04/09/2025
Acadêmico
Formação acadêmica
Doutorado em Engenharia Elétrica - Microeletrônica
2008 - 2012
Escola Politécnica da Universidade de São Paulo
Título: Estudo de Transistores de Porta Tripla de Corpo (Transistores FinFETs)
Orientador: em Interuniversity Microelectronic Center ( Cor Clayes)
com João Antonio Martino. Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Mestrado em Engenharia - Dispositivos Eletrônicos Integrados
2005 - 2007
Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros
Título: Estudo da Tensão de Limiar e Inclinação de Sublimiar em Transistores SOI FinFETs de Porta Dupla e Porta Tripla
, Ano de Obtenção: 2007.João Antonio Martino.Grande área: Engenharias
Graduação em Engenharia Elétrica - Eletrônica
1989 - 1994
Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho de Ilha Solteira
Pós-doutorado
2023
Livre-docência. , Instituto de Ciência e Tecnologia de Sorocaba ? UNESP, ICTS - UNESP, Brasil. , Título: CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA EM TRANSISTORES DE AlGaN/GaN COM ALTA MOBILIDADE DE ELÉTRONS, Ano de obtenção: 2023.
2012 - 2013
Pós-Doutorado. , interuniversity microelectronic center, IMEC, Bélgica. , Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. , Grande área: Engenharias
Formação complementar
2014 - 2014
Tecnologia da Educação em Engenharia. (Carga horária: 16h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.
2002 - 2002
CCNA - Teoria de Roteados e Tecnologia. (Carga horária: 28h). , Centro Universitário Senac, SENAC/SP, Brasil.
2001 - 2001
CCNA - Fundamentos de Redes. (Carga horária: 28h). , Centro Universitário Senac, SENAC/SP, Brasil.
2000 - 2000
Introdução ao UNIX. (Carga horária: 20h). , Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.
2000 - 2000
UNIX Avançado. (Carga horária: 20h). , Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP, Brasil.
2000 - 2000
Manutenção de Software em Centrais Telefônicas S12. (Carga horária: 150h). , ALCATEL TELECOMUNUCAÇÕES S/A, CAMPINAS, Brasil.
2000 - 2000
ASSEMBLY INTEL. (Carga horária: 20h). , ALCATEL TELECOMUNICAÇÕES S/A, CAMPINAS, Brasil.
1997 - 1997
Tratamento de Chamada. (Carga horária: 60h). , ALCATEL TELECOMUNICAÇÕES S/A, CAMPINAS, Brasil.
1989 - 1989
GTD - Geração, Transmissão e Distribuição(). (Carga horária: 40h). , Companhia Energética de São Paulo - Ilha Solteira, CESP, Brasil.
Idiomas
Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Espanhol
Compreende Bem, Fala Razoavelmente, Lê Bem, Escreve Razoavelmente.
Áreas de atuação
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Nanoeletrônica.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Microeletrônica.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos/Especialidade: Circuitos Eletrônicos.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia de Energia / Subárea: Fontes Renováveis de Energia/Especialidade: Energia Solar Térmica.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação/Especialidade: Instrumentação Eletrônica.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Telecomunicações.
Organização de eventos
MARTINO, JOAO ANTONIO ; ANDRADE, M. G. C. . SEMINATEC: XII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. 2017. (Congresso).
Martino, J. A. ; ANDRADE, MARIA GLÓRIA CAÑO DE . SEMINATEC - IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. 2014. (Congresso).
Participação em eventos
Chip on The Cliffs - SBMICRO 2024 ? 38th Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Characterization of AlGaN/GaN HEMTs with Different Manufacturing Characteristics. 2024. (Congresso).
EuroSOI-ULIS Conference 2024. Temperature Influence on NBTI in Junctionless Nanowire Transistors; Performance Investigation of 3D Stack Channel Devices and Impact of Source-Drain Series Resistance on Carrier Mobility in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors. 2024. (Congresso).
Chip in the Rio. SBMICRO - 37th Symposium on Microelectronics Technology and Devices,. Mobility Extraction Methods in AlGaN/GaN HEMTs. 2023. (Congresso).
SEMINATEC - XVII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology.. "Drain Current Behaviour in FinFET, iFinFET and GAA FET Devices by TCAD 3D Simulation" e "Electron Mobility in AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors". 2023. (Congresso).
Chip in the Minuano: ? INSCIT 2022 (International Symposium on Instrumentation Systems, Circuits and Transducers ). Hybrid Integrator Topology with Digital Input Control and Analog Signal Processing. 2022. (Congresso).
LAEDC - IEEE Latin American Electron Devices Conference. Temperature Dependence of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on 200 mm Si wafers. 2022. (Congresso).
SEMINATEC - XVI Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology.. "Analog and Low-Frequency Noise Investigation of AlGaN/GaN HEMTs" and "SOI UTBB nMOSFET Calibration by Different Machine Learning Algorithms". 2022. (Congresso).
SEMINATEC - XV Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology,. Hybrid Integrator Topology Development for General-Purpose Analog-Digital Computer. 2021. (Congresso).
SEMINATEC - XV Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology.. " I has particepated, as session chair, the Seminatec 2021". 2021. (Congresso).
Oficina de Saúde Mental. 2019. (Oficina).
SEMINATEC - XIV Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology,. "Multi-layers Devices for Solar Cells Application" and "Performance Analyses of Traps Channel in SOI UTBB Devices" and "TCAD Simulation of Ultra-thin Body and Buried Oxide SOI MOSFET". 2019. (Congresso).
Extensão Educacional na Universidade Federal de Brasília.Curso de difusão de conhecimento ?Dispositivos Semicondutores?. 2018. (Outra).
II Seminário de Planejamento e Avaliação Departamental da UNESP. 2018. (Seminário).
I workshop do Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica ICTS/SJBV. 2018. (Oficina).
Oficina de Saúde Mental. 2018. (Oficina).
SEMINATEC - XIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano- Technology. Ultra-Thin Buried Oxide SOI MOSFET Device Analyses. 2018. (Congresso).
1ª fase do XXIX do Congresso de Iniciação Científica da UNESP. Avaliador de Trabalhos. 2017. (Congresso).
INFOS 2017 - 20th Conference on 'Insulating Films on Semiconductors. Influence of Channel Traps Position in Cylindrical Vertical FETs. 2017. (Congresso).
SBMICRO - 31st SYMPOSIUM ON MICROELECTRONICS' TECHNOLOGY AND DEVICES CHIP ON THE MOUNTAINS. Random Telegraph Signal Noise in Advanced High Performance and Memory Devices and n-Channel Bulk and DTMOS FinFETs: Investigation of GIDL and Gate Leakage Currents. 2016. (Congresso).
SEMINATEC - XI Workshop on Semiconductors and Micro & Nano- Technology. "n-Channel Bulk and DTMOS FinFETs: Investigation of Gate Leakage Currents" and "Performance Analysis: Silicon and Silicon/Germanium PIN Photodiode". 2016. (Congresso).
1ª fase do XXVII do Congresso de Iniciação Científica da UNESP. Analysis of Polysilicon Cylindrical Vertical FETs Transistors. 2015. (Congresso).
2ª fase do XXVII do Congresso de Iniciação Científica da UNESP. Analysis of MuGFETs Transistors: BULK e DTMOS. 2015. (Congresso).
8º Congresso de Extensão Universitária da UNESP. Avaliador de Trabalhos. 2015. (Congresso).
8º Congresso de Extensão Universitária da UNESP. Ensino da Micro e Nanoeletrônica na Profissionalização do Técnico de Nível Médio. 2015. (Congresso).
II Fórum de Avaliação do Ensino de Graduação da UNESP. 2015. (Oficina).
INFOS 2015 - 19th Conference on 'Insulating Films on Semiconductors. Low-frequency noise investigation of n-channel 3D devices. 2015. (Congresso).
Participação na 2ª fase do XXVII do Congresso de Iniciação Científica da UNESP. Analysis of MuGFETs Transistors: BULK e DTMOS. 2015. (Congresso).
Universidade do Futuro. 2015. (Oficina).
WORKSHOP INSA. 2015. (Oficina).
9th International Caribbean Conference on Devices Circuits and Systems, (iccdsc). Floating Body Effect on n-Channel Bulk FinFETs for Memory Application. 2014. (Congresso).
SEMINATEC - IX Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. n-Channel Bulk and DTMOS FinFETs: Investigation of Low-Frequency Noise under 60 MeV Proton Irradiation. 2014. (Congresso).
8th International Caribbean Conference on Devices Circuits and Systems, (iccdsc). The Impact of Back Bias on the Floating Body Effect in UTBOX SOI Devices for 1T-FBRAM Memory Applications. 2012. (Congresso).
SEMINATEC VII - Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology,. Low-Frequency Noise of Bulk and DTMOS Triple-Gate FinFETs. 2012. (Congresso).
ULIS - 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon. Low-Frequency Noise Behaviour of Bulk and DTMOS Triple-Gate Devices under 60 MeV Proton Irradiation. 2012. (Congresso).
ULIS - 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon. Behavior of triple gate Bulk FinFETs with and without DTMOS operation. 2011. (Congresso).
SBMICRO - 25th SYMPOSIUM ON MICROELECTRONICS' TECHNOLOGY AND DEVICES CHIP in SAMPA. Analog Performance of Bulk and DTMOS Triple-Gate Devices. 2010. (Congresso).
WOLTE 2010 : 9th International Workshop on Low Temperature Electronics. Analog Performance at Low Temperatures in Triple-Gate Devices: Bulk, DTMOS, BOI and SOI. 2010. (Congresso).
SBmicro 2009 - Student Forum on Microelectronics. MULTIPLES THRESHOLD VOLTAGES IN TRAPEZOIDAL CHANNEL MUGFETS. 2009. (Congresso).
SEMINATEC IV - Workshop on Semiconductors and Micro & Nano- Technology. Influence of the channel doping concentrations and sidewall Inclination angle in MuGFETs Threshold Voltage. 2009. (Congresso).
XIII Congresso de Iniciação Científica e Tecnológica em Engenharia - CICTE. Fonte de Corrente Constante para Determinação da Condutividade Elétrica de Polímeros Condutores. 1994. (Congresso).
Conferência Internacional sobre Aplicação Industrial de Eletricidade e Exposição - IEEE. 1992. (Outra).
XI SEMANA DE ENGENHARIA ELÉTRICA. 1990. (Seminário).
X SEMANA DE ENGENHARIA ELÉTRICA. 1989. (Seminário).
Participação em bancas
ANDRADE, G. M. C.; DORIA, R. T.; DORIA, RENAN. T.. INVESTIGAÇÃO DE PARÂMETROS ELÉTRICOS, ANALÓGICOS E RUÍDOS DE BAIXA FREQUÊNCIA EM TRANSISTORES DE ALTA MOBILIDADE DE ELÉTRONS. 2022. Dissertação (Mestrado em Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
ANDRADE, G. M. C.; DINIZ, I.S; DORIA, R. T.. DESENVOLVIMENTO DE UM COMPUTADOR DE PROPÓSITO GERAL ANALÓGICO-DIGITAL. 2022. Dissertação (Mestrado em Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
ANDRADE, M.G.C.; DORIA, R. T.; SERNI, P. J. A.. Estudo de Diodos PIN Multicamadas atuando como Célula Fotovoltaica. 2020. Dissertação (Mestrado em Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Sorocaba/São João da Boa Vista) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
ANDRADE, M. G. C.; BELLODI, M.; MARTINS, E.. Avaliação do MOSET UT D-SOI em coniguração DTMOS com SELBOX. 2020. Dissertação (Mestrado em Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Sorocaba/São João da Boa Vista) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
GIACOMINI, R. C.;ANDRADE, MARIA GLÓRIA CAÑO DE; SOUZA, M.. Análise da Densidade de Carga de Inversão na Condição de Limiar, em Função da Temperatura, em UTBB SOI MOSFETs. 2019. Dissertação (Mestrado em Mestrado Em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI.
BUENO, A. M.; CORREA, D. P. F.;ANDRADE, M. G. C.. Estudo de Sistema de Levitação Acústica. 2019. Dissertação (Mestrado em Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Bauru) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
DORIA, R. T.; GIACOMINI, R. C.;ANDRADE, M.G.C.. Estudo de Diodos PIN Fabricados em Substratos SOI Operando como Células Solares. 2018. Dissertação. 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI.
AGOPIAN, P. G. D.;ANDRADE, M.G.C.; SONNENBERG, V.. Efeito da radiação em transistores 3D em Baixas Temperaturas. 2017. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
Martino, J. A.ANDRADE, M.G.C.; SANTOS, C. D. G.. Estudo do Ponto Invariante com a Temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs". 2017. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
DORIA, R. T.; GIMENEZ, S. P.;ANDRADE, M. G. C.. ESTUDO DO COMPORTAMENTO DE DIODOS PIN IMPLEMENTADOS EM TECNOLOGIA SOI DE CAMADA ULTRAFINA (UTBB) OPERANDO COMO FOTODETECTORES. 2024. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI.
PAVANELLO, M. A.; SONNENBERG, V.; PERIN, A. L.;ANDRADE, M. G. C.; OLIVEIRA, A. V.. INFLUÊNCIA DO POTENCIAL DE SUBSTRATO SOBRE O RUÍDO DE BAIXA FREQUÊNCIA DE NANOFIOS TRANSISTORES MOS. 2021. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI.
PAVANELLO, M. A.; NASCIMENTO, A. S.; SANTOS, R. B. B.; WIRTH, G. I.;ANDRADE, M. G. C.. AVALIAÇÃO DO DESEMPENHO DO TRANSISTOR MOS SEM JUNÇÕES CONFIGURADO COMO NANOFIO OU FINFET. 2020. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI.
SERNI, P. J. A.; COLON, D.; SOUZA, W. A.; MARTINS, E.;ANDRADE, M. G. C.. Co-Simulação de Sistemas de Controle Utilizando Protocolo OPC. 2019. Tese (Doutorado em Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Bauru) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
PAVANELLO, M. A.; SONNERBERG, V.; SANTOS, R. B. B.; MANERA, L. T.;ANDRADE, M. G. C.. Estudo das propriedades Térmicas de Transistores MOS nanométricos. 2016. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI.
DORIA, R. T.; GIMENEZ, S. P.;ANDRADE, M. G. C.. Fabricação de Diodos PIN no Substrato de Lâminas SOI Visando à Confecção de Sistemas Autônomos. 2021. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI.
BUENO, A. M.; MARTINS, E.;ANDRADE, M. G. C.. Modelagem, Simulação e Análise dos Efeitos não Lineares do Atrito sobre Componentes Eletromecânicos. 2019. Exame de qualificação (Doutorando em Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Sorocaba/São João da Boa Vista) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
ANDRADE, MARIA GLÓRIA CAÑO DE; LIMA, L. P. B.; MARTINS, E.. Estudo de Transistores de Alta Velocidade Operando em Baixas Temperaturas. 2022. Exame de qualificação (Mestrando em Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
ANDRADE, M. G. C.; MARTINS, E.; MACHADO, M. E. S.. Desenvolvimento de um computador de propósito geral digital-analógico Utilizando Aplicação Web. 2021. Exame de qualificação (Mestrando em Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Sorocaba/São João da Boa Vista) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
ANDRADE, M. G. C.; DORIA, RODRIGO. T.; DORIA, RENAN. T.. INVESTIGAÇÃO DE PARÂMETROS ELÉTRICOS, ANALÓGICOS E RUÍDO DE BAIXA FREQUÊNCIA EM TRANSISTORES DE ALTA MOBILIDADE DE ELÉTRONS. 2021. Exame de qualificação (Mestrando em Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Sorocaba/São João da Boa Vista) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
ANDRADE, M.G.C.; MARTINS, E.; BELLODI, M.. Avaliação do MOSFET UTBB FD-SOI em configuração DTMOS com SELBOX. 2020. Exame de qualificação (Mestrando em Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Sorocaba/São João da Boa Vista) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
ANDRADE, M.G.C.; SERNI, P. J. A.; DORIA, R. T.. Estudo de Diodos PIN Multicamadas Atuando como CÉLULA FOTOVOLTAICA. 2019. Exame de qualificação (Mestrando em Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Sorocaba/São João da Boa Vista) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
BUENO, A. M.; CORREA, D. P. F.;ANDRADE, M. G. C.. Estudo de Sistema de Levitação Acústica. 2019. Exame de qualificação (Mestrando em Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Bauru) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
SILVA, F. A.;DE ANDRADE, M. G. C.. Castro; Rodrigo A. Vicentin; Waldomiro L. Bandeira.A Importância do Conhecimento em Emergências Médicas aos Engenheiros de Produção. 2021. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Virtual do Estado de São Paulo.
SILVA, F. A.;de Andrade, Maria Glória Caño. Gomes; Euclides F. Neto; Pierson P. Sena.Iluminação Pública Através de Fonte Solar para Comunidades de Baixa Renda. 2021. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Virtual do Estado de São Paulo.
MARTINS, E.;ANDRADE, M.G.C.; BORTOLETO, J. R. R.. PROJETO, SIMULAÇÃO E IMPLEMENTAÇÃO DE UM AMPLIFICADOR DE ÁUDIO CLASSE D. 2020. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
BUENO, A. M.;ANDRADE, M.G.C.; SERNI, P. J. A.. SIMULAÇÃO DO CONTROLE DE UM PENDULO INVERTIDO USANDO REDES NEURAIS. 2020. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
ANDRADE, M.G.C.; BUENO, A. M.; SILVA, F. A.; BERGAMIM, L. F. O.. Efeitos da Variação da Espessura do Óxido Enterrado e da Camada de Silício em Transistores SOI UTBB nMOSFET. 2019. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
ANDRADE, M.G.C.; VENEZIANO, W. H.; BUENO, A. M.. Análise de Ruídos em Dispositivos SOI UTBB nMOSFET. 2019. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
MARTINS, E.;ANDRADE, M.G.C.; BORTOLETO, J. R. R.. Desenvolvimento de um computador de Propósito Geral Digital-Analógico. 2019. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
DURRANT, S. F.; RANGEL, E. C.;ANDRADE, M. G. C.. Caracterização Química, Mecânica e Térmica de Filmes Finos a-C:H:Si:O:N Produzidos por Deposição à Vapor Químico Assistido por Plasma. 2018. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
MARTINS, E.; BOTURA JUNIOR, G.;ANDRADE, M. G. C.. LOW COST HEAVY MACHINERY AUTOMATION USING RFID, IOT AND NODE-RED DATABASE. 2018. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
ANDRADE, G. M. C.; MARTINS, E.; GIACOMINI JUNIOR, J.. Estudo da Corrente de Porta e Efeito GIDL em Transistores Bulk FinFETs. 2018. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
ANDRADE, M.G.C.; DURRANT, S. F.; BOTURA JUNIOR, G.. Estudo de Transistores Circulares Construídos com Diferentes Materiais. 2017. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
BORTOLETO, J. R. R.; MARTINS, E.;ANDRADE, M.G.C.. Simulação de Transistores de Filme Finos de Óxido de Zinco: Distância entre Defeitos. 2016. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
ANDRADE, M.G.C.; MARTINS, E.; MARAFAO, F. P.. Estudo de Transistores SOI MOSFET com Óxido Enterrado Ultrafino. 2016. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
MARTINS, E.;ANDRADE, G. M. C.; BORTOLETO, J. R. R.. Algoritmos para extração de parâmetros de um transistor de filme fino orgânico. 2015. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
MARTINS, E.;ANDRADE, Maria Glória Caño; BOTURA JUNIOR, G.. Estudo das Variações de Procasso do Mixe Diferencial com Estágio de Chaveamento. 2015. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
GONZALVEZ, F. A. S.; MARAFAO, F. P.;ANDRADE, Maria Glória Caño. Análise de Perdas e Estratégias de Controle de Fase em Arquiteturas Celulares de Conversores CC-CC Boost não isolados operando no modo de condução crítica. 2015. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
DINIZ, I.S; ROSA, A. H.;ANDRADE, Maria Glória Caño. Sistema de monitoramento de pH, condutividade e temperatura via web utilizando arduíno uno. 2014. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
LEMOS, M. A.;ANDRADE, M. G. C.; DINIZ, I. S.. Automação na Avicultura. 2014. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
GODOY, E. P.; GONZALVEZ, F. A. S.;ANDRADE, M. G. C.. Software-In-the Loop para simulação e otimização de um sistema de controle industrial. 2014. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
GONZALVEZ, F. A. S.; MARTINS, E.;ANDRADE, M. G. C.. Caracterização de Amplificadores de Audio Classe AB, D e I. 2014. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
DINIZ, I. S.; MARTINS, E.;ANDRADE, M. G. C.. Sistema de Segurança para Motociclistas e Automóveis Baseado em Comunicação por Radio Frequência. 2014. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
SIMOES, A. S.; ROVEDA, J. A. F.;ANDRADE, M. G. C.. Inteligência Artificial Aplicada ao Controle de Quadricóptero. 2014. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
DINIZ, I.S; LIBERADO, E. V.;ANDRADE, Maria Glória Caño. Sistema Automárico de Alimentação de Animais de Estimação. 2014. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
VARGAS, M. B.;ANDRADE, M. G. C.; BOTURA JUNIOR, G.. Professor Substituto para a disciplina: ?Fabricação Mecânica?. 2023. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
LIBERADO, E. V.; DINIZ, I. S.;ANDRADE, M. G. C.. Professor Substituto para a disciplina: ?Sistemas de Controle I" e "Laboratório de Controle I?. 2022. Instituto de Ciência e Tecnologia de Sorocaba ? UNESP.
BORTOLETO, J. R. R.;ANDRADE, M.G.C.; RANGEL, E. C.. Professor Substituto para a disciplina: ?ADMINISTRAÇÃO E FINANÇAS?. 2021. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
VARGAS, M. B.; GARCEZ, S. G.;ANDRADE, Maria Glória Caño. Professor Substituto para as disciplinas: "Matemática Aplicada à Engenharia de Controle e Automação, Introdução à Teoria de Controle, Análise de Sistemas Lineares, Laboratório de Controle e Controle Multivariável". 2019. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
PAREDES, H. K. M.;ANDRADE, M.G.C.; LEMOS, M. A.. Professor substituto para as disciplinas: ?Máquinas Elétricas para Automação, Conversão Eletromecânica de Energia, Eletrônica Industrial I e Eletrônica Industrial II?. 2018.
MARAFAO, F. P.; LEMOS, M. A.;ANDRADE, M.G.C.. Professor substituto para as disciplinas ?Circuitos Digitais I, Circuitos Digitais II, Laboratório de Circuitos Digitais I, Laboratório de Circuitos Digitais II, Inteligência Artificial Aplicada a Controle e Robótica Móvel?. 2018.
TONELLO, P. S.; ROVEDA, S. R. M. M.;ANDRADE, M.G.C.. Professor substituto para as disciplinas: "Química Geral", "Laboratório de Química Geral", "Ciências do Ambiente", "Tratamento de Resíduos Sólidos e Efluentes Gasosos" e "Método de Licenciamento Ambiental". 2017. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
TONELLO, P. S.; ROVEDA, J. A. F.;ANDRADE, M.G.C.. Professor substituto para as disciplinas: "Química Analítica Ambiental", "Laboratório de Química Analítica Ambiental", "Poluição Ambiental", "Educação Ambiental" e "Química Verde",. 2017. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
BUENO, A. M.; GONCALVES, F. A. S.;ANDRADE, M.G.C.. Professor Substituto para as disciplinas:"Matemática Aplicada à Engenharia de Controle e Automação, Introdução à Teoria de Controle, Análise de Sistemas Lineares, Laboratório de Controle e Controle Multivariável". 2017.
SIMOES, A. S.; PAREDES, H. K. M.;ANDRADE, G. M. C.. Professor substituto para as disciplinas:?Máquinas Elétricas para Automação, Conversão Eletromecânica de Energia, Eletrônica Industrial I e Eletrônica Industrial II?. 2015. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
SIMOES, A. S.;ANDRADE, G. M. C.; LEMOS, M. A.. Professor substituto para as disciplinas: ?Máquinas Elétricas para Automação, Conversão Eletromecânica de Energia, ?Eletrônica Industrial para Controle e Automação I, Eletrônica Industrial para Controle e Automação II, Circuitos Elétricos I e Circuitos Elétricos II?. 2015. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
SIMOES, A. S.; DINIZ, I. S.;ANDRADE, M. G. C.. Professor substituto para as disciplinas ?Circuitos Digitais I, Circuitos Digitais II, Laboratório de Circuitos Digitais I, Laboratório de Circuitos Digitais II, Inteligência Artificial Aplicada a Controle e Robótica Móvel?. 2015. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
VARGAS, M. B.; LEMOS, M. A.;ANDRADE, Maria Glória Caño. Professor Substituto para as disciplinas: "Matemática Aplicada à Engenharia de Controle e Automação, Introdução à Teoria de Controle, Análise de Sistemas Lineares, Laboratório de Controle e Controle Multivariável". 2015. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
GONZALVEZ, F. A. S.; MARTINS, E.;ANDRADE, Maria Glória Caño. Professor Substituto para as disciplinas: "Matemática Aplicada à Engenharia de Controle e Automação, Introdução à Teoria de Controle, Análise de Sistemas Lineares, Laboratório de Controle e Controle Multivariável". 2015.
BUENO, A. M.; MARTINS, E.;ANDRADE, G. M. C.. Professor Substituto para as disciplinas: "Matemática Aplicada à Engenharia de Controle e Automação", "Introdução à Teoria de Controle", "Análise de Sistemas Lineares", "Laboratório de Controle" e "Controle Multivariável". 2014. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
PAREDES, H. K. M.;ANDRADE, G. M. C.; GONZALVEZ, F. A. S.. Professor substituto para as disciplinas ?Máquinas Elétricas para Automação, Conversão Eletromecânica de Energia, Eletrônica Industrial I e Eletrônica Industrial II?. 2014.
MARAFAO, F. P.;ANDRADE, G. M. C.; PAREDES, H. K. M.. Professor substituto para as disciplinas: ?Máquinas Elétricas para Automação, Conversão Eletromecânica de Energia, Eletrônica Industrial I e Eletrônica Industrial II?. 2014. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
MARTINS, A. C. G.; SERNI, P. J. A.;ANDRADE, Maria Glória Caño. Professor substituto para as disciplinas: ?Física I a III, Eletromagnetismo e Eletromagnetismo I e II?. 2013. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
MARTINS, E.;ANDRADE, G. M. C.; GODOY, E. P.. Professor substituto para as disciplinas: ?Máquinas Elétricas para Automação, Conversão Eletromecânica de Energia, Eletrônica Industrial I e Eletrônica Industrial II?. 2013. Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
Orientou
Simulação e modelamento de dispositivos nanotecnológicos; Início: 2025; Dissertação (Mestrado em Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Sorocaba/São João da Boa Vista) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; (Orientador);
Caracterização Elétrica Avançada de Transistores HEMTs Baseados em AlGaN/GaN; Início: 2023; Dissertação (Mestrado em Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Sorocaba/São João da Boa Vista) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; (Orientador);
Fabricação e caracterização de transistores tridimensionais baseados em nanofios de silício tensionado mecanicamente; Início: 2024; Tese (Doutorado em Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; (Coorientador);
Simulação e Análise de Transistores de Alta Mobilidade de Elétron (High Electron Mobility Transistor - HEMT); Início: 2024; Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Instituto de Ciência e Tecnologia de Sorocaba ? UNESP; (Orientador);
Eficiência e Previsão no Transporte Público através da Inteligência Artificial: Análise de Dados Urbanos; Início: 2024; Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; (Orientador);
Estudo das Propriedades Elétricas em Dispositivos Eletrônicos; Início: 2024 - Instituto de Ciência e Tecnologia de Sorocaba ? UNESP, UNESP /Pró Reitória de Pesquisa; (Orientador);
Estudo de Transistores Avançados por Meio de Simulação TCAD; Início: 2024 - Instituto de Ciência e Tecnologia de Sorocaba ? UNESP, Coordenadoria de Permanência Estudantil /Reitoria/Unesp; (Orientador);
Simulação e Confecção de Placas de Circuito Impresso; Início: 2024 - Instituto de Ciência e Tecnologia de Sorocaba ? UNESP; (Orientador);
Estágio Supervisionado (Huawei Gestão e Serviços de Telecomunicações do Brasil); Início: 2022; Orientação de outra natureza; Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; (Orientador);
Avaliação de Desempenho Elétrico em Dispositivos Tridimensionais Horizontalmente Empilhados; 2024; Dissertação (Mestrado em Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Sorocaba/São João da Boa Vista) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, ; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estudo da mobilidade dos elétrons nos Transístores HEMTs (?High Electron Mobility Transistor?); 2024; Dissertação (Mestrado em Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, ; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Efeitos da Orientação Cristalográfica do Canal em Transistores com Alta Mobilidade de Eletróns; 2023; Dissertação (Mestrado em Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, ; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estudo de Transistores HEMTs de AlGaN/GaN Operando em Baixas Temperaturas; 2023; Dissertação (Mestrado em Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
INVESTIGAÇÃO DE PARÂMETROS ELÉTRICOS, ANALÓGICOS E RUÍDO DE BAIXA FREQUÊNCIA EM TRANSISTORES DE ALTA MOBILIDADE DE ELÉTRONS; 2022; Dissertação (Mestrado em Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, ; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
DESENVOLVIMENTO DE UM COMPUTADOR DE PROPÓSITO GERAL ANALÓGICO-DIGITAL; 2022; Dissertação (Mestrado em Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, ; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Simulação paralela de redes complexas de PLLs digitais; 2022; Dissertação (Mestrado em Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, ; Coorientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Programação paralela para simulação de redes complexas de PLLs; 2022; Dissertação (Mestrado em Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, ; Coorientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estudo de Diodos PIN Multicamadas Atuando como CÉLULA FOTOVOLTAICA; 2020; Dissertação (Mestrado em Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Avaliação do MOSFET UTBB FD-SOI com SELBOX em configuração DTMOS; 2020; Dissertação (Mestrado em Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, ; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
2024; Instituto de Ciência e Tecnologia de Sorocaba ? UNESP, ; Maria Glória Caño de Andrade;
DIMENSIONAMENTO DE USINA FOTOVOLTAICA PARA UNIDADES CONSUMIDORAS DE BAIXA TENSÃO NA REGIÃO DE SOROCABA; 2024; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Análise do Comportamento da Corrente de Porta em Transistores de Alta Mobilidade de Elétrons; 2021; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Análise da Resistência Série de Fonte e Dreno de Transistores HEMTs (High Electron Mobility Transistor); 2021; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Análise de Ruídos em Dispositivos SOI UTBB nMOSFET; 2019; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Efeitos da Variação da Espessura do Óxido Enterrado e da Camada de Silício em Transistores SOI UTBB nMOSFET; 2019; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estudo da Corrente de Porta e Efeito GIDL em Transistores Bulk FinFETs; 2018; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estudo de Transistores Circulares Construídos com Diferentes Materiais; 2017; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estudo de Transistores SOI-MOSFET com óxido Enterrado Ultrafino; 2016; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estudo da Tensão de Limiar em Transistores de Alta Mobilidade de Elétrons; (ICSB); 2022; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Projetos de Dispositivos Semicondutores Nanométricos; Etapa IV; 2019; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Projetos de Dispositivos Semicondutores Nanométricos - Etapa III; 2018; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Analise das Características Elétrica de Transistores Nanométricos Circulares de Polisilício (ICSB); 2018; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Transistores avançados de Grafeno; (ICSB); 2018; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estudo do Efeito de Canal Curto em Transistores SOI-MOSFET - Etapa II; 2017; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Projetos de Dispositivos Semicondutores Nanométricos - Etapa II (ICSB); 2017; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estudo do Efeito de Canal Curto em Transistores SOI-MOSFET - Etapa I (ICSB); 2016; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Projetos de Dispositivos Semicondutores Nanométricos - Etapa I (ICSB); 2016; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estudo de Transistores Avançados para Aplicações em Controle e Automação; 2015; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP / (Bolsa de Apoio Acadêmico e Extensão); Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Simulação Dispositivos Semicondutores para Aplicações em Controle e Automação; 2015; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP /Pró Reitória de Pesquisa; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Simulação de Transistores Avançados para Aplicações em Controle e Automação; 2015; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP /Pró Reitória de Pesquisa; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estudo de Transistores Avançados para Aplicações em Controle e Automação; 2014; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP / (Bolsa de Apoio Acadêmico e Extensão); Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Monitoria em Dispositivos Eletrônicos; 2023; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Monitoria em Dispositivos Eletrônicos; 2023; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Projeto de Extensão: Conhecendo as Engenharias - 2a Edição; 2023; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, pró-reitoria de Extensão Universitária e Cultura; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Projeto de Extensão: Conhecendo as Engenharias - 3a Edição; 2023; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, pró-reitoria de Extensão Universitária e Cultura; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervisionado (Rockwell Automation do Brasil LTDA); 2022; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervisionado (Rockwell Automation do Brasil LTDA); 2022; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervisionado (CDT SOLUÇÕES EM MEIOS DE PAGAMENTO LTDA); 2022; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervisionado (Rocky Publicidade Ltda); 2022; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervisionado em V-INFO INFORMATICA LTDA na área de CONSULTORIA DE TI; 2022; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervisionado (Rocky Publicidade Ltda); ; 2022; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervisionado (Rocky Publicidade Ltda); ; 2022; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Projeto de Extensão: Conhecendo as Engenharias - 1a Edição; 2022; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP /Pró Reitória de Pesquisa; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervisionado (EATON LTDA); 2021; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervisionado (DOCK Soluções em meios de Pagamento SA); 2021; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervisionado (DOCK Soluções em meios de Pagamento SA); 2021; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervisionado (METSO BRASIL INDUSTRIA E COMERCIO LTDA); 2020; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervisionado (EMPRESA: LIVRE ? MONTAGEM DE PRODUTOS ASSISTIVOS S; A; ); 2020; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervisionado (TMD FRICTION DO BRASIL S; A; ); 2019; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervisionado (ACCENTURE do BRASIL LTDA); 2017; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervionado (Robert Bosch LTDA); 2017; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervionado (UNICAMP); 2017; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Estágio Supervionado (Visagio Consultoria Assessoria e Des; LTDA); 2017; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho; Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Projeto de Extensão: Ensino da Micro e Nanoeletrônica na Profissionalização do Técnico de Nível Médio; 2015; Orientação de outra natureza; (Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP / (Bolsa de Apoio Acadêmico e Extensão); Orientador: Maria Glória Caño de Andrade;
Produções bibliográficas
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Outras produções
ANDRADE, M.G.C. . Parecerista da Pró-Reitoria de Extensão Universitária - PROEX. 2022.
ANDRADE, M. G. C. . Parecerista de Departamento UNESP (Sorocaba). 2022.
ANDRADE, G. M. C. . Parecerista da Pró-Reitoria de Extensão Universitária - PROEX. 2021.
ANDRADE, M. G. C. . Parecerista da Pró-Reitoria de Extensão Universitária - PROEX. 2017.
ANDRADE, M. G. C. . Parecerista da Pró-Reitoria de Extensão Universitária - PROEX. 2016.
ANDRADE, M. G. C. . Parecerista da Pró-Reitoria de Extensão Universitária - PROEX. 2015.
Projetos de pesquisa
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2023 - Atual
Simulação TCAD de Dispositivos Semicondutores Avançados, Descrição: Projeto Fapesp (Processo: 2023/00123-7): Linha de Fomento Programas Regulares / Auxílios a Pesquisa / Projeto de Pesquisa / Projeto de Pesquisa Regular - Fluxo Contínuo Resumo: O projeto proposto é uma contribuição para o desenvolvimento tecnológico da micro e nano eletrônica no Brasil, uma vez que pretende pesquisar dispositivos semicondutores avançados. Tratam-se de estruturas de transistores promissoras de dimensões manométricas estruturas planares com óxido enterrado extremamente finos denominadas UTBOX (Ultra-Thin Buried Oxide), dispositivos não planares denominadas de transistores Bulk e SOI de múltiplas portas (também chamados de FinFET ou transistor 3D e Nanosheet, Forksheet, CFET e nanofios-nanowires) e transistores de alta mobilidade para aplicações em Radio Frequência (HEMTs - High Electron Mobility Transistors) fabricados com novos tipos de materiais, técnicas inovadoras de fabricação, diferentes dimensões e configurações que irão substituir os atualmente utilizados. O desempenho elétrico e analógico desses dispositivos será analisado em função de suas dimensões, temperaturas e radiação através de análises experimentais e por simulações. A origem do ruído baixa frequência também será pesquisado. Geralmente, os espectros do sinal de dispositivos semicondutores são compostos por flutuações referentes ao número de portadores devido ao ruído flicker e por ondas de ruído de geração e recombinação no dielétrico de porta que se torna maior com o aumento da tensão de porta. A metodologia para o desenvolvimento deste trabalho consistirá em quatro partes principais. Primeiramente as estrutura de serão construídas em ambiente virtual para que seja possível a realização das simulações numéricas. Nesta fase do projeto, as simulações terão o objetivo de obter as tendências das principais características elétricas dos dispositivos semicondutores. Na segunda parte será realizada a calibração/validação das simulações a partir de dispositivos avançados já fabricados (porém em fase experimental) pelo imec (interuniversity microelectronics center) na Bélgica e também, por dispositivos descritos (estudados) na literatura e/ou fabricados por outros centros de pesquisa (Brasil/unicamp e mundo). Na terceira fase, com o simulador calibrado, será realizado diversas simulações com o intuito de compreender/encontrar mecanismos físicos envolvidos nestes tipos de dispositivos. Para finalizar (quarta etapa), serão projetadas (por simulações) novas estruturas de dispositivos com o intuito de elimina/atenuar os problemas existentes nos atuais dispositivos existentes.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (7) / Mestrado profissional: (10) . , Integrantes: Maria Glória Caño de Andrade - Coordenador / Everson Martins - Integrante / Lucas Petersen Barbosa Lima - Integrante / Nilton Graciano Júnior - Integrante / Marcos Vinicius Puydinger dos Santos - Integrante.
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2023 - Atual
Estudo e Simulação de Dispositivos Semicondutores Avançados, Descrição: O projeto proposto é uma contribuição para o desenvolvimento tecnológico da micro e nano eletrônica no Brasil, uma vez que pretende pesquisar dispositivos semicondutores avançados. Tratam-se de estruturas de transistores promissoras de dimensões manométricas estruturas planares com óxido enterrado extremamente finos denominadas UTBOX (Ultra-Thin Buried Oxide), dispositivos não planares denominadas de transistores Bulk e SOI de múltiplas portas (também chamados de FinFET ou transistor 3D e Nanosheet, Forksheet, CFET e nanofios-nanowires) e transistores de alta mobilidade para aplicações em Radio Frequência (HEMTs - High Electron Mobility Transistors) fabricados com novos tipos de materiais, técnicas inovadoras de fabricação, diferentes dimensões e configurações que irão substituir os atualmente utilizados.O desempenho elétrico e analógico desses dispositivos será analisado em função de suas dimensões, temperaturas e radiação através de análises experimentais e por simulações. A origem do ruído baixa frequência também será pesquisado. Geralmente, os espectros do sinal de dispositivos semicondutores são compostos por flutuações referentes ao número de portadores devido ao ruído flicker e por ondas de ruído de geração e recombinação no dielétrico de porta que se torna maior com o aumento da tensão de porta.A metodologia para o desenvolvimento deste trabalho consistirá em quatro partes principais. Primeiramente as estrutura de serão construídas em ambiente virtual para que seja possível a realização das simulações numéricas. Nesta fase do projeto, as simulações terão o objetivo de obter as tendências das principais características elétricas dos dispositivos semicondutores.Na segunda parte será realizada a calibração/validação das simulações a partir de dispositivos avançados já fabricados (porém em fase experimental) pelo imec (interuniversity microelectronics center) na Bélgica e também, por dispositivos descritos (estudados) na literatura e/ou fabricados por outros centros de pesquisa (Brasil/unicamp e mundo). Na terceira fase, com o simulador calibrado, será realizado diversas simulações com o intuito de compreender/encontrar mecanismos físicos envolvidos nestes tipos de dispositivos. Para finalizar (quarta etapa), serão projetadas (por simulações) novas estruturas de dispositivos com o intuito de elimina/atenuar os problemas existentes nos atuais dispositivos existentes.Este estudo será realizado juntamente com os alunos (Graduação e pós Graduação) e faz parte do Plano Global de Atividades para o triênio de 2023-2025 da UNESP.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Maria Glória Caño de Andrade - Coordenador / Nilton Graziano Júnior - Integrante / Sidnei de Oliveira Nascimento - Integrante / Eduardo Canga Panzo - Integrante / Josué Cândido - Integrante.
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2022 - Atual
Nano e Microeletrônica para Tecnologias Habilitadoras, Descrição: Chamada CNPQ INCT 2022 (edital 58/2022) Número do Projeto: 406119/2022-3. Participante dos Projetos: 1) "Estudo e abricação de dispositivos ultra tensionados sem atuadores para aplicações em nanoeletrônica, spintrônica e sensoriamento químico" e 2) "Confiabilidade em dispositivos semicondutores visando aplicações em energy Harvesting"Projetos que estão dentro do projeto geral "Nano e Microeletrônica para Tecnologias Habilitadoras".. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Maria Glória Caño de Andrade - Integrante / Jacobus Willibrordus Swart - Coordenador / Nilton Graciano Júnior - Integrante / Rodrigo T Doria - Integrante / Marcos Vinicius Puydinger dos Santos - Integrante.
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2020 - 2022
Caracterização Elétrica de Dispositivos Avançados Nanométricos, Descrição: O projeto proposto é uma contribuição para o desenvolvimento tecnológico da micro e nano eletrônica no Brasil, uma vez que pretende pesquisar dispositivos semicondutores avançados. Esses dispositivos são estruturas não planares (nanofios-nanowires), transistores de alta mobilidade para aplicações em Radio Frequência (HEMTs - High Electron Mobility Transistors) e também estruturas planares com corpo e óxido enterrado extremamente finos denominadas UTBB (Ultra-Thin Body and Buried oxide). Tratam-se de estruturas de transistores promissoras de dimensões manométricas fabricados com novos tipos de materiais, técnicas inovadoras de fabricação, diferentes dimensões e configurações que irão substituir os atualmente utilizados. Por meio de análises experimentais e por simulações numéricas, o desempenho elétrico e analógico desses dispositivos, serão estudados em função dos métodos de fabricação, dos materiais utilizados, das geometrias de construção e da temperatura de operação. A origem do ruído baixa frequência também será pesquisada. Geralmente, os espectros do sinal de dispositivos semicondutores são compostos por flutuações referentes ao número de portadores devido ao ruído flicker e por ondas de ruído de geração e recombinação no dielétrico de porta que se torna maior com o aumento da tensão de porta. A metodologia para o desenvolvimento deste trabalho consistirá em cinco partes principais. Primeiramente será realizado a caracterização elétrica de dispositivos semicondutores nanométricos em temperatura ambiente. Após a finalização desta etapa, a caracterização elétrica também será feita em diferentes temperaturas (-35° C até 200° C). Essa primeira parte desse projeto de pesquisa será realizadas e um centro de pesquisa internacional localizado na Bélgica (imec- interuniversity microelectronics center) pois, o imec além de possuir uma excelente infraestrutura com modernos equipamentos de medidas para caracterização elétrica de estruturas nanométricas também produz inúmeros e variados tipos de dispositivos semicondutores para diversas aplicações. A segunda parte será destinada para a análise e apresentação dos resultados experimentais coletados no imec. Na terceira fase do projeto, as análises dos resultados experimentais serão complementadas por simulações numéricas bidimensionais (2D) e tridimensionais (3D). Para finalizar, serão projetadas (por simulações) novas estruturas de dispositivos com o intuito de elimina/atenuar os problemas existentes nos atuais dispositivos existentes. Todos os resultados serão também analisados pelos alunos de mestrado, doutorados, iniciação científica e trabalho de graduação do campus da UNESP Sorocaba no Brasil. Este estudo será realizado juntamente com os alunos (Graduação e pós Graduação) e faz parte do Plano Global de Atividades para o triênio de 2020-2022 da UNESP.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (6) Doutorado: (2) . , Integrantes: Maria Glória Caño de Andrade - Coordenador / Felipe Oliveira Fernandes - Integrante / Fábio Alex da Silva - Integrante / Luis Felipe de Oliveira Bergamim - Integrante / Jeveson cardoso da Silva - Integrante / Carlos Roberto Nogueira - Integrante / Braz Batista Junior - Integrante / Eddy Simoen - Integrante.
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2018 - 2019
Transistores Avançados de Grafeno, Descrição: PROGRAMA DE INICIAÇÃO CIENTÍFICA SEM BOLSA ICSB ? UNESP EDITAL PROPe 09/2017? PROPe: Este projeto de pesquisa estuda transistores avançados construídos de grafeno através de simulações numéricas tridimensionais utilizando o software Atlas (Silvaco). Esses dispositivos, também conhecidos como dispositivos tridimensionais (3D), são candidatos promissores para escalas abaixo de 10 nm. O grande desafio em questão é que, além de os transistores planares estarem chegando a seus limites físicos, em escalas menores os transistores passam a sofrer de vários efeitos parasitários devido à redução de seu canal (efeito de canal curto). Devido a isto, essa transição dos transistores planares para os 3D/verticais acaba-se tornando uma mudança necessária. O grafeno é um material promissor para o ramo da eletrônica e atualmente esta sendo um dos elementos mais discutidos no meu científico pelo fato de que o mesmo excede 200.000 cm2V-1s-1 de mobilidade, o que corresponde a maior taxa de mobilidade de portadores para um elemento e possui características que são excelentes no ramo da radiofrequência com altíssimas frequências de corte.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Maria Glória Caño de Andrade - Coordenador / LUIS FERNANDO PUPO DE MATOS - Integrante.
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2017 - 2019
Projetos de Dispositivos Semicondutores Nanométricos, Descrição: Projeto Fapesp: PROCESSO 2016/24949-8 O projeto proposto é uma contribuição para o desenvolvimento tecnológico da Micro e Nano eletrônica no Brasil, uma vez que pretende pesquisar dispositivos semicondutores avançados. Trata-se de estruturas de transistores promissoras de dimensões manométricas. Estruturas não planares, denominada de transistores Bulk, DTMOS e SOI de múltiplas portas (também chamados FinFET ou Transistor 3D), e estruturas planares com óxido enterrado extremamente finos denominadas UTBOX (Ultra Thin Buried Oxide) fabricados com novos tipos de materiais, técnicas inovadoras de fabricação, diferentes dimensões e configurações que irão substituir os atualmente utilizados.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) . , Integrantes: Maria Glória Caño de Andrade - Coordenador / Luis Felipe de Oliveira Bergamim - Integrante.
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2017 - 2019
Estudo e Projetos de Dispositivos Semicondutores Avançados, Descrição: Este estudo será realizado juntamente com os alunos (Graduação e pós Graduação) Faz parte do Plano Global de Atividades para o triênio de 2017-2019 da UNESP. Resumo: O objetivo principal deste trabalho de pesquisa é estudar e projetar novos dispositivos semicondutores avançados com o intuito de solucionar/melhorar os problemas existentes nos atuais transistores. Este trabalho será realizado através de modelamentos matemáticos, simulações de processos de fabricação, simulações de comportamentos elétricos, analógicos e de ruído de baixa frequência e adicionalmente através de caracterizações elétricas experimentais. Serão propostos novos métodos de extração das diferentes características elétricas e analógicas presentes nos dispositivos Bulk, DTMOS e SOI de múltiplas portas (e também em circuitos), assim como métodos de extração de parâmetros elétricos e físicos em alta temperatura e/ou sob o efeito de radiação.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (6) / Mestrado acadêmico: (6) . , Integrantes: Maria Glória Caño de Andrade - Coordenador / Caio Malingre Magan - Integrante / Murillo Henrique Pestana de Carvalho - Integrante / Felipe Oliveira Fernandes - Integrante / Sophia Martins Braghetto Barillar - Integrante / Fábio Alex da Silva - Integrante / Luis Felipe de Oliveira Bergamim - Integrante / Jeveson cardoso da Silva - Integrante.
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2017 - 2018
Analise das Características Elétrica de Transistores Nanométricos Circulares de Polisilício, Descrição: PROGRAMA DE INICIAÇÃO CIENTÍFICA DA UNESP PIBIC/PIBITI 2017/2018 - EDITAL 04/2017 ? PROPE: O projeto proposto é uma contribuição para o desenvolvimento tecnológico da micro e nanoeletrônica no Brasil, uma vez que pretende pesquisar dispositivos semicondutores avançados. Trata-se de estruturas de transistores promissoras de dimensões manométricas fabricados com novos tipos de materiais e técnicas inovadoras de fabricação, diferentes dimensões e configurações que irão substituir os atualmente utilizados. Este estudo será realizado através de simulações numéricas. A metodologia para o desenvolvimento deste trabalho consistirá de três partes principais. Primeiramente as estrutura serão construídas em ambiente virtual para que seja possível a realização das simulações numéricas. Nesta fase do projeto, as simulações terão o objetivo de obter as tendências das principais características elétricas dos dispositivos. Na segunda parte será realizada a calibração/validação das simulações a partir das caracterizações elétricas realizadas no Centro Interuniversitário de microeletrônica (Imec - Interuniversity microelectronics center) da Universidade Católica de Leuven na Bélgica. Finalmente, com o simulador calibrado, será realizado diversas simulações com o intuito de compreender/encontrar mecanismos físicos envolvidos nestes tipos de dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) . , Integrantes: Maria Glória Caño de Andrade - Coordenador / Sophia Martins Braghetto Barillar - Integrante.
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2015 - 2017
Projetos de Dispositivos Semicondutores Nanométricos, Descrição: PROGRAMA DE INICIAÇÃO CIENTÍFICA DA UNESP ? PIBITI EDITAL 14/2015 ? PROPe. O projeto proposto é uma contribuição para o desenvolvimento tecnológico da micro e nanoeletrônica no Brasil, uma vez que pretende pesquisar e projetar novos dispositivos semicondutores avançados. Trata-se de estruturas de transistores promissoras de dimensões nanométricas, dispositivos não planares denominadas de transistores Bulk, DTMOS e SOI de múltiplas portas (também chamados de FinFETs ou Transistores 3D), e também estruturas planares com óxido enterrado extremamente finos denominadas UTBOX (Ultra Thin Buried Oxide). Todos esses dispositivos são fabricados com novos tipos de materiais e técnicas inovadoras de fabricação; diferentes dimensões e configurações que irão substituir os atualmente utilizados. O desempenho elétrico e analógico desses dispositivos será analisado em função de suas dimensões, temperaturas e radiação através de analises experimentais e por simulações numéricas bidimensionais e tridimensionais. Serão também projetadas e simuladas novas estruturas de dispositivos com o intuito de solucionar os problemas já existentes nos atuais dispositivos A origem do ruído baixa frequência também será pesquisado. Geralmente, os espectros do sinal de dispositivos semicondutores são compostos por flutuações referentes ao número de portadores devido ao ruído flicker e por ondas de ruído de geração e recombinação no dielétrico de porta que se torna maior com o aumento da tensão de porta. A metodologia para o desenvolvimento deste trabalho consistirá de três partes principais. Primeiramente as simulações; Serão realizadas as simulações de processos das estruturas estudadas e em seguida, estas estruturas serão construídas em ambiente virtual para que seja possível a realização das simulações numéricas. Nesta fase do projeto, as simulações terão o objetivo de obter as tendências das principais características elétricas dos dispositivos. Na segunda parte será realizada a calibração/validação das simulações a partir das caracterizações elétricas realizadas no Centro Interuniversitário de microeletrônica (Imec - Interuniversity microelectronics center) da Universidade Católica de Leuven na Bélgica e com o simulador calibrado, será realizado diversas simulações com o intuito de compreender/encontrar mecanismos físicos envolvidos nestes tipos de dispositivos. Finalmente, serão projetadas novas estrutura de dispositivos com o intuito de elimina/atenuar os problemas existentes nos atuais transistores manométricos.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) . , Integrantes: Maria Glória Caño de Andrade - Coordenador / Luis Felipe de Oliveira Bergamim - Integrante.
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2015 - 2017
Estudo do Efeito de Canal Curto em Transistores SOI-MOSFET, Descrição: PROGRAMA DE INICIAÇÃO CIENTÍFICA DA UNESP ? PIBIC - EDITAL 14/2015 ? PROPe. A indústria de circuitos integrados está sempre sob forte pressão para acompanhar a conhecida lei de Moore, onde o número de transistores num circuito integrado dobra a cada 18 meses. Esse crescimento da indústria de circuitos integrados está diretamente ligado a sua capacidade de reduzir o tamanho dos transistores e da sua capacidade de realizar a integração de um maior número de transistores dentro de um único circuito integrado. Dessa forma, as dimensões dos transistores MOSFET (Metal-Oxide- Semiconductor Field Effect Transistor) estão sendo cada vez mais reduzidas e atualmente estão alcançando escalas nanométricas, onde aparecem efeitos parasitários não desejados, chamados de efeitos de canal curto [compartilhamento de cargas entre fonte e dreno, redução da barreira induzida pelo dreno (DIBL) e perfuração sub-superficial (subsurface punchthrought)]. Esses efeitos têm sido identificados como sendo o maior problema para a lei de Moore continuar sendo atendida pelas empresas de circuitos integrados. O projeto proposto é uma contribuição para o desenvolvimento tecnológico da micro e nanoeletrônica no Brasil, uma vez que pretende pesquisar o efeito de canal curto em dispositivos semicondutores avançados. Trata-se de estruturas de transistores promissoras de dimensões manométricas, com óxido enterrado extremamente finos denominadas UTBOX (Ultra Thin Buried Oxide). Todos esses dispositivos são fabricados com novos tipos de materiais e técnicas inovadoras de fabricação; diferentes dimensões e configurações que irão substituir os atualmente utilizados. O desempenho elétrico e analógico desses dispositivos será analisado em função de suas dimensões e temperaturas. Este estudo será realizado experimentalmente e através de simulações numéricas bidimensionais e tridimensionais. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) . , Integrantes: Maria Glória Caño de Andrade - Coordenador / Murillo Henrique Pestana de Carvalho - Integrante.
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2015 - 2016
Estudo de Transistores Avançados para Aplicações em Controle e Automação, Descrição: PRIMEIROS PROJETOS - Edital nº 12/2015-PROPE. O projeto proposto é uma contribuição para o desenvolvimento tecnológico da micro e nanoeletrônica no Brasil, uma vez que pretende pesquisar dispositivos semicondutores avançados. Este estudo será realizado experimentalmente e através de simulações numéricas bidimensionais e tridimensionais. O simulador que será utilizado neste projeto é Atlas da Silvaco versão para Universidade ?University Atlas?. Foi obtido pela aprovação do projeto de pesquisa submetido ao Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq), Chamada Universal MCTI/CNPq, N° 14/2014 (Processo: 447905/2014-7 - Titulo do Projeto: Estudo de Transistores Avançados para Aplicações em Controle e Automação).. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) . , Integrantes: Maria Glória Caño de Andrade - Coordenador / Caio Malingre Magan - Integrante.
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2015 - 2016
Estudo de Transistores Avançados para Aplicações em Controle e Automação, Descrição: APOIO AOS GRUPOS EMERGENTES DA UNESP Edital nº 11/2015-PROPe. O projeto proposto é uma contribuição para o desenvolvimento tecnológico da micro e nanoeletrônica no Brasil, uma vez que pretende pesquisar dispositivos semicondutores avançados. Este estudo será realizado experimentalmente e através de simulações numéricas bidimensionais e tridimensionais. O simulador que será utilizado neste projeto é Atlas da Silvaco versão para Universidade ?University Atlas?. Foi obtido pela aprovação do projeto de pesquisa submetido ao Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq), Chamada Universal MCTI/CNPq, N° 14/2014 (Processo: 447905/2014-7 - Titulo do Projeto: Estudo de Transistores Avançados para Aplicações em Controle e Automação).. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) . , Integrantes: Maria Glória Caño de Andrade - Coordenador / Rodrigo Daniel da Silva - Integrante.
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2014 - 2016
Estudo de Transistores Avançados para Aplicações em Controle e Automação, Descrição: Este estudo será realizado juntamente com os alunos (Graduação e pós Graduação). Faz parte do Plano Global de Atividades para o triênio de 2014-2016 da UNESP. Resumo: Devido ao forte impacto causado pelo controle e automatização de diversos tipos de sistemas (industriais, comerciais, hospitalares, etc), bem como o rápido desenvolvimento tecnológico da micro e nanoeletrônica no país, um estudo mais detalhado em dispositivos avançados de dimensões extremamente reduzidas se faz necessário para aplicação em controle e automação. A presente proposta de pesquisa a ser realizada no Campus Experimental de Sorocaba (UNESP) visa o estudo aprofundado de transistores avançados para aplicação em controle e automação, ou seja, novas estruturas não planares, denominada de transistores, Bulk, DTMOS e SOI de múltiplas portas (também chamados de FinFET ou transistor 3D), estruturas circulares (Vertical FET) e também estruturas planares com óxido enterrado extremamente ultra finos denominadas UTBOX (Ultra Thin Buried Oxide). Trata-se de estruturas de transistores promissoras de dimensões nanométricas que irão substituir os dispositivos atualmente utilizados. O crescimento da indústria de circuitos integrados está diretamente ligado a sua capacidade de reduzir o tamanho dos transistores e da sua capacidade de realizar a integração de um maior número de transistores dentro de um único circuito integrado O desempenho elétrico e analógico dessas estruturas será estudado em função de suas dimensões, temperaturas e radiação através de medidas experimentais e simulações numéricas bidimensionais e tridimensionais. Dar-se-á também uma atenção ao ruído de baixa frequência (LF) a qual a sua origem será estudada de maneira a compreender os mecanismos físicos envolvidos neste tipo de ruído. Geralmente, os espectros do sinal de dispositivos semicondutores são compostos por flutuações referentes ao número de portadores devido ao ruído flicker e por ondas de ruído de geração e recombinação no dielétrico de porta que se torna maior com o aumento da tensão de porta.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Maria Glória Caño de Andrade - Coordenador.
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2012 - 2013
Programa Ciência Sem Fronteiras Projeto 400067/2012-9: Pós-doutorado no exterior, Descrição: Programa Ciência Sem Fronteiras Projeto 400067/2012-9: Pós-doutorado no IMEC (Interuniversity Microelectronic Center), no IMEC, na área de dispositivos semicondutores avançados.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Maria Glória Caño de Andrade - Integrante / Jacobus Willibrordus Swart - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
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2011 - 2012
Memórias Não Voláteis - NVR, Descrição: ste projeto estuda memórias não voláteis (NVM) em transistores de canal vertical 3D. É desenvolvido pelo IMEC na Bélgica (Interuniversity Microelectronic Center) em cooperação com várias empresas tais como: Samsung, SK Hynix, Toshiba, Hynix e Micron. Situação: Concluído Natureza: Projetos de pesquisa. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Maria Glória Caño de Andrade - Integrante / VAN DEN BOSCH, GEERT - Integrante / VAN HOUDT, JAN - Coordenador.
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2010 - 2011
Células de memória FBRAM, Descrição: Este projeto estuda Células de memória 1T - FBRAM composta por um único transistor. É desenvolvido pelo IMEC na Bélgica (Interuniversity Microelectronic Center) em cooperação com várias empresas tais como: Intel, Micron, Panasonic, Samsung, TSMC, ELPIDA, Hynix, Sony, e FUJITSU.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Maria Glória Caño de Andrade - Integrante / AOULAICHE, MARC - Integrante / JURCZAK, M. - Coordenador.
Prêmios
2021
Patronesse do Instituto de Ciência e Tecnologia de Sorocaba - UNESP, Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho".
2012
Artigo "On the variability of the low-frequency noise in UTBOX SOI nMOSFETs" de congresso selecionado entre os 10 melhores e convidado para publicação na revista JICS., SBMicro - Microelectronics Technology and Devices.
2011
Artigo "Behavior of Triple Gate Bulk FinFETs With and Without DTMOS Operation" de congresso selecionado entre os 10 melhores e convidado para publicação na revista "Solid State Electronics"., International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS).
2008
Artigo "Threshold Voltage of Double and Triple Gate SOI FinFETs" de congresso selecionado entre os 10 melhores e convidado para publicação na revista "Solid State Electronics"., EuroSOI2008 - Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Techn., Dev. and Circuits.
Histórico profissional
Endereço profissional
Experiência profissional
2024 - Atual
Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita FilhoVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professora Associada MS-5.3, Regime: Dedicação exclusiva.
2023 - 2023
Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita FilhoVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professora Associada MS-5.1, Regime: Dedicação exclusiva.
2022 - 2023
Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita FilhoVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professora Assistente Doutora MS-3.2, Regime: Dedicação exclusiva.
2013 - 2022
Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita FilhoVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professora Assistente Doutora MS-3.1, Regime: Dedicação exclusiva.
Atividades
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01/2025
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Câmpus de Sorocaba.,Cargo ou função, Membro titular da Comissão de Avaliação de Programas e Projetos de Extensão Universitária (CAPPE).
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10/2024
Pesquisa e desenvolvimento, Centro Universitário da FEI.,Linhas de pesquisa
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08/2024
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Câmpus de Sorocaba.,Cargo ou função, Membro do Conselho de Curso.
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08/2024
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Câmpus de Sorocaba.,Cargo ou função, Membro titular da Comissão de Redução de Assimetria do PPGEE ICTS/FESJ.
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01/2024
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Câmpus de Sorocaba.,Cargo ou função, Membro suplente do conselho de departamento.
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01/2024
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Câmpus de Sorocaba.,Cargo ou função, Membro titular da Congregação.
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09/2014
Outras atividades técnico-científicas , Campus Experimental de Sorocaba, Campus Experimental de Sorocaba.,Atividade realizada, Relator Ad Hoc.
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10/2013
Pesquisa e desenvolvimento, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Linhas de pesquisa
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08/2024 - 12/2024
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Circuitos Eletrônicos, Laboratório de Eletrônica
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02/2024 - 07/2024
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivos Eletrônicos
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02/2024 - 07/2024
Ensino, Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Sorocaba/São João da Boa Vista, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivos Semicondutores I
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08/2023 - 12/2023
Ensino, Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Sorocaba/São João da Boa Vista, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivos semicondutores I
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08/2023 - 12/2023
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Circuitos Eletrônicos, Laboratório de Eletrônica
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01/2022 - 12/2023
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus Sorocaba.,Cargo ou função, membro titular do conselho de departamento.
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02/2023 - 07/2023
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivos Eletrônicos
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08/2022 - 12/2022
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Circuitos Eletrônicos, Laboratório de Eletrônica
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02/2022 - 07/2022
Ensino, Mestrado em Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivos Semicondutores I
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02/2022 - 07/2022
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositios Eletrônicos
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08/2021 - 12/2021
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Circuitos Eletrônicos, Laboratório de Eletrônica
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11/2019 - 12/2021
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus Sorocaba.,Cargo ou função, Membro Suplente da Comissão Permanente de Pesquisa.
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02/2021 - 07/2021
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivos Eletrônicos
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08/2020 - 07/2021
Ensino, Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Sorocaba/São João da Boa Vista, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivo semicondutores I
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06/2017 - 06/2021
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Cargo ou função, Membro Suplente eleito do Conselho de Curso de Pós Graduação em Engenharia Elétrica - PGEE..
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08/2020 - 12/2020
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Circuitos Eletrônicos, Laboratório de Eletrônica
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10/2018 - 08/2020
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Cargo ou função, Vice-Presidente da Comissão de Ensino.
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10/2018 - 08/2020
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Cargo ou função, Membro Titular na Congregação (Representante do Conselho de Curso de Engenharia de Controle e Automação).
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09/2018 - 08/2020
Direção e administração, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Cargo ou função, Coordenadora do Curso de Graduação em Engenharia de Controle e Automação.
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10/2014 - 08/2020
Conselhos, Comissões e Consultoria, Campus Experimental de Sorocaba.,Cargo ou função, Membro Titular do Conselho de Curso de Graduação em Engenharia de Controle e Automação.
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03/2020 - 07/2020
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivos Eletrônicos (60 horas)
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05/2019 - 06/2020
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Cargo ou função, Presidente da Comissão de Horário do Curso de Engenharia de Controle e Automação.
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01/2020 - 02/2020
Pesquisa e desenvolvimento, Interuniversity Microelectronic Center - IMEC (Leuven/Bélgica).,Linhas de pesquisa
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07/2019 - 12/2019
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivos Eletrônicos (120 horas)
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01/2017 - 12/2019
Pesquisa e desenvolvimento, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Linhas de pesquisa
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10/2017 - 10/2019
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Cargo ou função, Membro Suplente na Congregação.
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02/2019 - 07/2019
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivos Eletrônicos Avançados (60 horas)
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02/2019 - 07/2019
Ensino, Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Sorocaba/São João da Boa Vista, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivos Semicondutores I 120 horas)
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08/2018 - 12/2018
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivos Eletrônicos (120 Horas)
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09/2015 - 10/2018
Conselhos, Comissões e Consultoria, Campus Experimental de Sorocaba.,Cargo ou função, Membro Titular da Comissão Permanente de Ensino.
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06/2014 - 09/2018
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Cargo ou função, Membro Titular da Comissão de Horário do Curso de Graduação em Engenharia de Controle e Automação.
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12/2014 - 08/2018
Direção e administração, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Cargo ou função, Vice-Coordenadora do Curso de Graduação em Engenharia de Controle e Automação.
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03/2018 - 07/2018
Ensino, Pós- Graduação em Engenharia Elétrica - Sorocaba/São João da Boa Vista, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivos Semicondutores I (120 horas)
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02/2018 - 07/2018
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Circuitos Eletrônicos (120 horas)
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10/2016 - 05/2018
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Cargo ou função, Cômite Local de Internacionalização.
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08/2016 - 03/2018
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Cargo ou função, Membro Suplente na Congregação (Representante da CPE).
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08/2017 - 12/2017
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivos Eletrônicos (120 horas)
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06/2017 - 08/2017
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Cargo ou função, Membro Suplente na Comissão de Recepção de Calouros.
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02/2017 - 07/2017
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Circuitos Eletrônicos (120 horas)
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04/2016 - 03/2017
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Cargo ou função, Comissão do Grupo de Avaliação Local - GRAL.
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09/2014 - 12/2016
Pesquisa e desenvolvimento, Campus Experimental de Sorocaba.,Linhas de pesquisa
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10/2013 - 12/2016
Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Circuitos Eletrônicos, Circuitos Eletrônicos Analógicos, Dispositivos Eletrônicos
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07/2016 - 10/2016
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Cargo ou função, Vice-Presidente Membro Titular da Comissão Eleitoral para escolha do Reitor/Vice-Reitor.
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06/2016 - 08/2016
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Cargo ou função, Comissão de Calouros.
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08/2015 - 05/2016
Conselhos, Comissões e Consultoria, Campus Experimental de Sorocaba.,Cargo ou função, Membro Titular da Comissão Permanente de Extensão Universitária - CEPEU.
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05/2015 - 05/2016
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Ciência e Tecnologia - Campus de Sorocaba.,Cargo ou função, Membro Nato e Suplente do Conselho Diretor.
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09/2015 - 12/2015
Direção e administração, Campus Experimental de Sorocaba.,Cargo ou função, Coordenadora do Curso de Graduação em Engenharia de Controle e Automação.
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01/2015 - 12/2015
Extensão universitária , Campus Experimental de Sorocaba.,Atividade de extensão realizada, Ensino da Micro e Nanoeletrônica na Profissionalização do Técnico de Nível Médio.
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02/2014 - 08/2014
Conselhos, Comissões e Consultoria, Campus Experimental de Sorocaba.,Cargo ou função, Membro Titular da Comissão de Biblioteca.
2013 - 2013
Escola Politécnica da Universidade de São PauloVínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Bolsista FAPESP, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações:
Pós - Doutorado - Bolsista FAPESP. "Análise de ruído em dispositivos avançados".
2008 - 2012
Escola Politécnica da Universidade de São PauloVínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Pesquisadora / Doutorado, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações:
Pesquisa na área de de Materiais e Componentes Semicondutores, atuando na modelagem e simulação transistores avançados planares e de múltiplas portas (Bulk FinFET) com e sem a aplicação da configuração DTMOS.
2012 - 2013
Interuniversity Microelectronic CenterVínculo: Bolsista CNPq, Enquadramento Funcional: pesquisadora - pós doutorado, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações:
Pós-doutorado com ênfase especial em modelagem, simulação e caracterização elétrica de transistores verticais circulares de polisilício em temperatura ambiente e em altas temperaturas focando no estudo de ruído de baixa frequência e ruído RT (Random Telegraph Noise) para aplicações em memórias não voláteis.
Programa "Ciências Sem Fronteiras"
2010 - 2011
Interuniversity Microelectronic CenterVínculo: Bolsista da Capes, Enquadramento Funcional: pesquisadora - doutorado Sanduwich, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações:
O estágio de doutorado foi realizado no IMEC em cooperação com a Universidade Católica de Leuven (Katholieke Universiteit Leuven). Atuou na área de caracterização elétrica de transistores avançados planares e de múltiplas portas (Bulk FinFET) com e sem a aplicação da configuração DTMOS; em temperatura ambiente e em altas temperaturas e; sob a influência de radiação com ênfase em extração de parâmetros elétricos, circuitos analógicos, células de memória DRAM composta por um único transistor e ruídos de baixa frequência.
2004 - 2008
Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de MedeirosVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professora Técnica, Carga horária: 18
Outras informações:
Professora técnica de nível médio (2o grau)
Atividades
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01/2004 - 05/2008
Ensino,,Disciplinas ministradas, Eletrônica Analógica, Eletrônica Básica, Eletrônica Digital, Projeto de Eletrônica
2003 - 2004
STAR NETWORK & COMMUNICATION DO BRASILVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Engenheira de Telecomunicações, Carga horária: 44
Atividades
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01/2003 - 03/2004
Serviços técnicos especializados , Engenheira de Software.,Serviço realizado, Gerenciamento de equipe no atendimento ao cliente solucinando problemas de suporte técnico, faturamento e vendas.
2000 - 2001
ALCATEL TELECOMUNUCAÇÕES S/AVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Engenheira de Software, Carga horária: 44
Atividades
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07/2000 - 09/2001
Serviços técnicos especializados , Engenharia Aplicada ao Cliente CAE-SW.,Serviço realizado, Coordenadora do grupo internacional responsável pela qualidade e controle de dados do software Alcatel. Produção de software e população de dados para centrais telefônicas Alcatel.
1997 - 2000
ALCATEL TELECOMUNUCAÇÕES S/AVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Engenheira de Software, Carga horária: 44
Atividades
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09/1997 - 06/2000
Serviços técnicos especializados , Engenharia de Software.,Serviço realizado, Implantação, manutenção e suporte do sistema de telefonia Alcatel. Membro do grupo internacional responsável pela qualidade e controle de erros de dados do software Alcatel. Responsável pelo sistema de locução de voz para operadoras de telefonia.
1995 - 1996
Escola Técnica Estadual Paulino BotelhoVínculo: Professor contratado, Enquadramento Funcional: Professora Técnica (Nível Médio), Carga horária: 24
Outras informações:
Escola situada na cidade de São Carlos - SP
Atividades
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01/1995 - 01/1996
Ensino,,Disciplinas ministradas, Eletrônica, Telecomunicações, Eletrotécnica, Instrumentos de Medidas Elétricas
1993 - 1995
Escola Estadual de 1o e 2o Graus de UrubupungáVínculo: Professor contratado, Enquadramento Funcional: Professora Técnica (Nível Médio), Carga horária: 12
Outras informações:
Escola situada na cidade de Ilha Solteira - SP
Atividades
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03/1993 - 02/1995
Ensino,,Disciplinas ministradas, Eletrônica, Geração, Transmissão e Distribuição de Energia Elétrica (GTD), Resistência de Materiais
1993 - 1993
Companhia Luz e Força Santa CruzVínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Estagiária de Engenharia, Carga horária: 44
Outras informações:
Empresa situada na cidade de Avaré - SP
Atividades
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02/1993 - 03/1993
Estágios , Companhia Luz e Força Santa Cruz.,Estágio realizado, Área de Geração, Transmissão Operação e Manutenção de Energia Elétrica.
1993 - 1993
Companhia Paulista de Força e LuzVínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Estagiária de Engenharia, Carga horária: 44, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações:
Empresa situada na cidade de Bauru - SP
Atividades
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01/1993 - 01/1993
Estágios , Companhia Paulista de Força e Luz.,Estágio realizado, Área de Distribuição de Energia Elétrica: Implantação, Ampliação e Melhoramento.
1993 - 1994
Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho de Ilha SolteiraVínculo: Bolsista - UNESP, Enquadramento Funcional: Estagiária de Engenharia, Carga horária: 12
Atividades
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02/1994 - 12/1994
Estágios , Laboratório de Polímero - Departamento de Física.,Estágio realizado, Projetos e Construções de Equipamentos Eletrônicos.
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02/1993 - 02/1994
Estágios , Laboratório de Eletrônica - Departamento de Engenharia Elétrica.,Estágio realizado, Estudo sobre Interfaceamento para PC.
Criando um monitoramento
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