Francisco Juan Racedo Niebles

Possui graduação em Lic. Matemáticas y Físicas pela Universidad Del Atlántico Barranquilla(1989) e mestrado em Mestrado Em Física pela Universidad Industrial de Santander(1995). Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em Telecomunicações. Atuando principalmente nos seguintes temas:Crescimento seletivo, Estruturas de poços quânticos, Dispositivos optoeletrônicos, Moduladores, Guias de onda e Processamento de dispositivos.

Informações coletadas do Lattes em 22/11/2022

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em andamento em Engenharia Elétrica

1996 - Atual

Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro
Orientador: Patricia Lustoza de Souza
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. Palavras-chave: Crescimento seletivo; Estruturas de poços quânticos; Dispositivos optoeletrônicos; Moduladores; Guias de onda; Processamento de dispositivos. Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Telecomunicações / Especialidade: Optoeletrônica e Semicondutores. Setores de atividade: Desenvolvimento de novos materiais; Fabricação de aparelhos e equipamentos de telecomunicação.

Mestrado em Mestrado Em Física

1992 - 1995

Universidad Industrial de Santander
Orientador: Jorge Martinez Télles
Bolsista do(a): Universidad Industrial de Santander Icfes, UIS-ICFES, Colômbia. Palavras-chave: Semicondutores; Soluções Sólidas; Semiconductores magneticos diluídos; Absorção óptica.Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Materiais Magnéticos e Propriedades Magnéticas. Setores de atividade: Desenvolvimento de novos materiais; Industria Eletro-Eletrônica.

Graduação em Lic. Matemáticas y Físicas

1985 - 1989

Universidad Del Atlántico Barranquilla

Idiomas

Inglês

Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.

Espanhol

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Português

Compreende Bem, Fala Razoavelmente, Lê Bem, Escreve Razoavelmente.

Áreas de atuação

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Telecomunicações/Especialidade: Optoeletrônica e Semicondutores.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Estrutura de Líquidos e Sólidos; Cristalografia.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Geral/Especialidade: Instrumentação Específica de Uso Geral em Física.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Estruturas Eletrônicas e Propriedades Elétricas de Superfícies; Interf. e Partículas.

Produções bibliográficas

NIEBLES, F. J. R. ; PIRES, M. P. ; YAVICH, B. ; GONÇALVES, L. C. D. ; SOUZA, P. L. . Influence of mask design on the growth of InGaAs/InAlAs quantum well on patterned substrates. Materials Science & Engineering - B , Netherlands, v. 74, n.1-3, p. 12-16, 2000.
CREMONA, M. ; NIEBLES, F. J. R. ; LARCIPRETE, R. ; SOUZA, P. L. ; SOUZA, P. L. . Photoluminesccence of Ge islands grown by ultra high vacuum-chemical vapour deposition on Si (100). Brazilian Journal of Physics , SBF- São Paulo, v. 27, n.4, p. 181-184, 1997.
YAVICH, B. ; NIEBLES, F. J. R. ; PIRES, M. P. ; GONÇALVES, L. C. D. ; SOUZA, P. L. . Influence of mask design on the optical transition energy of InGaAs/InAlAs quantum wells grown by selective area epitaxy. In: EW-MOVPE VIII, 1999, Praga. Proceedings. Praga: Institute of Physics,ACSP, 1999. p. 293-296.
NIEBLES, F. J. R. ; PIRES, M. P. ; GONÇALVES, L. C. D. ; YAVICH, B. ; SOUZA, P. L. . InGaAs/InAlAs waveguides growth by selective area epitaxy for monolithic integration with amplitude modulatores. In: XXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2000, São Lourenço - MInas Gerais. Resumos do encontro. Minas Gerais: Gráficas paym, 2000. p. 321-321.
GONÇALVES, L. C. D. ; NIEBLES, F. J. R. ; YAVICH, B. ; SOUZA, P. L. . Properties of InP delta-doped barriers in InGaAs alloys. In: 9th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1999, Belo Horizonte - Minas Gerais. Program * Abstracts. Minas Gerais: centro gráfico da UFMG, 1999.
NIEBLES, F. J. R. ; PIRES, M. P. ; YAVICH, B. ; SOUZA, P. L. . Insensitive Polarization Waveguide Amplitude Modulator on Strained InGaAs/InAlAs MQW. In: XXII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1999, São Loureço - Minas Gerais. Resumos do Congreso. Minas Gerais: Gráfica Paym, 1999. p. 338-338.
NIEBLES, F. J. R. ; PIRES, M. P. ; YAVICH, B. ; GONÇALVES, L. C. D. ; SOUZA, P. L. . Influence of mask design on the growth of InGaAs/InAlAs quantum well on patterned substrates. In: LDSD-99 The Third International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, 1999, Antalya. Programme & abstract book. Antalya: Elsevier Science.
CREMONA, M. ; NIEBLES, F. J. R. ; LARCIPRETE, R. ; SOUZA, P. L. . Photoluminescence of Ge islands growth by ultra high vacuum-chemical vapour deposition on Si (100). In: 8th Braziliam Workshop on semiconductor physics, 1997, Águas de Lindóia / São Paulo. Braziliam Journal of Physics. SÃO PAULO: SOCIEDADE BRASILEIRA DE FÍSICA, 1997. v. 27. p. 181-184.

Histórico profissional

Endereço profissional

Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro, Centro Técnico-Científico, Centro de Estudo em Telecomunicações. , Rua Souza lima 363/Apto. 1008, Copacabana, 22081010 - Rio de Janeiro, RJ - Brasil, Telefone: () 5298220, Fax: () 2945748, URL da Homepage:

Experiência profissional

1993 - 1996

Universidad Industrial de Santander

Vínculo: Outro, Enquadramento Funcional: Professor Horista - Catedra, Carga horária: 8

Atividades

02/1993 - 02/1996
Ensino,,Disciplinas ministradas, Física I, Física II, Física III, Física IV