Cleber Biasotto

Formação complementar

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Áreas de atuação

Participação em eventos

Participação em bancas

Produções bibliográficas

• Nanver, L.K. ; Jovanovi?, V. ; Biasotto, C. ; Moers, J. ; Grützmacher, D. ; Zhang, J.J. ; Hrauda, N. ; Stoffel, M. ; Pezzoli, F. ; Schmidt, O.G. . Integration of MOSFETs with SiGe dots as stressor material. Solid-State Electronics , v. 60, p. 75-83, 2011.

• N. Hrauda ; J. Zhang ; Eugen Wintersberger ; Tanja Etzelstorfer ; Bernhard Mandl ; Julian Stangl ; Dina Carbone ; Vaclav Holy ; JOVANOVIC, V. ; Biasotto, C. ; L.K.Nanver ; J. Moers ; Grützmacher, D. ; G. Bauer . X-ray Nanodiffraction on a Single SiGe Quantum Dot inside a Functioning Field-Effect Transistor. Nano Letters (Print) , v. 11, p. 2875-2880, 2011.

• Biasotto, Cleber ; Gonda, Viktor ; Nanver, Lis K. ; Scholtes, Tom L.M. ; Cingel, Johan ; Vidal, Daniel ; Jovanovi¿, Vladimir . Low-Complexity Full-Melt Laser-Anneal Process for Fabrication of Low-Leakage Implanted Ultrashallow Junctions. Journal of Electronic Materials , v. 40, p. 2187-2196, 2011.

• JOVANOVIC, V. ; C. Biasotto ; L.K.Nanver ; J. Moers ; D. Grutzmacher ; J. Gerharz ; G. Mussler ; J. van der Cingel ; J. Zhang ; G. Bauer ; O. G. Schmidt ; L. Miglio . n-Channel MOSFETs Fabricated on SiGe Dots for Strain-Enhanced Mobility. IEEE Electron Device Letters (Print) , v. 99, p. 1-3, 2010.

• C. Biasotto ; DINIZ, J ; DALTRINI, A ; MOSHKALEV, S ; MONTEIRO, M . Silicon nitride thin films deposited by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition for micromechanical system applications. Thin Solid Films , v. 516, p. 7777-7782, 2008.

• Biasotto, C. ; Daltrini, A. M. ; TEIXEIRA, R. C. ; Boscoli, F. A. ; Diniz, J. A. ; Moshkalev, S. A. ; Doi, I. . Deposition of sacrificial silicon oxide layers by electron cyclotron resonance plasma. Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement and Phenomena , v. 25, p. 1166-1170, 2007.

• MESTANZA, S. N. M. ; M.P. Obrador ; RODRIGUEZ, E. ; C. Biasotto ; I. Doi ; J.A.Diniz ; J. W. Swart . Characterization and modeling of antireflective coatings of SiO2, Si3N4, and SiOxNy deposited by electron cyclotron resonance enhanced plasma chemical vapor deposition. Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement and Phenomena , v. 24, p. 823-827, 2006.

• C. Biasotto . DotFETs: MOSFETs Strained by a Single SiGe Dot in a Low-Temperature ELA Technology. , 2011.

• SUBHECHHA, S. ; RASSOUL, N. ; BELMONTE, A. ; HODY, H. ; DEKKERS, H. ; VAN SETTEN, M. J. ; CHASIN, A. ; SHARIFI, S.H. ; SUTAR, S. ; MAGNARIN, L. ; CELANO, U. ; PULIYALIL, H. ; KUNDU, S. ; PAK, M. ; TEUGELS, L. ; TSVETANOVA, D. ; BAZZAZIAN, N. ; VANDERSMISSEN, K. ; Biasotto, C. ; BATUK, D. ; GEYPEN, J. ; HEIJLEN, J. ; DELHOUGNE, R. ; KAR, G. S. . Ultra-low Leakage IGZO-TFTs with Raised Source/Drain for V > 0 V and I > 30 µA/µm. In: 2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2022, Honolulu. 2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2022. p. 292.

• C. Biasotto ; C. PISSOLATO ; C. N. L. GAJO ; L. MILANI ; C. T. GONZALES . High Power Avalanche Diodes: Breakdown Voltage Capability and Reliability. In: Power Electronics South America, 2012, São Paulo. Power Electronics South America, 2012.

• Biasotto, C. ; Isoda, Luiz B. ; Franco, Cibele S. ; Armigliato, Nelson . Evaluation of Low Cost Metallization Process for Power Electronic Modules by Wire Wedge Bond Process on Nickel/Copper and Nickel/Copper/Silver Pads. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2011), 2011, Joao Pessoa. 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2011), 2011. v. 39. p. 385-392.

• Agata Sakic ; Yann Civale ; L. K. Nanver ; C. Biasotto ; JOVANOVIC, V. . Al-mediated Solid-Phase Epitaxy of Silicon-On-Insulator. In: Materials Research Society Spring Meeting, 2010, São Francisco - CA. 2010 MRS Spring Meeting, 2010.

• L. K. Nanver ; JOVANOVIC, V. ; Biasotto, C. ; J. Moers ; D. Grutzmacher ; J. Zhang ; N. Hrauda ; O. G. Schmidt ; L. Miglio ; H. Kosina ; A. Marzegalli ; G. Vastola ; G. Mussler ; J. Stangl ; G. Bauer ; J. van der Cingel ; E. Bonera . Integration of MOSFETs with SiGe dots as stressor material. In: 5th International SiGe Technology and Device Meeting, 2010, Sweden. 5th International SiGe Technology and Device Meeting, 2010.

• JOVANOVIC, V. ; BIASOTTO, C ; Moers, J. ; Grützmacher, D. ; J. Zhang ; Schmidt, O.G. ; L. Miglio ; H. Kosina ; Marzegalli, A ; G. Vastola ; G. Mussler ; Stangl, J ; G. Bauer ; J. van der Cingel ; Bonera, E ; Nanver, L.K. . n-channel MOSFETs fabricated on self assembled SiGe dots for strain enhanced moblity. In: STW-SAFE2010 Conference, 2010, Veldhoven. STW-SAFE2010 Conference Proceeding, 2010. p. 101-104.

• Nanver, L.K. ; Biasotto, C. ; JOVANOVIC, V. ; Moers, J. ; Grützmacher, D. ; J. Zhang ; G. Bauer ; Schmidt, O. G. ; L. Miglio ; H. Kosina ; Marzegalli, A ; G. Vastola ; Hrauda, N. ; Stangl, J ; J. van der Cingel ; Pezzoli, F. ; Bonera, E . SiGe dots as stressor material for strained Si devices. In: 5th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM), 2010, Stockholm. 5th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM), 2010.

• C. Biasotto ; JOVANOVIC, V. ; V.Gonda ; Johan van der Cingel ; Silvana Milosavljevic ; L.K.Nanver . Integration of Laser-Annealed Junctions in a Low-Temperature High-k Matel Gate MISFET. In: Ultimate Integration on Silicon Conference - ULIS Conference 2009, 2009, Aachen. ULIS Conference 2009, 2009. p. 181-184.

• Biasotto, C. ; V.Gonda ; L.K.Nanver ; Johan van der Cingel ; JOVANOVIC, V. . Laser Annealing of Self-Aligned As+ Implants in Contact Window for Ultrashallow Junction Formation. In: Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2009, Natal - RN. Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Pennington: The Eletrochemical Society, 2009. v. 23. p. 19-27.

• L.K.Nanver ; JOVANOVIC, V. ; C. Biasotto ; Johan van der Cingel ; Silvana Milosavljevic . Application of Laser Annealing in the FP6 Project D-DotFET. In: 17th IEEE Internacional Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors - RTP 2009, 2009, Albany-NY. 17th IEEE Internacional Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors - RTP 2009, 2009. p. 1-7.

• C. Biasotto ; JOVANOVIC, V. ; Johan van der Cingel ; L.K.Nanver . Downscaling of Al/Si-gate MOSFETs with self-aligned laser-annealed source/drain junctions. In: 12th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, 2009, Veldhoven. 12th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, 2009. p. 189-192.

• POPADIC, M. ; L. K. Nanver ; C. Biasotto ; V.Gonda ; Johan van der Cingel . Ultrashallow doping by excimer laser drive-in of RPCVD surface deposited arsenic monolayers. In: 16th IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors RTP 2008, 2008, Las Vegas-NV. 16th IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors RTP 2008, 2008. p. 141-146.

• A. M. Daltrini ; MOSHKALEV, S ; M. J. R. Monteiro ; M. Machida ; A. Kostryukov ; E. Besseler ; C. Biasotto ; J.A.Diniz . Plasma Diagnostics in High Density Reactors. In: XI Latin American Workshop on Plasma Physics, 2006, Mexico City - Mexico. Plasma and Fusion Science, 2006. v. 875. p. 176-179.

• C. Biasotto ; F.A. Boscoli ; TEIXEIRA, R. C. ; RAMOS, A. C. S. ; J.A.Diniz ; A. M. Daltrini ; Moshkalev, S. A. ; I. Doi . Silicon Oxide Sacrificial Layer for MEMS Applications. In: Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2005, Florianópolis-SC. Electrochemical Society Proceedings, 2005. v. 2005-8. p. 389-397.

• C. Biasotto ; NELI, R. R. ; RAMOS, A. C. S. ; J.A.Diniz ; Moshkalev, S. A. ; I. Doi ; J. W. Swart . Suspended Membranes Made by Silicon Nitride Deposited by ECR-CVD. In: Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2004, Porto de Galinhas-PE. Electrochemical Society Proceedings, 2004. v. 2004-3. p. 119-124.

• MESTANZA, S. N. M. ; C. Biasotto ; A.C.COSTA ; G. O. Dias ; I. Doi ; J.A.Diniz ; J. W. Swart . High Sensitivity Obtained by Three-Color Detector APS-CMOS Using Antireflective Coating. In: Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2004, Porto de Galinhas-PE. Electrochemical Society Proceedings, 2004. v. 2004-3. p. 201-206.

• Hrauda, N. ; Etzelstorfer, T, ; Strangl, J ; G. Bauer ; BIASOTTO, C ; JOVANOVIC, V. ; Nanver, L.K. ; Moers, J. ; Grützmacher, D. . Field effect transistor devices based on strained Si channels above buried 2D periodic SiGe quantum dots.. In: Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, 2010, São Francisco. Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, 2010.

• JOVANOVIC, V. ; Biasotto, C. ; Nanver, L.K. ; Moers, J. ; Grutzmacher, D. ; Gerharz, J. ; Mussler, G. ; van der Cingel, J. ; Zhang, J. ; Bauer, G. ; Schmidt, O.G. ; Miglio, L. . MOSFETs on self-assembled SiGe dots with strain-enhanced mobility. In: 2010 10th IEEE International Conference on SolidState and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2010, Shanghai. 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. p. 926-928.

• C. Biasotto ; F.A. Boscoli ; TEIXEIRA, R. C. ; J.A.Diniz ; A. M. Daltrini ; Moshkalev, S. A. ; I. Doi . Silicon Oxide Deposition by ECR Plasma for MEMS Applications. In: International Symposium on Dry Process, 2005, Jeju - South Korea. DPS 2005 - Proceedings, 2005. p. 383-384.

• C. Biasotto ; J.A.Diniz ; A. M. Daltrini ; Moshkalev, S. A. ; RAMOS, A. C. S. ; J. W. Swart . Suspended Silicon Oxynitride Structures Fabricated by ECR Plasma and Wet Etching. In: International Symposium on Dry Process, 2005, Jeju - South Korea. DPS 2005 - Proceedings, 2005. p. 387-388.

• A. M. Daltrini ; Moshkalev, S. A. ; M. J. R. Monteiro ; A. Kostryukov ; E. Besseler ; C. Biasotto ; J.A.Diniz ; M. Machida . Plasma Reactors for Material Processing at CCS-UNICAMP. In: Brazilian Meeting on Plasma Physics, 2005, Niterói - RJ. Brazilian Meeting on Plasma Physics, 2005. p. 22-23.

• C. Biasotto . A industria de semicondutores e as oportunidades de trabalho nessa área. 2015. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

Outras produções

Projetos de pesquisa

• 2013 - Atual

  Implantação da linha de Micromódulos no Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada, Descrição: Implantação da linha de Micromódulos no Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Cleber Biasotto - Coordenador.

• 2010 - 2010

  Síntese de Quantum dots de CdSe e CdTe para Células Solares, Descrição: Preparação e caracterização de nanocristais semicondutores de CdSe pelo método de síntese coloidal com o objetivo de atender as futuras exigências em celulas solares.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Cleber Biasotto - Integrante / Jacobus W. Swart - Coordenador.

• 2005 - 2012

  Processos alternativos para micro e nanotecnologia, Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Cleber Biasotto - Coordenador / Diniz, J. A. - Integrante.

• 2005 - 2010

  Disposable Dot Field Effect Transistor for High Speed Si Integrated Circuits - FP6, Descrição: Project funded by the European Community under the ?Information Society Technologies? Programme (2005-2009). , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Cleber Biasotto - Coordenador.

• 2003 - 2005

  Obtenção e caracterização de filmes finos de oxido, nitreto e oxinitreto de silicio por deposição ECR-CVD, Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Cleber Biasotto - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

Projetos de desenvolvimento

• 2010 - 2013

  Power Semiconductor Devices, Descrição: Power Thyristors and Diodes. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Cleber Biasotto - Coordenador.

• 2010 - 2013

  Power Semiconductor Devices, Descrição: Power Thyristors and Diodes. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Cleber Biasotto - Coordenador.

• 2010 - 2013

  Power Semiconductor Devices, Descrição: Power Thyristors and Diodes. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Cleber Biasotto - Coordenador.

• 2010 - 2013

  Power Semiconductor Devices, Descrição: Power Thyristors and Diodes. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Cleber Biasotto - Coordenador.

• 2010 - 2013

  Power Semiconductor Devices, Descrição: Power Thyristors and Diodes. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Cleber Biasotto - Coordenador.

• 2010 - 2013

  Power Semiconductor Devices, Descrição: Power Thyristors and Diodes. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Cleber Biasotto - Coordenador.

• 2010 - 2013

  Power Semiconductor Devices, Descrição: Power Thyristors and Diodes. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Cleber Biasotto - Coordenador.

• 2010 - 2013

  Power Semiconductor Devices, Descrição: Power Thyristors and Diodes. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Cleber Biasotto - Coordenador.

Prêmios