Milene Galeti

Idiomas

Áreas de atuação

Participação em eventos

Participação em bancas

Orientou

Produções bibliográficas

• SERRALVO NETO, RAFAEL ; PALERMO, JOAO BRUNO ; GIACOMINI, RENATO ; RODRIGUES, MICHELE ; DELATORE, FABIO ; ROSSI, GIOVANA BETONI ; GALETI, MILENE ; BÜHLER, RUDOLF THEODERICH . Performance Prediction of a 4WD High-Performance Electric Vehicle Using a Model-Based Torque-Vectoring Approach. World Electric Vehicle Journal , v. 14, p. 183, 2023.

• BARSOCCHI TESTA PESSOA, BEATRIZ ; FIDELIX PEREIRA, CLEITON ; LUIZ BENKO, PEDRO ; GERMANO STOLF, RICARDO ; LUIZ PERIN, ANDRÉ ; CESAR LUCCHI, JULIO ; GALETI, MILENE ; THEODERICH BUHLER, RUDOLF ; CAMARGO GIACOMINI, RENATO . Pseudo-Resistor-Based ECG Amplifier: Design, Implementation and Temperature Characterization. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS) , v. 18, p. 1-7, 2023.

• BUHLER, R. T. ; NOVO, C. ; PERIN, A. L. ; GALETI, M. ; PEREIRA, C. F. ; GUAZZELLI, M. A. ; GIACOMINI, R. C. . TCAD Simulation of Single Event Effects on Electronic Devices. JOURNAL OF PHYSICS. CONFERENCE SERIES (ONLINE) , v. 2340, p. 012047, 2022.

• JUNIOR, JOÃO BATISTA ; PEREIRA, ARIANNE ; BUHLER, RUDOLF ; PERIN, ANDRÉ ; NOVO, CARLA ; GALETI, MILENE ; OLIVEIRA, JULIANO ; GIACOMINI, RENATO . Filter-free color pixel sensor using gated PIN photodiodes and machine learning techniques. MICROELECTRONICS JOURNAL , v. 120, p. 105337, 2022.

• PEREIRA, CLEITON F ; GALETI, MILENE ; TESTA, BEATRIZ B ; BENKO, PEDRO L ; BUHLER, RUDOLF T ; LUCCHI, JULIO C ; GIACOMINI, RENATO C . Modeling and experimental evaluation of pseudo-resistor?s temperature dependence. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY , v. 36, p. 015019, 2021.

• PEREIRA, CLEITON F ; GALETI, MILENE ; BENKO, PEDRO L ; BUHLER, RUDOLF T ; LUCCHI, JULIO C ; GIACOMINI, RENATO C . Non-linear model for pseudo CMOS resistors addressing the recovery time in bio-amplifiers. Semiconductor Science and Technology , v. 34, p. 075032, 2019.

• BENKO, P. L. ; GALETI, M. ; PEREIRA, C. F. ; LUCCHI, J. C. ; Giacomini, R.C. . Bio-Amplifier based on MOS bipolar Pseudo-Resistors: A New Approach using its non-linear characteristic. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS) , v. 11, p. 132, 2017.

• BENKO, P.L. ; GALETI, M. ; PEREIRA, C.F. ; LUCCHI, J.C. ; GIACOMINI, R. . Innovative approach for electrical characterisation of pseudo-resistors. ELECTRONICS LETTERS , v. 52, p. 2031-2032, 2016.

• GALETI, M. ; Rodrigues, M. ; Martino, J.A. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . GIDL behavior of p- and n-MuGFET devices with different TiN metal gate thickness and high-k gate dielectrics. Solid-State Electronics , v. 70, p. 44-49, 2012.

• RODRIGUES, M. ; GALETI, M. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J. A. . SOI n- and pMuGFET devices with different TiN metal gate thickness and sidewall crystal orientation. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português) , v. 7, p. 107-112, 2012.

• Rodrigues, M. ; GALETI, M. ; Martino, J.A. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Influence of the sidewall crystal orientation, HfSiO nitridation and TiN metal gate thickness on n-MuGFETs under analog operation. SOLID-STATE ELECTRONICS , v. 62, p. 146-151, 2011.

• GALETI, M. ; RODRIGUES, M. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J. A. . Analog performance of SOI nMuGFETs with different TiN gate electrode thickness and high-k dielectrics.. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português) , v. 6, p. 102-106, 2011.

• GALETI, M. ; Martino, J A ; Simoen, E ; Claeys, C . Improved generation lifetime model for the electrical characterization of single- and double-gate SOI nMOSFETs. Semiconductor Science and Technology , v. 23, p. 125011, 2008.

• GALETI, M. ; MARTINO, J. A. ; PAVANELLO, M. A. . Evaluation of Graded-Channel SOI MOSFET operation at high temperature. Microelectronics Journal , v. 37, p. 601-607, 2006.

• MARTINO, J. A. ; GALETI, M. ; RAFI, J. M. ; MERCHA, A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . ESTIMATING TEMPERATURE DEPENDENCE OF GENERATION LIFETIME EXTRACTED FROM DRAIN CURRENT TRANSIENTS. Journal of the Electrochemical Society , v. 153, p. 502-505, 2006.

• CAMPOS, I. S. ; Perez G. ; GALETI, M. ; BIANCHI, R. A. C. ; PEREIRA, A. S. N. ; GIACOMINI, R. C. . Development of Low-Loss, Sustainable Reluctance Motors: Implementation and Control of Ripple Optimization Methods. In: ISPGAYA - International Congress, 2024, Gaia. ISPGAYA, 2024.

• SILVA, R. ; PEREIRA, C. F. ; Perin, A. L. ; GALETI, M. ; PEREIRA, A. S. N. ; GIACOMINI, R. C. . Three-Phase Sinusoidal Signal Generator with Harmonic Injection for Synchronous Reluctance Motor Control. In: ISPGAYA - International Congress, 2024, Gaia. ISPGAYA, 2024.

• HERNANDEZ, P. C. ; GALETI, M. ; PEREIRA, A. S. ; BENKO, P. L. ; GIACOMINI, R. C. . High-Voltage Front-End Implementation in Inverter Design for Advanced Three-Phase Electric Motors. In: ISPGAYA - International Congress, 2024, Gaia. ISPGAYA, 2024.

• PEREIRA, M. P. ; MAGALHAES, R. A. ; GALETI, M. ; LIMA, M. R. H. ; PEREIRA, A. S. ; Perin, A. L. . Comparative Analysis of Squirrel-Cage Induction and Synchronous Reluctance Rotors in a Three-Phase Stator: Evaluating Performance and Efficiency. In: ISPGAYA - International Congress, 2023, Gaia. ISPGAYA, 2023.

• CAMPOS, I. S. ; BRAGA, G. M. V. ; GALETI, M. ; BUHLER, R. T. ; PEREIRA, A. S. N. ; GIACOMINI, R. C. . Simulation of a Three-phase Reluctance Motor in a Python Environment. In: ISPGAYA - International Congress, 2023, Gaia. ISPGAYA.

• PEREIRA, C. F. ; BENKO, P. L. ; GALETI, M. ; LUCCHI, J. C. ; GIACOMINI, R. C. . Experimental Study and Modeling of Pseudo-Resistor?s Non-Linearity. In: 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2017, Fortaleza - CE. 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2017.

• KAWANO M. ; RODRIGUES, M. ; GALETI, M. ; PFEIFER, E. ; ARRABACA, D. A. ; ONMORI, R. K. . A MECHANICAL METHOD TO EXTRACT THE CORE AND WIRE LOSSES ON A SYNCHRONOUS GENERATOR. In: 10th International Conference of Hydraulic Measurement and Efficiency. In: 10th International Conference of Hydraulic Measurement and Efficiency, 2014, Itajubá, MG. Procedding of the International Conference of Hydraulic Measurement and Efficiency, 2014. v. v.1.

• Rodrigues, M. ; Galeti, M ; Martino, J.A. ; COLLAERT, N. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . GIDL behavior in UTBOX SOI devices with high-k/ metal gate stacks. In: EUROSOI 2012 VII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2012, Montpellier. EUROSOI 2012 Conference Proceedings., 2012. v. 12. p. 65-66.

• GALETI, M. ; RODRIGUES, M. ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, N. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Lateral bipolar transistor current gain behavior of MuGFET devices with different source/drain engineering. In: EUROSOI 2012 VII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2012, MONTPELLIER. EUROSOI 2012 Conference Proceedings., 2012. v. 12. p. 125-126.

• GALETI, M. ; RODRIGUES, M. ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; AOULAICHE, M. ; CLAEYS, C. . Analog parameters of MuGFET devices with different source/drain engineering. In: 2012 8th International Caribbean Conference on Devices, Circuts and Systems (ICCDCS), 2012, Playa del Carmen, Mexico. IEEE, 2012.

• RODRIGUES, M. ; GALETI, M. ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; AOULAICHE, M. ; CLAEYS, C. . Larger Intrinsic Voltage Gain Achieved with UTBOX SOI Devices and Thin Silicon Film. In: China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC) 2012, 2012, Shanghai, China. ECS Transactions. Pennington, USA: The Electrochemical Society, 2012. v. 44. p. 25-31.

• RODRIGUES, M. ; GALETI, M. ; CRUZ, E. O ; Martino, J.A. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; Marc Aoulaiche ; Claeys, C . UTBOX SOI devices under analog perspective view. In: VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2012, 2012, São Bernardo do Campo. Proceedings of the VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology., 2012. v. 1. p. 31-32.

• GALETI, M. ; RODRIGUES, M. ; Marc Aoulaiche ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J. A. . UTBOX SOI devices with high-k gate dielectric under analog performance.. In: Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2012, 2012, Brasília. ECS Transactions. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2012. v. 49. p. 119-126.

• RODRIGUES, M. ; CRUZ, E. O ; GALETI, M. ; Martino, J.A. . Analysis of the self-heating effect in UTBOX devices.. In: Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2012, 2012, Brasilia. ECS Transactions. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2012. v. 49. p. 153-160.

• MARTINO, J. A. ; Sonnenberg, V. ; GALETI, M. ; AOULAICHE, M. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Transistor-Based Extraction of Carrier Lifetime and Interface Traps in Silicon-on-Insulator Materials.. In: High Purity Silicon 12 - 222nd meeting of the ECS, 2012, Honolulu - Hawai. ECS Transactions. Pennington, NJ, USA: The Electrochemical Society, 2012. v. 50. p. 225-236.

• GALETI, M. ; RODRIGUES, M. ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . GIDL behavior with different TiN metal gate thickness and high-k gate dielectric. In: EUROSOI 2011 VII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, 2011, Granada. EUROSOI 2011 Conference Proceedings., 2011. v. 11.

• RODRIGUES, M. ; GALETI, M. ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . SOI n- and pMuGFET devices with different TiN metal gate thickness under influence of sidewall crystal orientation.. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2011, João Pessoa. Microelectronics Technology and Devices SBMicro2011. Pennington, NJ, EUA: The Electrochemical Society, 2011. v. 39. p. 215-222.

• GALETI, M. ; RODRIGUES, M. ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; AOULAICHE, M. ; JURCZAK, M. ; CLAEYS, C. . BJT effect analysis in p- and n-SOI MuGFETs with high-k gate dielectrics and TiN metal gate electrode for a 1T-DRAM application. In: IEEE International SOI Conference, 2011,, 2011, Tempe, Arizona USA.. Proceedings of the IEEE International SOI Conference,, 2011. v. 1. p. 9.2.

• RODRIGUES, M. ; GALETI, M. ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . TiN/HfSiON for Analog Applications of nMuGFETs. In: 219th ECS Meeting, 2011, Montreal. ECS Transactions., 2011. v. 35. p. 253-258.

• Rodrigues, M. ; GALETI, M. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J. A. . Analog application of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness operating at cryogenic temperatures. In: Ninth International Workshop on Low Temperature Electronics WOLT9, 2010, Guarujá. Proceedings of the WOLT9, 2010. v. 1.

• GALETI, M. ; Rodrigues, M. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J. A. . Analog Performance of SOI nFinFETs with Different TiN Gate Electrode Thickness. In: 25th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 2010, São Paulo. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 2010. v. 31.

• GALETI, M. ; Rodrigues, M. ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Effects of HfSiO nitridation and TiN metal gate thickness on p- and n-SOI MuGFETs for analog applications. In: 2010 IEEE SOI Conference, 2010, San Diego, CA. 2010 IEEE SOI Conference Proceedings, 2010. v. 1.

• GALETI, M. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Improved Model to Determine the Generation Lifetime in Short Channel SOI nMOSFETs. In: SOI-Symposium, 2007, Chicago. ECS Transactions - SOI Symposium. Pennington: The Electrochemical Society, Inc., 2007.

• GALETI, M. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Improved Model to Determine the Generation Lifetime in Double Gate SOI nMOSFETs. In: Microelectronics Technology and Devices ? SBMicro 2007, 2007, Rio de Janeiro. ECS Transactions. Pennington: The Electrochemical Society, 2007. v. 9. p. 343-351.

• GALETI, M. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . IMPACT OF HALO IMPLANTATION ON THE LIFETIME ASSESSMENT IN PARTIALLY DEPLETED SOI TRANSISTORS. In: High Purity Silicon 9 -Symposium, 2006, Cancun. ECS - Transactions - High Purity Silicon 9. Pennington: The Electrochemical Society, Inc., 2006. v. 3. p. 351-359.

• GALETI, M. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . TEMPERATURE AND OXIDE THICKNESS INFLUENCE ON THE GENERATION LIFETIME DETERMINATION IN PARTIALLY DEPLETED SOI nMOSFETs. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005, 2005, Florianópolis. Electrochemical Society Proceedings. Pennington: The Electrochemical Society, Inc, 2005. v. 8. p. 539-547.

• GALETI, M. ; MARTINO, J. A. ; PAVANELLO, M. A. . ANALYSIS ON GC SOI MOSFET ANALOG PARAMETERS AT HIGH TEMPERATURES. In: Microelectronics Technology and Devices SBmicro 2003, 2003, São Paulo. Electrochemical Society Proceedings. Pennington: The Electrochemical Society, inc, 2003. v. 9. p. 49-57.

• GALETI, M. ; PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. . BEHAVIOR OF GRADED-CHANNEL FULLY DEPLETED SOI NMOSFET AT HIGH TEMPERATURES. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002, 2002, Porto Alegre. Proceedings of the Seventeenth International Symposium. pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, Inc., 2002. v. 2002-8. p. 342-350.

• LIMA, J. P. H ; SILVEIRA, M. A. G. ; KAWANO M. ; STYLIANOS, K. ; ARRABACA, D. ; GALETI, M. ; RODRIGUES, M. . Experimental investigation of THT and SMT power transistors under TID radiation.. In: 16th Microelectronics Students Forum, 2016, Belo Horizonte - MG. Proceedings of 16th Microelectronics Students Forum, 2016.

• MERZBAHCER, N. ; KAWANO, M. ; STYLIANOS, K. ; ARRABACA, D. A. ; RODRIGUES, M. ; GALETI, M. . Study of Breakdown Voltage in Power MOSFETs in Harsh Environments. In: 16th Microelectronics Students Forum, 2016, Belo Horizonte - MG. 16th Microelectronics Students Forum, 2016.

• LOESCH, D ; SILVEIRA, M. A. G. ; LIMA, J. P. H ; KAWANO, M. ; STYLIANOS, K. ; ARRABACA, D. ; GALETI, M. ; RODRIGUES, M. . Power nMOSFET devices under X-Ray effect. In: 15th Microelectronics Students Forum, 2015, Salvador - Bahia. Proceedings of 15th Microelectronics Students Forum, 2015.

• DAINESE, F. O. ; SANTIAGO, J. W. M. ; KAWANO M. ; PFEIFER, E. ; ARRABACA, D. A. ; RODRIGUES, M. ; GALETI, M. . Investigation of the trench power MOSFET. In: 14th Microelectronics Students Forum, 2014, Aracajú - Sergipe. Proceddings of the SForum, 2014.

• Galeti, M ; Rodrigues, M. ; Martino, J A ; Simoen, E ; Claeys, C . IMPACT OF THE HALO REGION ON FLOATING BODY EFFECTS IN TRIPLE GATE FINFETS. In: Student Forum on Microelectronics, 2009, Natal - RN. Student Forum on Microelectronics proceedings, 2009.

• Martino, M.D.V. ; Sandri, M. ; AGOPIAN, P. G. D. ; GALETI, M. ; MARTINO, J. A. . Radiation Effects on Flip-Flop SOI CMOS.. In: Student Forum on Microelectronics, 2008, Gramado. Student Forum on Microelectronics proceedings, 2008.

• Martino, M.D.V. ; Sandri, M. ; AGOPIAN, P. G. D. ; GALETI, M. ; MARTINO, J. A. . RADIATION INFLUENCE ON SOI CMOS DEVICES.. In: Student Forum on Microelectronics, 2007, Rio de Janeiro. Student Forum on Microelectronics proceedings, 2007.

• PEREIRA, M. P. ; GALETI, M. ; Perin, A. L. . Análise e Dimensionamento de Motores Elétricos. In: SICFEI Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI,, 2023, Sao Bernardo do Campo. SICFEI Simpósio de Iniciação Científica, 2023.

• MERZBAHCER, N. ; GALETI, M. ; GIACOMINI, R. C. . Influence of Single Event Effects on Breakdown Voltage of Power MOSFETs. In: VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - SEMINATEC 2018, 2018, São Bernardo do Campo. Proceedings of the XIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology., 2018.

• AIRAO, J. ; STYLIANOS, K. ; GALETI, M. . Estudo e Simulação de Conversores Controlados Bidirecionais em Corrente. In: SICFEI Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI, 2016, Sao Bernardo do Campo. SICFEI Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI, 2016.

• SILVA, R. ; GALETI, M. . Estudos de diferentes topologias de fontes monofásicas ininterruptas de energia UPS. In: SICFEI Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI, 2016, Sao Bernardo do Campo. SICFEI Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI, 2016.

• MERZBAHCER, N. ; GALETI, M. . Estudo da Tensão de Ruptura em Transistores Mosfet de potência em ambientes extremos. In: SICFEI Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI, 2016, Sao Bernardo do Campo. SICFEI Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI, 2016.

• MERZBAHCER, N. ; GALETI, M. . Estudo da Tensão de Ruptura em Transistores Mosfet de Potência em ambientes extremos. In: SICFEI Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI, 2015, Sao Bernardo do Campo. SICFEI Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI, 2015.

• SOLEIRA, D. ; GALETI, M. . ESTUDO DAS HARMÔNICAS EM CONVERSORES CC-CA IMPLEMENTADOS SOB A PONTE-H. In: SICFEI Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI, 2014, Sao Bernardo do Campo. SICFEI Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI, 2014.

• DAINESE, F. O. ; RODRIGUES, M. ; GALETI, M. . Estudo dos Parâmetros Tecnológicos dos Transistores MOSFET de Potência. In: SICFEI Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI, 2014, Sao Bernardo do Campo. SICFEI Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI, 2014.

• GUERREIRO, F. B. ; GALETI, M. . INVERSOR DE FREQUÊNCIA PARA APLICAÇÃO EM PLACA SOLAR FOTOVOLTAICA. In: SICFEI Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI, 2014, Sao Bernardo do Campo. SICFEI Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais de Extensão da FEI, 2014.

• GALETI, M. ; Rodrigues, M. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J. A. . ANALOG PERFORMANCE OF SOI NFINFETS WITH DIFFERENT TIN GATE ELECTRODE THICKNESS. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• GALETI, M. ; RODRIGUES, M. ; MARTINO, J. A. ; COLLAERT, N. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Effects of HfSiO nitridation and TiN metal gate thickness on p- and n-SOI MuGFETs for analog applications. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• GALETI, M. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . IMPROVED MODEL TO DETERMINE THE GENERATION LIFETIME IN DOUBLE GATE SOI NMOSFETs. 2007. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• GALETI, M. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . IMPACT OF HALO IMPLANTATION ON THE LIFETIME ASSESSMENT IN PARTIALLY DEPLETED SOI TRANSISTORS. 2006. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• GALETI, M. ; MARTINO, J. A. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . TEMPERATURE AND OXIDE THICKNESS INFLUENCE ON THE GENERATION LIFETIME DETERMINATION IN PARTIALLY DEPLETED SOI nMOSFETs. 2005. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• GALETI, M. ; PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. . ANALYSIS ON GC SOI MOSFET ANALOG PARAMETERS AT HIGH TEMPERATURES. 2003. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• GALETI, M. ; PAVANELLO, M. A. ; MARTINO, J. A. . BEHAVIOR OF GRADED-CHANNEL FULLY DEPLETED SOI NMOSFET AT HIGH TEMPERATURES. 2002. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

Projetos de pesquisa

• 2021 - Atual

  Dispositivos Eletrônicos Aplicados ao Controle de Máquinas Elétricas Avançadas, Descrição: A demanda por veículos elétricos (VEs) está em ascensão. Nesse sentido, torna-se imperativo direcionar esforços de pesquisa e desenvolvimento para tecnologias avançadas voltadas à tração elétrica e ao controle de máquinas elétricas. O projeto busca, de forma inovadora, a incorporação e otimização de dispositivos eletrônicos a essa área, com ênfase na microeletrônica e circuitos integrados, para melhorar o desempenho, eficiência e confiabilidade dos sistemas de tração elétrica. O foco estará no desenvolvimento de dispositivos e controladores avançados, explorando técnicas modernas, como controladores PID adaptativos, controladores preditivos e lógica fuzzy, todos implementáveis em chips de silício para garantir uma resposta dinâmica otimizada e eficiência energética. A pesquisa também se aprofundará na integração de semicondutores de potência de nova geração, como IGBTs, e, especialmente, MOSFETs de GaN e SiC em circuitos integrados. Estes dispositivos, operando em altas frequências, prometem não apenas reduzir as perdas, mas também melhorar a densidade de potência, graças à tecnologia de microeletrônica avançada. Um dos aspectos mais promissores deste projeto é a investigação de topologias avançadas de conversores. A ideia é desenvolver conversores DC-DC e DC-AC integrados, que aumentarão eficiência das máquinas e reduzirão efeitos comuns como ripple de torque. Para validar todas estas inovações, a combinação de simulações computacionais, utilizando softwares como MATLAB, Ansys, TCAD e experimentos práticos em laboratório será essencial. A construção e teste de protótipos, impulsionada por uma equipe interdisciplinar composta por especialistas em eletrônica de potência, controle, máquinas elétricas e, crucialmente, microeletrônica, garantirá a aplicabilidade e eficácia das soluções propostas.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Doutorado: (2) . , Integrantes: Milene Galeti - Integrante / Renato Camargo Giacomini - Coordenador / Rudolf Theoderich Buhler - Integrante / André Luiz Perin - Integrante / Fabio Delatore - Integrante / Fabrizio Leonardi - Integrante / Robson A. Magalhaes - Integrante.

• 2013 - 2017

  Estudo e desenvolvimento de uma nova geração de nobreaks, Descrição: Este projeto utiliza-se da Lei de Informática (Leis 8.248/91, 10.176/01 e 11.077/04) que é uma lei que concede incentivos fiscais para empresas do setor de tecnologia (áreas de hardware e automação), que tenham por prática investir em Pesquisa e Desenvolvimento. Adicionalmente, o projeto propiciou a Universidade a montagem de um Laboratório de Pesquisa em Eletrônica de Potencia. O tema principal de pesquisa do laboratório está relacionado com equipamentos para fornecimento de energia (nobreaks). , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (10) . , Integrantes: Milene Galeti - Integrante / Michele Rodrigues - Integrante / Mario Kawano - Integrante / Devair A. Arrabaça - Coordenador / Kimon Stylianos - Integrante.

• 2012 - 2016

  Caracterização elétrica e simulação de transistores SOI avançados para aplicações como célula de memória dinâmica composta por um só transistor (sem capacitor), Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n. 480402/2012-4) tem como finalidade o estudo do comportamento de transistores SOI avançados fabricados com as tecnologias SOI CMOS planares de óxido enterrado ultrafino (UTBOX) e de múltiplas portas (MuGFET: FinFET por exemplo) aplicados na implementação de células de memória dinâmica contendo um só transistor (1T-DRAM), sem a necessidade de uso do capacitor de armazenamento (capacitorless), normalmente utilizado em células de memórias DRAM convencionais. O estudo será feito em temperatura ambiente e em temperatura de operação típica, que é da ordem de 85o C. Desta forma neste projeto será estudado a aplicação destas estruturas avançadas como célula 1T-DRAM, de forma a avaliar quais estruturas são mais promissoras para a função.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (5) Doutorado: (4) . , Integrantes: Milene Galeti - Integrante / AGOPIAN, P. G. D. - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Michele Rodrigues - Integrante / Martino, J.A. - Coordenador.

• 2010 - 2012

  Influência da temperatura nas características elétricas de transistores FinFETs avançados, Descrição: Descrição: Este projeto de cooperação internacional (CNPq-Brasil/FWO-Bélgica, n. 490288/2009-0) visa à obtenção de auxílio financeiro para viabilizar missões de pesquisadores brasileiros da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (USP) ao Interuniversity Microelectronic Center (IMEC) em Leuven, Bélgica. A finalidade deste projeto é de estudar, de forma inédita, teórico e experimentalmente a influência da temperatura (numa faixa de 80K a 500K) no comportamento de dispositivos fabricados com a tecnologia SOI CMOS de múltiplas portas (FinFET) avançados.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (4) . , Integrantes: Milene Galeti - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Victor Sonnenberg - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / Michele Rodrigues - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

• 2009 - 2013

  Projeto, Fabricação e Caracterização de Transistores FinFETs, Descrição: Este projeto tem como finalidade o projeto, fabricação e caracterização elétrica de transistores construídos em lâminas de silício sobre isolante SOI (Silicon-On-Insulator) de múltiplas portas, com canal vertical, denominado de FinFET. Os FinFETs são as estruturas mais promissoras para as próximas gerações da tecnologia de fabricação de circuitos integrados CMOS. Para atingir este objetivo está sendo proposta uma rede temática composta pela Escola Politécnica da USP (São Paulo), Centro de Componentes Semicondutores (CCS) da UNICAMP (Campinas) e pelo Centro Universitário da FEI (São Bernardo do Campo). As etapas de projeto e fabricação estarão a cargo da USP e UNICAMP, enquanto a etapa de caracterização elétrica terá também a participação da FEI. A etapa de modelagem será desenvolvida pela FEI. Os novos FinFETs a serem projetados e fabricados no Brasil (USP/UNICAMP) neste projeto têm como base a versão prelimiar desenvolvida no projeto NAMITEC (CNPq - Instituto do Milênio - processo n. 420031/2005-7). Na etapa de caracterização elétrica serão utilizados tanto os dispositivos FinFETs fabricados na USP/UNICAMP como os fabricados no IMEC (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Bélgica). Serão analisados, a partir de resultados obtidos tanto experimentalmente como por simulação tridimensional, os principais parâmetros elétricos dos FinFETs para aplicações em circuitos digitais e analógicos, tais como tensão de limiar, inclinação de sublimiar, transcondutância, relação transcondutância-corrente de dreno, tensão de Early e ganho de tensão intrínseco. Estes parâmetros serão estudados não só em temperatura ambiente, como também na faixa de 80K a 730K, com interesse em aplicações aeroespaciais. O sucesso deste trabalho permitirá ao Brasil entrar no mundo da nanotecnologia, passo fundamental para a evolução tecnológica.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Milene Galeti - Integrante / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / AGOPIAN, P. G. D. - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / Renato Camargo Giacomini - Integrante / Michelly de Souza - Integrante / Rodrigo Trevisoli Doria - Integrante / Renan Trevisoli Doria - Integrante / Stanislav Moshkalev - Integrante / José Alexandre Diniz - Integrante / Sebastião Gomes do Santos Filho - Integrante / Antonio Carlos Seabra - Integrante / Rudolf Theoderich Buhler - Integrante / Newton Cesario Frateschi - Integrante / Ronaldo Willian Reis - Integrante / Simone Camargo Trippe - Integrante / Mariana Pojar de Melo - Integrante.

• 2009 - 2011

  Modelagem Analítica e Caracterização Elétrica de Transistores SOI-MOS com Canal Uniformemente Dopado e Gradual com Múltiplas Portas, Descrição: Neste projeto de cooperação internacional entre estre o Centro Universitário da FEI, A Universidade de São Paulo, A Universidad Catolica del Uruguay e a Universidad Simon Bolivar (Venezuela) se pretende congregar as competências dos diversos grupos, buscando o estudo e potencial desenvolvimento de novos modelos analíticos para transistores de canal uniformemente dopado e gradual, com uma ou múltiplas portas, para variáveis importantes e ainda pouco exploradas ou inexploradas, como o ruído de baixa freqüência, o tempo de geração e recombinação, entre outras, apoiados por resultados de caracterização elétrica. As principais componentes físicas influenciando os efeitos analisados serão identificadas com o auxílio de simulações bidimensionais e tridimensionais. O sucesso no desenvolvimento deste projeto aumentará a participação sul-americana na produção de conhecimento na área de tecnologia de dispositivos semicondutores de última geração. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (1) . , Integrantes: Milene Galeti - Integrante / Marcelo Antonio Pavanello - Coordenador / João Antonio Martino - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Renato Camargo Giacomini - Integrante / Michelly de Souza - Integrante / Rodrigo Trevisoli Doria - Integrante / Alfredo Arnaud - Integrante / Rudolf Theodorich Buhler - Integrante / Renan Trevisoli Doria - Integrante / Matias Miguez - Integrante / Francisco Garcia-Sanchez - Integrante / Adelmo Ortiz-Conde - Integrante / Juan Muci Muci - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

• 2009 - 2011

  Estudo de transistores SOI avançados (planares e FinFETs) com canal tensionado em baixas temperaturas, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n. 480050/2009-0) tem como finalidade o estudo teórico e experimental do comportamento de dispositivos fabricados com as tecnologias SOI CMOS planar e de múltiplas portas (FinFET) com relação aos principais parâmetros elétricos dos transistores implementados. Em seguida será avaliada a influencia da tecnologia de tensionamento de canal do transistor nestas tecnologias. Será analisado tanto o tensionamento uniaxial como o biaxial. Na sequencia será estudada a influencia da temperatura nestes dispositivos, desde temperatura ambiente até baixas temperaturas (até 80 K). Desta forma, neste projeto será estudado de forma inédita o comportamento digital e analógico dos dispositivos contendo os 3 avanços tecnológicos acima indicados em um só componente (FinFET + Canal Tensionado + Baixas Temperaturas). O estudo será realizado através de medidas experimentais e simulações numéricas tridimensionais a partir da obtenção dos principais parâmetros elétricos dos dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (5) . , Integrantes: Milene Galeti - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Victor Sonnenberg - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

• 2008 - 2010

  Estudo de transistores SOI de Múltiplas Portas para utilização em Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto tem como finalidade o estudo do comportamento de dispositivos fabricados com a tecnologia SOI CMOS de múltiplas portas, variando-se a temperatura de operação de 80K a 700K. Experimentalmente será estudado um dispositivo especial de múltiplas portas chamado FinFET de porta tripla. Serão utilizados tanto dispositivos FinFETs fabricados no IMEC (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Bélgica) como os fabricados no Brasil como resultado do projeto NAMITEC (CNPq - Instituto do Milênio - processo n. 420031/2005-7) do qual sou o responsável pela atividade de projeto e fabricação de um FinFET no Brasil. A presença de mais de uma porta somada a uma estreita largura de canal, gera alguns efeitos de acoplamento de regiões no canal que alteram o comportamento destes dispositivos. Estes efeitos serão avaliados através dos resultados obtidos na caracterização elétrica dos dispositivos SOI FinFET. Simulações numéricas tridimensionais serão realizadas a fim de se obter uma maior compreensão do comportamento destes dispositivos, auxiliando na identificação das componentes físicas que comprovem os efeitos experimentalmente observados em dimensões reduzidas e com a presença de múltiplas portas. Uma análise da influência da temperatura nestas estruturas de múltiplas portas e com as dimensões escaladas, será realizada, onde medidas experimentais e simulações numéricas tridimensionais serão utilizadas para o estudo do comportamento destes dispositivos quando expostos à diferentes temperaturas.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Doutorado: (5) . , Integrantes: Milene Galeti - Integrante / Marcelo Antonio Pavanello - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Victor Sonnenberg - Integrante / Marcello Bellodi - Integrante / Luciano Mendes Camillo - Integrante / Carolina Davanzzo Gomes dos Santos - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / Michele Rodrigues - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

• 2006 - 2009

  Estudo de Capacitores e Transistores SOI com Dielétrico de Porta Ultra-Fino Operando de 80K a 300K, Descrição: Este projeto de pesquisa tem como finalidade o estudo de capacitores e transistores fabricados com a tecnologia SOI CMOS de comprimento mínimo de canal de 130 nm, totalmente depletado (Fully Depleted FD), com dielétrico de porta ultra-fino, variando a temperatura de operação desde 80 K até 300 K. Estes capacitores e transistores foram fabricados no IMEC (Interuniversity Microelectronics Center) em Leuven, Bélgica, com espessura da camada de silício de 30nm, concentração de boro de 1x1018 cm-3 e espessura de óxido de porta de 2,5 nm. Em função da reduzida espessura do óxido de porta, efeitos associados à corrente de tunelamento de porta, depleção do silício policristalino e efeitos quânticos serão avaliados. A operação em baixas temperaturas tem se constituído em um dos grandes focos de estudo, devido à melhoria proporcionada no desempenho dos dispositivos MOS. Os dispositivos MOS convencionais, quando operam em baixa temperatura, apresentam as seguintes características: aumento da tensão de limiar, congelamento dos portadores de carga, aumento da mobilidade, entre outras. Com base nos resultados obtidos na caracterização elétrica de capacitores e transistores SOI MOSFET, simulações bidimensionais numéricas serão realizadas para análise do comportamento experimental observado, auxiliando na identificação das componentes físicas que provoquem os efeitos experimentalmente observados em dimensões extremamente reduzidas e em baixas temperaturas de operação.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (2) . , Integrantes: Milene Galeti - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Victor Sonnenberg - Integrante / Marcello Bellodi - Integrante / Luciano Mendes Camillo - Integrante / Carolina Davanzzo Gomes dos Santos - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / Michele Rodrigues - Integrante / Sara Elizabeth de Souza Costa - Integrante / Aparecido Sirley Nicolett - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.