Jong Woo Jin

Possui doutorado em Física - Ecole Polytechnique (2013). Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em Materiais e Componentes Semicondutores

Informações coletadas do Lattes em 04/11/2022

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Física

2009 - 2013

Ecole Polytechnique
Título: Modélisation physique et compacte de transistors en couches minces à base de silicium amorphe ou microcristallin
Orientador: Yvan Bonnassieux
Palavras-chave: semicondutor; thin-film transistor.Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos / Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores. Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Transp. Eletrônicos e Prop. Elétricas de Superfícies; Interfaces e Películas.

Pós-doutorado

2015

Pós-Doutorado. , Centre National de la Recherche Scientifique, CNRS, França. , Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos / Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores. , Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia de Energia / Subárea: Fontes Renováveis de Energia / Especialidade: Energia Solar Fotovoltáica.

2013 - 2015

Pós-Doutorado. , University of Cambridge. , Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos / Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.

Idiomas

Inglês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Português

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Francês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Japonês

Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Pouco, Escreve Pouco.

Coreano

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Áreas de atuação

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia de Energia / Subárea: Fontes Renováveis de Energia/Especialidade: Energia Solar Fotovoltáica.

Produções bibliográficas

JIN, JONG W. ; VANEL, JEAN-CHARLES ; DAINEKA, DMITRI ; MOHAMMED-BRAHIM, TAYEB ; BONNASSIEUX, YVAN . Dynamic and Transient Analysis of Silicon-Based Thin-Film Transistors: Channel Propagation Model. Journal of Display Technology , v. 9, p. 871-876, 2013.
JIN, JONG W. ; BONNASSIEUX, YVAN . Drift-Diffusion Analysis of Current Crowding Mechanism: Current-Dependent Series Resistance. Journal of Display Technology , v. 9, p. 865-870, 2013.
JIN, J.W. ; DAINEKA, D. ; MOUSTAPHA, O. ; BONNASSIEUX, Y. . Parameter extraction method for universal amorphous silicon thin-film transistors simulation program with integrated circuit emphasis model. IET Circuits, Devices & Systems (Print) , v. 6, p. 118, 2012.
JIN, J. W. ; NATHAN, A. ; BARQUINHA, P. ; PEREIRA, L. ; FORTUNATO, E. ; MARTINS, R. ; COBB, B. . Interpreting anomalies observed in amorphous oxide semiconductor TFTs under bias stress. 2015. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
JIN, J. W. ; VANEL, J.-C. ; BONNASSIEUX, Y. . Capacitance and current in drain and source during the dynamic measurement of amorphous silicon thin-film transistors. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
JIN, J. W. ; OUDWAN, M. ; DAINEKA, D. ; BONNASSIEUX, Y. . Consequences of asymmetrical degradation in amorphous silicon thin-film transistors under non-zero drain voltage bias. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
JIN, J. W. ; VANEL, J.-C. ; DAINEKA, D. ; BONNASSIEUX, Y. ; JANFAOUI, S. ; KANDOUSSI, K. ; COULON, N. ; MOHAMMED-BRAHIM, T. . Effect of intrinsic capacitances and time necessary for channel creation in siliconbased thin-film transistors. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
JIN, J. W. ; DAINEKA, D. ; BONNASSIEUX, Y. ; JANFAOUI, S. ; KANDOUSSI, K. ; COULON, N. ; MOHAMMED-BRAHIM, T. . Series resistance and overlap length dependence in TFT with non-self-aligned top gate coplanar structure. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
JIN, J. W. ; VANEL, J.-C. ; DAINEKA, D. ; MOHAMMED-BRAHIM, T. ; BONNASSIEUX, Y. . Dynamic and transient analysis of silicon-based thin-film transistors: channel propagation model. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
JIN, J. W. ; BONNASSIEUX, Y. . Drift-diffusion analysis of current crowding mechanism: current-dependent series resistance. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
OUDWAN, M. ; JIN, J. W. ; DAINEKA, D. ; BONNASSIEUX, Y. ; ROCA i CABARROCAS, P . N-type bottom-gate microcrystalline silicon thin film transistors fabricated at 150 C on flexible plastic substrates. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
JIN, J. W. ; BONNASSIEUX, Y. ; MOUSTAPHA, O. M. ; OUDWAN, M. . New method for the extraction of abovethreshold regime parameters for the universal a-Si:H TFT model. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

Histórico profissional

Endereço profissional

Centre National de la Recherche Scientifique, Laboratoire de Physique des Interfaces et Couches Minces. , Route de Saclay, Palaiseau, 91128 - Palaiseau, - França, Telefone: (33) 169334321