Viriato Corrêa Pahim
Graduado em Engenharia Elétrica pela Universidade Federal de Santa Catarina - UFSC (2007).
Informações coletadas do Lattes em 12/12/2025
Acadêmico
Formação acadêmica
Idiomas
Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Português
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Produções bibliográficas
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GALUP-MONTORO, C. ; SCHNEIDER, M. C. ; PAHIM, V.C. . Charge-Based Formulation of Thermal Noise in Short-Channel MOS. In: Nanotechnology Conference and Trade Show, 2006, Boston. Technical Proceedings of the 2006 NSTI Nanotechnology Conference and Trade Show, 2006. v. 3. p. 876-879.
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GALUP-MONTORO, C. ; SCHNEIDER, M. C. ; PAHIM, V.C. ; RIOS, R. . Comparison of surface-potential-based and charge-based MOSFET core models. In: Workshop on Compact Modeling, 2005, Anaheim. Technical Proceedings of the 2005 Workshop on Compact Modeling, 2005. p. 13-18.
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GALUP-MONTORO, C. ; SCHNEIDER, M. C. ; PAHIM, V.C. . Fundamentals of Next Generation Compact MOSFET Models. In: Symposium on Integrated Circuits and Systems Design, 2005, Florianópolis. Proceedings - SBCCI 2005, 2005. p. 32-37.
Prêmios
2007
Primeiro lugar da turma de formandos de Engenharia Elétrica, Universidade Federal de Santa Catarina.
2000
Medalha de bronze na Olímpiada Regional de Matemática, Sociedade Brasileira de Matemática.
Histórico profissional
Endereço profissional
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Petróleo Brasileiro - Rio de Janeiro - Matriz, Petróleo Brasileiro - Santa Catarina - Itajaí. , Rua Brusque - 367, Centro, 88303000 - Itajaí, SC - Brasil, Telefone: (47) 33413607, URL da Homepage:
Experiência profissional
2008 - Atual
Petróleo Brasileiro - Rio de Janeiro - MatrizVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Engenheiro de Petróleo Pleno, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações:
Regime de trabalho atual: Sobreaviso 12h, em confinamento (14 dias embarcado x 21 dias de folga).
2004 - 2006
Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPqVínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Bolsista de iniciação científica, Carga horária: 20
Outras informações:
Pesquisa em modelagem de transistores MOSFET.
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