Wilson de Carvalho Junior

Formação complementar

Idiomas

Áreas de atuação

Produções bibliográficas

• CARVALHO JUNIOR, W. ; FURTADO, M. T. ; BERNUSSI, A. A. ; GOBBI, A. L. ; COTA, M. A. . IMPACT OF GROWTH RATE ON THE QUALITY OF ZNS-MQW InGaAsP/InP LASER STRUCTURES GROWN BY LP-MOCVD. Journal Of Electronic Materials, v. 29, n.1, p. 62, 2000.

• PIRES, M. ; SOUZA, P. ; YAVICH, B. ; PEREIRA, R. ; CARVALHO JUNIOR, W. . ON THE OPTIMIZATION OF InGaAs-InAlAs QUANTUM WELL STRUCTURES FOR ELECTROABSORTION MODULATORS. Journal of Lightwave Technology , eSTADOS uNIDOS, v. 18, n.4, 2000.

• BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. . PHOTOLUMINESCENCE MICROSCOPY IMAGING OF TENSILE STRAINED InGaAsP/InP QUANTUM WELLS GROWN BY METALORGANIC VAPOR PHASE DEPOSITION. Journal of Applied Physics , v. 86, n.1, p. 402, 1999.

• LUCIO, A. D. ; CURY, L. A. ; MATINAGA, F. M. ; SAMPAIO, J. F. ; BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JUNIOR, W. . ARRHENIUS ANALISIS OPTICAL TRANSITIONS I N STRAINED InGaAsP QUANTUM WELLS. Journal of Applied Physics , v. 86, n.1, p. 537, 1999.

• CARVALHO JUNIOR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. ; COTA, M. A. . STRAINED InGaAsP/InP QUANTUM WELL HETEROSTRUCTURES GROWN BY LOW PRESSURE MATALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY. Materials Research, v. 2, p. 49, 1999.

• BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. . STRAIN AND RELAXATION PROCESS IN InGaAsP/InP SINGLE QUANTUM WELLS GROWN BY LP-MOCVD. Brazilian Journal of Physics , v. 29, n.4, p. 746, 1999.

• CARVALHO JUNIOR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. ; COTA, M. A. . MORPHOLOGICAL, OPTICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF ZERO-NET-STRAINED InGaAsP/InP STRUCUTRES GROWN BY LP-MOCVD FOR 1.55UM LASER APPLICATIONS. Brazilian Journal of Physics , v. 29, n.4, p. 839, 1999.

• FURTADO, M. T. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; GOBBI, A. L. . HIGH QUALITY STRAINED InGaAsP/InGaAsP/InP MULTIQUANTUM WELL LASERS FOR 1.55UM EMISSION GROWN BY MOVPE. Revista de Física Aplicada e Instrumentação , v. 13, n.3, p. 50, 1998.

• MORAES, J. ; LANDERS, R. ; PEREIRA, R. ; SATO, E. ; CARAVALHO JUNIOR, W. ; CARVALHO JUNIOR, W. . Effect of rapid thermal annealing on the microstrucure and electrical characteristics of Au/Ni/Au/Ge/Ni multilayers deposited on n-type InGaAs. J. Vasc. Sci. Technol. B, Estados Unidos, v. 15, n.6, 1997.

• BERNUSSI, A. A. ; SOUZA, C. F. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; LUBYSHEV, D. I. ; ROSSI, J. C. ; BASMAJI, P. . Optical and structural properties of low temperature GaAs layers grown by Moleculkar Beam Epitaxy. Brazilian Journal of Physics , v. 24, p. 460, 1994.

• LEMOS, V. ; PILLA, O. ; MONTAGNA, M. ; BENASSI, P. ; FONTANA, A. ; SOUZA, C. F. ; CARVALHO JUNIOR, W. . FOLDED ACUSTIC PHONOS STUDIES IN Si/SiGe AND Ge/SiGe SUPERLATTICES. Brazilian Journal of Physics , v. 24, 1994.

• CARVALHO JUNIOR, W. ; NAKAEMA, M. K. K. ; IIKAWA, F. ; RIBEIRO, G. M. ; RIBEIRO, E. ; MAIALLE, M. ; DEGANI, M. H. . NOVEL OPTICAL EMISSION FEATURE OF TYPE-II SELF ASSEMBLED INP/GAAS QUANTUM DOTS REVEALED BY MICRO-PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY. In: XXV ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 2002, CAXAMBU, 2002.

• CARVALHO JUNIOR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. ; COTTA, M. A. . MORPHOLOGICAL, OPTICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF ZERO NET STRAINED InGaAsP/InP STRUCTURES GROWN BY LP-MOCVD FOR 1.55UM LASER APPLICATIONS. In: 9TH BRAZILIAN WORKSHOP ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, 1999, BELO HORIZONTE, 1999.

• BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. . STRAIN AND RELAXATION PROCESS IN InGaAsP/InP SINGLE QUANTUM WELLS GROWN BY LP-MOCVD. In: 9TH BRAZILIAN WORKSHOP ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, 1999, BELO HORIZONTE, MG, 1999.

• CARVALHO JUNIOR, W. ; FURTADO, M. T. ; BERNUSSI, A. A. ; GOBBI, A. L. ; COTTA, M. A. . IMPACT OF GROWTH RATE ON THE QUALITY OF ZNS-MQW InGaAsP/InP LASER STRUCTURE GROWN BY LP-MOCVD. In: 9TH BIENNIAL OMVPE WORKSHOP, 1999, PONTE VEDRA BEACH, USA, 1999.

• BENUSSI, A. A. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. ; COTTA, M. A. . IMAGIN STUDIES OF STRAINED InGaAsP-InP HETEROSTRUCTURES BY PHOTOLUMINESCENCE. In: 11th Indium Phosphide and Related Materials - IPRM-99, 1999, Davos. Proceedins of 11th Indium Phosphide and Related Materials, 1999. p. 523.

• KAKUNO, E. M. ; FRANCO, M. K. M. D. ; CUSATIS, C. ; GOBBI, A. L. ; CARVALHO JUNIOR, W. . MEDIDA E CONTROLE DA TEMPERATURA DE CRISTAL MONOCROMADOR DE LUZ SINCROTRON. In: XXI ENCONTRP NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 1998, CAXAMBU, MG, 1998.

• CARVALHO JUNIOR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. . STRAINED InGaAsP/InP AND InGaAsP/InGaAsP/InP MULTIPLE QUANTUM WELL HETEROSTRUCTURES GROWTH BY MOCVD. In: XXI ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 1998, CAXAMBU, MG, 1998.

• BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. . PHOTOLUMIENSCENCE MICROSCOPY IMAGING OF InGaAsP/InP HETEROSTRUCTURES. In: XX ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 1998, CAXAMBU, MG, 1998.

• OLIVEIRA, D. ; IIKAWA, F. ; GOBBI, A. L. ; FURTADO, M. T. ; BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JUNIOR, W. . EFEITOS DA PASSIVAÇAÃO DE HIDROGENIO NA TRANSIÇÃO D-A EM CAMADA EPITAXIAL DE InP:Zn. In: XXI ENCONTRO NACIUONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 1998, CAXAMBU, MG, 1998.

• FURTADO, M. T. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; GOBBI, A. L. . COMPRESSIVELY STRAINED InGaAsP/InGaAsP/InP MULTIQUANTUM WELL LASERS EMITTING AT1.55UM GROWN BY MOCVD. In: XX ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 1998, CAXAMBU, MG, 1998.

• CARVALHO JUNIOR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. ; COTTA, M. A. . HETEROESTRUTURAS QUÂNTICAS TENSIONADAS DE InGaAsP/InP PARA DISPOSITIVOS LASERS. In: III ENCONTRO DA SOCIEDADE BRASILEIRA DE CRESCIMENTO DE CRISTAIS, 1998, SÃO CARLOS, SP, 1998.

• OLIVEIRA, D. ; IIKAWA, F. ; BERNUSSI, A. A. ; GOBBI, A. L. ; FURTADO, M. T. ; CARVALHO JUNIOR, W. . ESTUDO DE PASSIVAÇÃO DE IMPUREZAS RASAS EM InP COM PLASMA DE HIDROGÊNIO. In: XX ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATÉRIA CONDENSADA, 1997, CAXAMBU, 1997.

• BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JUNIOR, W. . CURRENT LEAKAGE INVESTIGATION IN InGaAsP/InP MULTI QUANTUM WELL BURIED HETEROSTRUCTURE LASER. In: XX ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATÉRIA CONDENSADA, 1997, CAXAMBU, MG, 1997.

• RIBEIRO, E. ; MALTEZ, R. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; UGARTE, D. ; RIBEIRO, G. M. . INASP TERNARY SELF-ASSEMBLED QUANTUM DOTS ON GAAS: FILLING THE GAP BETWEEN INAS AND INP. In: XXV ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 2002, CAXAMBU, 2002.

• GODOY, M. F. ; IIKAWA, F. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; RIBEIRO, E. ; GOBBI, A. L. . BIAXIAL PRESSURE CELL APPLIED IN SEMICONDUCTORS FILMS. In: XXV ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 2002, CAXAMBU, 2002.

• MALTEZ, R. L. ; RIBEIRO, E. ; BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; GOBBI, A. L. ; UGARTE, D. . EFFECTS OF BARRIER ALLOY COMPOSITION AND NUMBER OF STACKS IN THE OPTICAL AND STRUCTURAL CHARACTERISTICS OF STRAIN COMPENSATED INGAAS/INGAASP/INP MULTI QUANTUM WELLS. In: XXV ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 2002, CAXAMBU, 2002.

• CARVALHO JUNIOR, W. ; GOBBI, A. L. ; BERNUSSI, A. A. . HIGH POWER 808nm Al-FREE BROAD AREA LASER DIODES GROWN BY LP_MOVPE. In: 10th BRAZILIAN WORKSHOP ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, 2001, GUARUJA, SP, 2001.

• PEREIRA, M. F. ; BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; FURTADO, M. T. ; GOBBI, A. L. . MANY PARTICLE THEORY FOR THE LUMINESCENCE CHARACTERIZATION AND SIMULATION OF QUANTUM WELL LASERS STRUCTURES. In: 10th BRAZILIAN WORKSHOP ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, 2001, GUARUJA, SP, 2001.

• RIBEIRO, E. ; RIBEIRO, G. M. ; BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JUNIOR, W. . OPTICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF STRAIN COUPLED INAS-INP QUANTUM DOTS STACKS. In: 10th BRAZILIAN WORKSHOP ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, 2001, GUARUJA, SP, 2001.

• BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; FRANCO, M. K. K. D. . EFFECT OF ORDERING AND ALLOY PHASE SEPARATION ON THE OPTICAL PROPERTIES OF InGaAsP-GaAs LAYERS. In: 10th BRAZILIAN WORKSHOP ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, 2001, GUARUJA, 2001.

• LAURETO, E. ; MENESES, E. A. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; RIBEIRO, E. ; SILVA, E. C. F. ; OLIVEIRA, J. B. B. . OPTICAL STUDIES OF CORRELATION BETWEEN INTERFACE DISORDERAND THE PHOTOLUMINESCENCE, EXITATION PHOTOLUMINESCENCE LINE SHAPES IN GaAs/InGaP QUANTUM WELLS. In: 10th BRAZILIAN WORKSHOP ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, 2001, GUARUJA, SP, 2001.

• RIBEIRO, E. ; BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; GOBBI, A. L. ; BUGGE, F. . OPTICAL INVESTIGATION OF InGaAsP/InGaAsP (ORDERED/DISORDERED) QUANTUM WELL GROWN ON GaAs. In: 10th BRAZILIAN WORKSHOP ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, 2001, GUARUJA, SP, 2001.

• TUDURY, H. A. P. ; NAKAEMA, M. K. K. ; GODOY, M. P. F. ; IIKAWA, F. ; BRUM, J. A. ; RIBEIRO, E. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; GOBBI, A. L. . STRAIN DEPENDENT OPTICAL EMISSION LINE SHAPE IN N-TYPE InGaAS/InP QUANTUM WELLS. In: 10th BRAZILIAN WORKSHOP ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, 2001, GUARUJA, SP, 2001.

• LUYO, S. J. ; BRASIL, M. J. S. P. ; CARVALHO, H. B. ; CARVALHO JUNIOR, W. ; BERNUSSI, A. A. . CARRIER TRANSPORT IN GaAs USING PICOSECOND PHOTOLUMINESCENCE. In: 10th BRAZILIAN WORKSHOP ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, 2001, GUARUJA, SP, 2001.

Outras produções

Projetos de desenvolvimento

• 1999 - 2001

  Desenvolvimento de lasers semicondutores de alta potência., Descrição: Projeto FAPESP 98/14859-1, Modalidade Inovação Tecnológica, Parceria Universidades/Instituições de Pesquisa e Desenvolvimento e Empresas (PITE), em parceria com a AsGa Microletrônica, Fundação CPqD e Laboratório Nacional de Luz Síncrotron.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Wilson de Carvalho Junior - Coordenador / A A Benussi - Integrante / Angelo Gobbi - Integrante / Mario Tosi Furtado - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 2016 - Atual

  Laser de Cavidade Externa em fotonica em silicio com faixa de sintonia ultra larga para aplicações em sistemas DWDM, Descrição: Projeto PIPE/FAPESP, numero 2014/21731-6. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Wilson de Carvalho Junior - Integrante / WIlson de Caravalho Junior - Coordenador.

• 1999 - 2001

  Desenvolvimento de lasers semicondutores de alta potência., Descrição: Projeto FAPESP 98/14859-1, Modalidade Inovação Tecnológica, Parceria Universidades/Instituições de Pesquisa e Desenvolvimento e Empresas (PITE), em parceria com a AsGa Microletrônica, Fundação CPqD e Laboratório Nacional de Luz Síncrotron.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Wilson de Carvalho Junior - Coordenador / A A Benussi - Integrante / Angelo Gobbi - Integrante / Mario Tosi Furtado - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 2022 - Atual

  Desenvolvimento de sonda óptica para medida de oxigênio dissolvido, Descrição: Desenvolvimento de sonda óptica, baseada em emissão de luminescência de compostos químicos. Desenvolvimento do circuito eletrônico de controle e aquisição de dados e disponibilidade dos dados na nuvem, usando protocolos específicos para IoT.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Wilson de Carvalho Junior - Coordenador / Sergio Celaschi - Integrante / Thebano Almeida Santos - Integrante / Claudecir Biazoli - Integrante.

• 2016 - 2017

  Laser de Cavidade Externa em fotonica em silicio com faixa de sintonia ultra larga para aplicações em sistemas DWDM, Descrição: Projeto PIPE/FAPESP, numero 2014/21731-6. , Situação: Desativado; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Wilson de Carvalho Junior - Integrante / WIlson de Caravalho Junior - Coordenador.

• 2006 - 2013

  Dersenvolvimento de familia de equipamentos para WDM, Descrição: Desenvolvimento de tecnologia de multiplexação em comprimento de onda (WDM) para utilização em sistemas de telecomunicações usando fibras ópticas. No projeto, foram desenvolvidos multiplexadores e demultiplexadores de comprimento de onda, filtros ópticos, amplificadores ópticos e transponders, para operação até 10Gbits/seg.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Wilson de Carvalho Junior - Coordenador.

• 1999 - 2001

  Desenvolvimento de lasers semicondutores de alta potência., Descrição: Projeto FAPESP 98/14859-1, Modalidade Inovação Tecnológica, Parceria Universidades/Instituições de Pesquisa e Desenvolvimento e Empresas (PITE), em parceria com a AsGa Microletrônica, Fundação CPqD e Laboratório Nacional de Luz Síncrotron.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Wilson de Carvalho Junior - Coordenador / A A Benussi - Integrante / Angelo Gobbi - Integrante / Mario Tosi Furtado - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 1983 - 1996

  Projeto de desenvolvimento de Laser semicondutor em InP, com emissão em 1300nm, Descrição: Desenvolvimento de tecnologia para fabricação de lasers semicondutores em InP, como emissão em 1300nm, para uso em sistemas de comunicação usando fibras ópticas. Coordenação da equipe de desenvolvimento e elaboração de documentação para transferência de tecnologia para a indústria nacional.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Wilson de Carvalho Junior - Coordenador.

• 2022 - Atual

  Desenvolvimento de sonda óptica para medida de oxigênio dissolvido, Descrição: Desenvolvimento de sonda óptica, baseada em emissão de luminescência de compostos químicos. Desenvolvimento do circuito eletrônico de controle e aquisição de dados e disponibilidade dos dados na nuvem, usando protocolos específicos para IoT.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Wilson de Carvalho Junior - Coordenador / Sergio Celaschi - Integrante / Thebano Almeida Santos - Integrante / Claudecir Biazoli - Integrante.

• 2016 - 2017

  Laser de Cavidade Externa em fotonica em silicio com faixa de sintonia ultra larga para aplicações em sistemas DWDM, Descrição: Projeto PIPE/FAPESP, numero 2014/21731-6. , Situação: Desativado; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Wilson de Carvalho Junior - Integrante / WIlson de Caravalho Junior - Coordenador.

• 2006 - 2013

  Dersenvolvimento de familia de equipamentos para WDM, Descrição: Desenvolvimento de tecnologia de multiplexação em comprimento de onda (WDM) para utilização em sistemas de telecomunicações usando fibras ópticas. No projeto, foram desenvolvidos multiplexadores e demultiplexadores de comprimento de onda, filtros ópticos, amplificadores ópticos e transponders, para operação até 10Gbits/seg.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Wilson de Carvalho Junior - Coordenador.

• 1999 - 2001

  Desenvolvimento de lasers semicondutores de alta potência., Descrição: Projeto FAPESP 98/14859-1, Modalidade Inovação Tecnológica, Parceria Universidades/Instituições de Pesquisa e Desenvolvimento e Empresas (PITE), em parceria com a AsGa Microletrônica, Fundação CPqD e Laboratório Nacional de Luz Síncrotron.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Wilson de Carvalho Junior - Coordenador / A A Benussi - Integrante / Angelo Gobbi - Integrante / Mario Tosi Furtado - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 1983 - 1996

  Projeto de desenvolvimento de Laser semicondutor em InP, com emissão em 1300nm, Descrição: Desenvolvimento de tecnologia para fabricação de lasers semicondutores em InP, como emissão em 1300nm, para uso em sistemas de comunicação usando fibras ópticas. Coordenação da equipe de desenvolvimento e elaboração de documentação para transferência de tecnologia para a indústria nacional.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Wilson de Carvalho Junior - Coordenador.