Inés Pereyra
Graduada em Física pela Universidad de Buenos Aires em 1973, é PhD - Physics pela Universidade de Delaware (1980). Fez pós-doutorado no Institute of Energy Conversion da Universidade de Delaware entre 1981-1982. Atualmente é professor titular da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, onde fundou e lidera até hoje, o Grupo de Novos Materiais e Dispositivos, onde coordena pesquisas envolvendo a obtenção e propriedades de Novos Materiais dielétricos e semicondutores obtidos por PECVD e "Sputtering" e pelo desenvolvimento de dispositivos semicondutores, como capacitores e transistores MOS e de Filme Fino (TFT's).
Na atualidade é Coordenadora Geral do Laboratório de Microeletrônica (LME) da Escola Politécnica da USP, e também Vice chefe do Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos da EPUSP.
Informações coletadas do Lattes em 04/11/2022
Acadêmico
Formação acadêmica
Doutorado em Physics
1976 - 1980
University of Delaware
Título: PROBLEMS ON LINEARIZATION AND INTEGRATION OF NON LINEAR DIFFERENTIAL SYSTEMS.
Orientador: EDWARDS KERNER
Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Pós-doutorado
1995
Livre-docência. , Universidade de São Paulo, USP, Brasil. , Título: , Ano de obtenção: 1995.
1980 - 1982
Pós-Doutorado. , University of Delaware, UDEL, Estados Unidos. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Idiomas
Inglês
Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Espanhol
Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Italiano
Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.
Francês
Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.
Áreas de atuação
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Transp. Eletrônicos e Prop. Elétricas de Superfícies; Interfaces e Películas.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.
Participação em bancas
PEREYRA, I.. Fotocondutividade em Germânio amorfo hidrogenado dopado com elementos da coluna 3 da tabela periódica. 1997. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.
PEREYRA, I.. Fotoluminicência Resolvida no tempo em carbeto de silício amorfo. 1997. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.
PEREYRA, I.. Desenvolvimento de filmes finos de Óxido de Silício obtido a baixas temperaturas pela técnica de PECVD. 1996. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Películas de a-Si:H. Construção de um reator PECVD, Estudo de técnicas de deposição e caracterização das películas. 1994. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Preparação e caracterização de películas de nitreto de silício obtidas pela técnica de PECVD - Aplicação em células solares de silício multicristalino. 1994. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Propriedades Estruturais do Nitreto de Germânio Amorfo Hidrogenado. 1994. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.
PEREYRA, I.. Deposição de silício policristalino por LPCVD. 1993. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Sensores de Campo Magnético compatíveis com circuitos integrados. 1993. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Películasde silício microcristalino hidrogenado. Um estudo de desenvolvimento de sua obtenção por processo CVD assistido por plasma. 1991. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Produção e caracterização de películas de ligas de silício amorfo hidrogenado dopadas com boro. 1991. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Carbono amorfo hidrogenado (a-C:H) Tipo Diamante. 1991. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.
PEREYRA, I.. Eletroacústica em Células Solares de silício cristalino. 1991. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.
PEREYRA, I.. Influência do conteúdo de carbono nos materiais de Carbeto de Silício amorfo hidrogenado. 1990. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Determinação experimental da condutividade elétrica, fotocondutividade e do potencial termoelétrico em películas finas de silício amorfo hidrogenado dopado e intrínseco. 1990. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Estudo de filmes finos de In2O3 : Sn por evaporação reativa. 1989. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Super-redes de silício amorfo. 1988. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Fotocondutividade no Nitreto de Silício Amorfo Hidrogenado não Estequiométrico. 1985. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.
PEREYRA, I.. Células Solares com Estrutura Semicondutor - Isolante - Semicondutor - SnO2/SiO2/Si. 1984. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.
PEREYRA, I.. Películas de dióxido de estanho, obtenção e aplicação como contato transparente e como camada antirefletora em células solares. 1984. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo n ou p. 1998. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Ligas amorfas de Germânio-Carbono e Germânio-Nitrogênio hidrogenados. 1998. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.
PEREYRA, I.. Cristalização uniforme e seletiva de materiais semicondutores amorfos utilizando pulsos curtos de uma fonte de luz Laser. 1998. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.
PEREYRA, I.. Oxidação Térmica Rápida do Silício : Influência dos procedimentos de limpeza e dos perfis temporais de temperatura na qualidade dos óxidos de porta MOS. 1998. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Semicondutores Amorfos do grupo IV via simulação de Monte Carlo. 1997. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Caracterização e Super-Redes Semicondutoras Amorfas por Difração de Raios-X. 1995. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Contribução à utilização da implantação iônica de fósforo e potássio na dopagem do silício amorfo hidrogenado. 1994. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Células solares de uso espacial. 1989. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Células solares de silício semicristalino : Técnicas de passivação de defeitos. 1989. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo. Aplicações em dispositivos eletrônicos. 1989. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
PEREYRA, I.. Propriedades ópticas e eletrônicas do semicondutor amorfo Sulfeto de Antimônio. 1988. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.
Orientou
Obtenção e caracterização de Grafeno obtido pela rota do SiC; Início: 2019; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; (Orientador);
Síntese e caracterização de grafeno por CVD catalítico em filmes finos de Ni e Cu"; 2017; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Inés Pereyra;
Otimização das propriedades estruturais de filmes de nitreto de alumínio visando sua aplicação como material piezoelétrico; 2015; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Inés Pereyra;
Produçao de nanotubos de carbono por CVD; 2014; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;
PRODUÇÃO DE NANOTUBOS DE TiO2 VISANDO SUA APLICAÇÃO EM CÉLULAS SOLARES; 2012; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Inés Pereyra;
Estudo de materiais piezoelétricos da família III-V obtidos por sputtering reativo visando sua aplicação em sensores e MEMS; 2010; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Inés Pereyra;
Estudo, crescimento e caracterização de filmes de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SiC:H) depositados por PECVD visando aplicações em MEMS e Óptica Integrada; 2007; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Inés Pereyra;
Fotoluminescência e espectroscopia Raman em filmes finos semicondutores de gap largo; 2004; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;
Estudo e produção de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy ), pela técnica de PECVD; 2003; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Inés Pereyra;
Estudo e fabricação de capacitores MOS e TFT's com camada isolante de SiOxNy crescidos por PECVD; 2003; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Inés Pereyra;
Estudo e produção de ligas amorfas hidrogenadas de silício oxigênio e nitrogênio ricas em silício (a-SiOxNy :H), pela técnica de PECVD; 2003; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Inés Pereyra;
Desenvolvimento de filmes de Carbeto de Silício dopados tipo p e estudo da obtenção de contatos ôhmicos; 2001; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Inés Pereyra;
Desenvolvimento de Filmes Microcristalinos de Carbeto de Silício Obtidos A Baixas Temperaturas Pela Técnica de Pecvd; 1998; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Inés Pereyra;
Desenvolvimento de Filmes Finos de Óxido de Silício Obtido A Baixas Temperaturas Pela Técnica de Pecvd; 1996; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Inés Pereyra;
Produção e Caraterização de Películas de Silício Amorfo Hidrogenado Dopadas com Boro; 1991; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;
Influência do conteúdo de carbono nos materiais de silício amorfo hidrogenado; 1990; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;
Super Redes de Silicio Amorfo; 1988; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Inés Pereyra;
Películas de dióxido de estanho, obtenção e aplicação como contato transparente e como camada antirefletora em células solares; 1984; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Financiadora de Estudos e Projetos; Orientador: Inés Pereyra;
"Produção, caracterização morfológica e nitretação de nanotubos de TiO2"; 2017; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Inés Pereyra;
"Membranas de nanotubos de TiO2 visando aplicações na fabricação de sensores e células solares"; 2017; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;
Deposição e caracterização de filmes de titanato de estrôncio e bariovisando sua utilização na fabricação de defasadores variáveis operando em 60 GHZ; 2016; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Inés Pereyra;
Síntese e caracterização de Nanotubos de Carbono mediante as técnicas de CVD e PECVD; 2016; Tese (Doutorado em Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Inés Pereyra;
??Deposição e caracterização de filmes de BST visando sua utilização em defasadores inteligentes operando em 60GHz??; 2012; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Inés Pereyra;
Produção e caracterização de multicamadas de dimensões nanométricas de filmes a base de silício; 2009; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia de Sistemas Eletrônicos) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Inés Pereyra;
Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD; 2007; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia de Sistemas Eletrônicos) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Inés Pereyra;
Estudo de Camadas Dielétricas para aplicação em Capacitores MOS; 2007; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia de Sistemas Eletrônicos) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Inés Pereyra;
(Neisy Amparo Escobar Forhan) Obtenção de novas heteroestruturas por solda direta e separação por implantação iônica; 2006; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Inés Pereyra;
Obtenção e caracterização de semicondutores de Gap largo pela técnica de PECVD; 2004; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Inés Pereyra;
Estudo e Optimização das propriedades elétricas de filmes de SiO2 obtido por PECVD; Aplicação em dispositivos MOS-FET; 2000; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;
Filmes de Carbeto de Silício de Alto Gap Öptico Obtidos Pela Técnica de Pecvd; 1994; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;
Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos; 1989; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;
Técnicas para otimização de células solares de uso espacial; 1989; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;
Filmes de TiO2 e TiOxNy obtidos pela técnica de rf magnetron sputtering; 2010; Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Inés Pereyra;
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PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. ; ONMORI, R. K. ; SASSAKI, C. A. ; ANDRADE, A. M. . Efeitos das Dimensões Quânticas em Heteroestruturas de Si-a:H/Sic-a:H. In: II Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica,, 1987, São Paulo. Anais do II Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1987. p. 585.
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PEREYRA, I. . Influence Of A Dc Electric Field On Hydrogen Incorporation And Doping Efficiency Of 'A-Si:H' Films. In: VII EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE, 1986. SEVILHA, ESPANHA. p. 0-0.
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PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. ; SASSAKI, C. A. ; ANDRADE, A. M. . Influence of a DC Electric Field on the Hydrogen Incorporation and Doping Efficiency of a-Si:H Films. In: 7th EC Photovoltaic Solar Energy Conference, 1986, Sevilla, 1986.
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PEREYRA, I. . Eletro-Optical Characterization Of'A-Si:H' Films Deposited In A Two Consecutive Decomposition And Deposition Chamber System. In: VI EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE, 1985. LONDRES, INGLATERRA. p. 0-0.
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PEREYRA, I. . The Role Of Ito Layer On The Performance Of 'A-Si' Solar Cells Produced In A Two Consecutive Decompisition And Deposition Chamber System. In: VI EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE, 1985. LONDRES, INGLATERRA. p. 0-0.
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PEREYRA, I. ; PRADO, R.J. ; CARRENO, M.N.P. ; FANTINI, M.C.A. ; TABACKNICS, M. R. . Análise do Espectro Vibracional de ligas de Silício-Carbono de Composição Variável. In: XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1996, Aguas de Lindóia, SP, 1996.
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PRADO, R.J. ; BITTENCOURT, D. R. S. ; TABACKNICS, M. R. ; FANTINI, M.C.A. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. . Distribuição de Poros em a-SiC:H obtido por PECVD. In: XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1996, Aguas de Lindóia, SP, 1996.
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CARRENO, M.N.P. ; ALAYO, M.I. ; PEREYRA, I. . Efeito da Condição de Starving Plasma na obtenção de Filmes de Carbeto de Silício Crescidos por PECVD. In: XVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1995, Caxambú, MG, 1995.
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MASTELARO, V. ; FLANK, A. M. ; FANTINI, M.C.A. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. . EXAFS e SAXS de Filmes Finos de a-Si1-xCx:H. In: Oficina de Propriedades de Materiais de Camada Fina para Aplicações Fotovoltaicas, Microeletrônicas e Recobrimentos, 1994, Campinas, SP. Anais da Oficina de Propriedades de Materiais de Camada Fina para Aplicações Fotovoltaicas, Microeletrônicas e Recobrimentos, 1994.
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MASTELARO, V. ; FLANK, A. M. ; FANTINI, M.C.A. ; BITTENCOURT, D. R. S. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. . On the Structural Properties of a-Si1-xCx:H thin Films. In: V Workshop de Usuários do LNLS, 1994, Campinas, SP. Anais do V Workshop de Usuários do LNLS, 1994.
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VELASQUEZ, E. L. Z. ; FANTINI, M.C.A. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. ; TAKAHASHI, H. ; LANDERS, R. . Efeitos dos Parâmetros de Deposição sobre a Qualidade de Multicamadas de a-Si:H/a-Si1-xCx:H. In: XV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, ENFMC, 1992, Caxambú, MG. Anais da XV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1992.
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MASTELARO, V. ; FLANK, A. M. ; FANTINI, M.C.A. ; BITTENCOURT, D. R. S. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. . Determinação por EXAFS da Ordem Local de Filmes de a-Si1-xCx:H. In: XII Reunião da Sociedade Brasileira de Cristalografia, 1992, São Paulo, SP. Anais do XII Reunião da Sociedade Brasileira de Cristalografia, 1992.
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FANTINI, M.C.A. ; SANTOS, P. V. ; PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. . Estudo por difração de raios-X de estruturas de multicamadas amorfas. In: XIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1990, Caxambú, MG. Anais do XIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada,, 1990.
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FANTINI, M.C.A. ; CARRENO, M.N.P. ; SANTOS, P. V. ; PEREYRA, I. . Multicamadas Amorfas de a-Si:H/a-Ge:H e a-Si:H/a-SiC: Um Estudo por Difração de Raios-X a Baixo Ângulo. In: 17a Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Cristalografia, 1990, Campinas, SP. Anais da 17a Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Cristalografia, 1990.
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ALBERTIN, K ; LOPES, A. T. ; Pereyra, Inés . ?Optimized Ti polishing techniques for enhanced order in TiO2 NT arrays. Applied Surface Science , 2013.
Projetos de pesquisa
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2013 - Atual
Laboratório Avançado de Microeletrônica, Microssistemas e Nanotecnologia, Descrição: O projeto visa à atualização e reforma da Sala Limpa do Laboratório de Microeletrônica da Escola Politécnica da USP (LME/EPUSP) e a partir disso, o estabelecimento de uma Core Facility para processos de microfabricação, que disponibilizará à comunidade acadêmica da USP e do Brasil, assessoria e recursos tecnológicos fabricação de micro e nano estruturas e dispositivos para áreas tão diversas como a Microeletrônica, Biotecnologia, Medicina, Monitoramento Ambiental e Nanotecnologia em geral. O projeto conta com financiamento USP (Edital INFRA-USP 2012-2013).. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Mestrado acadêmico: (3) / Doutorado: (4) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador / Marco Isaías Alayo Chavez - Integrante / Marcelo Nelson Páez Carreo - Integrante / Gustavo Pamplona Rehder - Integrante.
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2012 - Atual
Inovador substrato de nanofios de alto desempenho e baixo custo para aplicações em ondas milimétricas, Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador / Ariana L.C. Serrano - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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2011 - Atual
Desenvolvimento e Miniaturização de Filtros, Antenas e Linhas de Transmissão Inteligentes utilizando RF MEMS e BST em Frequências de Microondas, Descrição: Este projeto tem por objetivo o desenvolvimento de dispositivos inteligentes miniaturizados para aplicações em microondas através de uma colaboração entre três laboratórios: LME Laboratório de Microeletrônica da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, no Brasil, IMEP-LAHC Instituto de Microeletrônica, Eletromagnetismo, Fotônica e Caracterização em Microondas e TIMA Técnicas de Informática e de Microeletrônica para Arquitetura de sistemas integrados, ambos em Grenoble, na França.... , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador / Marcelo Nelson Páez Carreo - Integrante / Gustavo Pamplona Rehder - Integrante / Phillipe Ferrari - Integrante / Libor Rufer - Integrante / Ariana L.C. Serrano - Integrante.
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2009 - Atual
Deposição e caracterização de Filmes Finos, Materiais Nanoestruturados e Biomoléculas, Descrição: O objetivo visa apoiar e viabilizar pesquisas conjuntas entre pesquisadores da UFMT, USP e SBPC, nas áreas de obtenção e caracterização de filmes finos, nanomateriais e biomoléculas. O projeto tem financiamento CAPES/PROCAD (Processo 2233/2008).. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (7) Doutorado: (1) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador / Marcia Carvalho de Abreu Fantini - Integrante / Marco Isaías Alayo - Integrante / Rogerio Junqueira Prado - Integrante / Marcelo Nelson Páez Carreo - Integrante / Edson Ferreira Chagas - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.
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2003 - Atual
Bolsa CNPq 2003 -2014, Descrição: Auxilio Produtividade em Pesquisa CNPq,. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
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2001 - 2008
Produção, Caracterização e Aplicações de Ligas Semicondutoras e Isolantes, Descrição: Descrição: Projeto TEMÁTICO FAPESP (Processo No 00/10027-3) "Produção, Caracterização e Aplicações de Ligas Semicondutoras e Isolantes", 2001 - 2005 O objetivo geral do projeto é garantir a continuidade das pesquisas que o grupo vem desenvolvendo com filmes finos de semicondutores e isolantes amorfos e microcristalinos depositados pela técnica de PECVD, aprofundando os estudos já realizados e estendendo as pesquisas em áreas que os resultados indicam como promissoras. Isto envolverá pesquisas sobre a obtenção, caracterização e otimização dos materiais em estudo, trabalhos de desenvolvimento de dispositivos opto-eletrônicos e aplicações nas quais esses materiais são de interesse. Além disso, o projeto também envolve a implementação de outras técnicas de deposição, como "Sputtering" e "CVD", para obter esses mesmo tipos de materiais. É também objetivo do projeto, consolidar nosso grupo de pesquisa, garantindo a infra-estrutura para realizar os trabalhos, e dando condições para aumentar nossos recursos humanos, possibilitando a realização, no grupo, de projetos de pós-doutorado e a vinda de professores visitantes, bem como dando continuidade ao desenvolvimento de trabalhos de mestrado e doutorado. Participação : Coordenador do projeto. Recursos : R$ 82 mil e US$ 400 mil + R$ 172 mil (de Reserva Técnica). Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação (1); Mestrado acadêmico (2); Doutorado (5). Integrantes: Inés Pereyra (Responsável); Marcelo Nelson Páez Carreo. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - FAPESP (Auxílio financeiro). I1Número de orientaçõesI0: 2.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador / Marcelo Nelson Páez Carreo - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
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2000 - 2002
Bolsa CNPq 2000-2002, Descrição: Auxilio Produtividade em Pesquisa CNPq,. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador.
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1998 - 2000
Modernização da Sala de PECVD e de Caracterização de Novos Materiais, Descrição: Descrição: Projeto FAPESP No96/10931-4 (Infra-Estrutura, Fase III) "Modernização da Sala de PECVD e de Caracterização de Novos Materiais", 1998-2000 O projeto objetivou a reforma, melhora nas condições de segurança e adequação das duas salas onde são levadas a efeito as pesquisas com filmes e dispositivos obtidos pela técnica de PECVD : a sala dos reatores de PECVD propriamente dita, onde são obtidos os filmes/dispositivos e a sala de caracterização de novos materiais, onde parte da caracterização dos mesmos é realizada. A proposta de adequação inclui a aquisição de material permanente nacional e importado como, bombas mecânicas, exaustores, detetores de gases tóxicos, etc. Participação : Coordenadora dlo projeto. Recursos : R$ 37.000,00 e US$ 39.700,00 . Alunos envolvidos: Graduação (7). Número de produções C, T & A: 16 / Número de orientações: 7.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador / Marcelo Nelson Páez Carreo - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
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1997 - 1999
Bolsa CNPq 97-99, Descrição: Auxilio Produtividade em Pesquisa CNPq,. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
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1992 - 1994
Estudo e Desenvolvimento de Ligas de Silício Amorfo Hidrogenado para Aplicação em Transistores de Filme Fino e Multicamadas, Descrição: Projeto FAPESP No 91/5213-1 Participação : Coodenadora. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador / Marcelo Nelson Páez Carreo - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
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1991 - 1993
Caracterização de Materiais para Microeletrônica por Espectroscopia de Infravermelho com Transformada de Fourier, Descrição: Projeto FAPESP No 90/3354-4 Parcticipação : Coordenador. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador / Marcelo Nelson Páez Carreo - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
Histórico profissional
Endereço profissional
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Universidade de São Paulo, Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis. , Laboratório de Microeletrônica, Butantã, 05424970 - Sao Paulo, SP - Brasil - Caixa-postal: 61548, Telefone: (11) 8185256, Fax: (11) 818-5585
Experiência profissional
2001 - Atual
Universidade de São PauloVínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 0
1996 - 2001
Universidade de São PauloVínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Associado, MS5, Carga horária: 0
1988 - 1995
Universidade de São PauloVínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Assistente Doutor (MS3), Carga horária: 0
1982 - 1988
Universidade de São PauloVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Pesquisador Doutor, Carga horária: 40
Atividades
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10/2003
Direção e administração, Escola Politécnica, Departamento de Engenharia de Sistema Eletrônicos.,Cargo ou função, Chefe de Departamento.
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10/2003
Conselhos, Comissões e Consultoria, Escola Politécnica, Departamento de Engenharia de Sistema Eletrônicos.,Cargo ou função, Membro de conselho de unidade.
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12/2001
Pesquisa e desenvolvimento, Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.,Linhas de pesquisa
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12/2001
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Laboratório de Eletricidade 1, PEE315
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12/2001
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Propriedades Físicas dos Semicondutores, PEE-861
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10/1991
Conselhos, Comissões e Consultoria, Universidade de São Paulo.,Cargo ou função, membro de conselho de departamento.
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01/1996 - 11/2001
Pesquisa e desenvolvimento, Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.,Linhas de pesquisa
-
01/1996 - 11/2001
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Laboratório de Eletricidade 1, PEE-315, Laboratório de Eletricidade 2, PEE-316, Introdução aos Transdutores, PEE-629, Física de Dispositivos a Semicondutor, PEE-440
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01/1996 - 11/2001
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Física do Sistema MOS, PEE-851, Propriedades Físicas dos Semicondutores, PEE-861, Semicondutores e Dispositivos Semicondutores, PEE-853
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11/1988 - 12/1995
Pesquisa e desenvolvimento, Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.,Linhas de pesquisa
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11/1988 - 12/1995
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Fisica dos Dispositivos a Semicondutor, PEE-440, Laboratório de Processos, PEL-627, Processos 1, PEE-445
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11/1988 - 12/1995
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivos Semicondutores, PEE-853, Física do Sistema MOS, PEE-851, Semicondutores e Dispositivos Semicondutores, PEE-853
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10/1982 - 10/1988
Pesquisa e desenvolvimento, Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.,Linhas de pesquisa
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01/1982 - 10/1988
Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Mecanismos de Transporte em Células Solares, Tópicos Especiais em Conversão Fotovoltaica de Energia, PEL-913, Introdução à Física e Tecnologia das células solares, PEL-769, Introdução às Células Solares de silício amorfo, PEL- 858
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