Inés Pereyra

Graduada em Física pela Universidad de Buenos Aires em 1973, é PhD - Physics pela Universidade de Delaware (1980). Fez pós-doutorado no Institute of Energy Conversion da Universidade de Delaware entre 1981-1982. Atualmente é professor titular da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, onde fundou e lidera até hoje, o Grupo de Novos Materiais e Dispositivos, onde coordena pesquisas envolvendo a obtenção e propriedades de Novos Materiais dielétricos e semicondutores obtidos por PECVD e "Sputtering" e pelo desenvolvimento de dispositivos semicondutores, como capacitores e transistores MOS e de Filme Fino (TFT's). Na atualidade é Coordenadora Geral do Laboratório de Microeletrônica (LME) da Escola Politécnica da USP, e também Vice chefe do Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos da EPUSP.

Informações coletadas do Lattes em 04/11/2022

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Physics

1976 - 1980

University of Delaware
Título: PROBLEMS ON LINEARIZATION AND INTEGRATION OF NON LINEAR DIFFERENTIAL SYSTEMS.
Orientador: EDWARDS KERNER
Grande área: Ciências Exatas e da Terra

Graduação em Física

1966 - 1973

Universidad de Buenos Aires

Pós-doutorado

1995

Livre-docência. , Universidade de São Paulo, USP, Brasil. , Título: , Ano de obtenção: 1995.

1980 - 1982

Pós-Doutorado. , University of Delaware, UDEL, Estados Unidos. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra

Idiomas

Bandeira representando o idioma Inglês

Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Bandeira representando o idioma Espanhol

Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Bandeira representando o idioma Italiano

Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.

Bandeira representando o idioma Francês

Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.

Áreas de atuação

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Transp. Eletrônicos e Prop. Elétricas de Superfícies; Interfaces e Películas.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.

Participação em bancas

Aluno: Françoise Toledo Reis

PEREYRA, I.. Fotocondutividade em Germânio amorfo hidrogenado dopado com elementos da coluna 3 da tabela periódica. 1997. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Lucicleide Cirino

PEREYRA, I.. Fotoluminicência Resolvida no tempo em carbeto de silício amorfo. 1997. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Marco Isaías Alayo Chávez

PEREYRA, I.. Desenvolvimento de filmes finos de Óxido de Silício obtido a baixas temperaturas pela técnica de PECVD. 1996. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: João Paulo Bottechia

PEREYRA, I.. Películas de a-Si:H. Construção de um reator PECVD, Estudo de técnicas de deposição e caracterização das películas. 1994. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Eduardo MAkoto Sato

PEREYRA, I.. Preparação e caracterização de películas de nitreto de silício obtidas pela técnica de PECVD - Aplicação em células solares de silício multicristalino. 1994. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Johnny Vilcarromero López

PEREYRA, I.. Propriedades Estruturais do Nitreto de Germânio Amorfo Hidrogenado. 1994. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Antonio Giacomo Pedrine

PEREYRA, I.. Deposição de silício policristalino por LPCVD. 1993. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Elisabete Galeazzo

PEREYRA, I.. Sensores de Campo Magnético compatíveis com circuitos integrados. 1993. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Ely Antonio Tadeu Dirani

PEREYRA, I.. Películasde silício microcristalino hidrogenado. Um estudo de desenvolvimento de sua obtenção por processo CVD assistido por plasma. 1991. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Carlos Alberto Santos Ramos

PEREYRA, I.. Produção e caracterização de películas de ligas de silício amorfo hidrogenado dopadas com boro. 1991. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Fabio Enrique Fajardo Tolosa

PEREYRA, I.. Carbono amorfo hidrogenado (a-C:H) Tipo Diamante. 1991. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Eric A de Mello Fagotto

PEREYRA, I.. Eletroacústica em Células Solares de silício cristalino. 1991. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Roberto Koji Onmori

PEREYRA, I.. Influência do conteúdo de carbono nos materiais de Carbeto de Silício amorfo hidrogenado. 1990. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Marli da Anunciação

PEREYRA, I.. Determinação experimental da condutividade elétrica, fotocondutividade e do potencial termoelétrico em películas finas de silício amorfo hidrogenado dopado e intrínseco. 1990. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Carlos Alberto Sassaki

PEREYRA, I.. Estudo de filmes finos de In2O3 : Sn por evaporação reativa. 1989. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Marcelo Nelson Páez Carreño

PEREYRA, I.. Super-redes de silício amorfo. 1988. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Leandro Russouski Tessler

PEREYRA, I.. Fotocondutividade no Nitreto de Silício Amorfo Hidrogenado não Estequiométrico. 1985. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: FRANCISCO DAS CHAGAS MARQUES

PEREYRA, I.. Células Solares com Estrutura Semicondutor - Isolante - Semicondutor - SnO2/SiO2/Si. 1984. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Marcio Tarozzo Biasoli

PEREYRA, I.. Películas de dióxido de estanho, obtenção e aplicação como contato transparente e como camada antirefletora em células solares. 1984. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Alexander Levin

PEREYRA, I.. Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo n ou p. 1998. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Johnny Vilcarromero López

PEREYRA, I.. Ligas amorfas de Germânio-Carbono e Germânio-Nitrogênio hidrogenados. 1998. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Marcelo Mulato

PEREYRA, I.. Cristalização uniforme e seletiva de materiais semicondutores amorfos utilizando pulsos curtos de uma fonte de luz Laser. 1998. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Sebastião Gomes dos Santos Filho

PEREYRA, I.. Oxidação Térmica Rápida do Silício : Influência dos procedimentos de limpeza e dos perfis temporais de temperatura na qualidade dos óxidos de porta MOS. 1998. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Jonatan João da Silva

PEREYRA, I.. Semicondutores Amorfos do grupo IV via simulação de Monte Carlo. 1997. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Elvira Leticia Zeballos Velásques

PEREYRA, I.. Caracterização e Super-Redes Semicondutoras Amorfas por Difração de Raios-X. 1995. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Fernando Josepetti Fonseca

PEREYRA, I.. Contribução à utilização da implantação iônica de fósforo e potássio na dopagem do silício amorfo hidrogenado. 1994. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Antônio Fernando Beloto

PEREYRA, I.. Células solares de uso espacial. 1989. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Maria Aparecida Godoy Soler Pajanian

PEREYRA, I.. Células solares de silício semicristalino : Técnicas de passivação de defeitos. 1989. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Adnei Melges de Andrade

PEREYRA, I.. Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo. Aplicações em dispositivos eletrônicos. 1989. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Meire Droichi-Puech

PEREYRA, I.. Propriedades ópticas e eletrônicas do semicondutor amorfo Sulfeto de Antimônio. 1988. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

Orientou

Deissy Johanna Feria Garnica

Obtenção e caracterização de Grafeno obtido pela rota do SiC; Início: 2019; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; (Orientador);

Deissy Johanna Feria Garnica

Síntese e caracterização de grafeno por CVD catalítico em filmes finos de Ni e Cu"; 2017; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Inés Pereyra;

Rubens Martins Cunha Junior

Otimização das propriedades estruturais de filmes de nitreto de alumínio visando sua aplicação como material piezoelétrico; 2015; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Inés Pereyra;

Igor Yamamoto Abe

Produçao de nanotubos de carbono por CVD; 2014; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;

Tiago Marques Fraga

PRODUÇÃO DE NANOTUBOS DE TiO2 VISANDO SUA APLICAÇÃO EM CÉLULAS SOLARES; 2012; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Inés Pereyra;

Marcus Vinicius Pelegrini

Estudo de materiais piezoelétricos da família III-V obtidos por sputtering reativo visando sua aplicação em sensores e MEMS; 2010; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Inés Pereyra;

Ary Adilson Morales Alvarado

Estudo, crescimento e caracterização de filmes de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SiC:H) depositados por PECVD visando aplicações em MEMS e Óptica Integrada; 2007; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Inés Pereyra;

Marcia Ribeiro

Fotoluminescência e espectroscopia Raman em filmes finos semicondutores de gap largo; 2004; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;

Denise Criado Pereira de Souza

Estudo e produção de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy ), pela técnica de PECVD; 2003; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Inés Pereyra;

Kátia Franklin Albertin

Estudo e fabricação de capacitores MOS e TFT's com camada isolante de SiOxNy crescidos por PECVD; 2003; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Inés Pereyra;

Ricardo Aparecido Rodrigues de Oliveira

Estudo e produção de ligas amorfas hidrogenadas de silício oxigênio e nitrogênio ricas em silício (a-SiOxNy :H), pela técnica de PECVD; 2003; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Inés Pereyra;

Robinson Oliva Salazar

Desenvolvimento de filmes de Carbeto de Silício dopados tipo p e estudo da obtenção de contatos ôhmicos; 2001; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Inés Pereyra;

Carlos Alberto Villacorta

Desenvolvimento de Filmes Microcristalinos de Carbeto de Silício Obtidos A Baixas Temperaturas Pela Técnica de Pecvd; 1998; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Inés Pereyra;

Marco Isaías Alayo Chávez

Desenvolvimento de Filmes Finos de Óxido de Silício Obtido A Baixas Temperaturas Pela Técnica de Pecvd; 1996; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Inés Pereyra;

Carlos Alberto Santos Ramos

Produção e Caraterização de Películas de Silício Amorfo Hidrogenado Dopadas com Boro; 1991; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;

Roberto Koji Onmori

Influência do conteúdo de carbono nos materiais de silício amorfo hidrogenado; 1990; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;

Marcelo Nelson Páez Carreño

Super Redes de Silicio Amorfo; 1988; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Inés Pereyra;

Marcio Tarozzo Biasoli

Películas de dióxido de estanho, obtenção e aplicação como contato transparente e como camada antirefletora em células solares; 1984; 0 f; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Financiadora de Estudos e Projetos; Orientador: Inés Pereyra;

Thiago Scremin Bonelli

"Produção, caracterização morfológica e nitretação de nanotubos de TiO2"; 2017; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Inés Pereyra;

Pâmella Marques de Arruda

"Membranas de nanotubos de TiO2 visando aplicações na fabricação de sensores e células solares"; 2017; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;

Marcus Vinicius Pelegrini

Deposição e caracterização de filmes de titanato de estrôncio e bariovisando sua utilização na fabricação de defasadores variáveis operando em 60 GHZ; 2016; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Inés Pereyra;

Diego Edison Lopez Silva

Síntese e caracterização de Nanotubos de Carbono mediante as técnicas de CVD e PECVD; 2016; Tese (Doutorado em Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Inés Pereyra;

Marcus Vinicius Pelegrini

??Deposição e caracterização de filmes de BST visando sua utilização em defasadores inteligentes operando em 60GHz??; 2012; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Inés Pereyra;

Marcia Ribeiro

Produção e caracterização de multicamadas de dimensões nanométricas de filmes a base de silício; 2009; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia de Sistemas Eletrônicos) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Inés Pereyra;

Denise Criado Pereira de Souza

Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD; 2007; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia de Sistemas Eletrônicos) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Inés Pereyra;

Kátia Franklin Albertin

Estudo de Camadas Dielétricas para aplicação em Capacitores MOS; 2007; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia de Sistemas Eletrônicos) - Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Inés Pereyra;

Neisy Amparo Escobar ForhamEscola Politécnica

(Neisy Amparo Escobar Forhan) Obtenção de novas heteroestruturas por solda direta e separação por implantação iônica; 2006; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Inés Pereyra;

Edison Fernandes Motta

Obtenção e caracterização de semicondutores de Gap largo pela técnica de PECVD; 2004; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Inés Pereyra;

Marco Isaías Alayo Chávez

Estudo e Optimização das propriedades elétricas de filmes de SiO2 obtido por PECVD; Aplicação em dispositivos MOS-FET; 2000; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;

Marcelo Nelson Páez Carreño

Filmes de Carbeto de Silício de Alto Gap Öptico Obtidos Pela Técnica de Pecvd; 1994; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;

Maria Aparecida G S Pajanian

Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos; 1989; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;

Antônio Fernando Beloto

Técnicas para otimização de células solares de uso espacial; 1989; 0 f; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo,; Orientador: Inés Pereyra;

Kátia Franklin Albertin

Filmes de TiO2 e TiOxNy obtidos pela técnica de rf magnetron sputtering; 2010; Universidade de São Paulo, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Inés Pereyra;

Produções bibliográficas

  • OLIVEIRA, RICARDO A.R. ; CARREO, MARCELO N. P. ; Pereyra, Inés . Validation of MEMS Based New MicroLPCVD Technique for Thin Films Deposition. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS) , v. 15, p. 1-5, 2020.

  • PEREYRA, INES ; FERIA, DEISSY JOHANNA ; RANGEL, RICARDO ; CARREO, MARCELO . Graphene Trails on PECVD Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide Films SiC-a: H by Laser Writing at Room Temperature. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS) , v. 15, p. 1-4, 2020.

  • AMATO, F. ; CACIOPPO, M. ; ARCUDI, F. ; PRATO, M. ; MITUO, M. ; FERNANDES, E. G. ; CARREO, M. N. P. ; PEREYRA, I. ; BARTOLI, J.R. . Nitrogen-Doped Carbon Nanodots/PMMA Nanocomposites for Solar Cells Applications. CHEMICAL ENGINEERING TRANSACTIONS , v. 74, p. 1105-1110, 2019.

  • MARQUES, P. A. ; ALBERTIN, K. F. ; MONTEIRO, G. Z. ; PEREYRA, I. . Optimized synthesis for improved TiO2 NT array surface. CERÂMICA , v. 65, p. 327-334, 2019.

  • BONELLI, THIAGO SCREMIN ; Pereyra, Inés . Low temperature RF plasma nitriding of self-organized TiO 2 nanotubes for effective bandgap reduction. APPLIED SURFACE SCIENCE , v. 442, p. 239-244, 2018.

  • SCREMIN BONELLI, THIAGO ; Pereyra, Inés . A Microfluidic Device Based on Plasma Nitrided Self-Organized TiO2 Nanotubes for Photocatalytic Reduction Study. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS) , v. 13, p. 1-5, 2018.

  • LEARDI, T. ; MARCHESIN, M. ; BARTOLI, J.R. ; PEREYRA, I. ; ABE, I. Y. ; Carreo, M.N.P. . Síntese de nanotubos de carbono pelo método cvd para nanocompósitos poliméricos. Revista Iberoamericana de Polimeros , v. 16, p. 247, 2016.

  • LOPEZ, D. ; ABE, I.Y. ; PEREYRA, I. . Temperature effect on the synthesis of carbon nanotubes and core-shell Ni nanoparticle by thermal CVD. Diamond and Related Materials , v. 52, p. 59-65, 2015.

  • PELEGRINI, M.V. ; ALVARADO, M.A. ; ALAYO, M.I. ; PEREYRA, I. . Deposition and characterization of AlN thin films obtained by radio frequency reactive magnetron sputtering 1. Canadian Journal of Physics (Print) , v. 92, p. 940-942, 2014.

  • ALVARADO, M.A. ; PELEGRINI, M.V. ; PEREYRA, I. ; ASSUMPÇÃO, T.A.A. DE ; KASSAB, L.R.P. ; ALAYO, M.I. . Fabrication and characterization of aluminum nitride pedestal-type optical waveguide 1. Canadian Journal of Physics (Print) , v. 92, p. 951-954, 2014.

  • ALBERTIN, K.F. ; CARREO, M.N.P. ; PEREYRA, I. ; FRAGA, T. M. ; MIELLI, M. . Study of TiO2 Nanotubes for Sensors and Integrated Devices. Precision Instrument and Mechanology , v. 2, p. 114-121, 2013.

  • ALBERTIN, K. F. ; ALBERTIN, K.F. ; TAVARES, A. ; PEREYRA, I. . Optimized Ti polishing techniques for enhanced order in TiO2 NT arrays. Applied Surface Science , v. 284, p. 772-779, 2013.

  • FERNANDES, J. C. ; ALBERTIN, K. F. ; SILVA, G. O. ; HEIMFARTH, T. ; CARRENO, M. N. P. ; PEREYRA, I. ; MULATO, M. . Biochemical Sensors: Comparison of the Performance of TiO2, SnO2:F and ITO Used as the Main Sensing Element. ECS Transactions (Online) , v. 53, p. 121-130, 2013.

  • FRAGA, T. M. ; ALBERTIN, K. F. ; PEREYRA, I. ; ALBERTIN, K. F. . TiO2 Nanotubes Production and Characterization. ECS Transactions , v. 49, p. 199-205, 2012.

  • V.R. Zanchin ; M.R. Cavalari ; F.J. Fonseca ; ALBERTIN, K. F. ; PEREYRA, I. ; A.M. Andrade . Low Voltage Organic Devices with High-k TiOxNy and PMMA Dielectrics for Future Application on Flexible Electronics. ECS transactions , v. 39, p. 455-460, 2011.

  • T.M.Fraga ; PEREYRA, I. ; ALBERTIN, K. F. . Production of TiO2 Nanotubes and Nanoparticles. ECS transactions , v. 39, p. 131-136, 2011.

  • Albertin, Katia Franklin ; PEREYRA, I. ; ALBERTIN, K. F. . Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiO N films dielectric layer. Physica Status Solidi. C, Conferences and Critical Reviews , v. 7, p. 937-940, 2010.

  • M.R. Cavalari ; ALBERTIN, K. F. ; G.Santos ; C.R. Ramos ; PEREYRA, I. ; F.J. Fonseca ; A.M. Andrade . PECVD Silicon Oxynitride as Insulator for MDMO-PPV Thin-Film Transistors. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português) , v. 5, p. 116-124, 2010.

  • RIBEIRO, Marcia ; PEREYRA, I. . Study of phase separation and photo- luminescent emission in silicon nanostructured PECVD systems. Physica Status Solidi. C, Current Topics in Solid State Physics (Print) , p. NA-NA, 2010.

  • ALBERTIN, K. F. ; CRIADO, D. ; A. Zuiga ; PEREYRA, I. . Study of TiOxNy MOS Capacitors. ECS transactions , v. 31, p. 349-358, 2010.

  • Pelegrini, Marcus V. ; Rehder, Gustavo P. ; Pereyra, InÃs . a-SiC:H films deposited by PECVD for MEMS applications. Physica Status Solidi. C, Current Topics in Solid State Physics (Print) , v. 7, p. NA-NA, 2010.

  • Pelegrini, Marcus V. ; Pereyra, InÃs . Characterization of AlN films deposited by r.f. reactive sputtering aiming MEMS applications. Physica Status Solidi. C, Current Topics in Solid State Physics (Print) , v. 7, p. NA-NA, 2010.

  • Marco R. Cavallari ; ALBERTIN, K. F. ; G. Santos ; RAMOS, C. A. S. ; PEREYRA, I. ; FONSECA, F. J. ; ANDRADE, A. M. . PECVD silicon oxynitride as insulator for MDMO-PPV thin-film transistor. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português) , v. 5, p. 116-124, 2010.

  • Carreo, M.N.P. ; OLIVEIRA, ALESSANDRO R. ; OLIVEIRA, A.R. ; PEREYRA, I. ; PEREYRA, INÃS ; CARREÃO, MARCELO N. P. . A study of metal contact properties on thermal annealed PECVD SiC thin films for MEMS applications. Physica Status Solidi. C, Current Topics in Solid State Physics (Print) , v. 7, p. NA-NA, 2010.

  • Albertin, Katia Franklin ; PEREYRA, I. ; ALBERTIN, K. F. . Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiO x N y films dielectric layer. Physica Status Solidi. C, Conferences and Critical Reviews , v. 7, p. 937-940, 2010.

  • ALBERTIN, K. F. ; PEREYRA, I. . Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiO[sub x] and TiO[sub x]N[sub y] gate dielectric layer. Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement and Phenomena , v. 27, p. 236, 2009.

  • CRIADO, D ; ZUNIGA, A. ; PEREYRA, I. . Structural and morphological studies on SiOxNy thin films. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 354, p. 2646-2651, 2008.

  • ALBERTIN, K.F. ; PEREYRA, I. . Improved effective charge density in MOS Capacitors with PECVD SiOxNy dielectric layer obtained at low RF power. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 354, p. 2646-2651, 2008.

  • ALBERTIN, K ; PEREYRA, I. ; ALBERTIN, K. F. . Study of reactive sputtering titanium oxide for metal-oxide-semiconductor capacitors. Thin Solid Films , p. 4548-4554, 2008.

  • RIBEIRO, Marcia ; PEREYRA, I. . Photoluminescence in silicon-rich PECVD silicon oxynitride alloys.. Journal of the Electrochemical Society , v. 14, p. 349-357, 2008.

  • ALBERTIN, K.F. ; VALLE, M. A. ; PEREYRA, I. . Study of MOS Capacitors with TiO2 and SiO2/TiO2 gate dielectric layer. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems , v. 2, p. 89-93, 2007.

  • PRADO, R.J. ; FANTINI, M.C.A. ; CARREO, M. N. P. ; PEREYRA, I. ; FLANK, A. M. . Al Thermal Diffusion in a-Si1-xCx:H Thin Film Studied by XAFS. AIP Conference Proceedings , v. 882, p. 529-531, 2007.

  • SOUZA, D. C. P. ; ALAYO, M.I. ; FANTINI, M.C.A. ; PEREYRA, I. . Local bonding in PECVD-SiOxNy films. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 352, p. 1298-1302, 2006.

  • ALBERTIN, K.F. ; PEREYRA, I. . Correlation of PECVD SiOxNy dielectric layer structural properties and Si/SiOxNy/Al capacitors interface electrical properties. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 352, p. 1438-1443, 2006.

  • SOUZA, D. C. P. ; ALAYO, M.I. ; FANTINI, M.C.A. ; PEREYRA, I. . Study of the mechanical and structural properties of silicon oxynitride films for optical applications. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 352, p. 2319-2323, 2006.

  • ALBERTIN, K. F. ; PEREYRA, I. . One step a-Si:H TFTs with PECVD SiOxNy gate insulator. Revista Mexicana de Fisica , v. 52, p. 83-85, 2006.

  • Forhan, Neisy A. E. ; Fantini, Márcia C. A. ; PEREYRA, I. . Characterization of Si1-xCx:H thin films deposited by PECVD for SiCOI heterojuntion fabrication. Journal of the Brazilian Chemical Society , v. 17, p. 1158, 2006.

  • GARCIA, B ; ESTRADA, M ; ALBERTIN, Katia F ; RESENDIZ, L. ; CARREO, M. N. P. ; PEREYRA, I. . Amorphous and excimer laser annealed SiC films for TFT fabrication. Solid-State Electronics , v. 50, n.2, p. 241-247, 2006.

  • ALBERTIN, K.F. ; PEREYRA, I. . Study of PECVD SiOxNy films dielectric properties with different nitrogen concentration utilizing MOS. Microelectronic Engineering , v. 77, p. 144-149, 2005.

  • DA SILVA, C.R.S. ; JUSTO, J.F. ; PEREYRA, I. ; ASSALI, L. V. C. . A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide. Diamond and Related Materials , v. 14, p. 1142, 2005.

  • JUSTO, J F ; SILVA, C. R. S. da ; PEREYRA, I. ; ASSALI, L. V. C. . Structural and electronic properties of Si(1-x) C(x) O(2). Materials Science Forum , Suiça, v. 483485, p. 577, 2005.

  • DA SILVA, C.R.S. ; JUSTO, J.F. ; PEREYRA, I. . Crystalline silicon oxycarbide: Is there a native oxide for silicon carbide?. Applied Physics Letters , v. 84, p. 4845-4847, 2004.

  • MOTTA, E.F. ; PEREYRA, I. . Amorphous hydrogenated carbon-nitride films prepared by RF-PECVD in methane-nitrogen atmospheres. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 338-40, p. 525-529, 2004.

  • FORHAN, N.A.E. ; FANTINI, M.C.A. ; PEREYRA, I. . Nano-crystalline Si1-xCx:H thin films deposited by PECVD for SiC-on insulator application. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 338-40, p. 119-122, 2004.

  • ALAYO, M.I. ; CRIADO, D ; GONCALVES, L.C.D. ; PEREYRA, I. . Deposition and characterization of silicon oxynitride for integrated optical applications. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 338-40, p. 76-80, 2004.

  • ALAYO, M.I. ; CRIADO, D ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. . Fabrication of PECVD-silicon oxynitride-based optical waveguides. Materials Science and Engineering. B, Solid State Materials for Advanced Technology , v. 112, p. 154-159, 2004.

  • CRIADO, D ; ALAYO, M.I. ; PEREYRA, I. ; FANTINI, M.C.A. . Structural analysis of silicon oxynitride films deposited by PECVD. Materials Science and Engineering. B, Solid State Materials for Advanced Technology , v. 112, p. 123-127, 2004.

  • PEREYRA, I. ; FANTINI, M.C.A. ; ALAYO, M.I. ; OLIVEIRA, R.A.R. ; RIBEIRO, M. ; SCOPEL, W.L. . Evidence of clusters size-dependent photoluminescence on silicon-rich silicon oxynitride films. Materials Science and Engineering. B, Solid State Materials for Advanced Technology , v. 112, p. 116-119, 2004.

  • CAMARGO, S. S. ; CARREO, M. N. P. ; PEREYRA, I. . Hydrogen effusion from highly-ordered near-stoichiometric a-SiC:H. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 338, p. 70-75, 2004.

  • OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de ; PEREYRA, I. ; CARREO, M. N. P. . Structural and electrical properties of low-temperature PECVD SiC/c-Si heterostructures. Materials Science and Engineering. B, Solid State Materials for Advanced Technology , v. 112, n.2-3, p. 144-146, 2004.

  • SCOPEL, W.L. ; FANTINI, M.C.A. ; ALAYO, M.I. ; PEREYRA, I. . Structural Investigation of Si-Rich Amorphous Silicon Oxynitride Films. Thin Solid Films , v. 425, p. 275-281, 2003.

  • RIBEIRO, M. ; PEREYRA, I. ; ALAYO, M.I. . Silicon Rich Silicon Oxynitride Films for Photoluminescence Applications. Thin Solid Films , v. 426, p. 200-204, 2003.

  • CRIADO, D ; PEREYRA, I. ; ALAYO, M.I. . Study of nitrogen-rich silicon oxynitride films. Thin Solid Films , v. 425, p. 275-281, 2003.

  • OLIVEIRA, R.A.R. ; RIBEIRO, M. ; PEREYRA, I. ; ALAYO, M.I. . Silicon clusters in PECVD silicon-rich SiOxNy. Materials Characterization , v. 50, p. 161-166, 2003.

  • ALBERTIN, K.F. ; PEREYRA, I. ; ALAYO, M.I. . MOS capacitors with PECVD SiOxNy insulating layer. Materials Characterization , v. 50, p. 149-154, 2003.

  • SCOPEL, W.L. ; DA SILVA, A.J.R. ; ORELLANA, W ; PRADO, R.J. ; FANTINI, M.C.A. ; FAZZIO, A. ; PEREYRA, I. . Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films. Physical Review B - Solid State , v. 68, 2003.

  • PRADO, R.J. ; D'ADDIO, T.F. ; FANTINI, M.C.A. ; PEREYRA, I. ; FLANK, A. M. . Annealing effects of highly homogeneous a-Si1-xCx:H. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 330, p. 196-215, 2003.

  • ALAYO, M.I. ; PEREYRA, I. ; SCOPEL, W.L. ; FANTINI, M.C.A. . On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhancsd chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films.. Thin Solid Films , v. 402, p. 154-161, 2002.

  • LÓPEZ, J. V. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. ; CRUZ, N. C. ; RANGEL, E. C. ; PEREYRA, I. . Preparation and Characterization of Nanocrystalline h-BN prepared by PECVD Method. Brazilian Journal of Physics , Brasil, v. 32, n.2A, p. 372-375, 2002.

  • SCOPEL, W.L. ; FANTINI, M.C.A. ; ALAYO, M.I. ; PEREYRA, I. . Local Order Structure of a-SiOxNy:H Grown by PECVD. Brazilian Journal of Physics , v. 32, p. 366-368, 2002.

  • SCOPEL, W.L. ; FANTINI, M.C.A. ; ALAYO, M.I. ; PEREYRA, I. . Local Structure and Bonds of Amorphous Silicon Oxynitride Thin Films. Thin Solid Films , v. 413, p. 59-64, 2002.

  • CARREO, M. N. P. ; ALAYO, Marco Isaías ; PEREYRA, I. ; LOPES, A. T. . PECVD-SiOxNy Films for Large Area Self-Sustained Grids Applications. Sensors and Actuators. A, Physical , v. 100, p. 295-300, 2002.

  • PEREYRA, I. ; SCOPEL, W.L. ; FANTINI, M.C.A. ; TABACKNICS, M. R. ; ALAYO, M.I. . Chemical and morphological properties of amorphous silicon oxynitride films deposited by plasma chemical vapor deposition. Journal Of Non Crystalline Solids, v. 288, p. 88-99, 2001.

  • PEREYRA, I. ; PRADO, R.J. ; FANTINI, M.C.A. ; ODO, G. Y. ; LEPIENSKI, C. M. . Structural and morphological investigation of amorphous hydrogenated silicon carbide. J Appl Crystallography, v. 34, p. 465-472, 2001.

  • PEREYRA, I. ; PRADO, R.J. ; VILLACORTA, C. A. ; FLANK, A. M. ; FANTINI, M.C.A. . Iprovements on the local order of amorphous hydrogenated silicon carbide films. J Non Cryst Sol, v. 283, p. 1-10, 2001.

  • GUIMARAES, M. S. ; SINATORA, A. ; ALAYO, Marco Isaías ; PEREYRA, I. ; CARREO, M. N. P. . Mechanical and Thermophysical Properties of PECVD Oxynitride Films Measured by MEMS. Thin Solid Films , v. 398, p. 626-631, 2001.

  • ESTRADA, M. ; CERDEIRA, A. ; LEYVA, A. ; CARREO, M. N. P. ; PEREYRA, I. . Optimization of the i-layer width of Cr-a-Si : H PIN X-ray detectors. Thin Solid Films , v. 396, n.1-2, p. 235-239, 2001.

  • YU, Z. ; PEREYRA, I. ; CARREO, M. N. P. . Wide optical bandgap window layer for Solar Cells. Solar Energy Materials and Solar Cells , v. 66, p. 155-162, 2001.

  • ESTRADA, M. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. ; SOTO, S. . High deposition rate a-Si:H layers from pure SiH4 and from 10% dilution of SiH4. Thin Solid Films , 2000.

  • ESTRADA, M. ; CERDEIRA, A. ; PEREYRA, I. ; SOTO, S. . Caracteristics of high deposition rate PIN diodes from pure SiH4 and 10 % dissolution of SiH4 in H2. Ieee Trans Nuc Sci, v. 47, n.1, p. 176-179, 2000.

  • PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. ; VILLACORTA, C. A. ; PRADO, R.J. ; FANTINI, M.C.A. . Highly ordered amorphous Silicon-Carbon Alloys obtained by rf PECVD. Brazilian Journal of Physics , v. 30, n.3, p. 533-540, 2000.

  • LÓPEZ, Johnny Vilcarromero ; CARREO, M. N. P. ; PEREYRA, I. . Mechanical properties of boron nitride thin films obtained by rf-pecvd at low temperatures. Thin Solid Films , v. 373, p. 273-276, 2000.

  • CARREO, M. N. P. ; PEREYRA, I. . P-type doping in a-Si1-xCx:H obtained by PECVD. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 266, p. 699-703, 2000.

  • PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. ; YU, Z. . Observation of Negative Differential Resistance in mc-Si:H/a-Si1-xCx:H Double Barrier Devices. Japanese Journal of Applied Physics , v. 38, n.3, p. 1317-1319, 1999.

  • PEREYRA, I. ; ESTRADA, M. . P-I-N diodes on high deposition rate thick a-Si:H layers from pure SiH4 and from 10% dilution of SiH4,. Thin Solid Films , v. 346, p. 255-260, 1999.

  • YU, Z. ; PEREYRA, I. ; CARREO, M. N. P. . Observation of Negative Differential Resistance in mc-Si:H/a-Si1-xCx:H Double Barrier Devices. Japanese Journal of Applied Physics , v. 38, p. 1317-1319, 1999.

  • PEREYRA, I. ; ESTRADA, M. . P-I-N Diodes on high deposition rate thick a-Si:H layers from pure SiH4. Thin Solid Films , 1998.

  • CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. ; PERES, H. E. M. . N-Type doping in PECVD a-Si1-xCx:H obtained under Starving Plasma condition. Journal of Non-Crystalline Solids , p. 483-487, 1998.

  • CARREO, M. N. P. ; PEREYRA, I. ; PERES, H. E. M. . N-Type doping in PECVD a-Si1-xCx:H obtained under Starving Plasma condition. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 227, p. 483-487, 1998.

  • PEREYRA, I. ; CARREO, M. N. P. ; PRADO, R. J. ; BITTENCOURT, D. R. S. ; TABACKNICS, M. H. ; FANTINI, M. C. A. . The Influence of staving plasma regime on carbon content and bond in a-Si1-xCx:H. Journal of Applied Physics , v. 38, p. 2371-2379, 1998.

  • ALAYO, Marco Isaías ; PEREYRA, I. ; CARREO, M. N. P. . Thick SiOxNy and SiO2 Films Obtained by PECVD Technique at Low Temperatures. Thin Solid Films , v. 332, p. 40-45, 1998.

  • CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. ; BOTTECHIA, J. P. . Low Temperature PECVD Boron Nitride. Thin Solid Films , v. 308, p. 219-222, 1997.

  • PRADO, R.J. ; BITTENCOURT, D. R. S. ; PEREYRA, I. ; TABACKNICS, M. R. ; FANTINI, M.C.A. ; CARRENO, M.N.P. . Distribution of pores in a-Si 1-x C :H thin films. Journal of Applied Crystallography , v. 30, p. 659-663, 1997.

  • PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. ; TABACKNICS, M. R. ; PRADO, R.J. ; FANTINI, M.C.A. . The Carbon Incorporation in PECVD a-Si1-xCx:H in the Low power Density Regime. Brazilian Journal of Physics , v. 27/A, n.(4), p. 150-153, 1997.

  • CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. . Doping Efficiency in Highly Ordered PECVD a-Si1-xCx:H. Brazilian Journal of Physics , v. 27/A, n.(4), p. 166-169, 1997.

  • YU, Z. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. ; D'ADDIO, T.F. ; FANTINI, M.C.A. . Intrinsic and Doped Microcrystalline Silicon Films for Application in Double Barrier Structures. Brazilian Journal of Physics , v. 27(A), p. 105-109, 1997.

  • PEREYRA, I. ; Alayo, M. I. . High Quality Low Temperature DPECVD Silicon Dioxide. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 212, p. 225-231, 1997.

  • Alayo, M. I. ; PEREYRA, I. . Improvement of the Structural Properties of Near Stoichiometric PECVD SiO2. Brazilian Journal of Physics , v. 27/A, p. 146-149, 1997.

  • PEREYRA, I. ; ALAYO, M.I. . High Quality Low Temperature Dpecvd Silicon Dioxide. Thin Solid Films , v. 212, p. 225-231, 1996.

  • PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. . Wide Gap a Si1-xCx:H thin Films Obtained under Starving Plasma Deposition Conditions. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 201, p. 110-118, 1996.

  • MASTELARO, V. ; FLANK, A. M. ; FANTINI, M.C.A. ; BITTENCOURT, D. R. S. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. . On the Structural Properties of a-SiC:H thin films. Journal of Applied Bacteriology , v. 79, n.3, p. 1324, 1996.

  • VELASQUEZ, E. L. Z. ; FANTINI, M.C.A. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. ; TAKAHASHI, H. ; LANDERS, R. . Effect of plasma Etching, Carbon Concentration and Buffer Layer on the Properties of a-Si:/H/a-SiC:H Multi Layers. Journal of Applied Physics , v. 75, n.1, p. 543, 1994.

  • CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. ; FANTINI, M.C.A. ; TAKAHASHI, H. ; LANDERS, R. . Microvoids in Diamond Like Amorphous Silicon Carbide. Journal of Applied Physics , v. 75, n.1, p. 538, 1994.

  • PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. ; ANDRADE, A. M. . TFTs With an a-SiCx:H Insulator Layer. Springer Proceedings In Physics, Springer Verlag, Berlin, v. 62, p. 387, 1992.

  • PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. . Photocurrent Oscillations in a-SiC:H Double Barrier Devices Exhibiting Negative Differential Resistance. Springer Proceedings In Physics, Springer Verlag, Berlin, v. 62, p. 387, 1992.

  • FANTINI, M.C.A. ; SANTOS, P. V. ; PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. . X-Ray Reflectivity of Amorphous Multyi Layers: Interface Modeling. 5th Brazilian School On Semiconductor Physics, World Scientific, Singapure, p. 225, 1992.

  • PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. ; ALVAREZ, F. . Negative Conductance and Sequential Tunelling in Amorphous Silicon-Silicon Carbide Double Barrier Devices. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 110, p. 175, 1989.

  • CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. ; KOMAZAWA, A. ; SASSAKI, C. A. ; ARASAKI, A. T. . Negative Resistance in a-SiCx:H Double Barrier Devices - Frequency Dependence. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 114, p. 762, 1989.

  • SASSAKI, C. A. ; ARASAKI, A. T. ; CARRENO, M.N.P. ; KOMAZAWA, A. ; PEREYRA, I. . Integral Thin Film Technology Amorphous Silicon Image Sensor. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 115, p. 90, 1989.

  • ONMORI, R. K. ; RAMOS, C. A. S. ; CARRENO, M.N.P. ; ANDRADE, A. M. ; PEREYRA, I. . Density of Gap States in Non-Stoichiometric a-SiCx:H Films. Thin Films And Small Particles, World Scientific, SIngapure, v. 11, p. 298, 1989.

  • KOMAZAWA, A. ; CARRENO, M.N.P. ; ANDRADE, A. M. ; PEREYRA, I. . Transistores de filme fino de a-Si:H/a-SiC:H. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, 1989.

  • ARASAKI, A. T. ; SASSAKI, C. A. ; CARRENO, M.N.P. ; KOMAZAWA, A. ; PEREYRA, I. . Um sensor de imagem básico em silício amorfo. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, 1989.

  • PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. ; ONMORI, R. K. ; SASSAKI, C. A. ; ANDRADE, A. M. ; ALVAREZ, F. . Evidence of quantum size effects in a-Si:H/a-SiC:H Superlattices. Observation of negative resistance in double barrier structures. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 97-98, p. 871-874, 1987.

  • SANEMATSU, M. S. ; PEREYRA, I. ; ANDRADE, A. M. ; MARTINS, R. F. P. . Highly Uniform Large Area A-Si: H Films. SOLAR CELLS, v. 14, p. 281-287, 1985.

  • CISNEROS, J. ; PEREYRA, I. ; MOEHLECKE, S. ; LOSCH, W. . Optical properties of off-Stoichiometric Germanium Nitride Compounds 'a-Ge1-xNx'. Journal of Non-Crystalline Solids , p. 0-0, 1985.

  • GUIMARÃES, M. S. ; CARRENO, M.N.P. ; ALAYO, M.I. ; PEREYRA, I. ; SINATORA, A. . Mercado de Micromáquinas deverá movimentar US$ 40 bilhões em 2002. Revista OESP METAl-MECÂNICA, São Paulo, , v. 35, p. 78 - 79, 30 dez. 1900.

  • FERIA, DEISSY ; LOPEZ, DIEGO ; CARRENO, MARCELO ; PEREYRA, INES . Few-layer large area graphene samples grown by CVD aiming application in electrochemical sensing devices.. In: 2018 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2018, Bento Gonçalves. 2018 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2018. p. 4.

  • BONELLI, T. S. ; PEREYRA, I. . A microfluidic device based on plasma nitrided self-organized TiO 2 nanotubes for photocatalytic reduction study. In: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017, Fortaleza. 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2017. p. 1.

  • ALBERTIN, K ; PEREIRA, I. ; PEREYRA, I. . Study of pH sensors based on TiO2 nanotubes. In: 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2014, Aracaju, BRAZIL. Proceedings 29 SBMICRO, 2014.

  • ALBERTIN, K ; RODINI, M. ; PEREYRA, INE'S . Hydrogen Sensors with TiO2 nanotubes. In: 29 SBMICRO, 2014, Aracaju, BRAZIL. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro. New York, 2014.

  • FRAGA, T. M. ; ALBERTIN, K ; PEREYRA, I. . TiO2 nanotubes production and characterization. In: 27th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2012, Brasilia. MICROELECTRONICS TECHNOLOGY AND DEVICES - SBMICRO 2012, 2012.

  • RIBEIRO, MA'RCIA ; ABE, IGOR Y. ; PEREYRA, INE'S . Structural and Electrical Characterization of Nanostructured a-SiN. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2011), 2011, Joao Pessoa. v. 39. p. 123-129.

  • FRAGA, TIAGO M. ; PEREYRA, INE'S ; ALBERTIN, KATIA F. . Production of TiO. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2011), 2011, Joao Pessoa. v. 39. p. 131-136.

  • ZANCHIN, VINICIUS R. ; CAVALLARI, MARCO ROBERTO ; FONSECA, FERNANDO J. ; ALBERTIN, KATIA F. ; PEREYRA, INE'S ; ANDRADE, ADNEI M. . Low Voltage Organic Devices with High-k TiOxNy and PMMA Dielectrics for Future Application on Flexible Electronics. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2011), 2011, Joao Pessoa. v. 39. p. 455-460.

  • ALBERTIN, K.F. ; VALLE, M. A. ; PEREYRA, I. . Study of MOS Capacitors with Annealed TiO2 Gate Dielectric Layer. In: 22nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2007, Ro de Janeiro. Microelectonics Technology and Devices SBMICRO 2007, 2007. v. 9. p. 461.

  • CARRENO, M.N.P. ; LOPES, A. T. ; ALAYO, M.I. ; PEREYRA, I. ; PEREYRA, I. . 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures. In: XVII International Conference on Microelectronics and Packaging (ICMP'2002), 2002, Porto Alegre, 2002.

  • SOUSA, R. M. ; CUPPARI, M. A. V. ; PINTAUDE, G. ; LÓPEZ, J. V. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. ; SINATORA, A. . Evaluation of the Fracture Toughness of Silicon Carbide Thin Films through Two Different Indentation Techniques. In: International Conference on Methalurgical Coating and Thin Films, ICMCTF 2001, 2001, San Diego, 2001.

  • LOPES, A. T. ; ALAYO, M.I. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. . Fabrication of Self-Sustained Membranes using PECVD SiOxNy Films. In: XV International Conference on Microelectronics and Packaging (ICMP'2000), 2000, Manaus. Proceedings of the XV International Conference on Microelectronics and Packaging, ICMP'2000, 2000. p. 327-330.

  • YU, Z. ; PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. . Wide optical bandgap window layer for Solar Cells. In: 11th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, 1999, Sapporo, Hokkaido. Technical Digest of International PVSEC-11, 1999. p. 381-382.

  • CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. . P-type doping in a-Si1-xCx:H obtained by PECVD. In: 11th International Conference on Thin Films, 1999, Cancun. Superficies y Vacio. México: Sociedad Mexicana de Ciencia de Superficies y Vacio A.C., 1999. v. 9. p. 119.

  • LÓPEZ, J. V. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. . Mechanical Properties of Boron Nitride Thin Films obtained by rf-PECVD at Low Temperatures. In: 11th International Conference on Thin Films, 1999, Cancún. Superficies y Vacío. México: Sociedad Mexicana de Ciencia de Superficies y Vacio A.C., 1999. v. 9. p. 104.

  • ALAYO, M.I. ; PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. . Deposition of Thick SiOxNy and SiO2 Films by PECVD. In: International Conference on Microelectronics and Packaging, ICMP'98, 1998, Curitiba, PR. Proceedings of the International Conference on Microelectronics and Packaging, ICMP'98,, 1998. p. 373.

  • CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. ; BOTTECHIA, J. P. . Low Temperature Pecvd Boron Nitride Films. In: International Conference on Methalurgical Coating and Thin Films, 1997. San Diego, California, USA.

  • CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. ; PERES, H. E. M. . N-type doping in a-SiC:H obtained under starving plasma condition. In: International Conference on Amorphous ans Crystalline Semiconductors, 1997, Budapespt. Budapest, Hungria, 1997.

  • CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. . Effect of the Starving Plasma condition on the properties of silicon carbon alloys deposited by PECVD. In: XI SBMICRO, 1996, Aguas de Lindóia, SP. Anais da XI SBMICRO, 1996.

  • CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. ; FANTINI, M.C.A. ; TAKAHASHI, H. ; LANDERS, R. . Structural Characterization of a-Si1-xCx:H for Applications in TFT's. In: VII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica,, 1992, São Paulo. Anais do VII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica,, 1992. p. 499.

  • FANTINI, M.C.A. ; PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. ; ANDRADE, A. M. . Influence on Hydrogen Plasma in the Properties of a-Si:H/a-SiC:H Interfaces. In: 10th Eurepean Photovoltaic Solar Energy Conference, 1991, Lisboa, 1991.

  • PEREYRA, I. . Improved Backside Hudrogenation On Semicrystalline Silicon Solar Cells By Rf Plasma. In: XXI ST IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE, 1990. FLORIDA, USA. p. 0-0.

  • PEREYRA, I. . Effect Of The Deposition Parameters On The Eletro-Optical Properties Of Micricrystalline Hydrogenation Silicon Alloys. In: XXI ST IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE, 1990. FLORIDA, USA. p. 0-0.

  • PEREYRA, I. . Annealing And Temperature Effects On Minority Carriers In Ion Implanted Silicon Solar Cells. In: XXI ST IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE, 1990. FLORIDA, USA. p. 0-0.

  • PEREYRA, I. . Negative Resistance In 'A-Sic Ind.X':H Double Barrier Devices-Frequency Dependence. In: XIII INTERNATIONAL CONFERENCE ON AMORPHOUS AND LIQUID SEMICOINDUCTORS, 1989. ASHEVILLE, USA. p. 0-0.

  • PEREYRA, I. . Study Of Carbon Incorporation In 'A-Si Ind. 1-X' Films. In: IX EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE, 1989. FREIBURG, ALEMANHA, OC.. p. 0-0.

  • PEREYRA, I. . .Ackside Hydrogenation On Semicrystalline Silicon Solar Cells By Rf Plasma. In: XXI EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE, 1989. FREIBURG,ALEMANHA OC.. p. 0-0.

  • PEREYRA, I. . Impurity Gettering In Semicrystalline Silicon Solar Cells. In: III RD INTERNATIONAL CONFERENCE OF GETTERING AND DEFECT IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, 1989. GARZAN, ALEMANHA, OR.. p. 0-0.

  • ONMORI, R. K. ; PEREYRA, I. ; SASSAKI, C. A. ; CARRENO, M.N.P. . Study of Carbon Incorporation in a-Si1-xCx:H Films. In: European Photovoltaic Solar Energy Conference, 1989, Freiburg, 1989.

  • PEREYRA, I. . Density, Of Gap States In Non-Stoichionetric 'A-Sic Ind.X' Films. In: V LATIN AMERICAN SYMPOSIUM OIN SURFACE PHYSICS, 1988. BOGOTA, COLOMBIA. p. 0-0.

  • PEREYRA, I. . Amorphous Silicon Thin Film Field Effect Transistor. In: V LATIN AMERICAN SYMPOSIUM ON SURFACE PHYSICS, 1988. BOGOTA, COLOMBIA. p. 0-0.

  • PEREYRA, I. . Evidence Of Quantum Size Effects In 'A-Si:H' 'A-Sic:H' Superlattices Observation Of Negative Resistance In Double Barrier Structures. In: XII INTERNATIONAL CONFERENCE OF AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS, 1987. PRAGA, CHECOSLOVAKIA. p. 0-0.

  • PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. ; ONMORI, R. K. ; SASSAKI, C. A. ; ANDRADE, A. M. . Efeitos das Dimensões Quânticas em Heteroestruturas de Si-a:H/Sic-a:H. In: II Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica,, 1987, São Paulo. Anais do II Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1987. p. 585.

  • PEREYRA, I. . Influence Of A Dc Electric Field On Hydrogen Incorporation And Doping Efficiency Of 'A-Si:H' Films. In: VII EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE, 1986. SEVILHA, ESPANHA. p. 0-0.

  • PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. ; SASSAKI, C. A. ; ANDRADE, A. M. . Influence of a DC Electric Field on the Hydrogen Incorporation and Doping Efficiency of a-Si:H Films. In: 7th EC Photovoltaic Solar Energy Conference, 1986, Sevilla, 1986.

  • PEREYRA, I. . Eletro-Optical Characterization Of'A-Si:H' Films Deposited In A Two Consecutive Decomposition And Deposition Chamber System. In: VI EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE, 1985. LONDRES, INGLATERRA. p. 0-0.

  • PEREYRA, I. . The Role Of Ito Layer On The Performance Of 'A-Si' Solar Cells Produced In A Two Consecutive Decompisition And Deposition Chamber System. In: VI EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE, 1985. LONDRES, INGLATERRA. p. 0-0.

  • CARRENO, M.N.P. ; BOTTECHIA, J. P. ; PEREYRA, I. . Nitreto de Boro obtido por PECVD a baixas temperaturas. In: XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1996, Aguas de Lindóa, SP, 1996.

  • PEREYRA, I. ; PRADO, R.J. ; CARRENO, M.N.P. ; FANTINI, M.C.A. ; TABACKNICS, M. R. . Análise do Espectro Vibracional de ligas de Silício-Carbono de Composição Variável. In: XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1996, Aguas de Lindóia, SP, 1996.

  • PRADO, R.J. ; BITTENCOURT, D. R. S. ; TABACKNICS, M. R. ; FANTINI, M.C.A. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. . Distribuição de Poros em a-SiC:H obtido por PECVD. In: XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1996, Aguas de Lindóia, SP, 1996.

  • CARRENO, M.N.P. ; ALAYO, M.I. ; PEREYRA, I. . Efeito da Condição de Starving Plasma na obtenção de Filmes de Carbeto de Silício Crescidos por PECVD. In: XVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1995, Caxambú, MG, 1995.

  • MASTELARO, V. ; FLANK, A. M. ; FANTINI, M.C.A. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. . EXAFS e SAXS de Filmes Finos de a-Si1-xCx:H. In: Oficina de Propriedades de Materiais de Camada Fina para Aplicações Fotovoltaicas, Microeletrônicas e Recobrimentos, 1994, Campinas, SP. Anais da Oficina de Propriedades de Materiais de Camada Fina para Aplicações Fotovoltaicas, Microeletrônicas e Recobrimentos, 1994.

  • MASTELARO, V. ; FLANK, A. M. ; FANTINI, M.C.A. ; BITTENCOURT, D. R. S. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. . On the Structural Properties of a-Si1-xCx:H thin Films. In: V Workshop de Usuários do LNLS, 1994, Campinas, SP. Anais do V Workshop de Usuários do LNLS, 1994.

  • VELASQUEZ, E. L. Z. ; FANTINI, M.C.A. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. ; TAKAHASHI, H. ; LANDERS, R. . Efeitos dos Parâmetros de Deposição sobre a Qualidade de Multicamadas de a-Si:H/a-Si1-xCx:H. In: XV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, ENFMC, 1992, Caxambú, MG. Anais da XV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1992.

  • MASTELARO, V. ; FLANK, A. M. ; FANTINI, M.C.A. ; BITTENCOURT, D. R. S. ; CARRENO, M.N.P. ; PEREYRA, I. . Determinação por EXAFS da Ordem Local de Filmes de a-Si1-xCx:H. In: XII Reunião da Sociedade Brasileira de Cristalografia, 1992, São Paulo, SP. Anais do XII Reunião da Sociedade Brasileira de Cristalografia, 1992.

  • FANTINI, M.C.A. ; SANTOS, P. V. ; PEREYRA, I. ; CARRENO, M.N.P. . Estudo por difração de raios-X de estruturas de multicamadas amorfas. In: XIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1990, Caxambú, MG. Anais do XIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada,, 1990.

  • FANTINI, M.C.A. ; CARRENO, M.N.P. ; SANTOS, P. V. ; PEREYRA, I. . Multicamadas Amorfas de a-Si:H/a-Ge:H e a-Si:H/a-SiC: Um Estudo por Difração de Raios-X a Baixo Ângulo. In: 17a Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Cristalografia, 1990, Campinas, SP. Anais da 17a Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Cristalografia, 1990.

  • ALBERTIN, K ; LOPES, A. T. ; Pereyra, Inés . ?Optimized Ti polishing techniques for enhanced order in TiO2 NT arrays. Applied Surface Science , 2013.

Projetos de pesquisa

  • 2013 - Atual

    Laboratório Avançado de Microeletrônica, Microssistemas e Nanotecnologia, Descrição: O projeto visa à atualização e reforma da Sala Limpa do Laboratório de Microeletrônica da Escola Politécnica da USP (LME/EPUSP) e a partir disso, o estabelecimento de uma Core Facility para processos de microfabricação, que disponibilizará à comunidade acadêmica da USP e do Brasil, assessoria e recursos tecnológicos fabricação de micro e nano estruturas e dispositivos para áreas tão diversas como a Microeletrônica, Biotecnologia, Medicina, Monitoramento Ambiental e Nanotecnologia em geral. O projeto conta com financiamento USP (Edital INFRA-USP 2012-2013).. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Mestrado acadêmico: (3) / Doutorado: (4) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador / Marco Isaías Alayo Chavez - Integrante / Marcelo Nelson Páez Carreo - Integrante / Gustavo Pamplona Rehder - Integrante.

  • 2012 - Atual

    Inovador substrato de nanofios de alto desempenho e baixo custo para aplicações em ondas milimétricas, Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador / Ariana L.C. Serrano - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

  • 2011 - Atual

    Desenvolvimento e Miniaturização de Filtros, Antenas e Linhas de Transmissão Inteligentes utilizando RF MEMS e BST em Frequências de Microondas, Descrição: Este projeto tem por objetivo o desenvolvimento de dispositivos inteligentes miniaturizados para aplicações em microondas através de uma colaboração entre três laboratórios: LME Laboratório de Microeletrônica da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, no Brasil, IMEP-LAHC Instituto de Microeletrônica, Eletromagnetismo, Fotônica e Caracterização em Microondas e TIMA Técnicas de Informática e de Microeletrônica para Arquitetura de sistemas integrados, ambos em Grenoble, na França.... , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador / Marcelo Nelson Páez Carreo - Integrante / Gustavo Pamplona Rehder - Integrante / Phillipe Ferrari - Integrante / Libor Rufer - Integrante / Ariana L.C. Serrano - Integrante.

  • 2009 - Atual

    Deposição e caracterização de Filmes Finos, Materiais Nanoestruturados e Biomoléculas, Descrição: O objetivo visa apoiar e viabilizar pesquisas conjuntas entre pesquisadores da UFMT, USP e SBPC, nas áreas de obtenção e caracterização de filmes finos, nanomateriais e biomoléculas. O projeto tem financiamento CAPES/PROCAD (Processo 2233/2008).. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (7) Doutorado: (1) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador / Marcia Carvalho de Abreu Fantini - Integrante / Marco Isaías Alayo - Integrante / Rogerio Junqueira Prado - Integrante / Marcelo Nelson Páez Carreo - Integrante / Edson Ferreira Chagas - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.

  • 2003 - Atual

    Bolsa CNPq 2003 -2014, Descrição: Auxilio Produtividade em Pesquisa CNPq,. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2001 - 2008

    Produção, Caracterização e Aplicações de Ligas Semicondutoras e Isolantes, Descrição: Descrição: Projeto TEMÁTICO FAPESP (Processo No 00/10027-3) "Produção, Caracterização e Aplicações de Ligas Semicondutoras e Isolantes", 2001 - 2005 O objetivo geral do projeto é garantir a continuidade das pesquisas que o grupo vem desenvolvendo com filmes finos de semicondutores e isolantes amorfos e microcristalinos depositados pela técnica de PECVD, aprofundando os estudos já realizados e estendendo as pesquisas em áreas que os resultados indicam como promissoras. Isto envolverá pesquisas sobre a obtenção, caracterização e otimização dos materiais em estudo, trabalhos de desenvolvimento de dispositivos opto-eletrônicos e aplicações nas quais esses materiais são de interesse. Além disso, o projeto também envolve a implementação de outras técnicas de deposição, como "Sputtering" e "CVD", para obter esses mesmo tipos de materiais. É também objetivo do projeto, consolidar nosso grupo de pesquisa, garantindo a infra-estrutura para realizar os trabalhos, e dando condições para aumentar nossos recursos humanos, possibilitando a realização, no grupo, de projetos de pós-doutorado e a vinda de professores visitantes, bem como dando continuidade ao desenvolvimento de trabalhos de mestrado e doutorado. Participação : Coordenador do projeto. Recursos : R$ 82 mil e US$ 400 mil + R$ 172 mil (de Reserva Técnica). Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação (1); Mestrado acadêmico (2); Doutorado (5). Integrantes: Inés Pereyra (Responsável); Marcelo Nelson Páez Carreo. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - FAPESP (Auxílio financeiro). I1Número de orientaçõesI0: 2.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador / Marcelo Nelson Páez Carreo - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

  • 2000 - 2002

    Bolsa CNPq 2000-2002, Descrição: Auxilio Produtividade em Pesquisa CNPq,. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador.

  • 1998 - 2000

    Modernização da Sala de PECVD e de Caracterização de Novos Materiais, Descrição: Descrição: Projeto FAPESP No96/10931-4 (Infra-Estrutura, Fase III) "Modernização da Sala de PECVD e de Caracterização de Novos Materiais", 1998-2000 O projeto objetivou a reforma, melhora nas condições de segurança e adequação das duas salas onde são levadas a efeito as pesquisas com filmes e dispositivos obtidos pela técnica de PECVD : a sala dos reatores de PECVD propriamente dita, onde são obtidos os filmes/dispositivos e a sala de caracterização de novos materiais, onde parte da caracterização dos mesmos é realizada. A proposta de adequação inclui a aquisição de material permanente nacional e importado como, bombas mecânicas, exaustores, detetores de gases tóxicos, etc. Participação : Coordenadora dlo projeto. Recursos : R$ 37.000,00 e US$ 39.700,00 . Alunos envolvidos: Graduação (7). Número de produções C, T & A: 16 / Número de orientações: 7.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador / Marcelo Nelson Páez Carreo - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

  • 1997 - 1999

    Bolsa CNPq 97-99, Descrição: Auxilio Produtividade em Pesquisa CNPq,. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 1992 - 1994

    Estudo e Desenvolvimento de Ligas de Silício Amorfo Hidrogenado para Aplicação em Transistores de Filme Fino e Multicamadas, Descrição: Projeto FAPESP No 91/5213-1 Participação : Coodenadora. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador / Marcelo Nelson Páez Carreo - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

  • 1991 - 1993

    Caracterização de Materiais para Microeletrônica por Espectroscopia de Infravermelho com Transformada de Fourier, Descrição: Projeto FAPESP No 90/3354-4 Parcticipação : Coordenador. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Inés Pereyra - Coordenador / Marcelo Nelson Páez Carreo - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

Histórico profissional

Endereço profissional

  • Universidade de São Paulo, Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis. , Laboratório de Microeletrônica, Butantã, 05424970 - Sao Paulo, SP - Brasil - Caixa-postal: 61548, Telefone: (11) 8185256, Fax: (11) 818-5585

Experiência profissional

2001 - Atual

Universidade de São Paulo

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 0

1996 - 2001

Universidade de São Paulo

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Associado, MS5, Carga horária: 0

1988 - 1995

Universidade de São Paulo

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Assistente Doutor (MS3), Carga horária: 0

1982 - 1988

Universidade de São Paulo

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Pesquisador Doutor, Carga horária: 40

Atividades

  • 10/2003

    Direção e administração, Escola Politécnica, Departamento de Engenharia de Sistema Eletrônicos.,Cargo ou função, Chefe de Departamento.

  • 10/2003

    Conselhos, Comissões e Consultoria, Escola Politécnica, Departamento de Engenharia de Sistema Eletrônicos.,Cargo ou função, Membro de conselho de unidade.

  • 12/2001

    Pesquisa e desenvolvimento, Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.,Linhas de pesquisa

  • 12/2001

    Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Laboratório de Eletricidade 1, PEE315

  • 12/2001

    Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Propriedades Físicas dos Semicondutores, PEE-861

  • 10/1991

    Conselhos, Comissões e Consultoria, Universidade de São Paulo.,Cargo ou função, membro de conselho de departamento.

  • 01/1996 - 11/2001

    Pesquisa e desenvolvimento, Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.,Linhas de pesquisa

  • 01/1996 - 11/2001

    Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Laboratório de Eletricidade 1, PEE-315, Laboratório de Eletricidade 2, PEE-316, Introdução aos Transdutores, PEE-629, Física de Dispositivos a Semicondutor, PEE-440

  • 01/1996 - 11/2001

    Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Física do Sistema MOS, PEE-851, Propriedades Físicas dos Semicondutores, PEE-861, Semicondutores e Dispositivos Semicondutores, PEE-853

  • 11/1988 - 12/1995

    Pesquisa e desenvolvimento, Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.,Linhas de pesquisa

  • 11/1988 - 12/1995

    Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Fisica dos Dispositivos a Semicondutor, PEE-440, Laboratório de Processos, PEL-627, Processos 1, PEE-445

  • 11/1988 - 12/1995

    Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivos Semicondutores, PEE-853, Física do Sistema MOS, PEE-851, Semicondutores e Dispositivos Semicondutores, PEE-853

  • 10/1982 - 10/1988

    Pesquisa e desenvolvimento, Escola Politécnica, Laboratório de Sistemas Integráveis.,Linhas de pesquisa

  • 01/1982 - 10/1988

    Ensino, Engenharia Elétrica, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Mecanismos de Transporte em Células Solares, Tópicos Especiais em Conversão Fotovoltaica de Energia, PEL-913, Introdução à Física e Tecnologia das células solares, PEL-769, Introdução às Células Solares de silício amorfo, PEL- 858