Fernando Iikawa

Pós-doutorado

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Produções bibliográficas

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• IIKAWA, F. ; GUANG, Y. ; HEY, R. ; SANTOS, P.v. . Long-range spin transport by acoustic fields in GaAs quantum wells. In: International Conference on Solid State Devices and Materials, 2005, Tokyo. International Conference on Solid State Devices and Materials, 2005.

• GODOY, M.p.f. ; NAKAEMA, M. K.k. ; GOMES, P F ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; CAETANO, R. A. ; BORTOLETO, J R R ; COTTA, M. A. ; BITTENCOURT, A.c.r. ; MARQUES, G E . Exciton zeeman splitting in type-ii self-assembled quantum dots. In: 9th International Conference on Optics of Excitons in Confined Systems, 2005, southompton. 9th International Conference on Optics of Excitons in Confined Systems, 2005.

• GODOY, M.p.f. ; NAKAEMA, M. K.k. ; GOMES, P F ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; BORTOLETO, J R R ; COTTA, M A ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ; RIBEIRO, E. ; MARQUES, G E ; BITTENCOURT, A.c.r. . Wave function analysis of type-II self-assembled quantum dot structures using magneto-optics. In: International Conference on Superlattices, Nano-structures and Nano-devices, 2004, Cancun. International Conference on Superlattices, Nano-structures and Nano-devices, 2004.

• IIKAWA, F. ; NAKAEMA, M. K.k. ; LUYO, S. J. ; BRASIL, M.j.s.p. ; RIBEIRO, E. ; MEDEIROS-RIBEIRO, G. ; PETROFF, P.m. ; BRUM, J.a. . Micro-photoluminescence of self-assembled quantum-dots in the presence of an electron gas. In: 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá. 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001.

• IIKAWA, F. ; TUDURY, H. A. P. ; NAKAEMA, M. K.k. ; GODOY, M.p.f. ; BRUM, J.a. ; RIBEIRO, E. ; CARVALHO JR, W. ; BERNUSSI, A. A. ; GOBBI, A. L. . Strain dependent optical emission line shape in n-type InGaAs/InP quantum wells. In: 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá. 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001.

• IIKAWA, F. ; URDANIVIA, J. ; RIBEIRO, E. ; BRASIL, M. J. S. P. ; BRUM, J. A. ; BERNUSSI, A. A. ; CARVALHO JR, W. ; GOBBI, A. L. ; FURTADO, M. T. . Band engineering in InGaAs/InP strained-layer single quantum wells. In: 9th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1999, Belo Horizonte, 1999.

• IIKAWA, F. ; URDANIVIA, J. ; TRIQUES, A. L. C. ; MAIALLE, M Z ; BRUM, J. A. ; GOBBI, A. L. ; BORGHS, G. . Optical spin spin-polarization in n-type modulation doped quantum well. In: 8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1997, Águas de Lindóia, 1997.

• IIKAWA, F. ; ABBADE, M. L. F. ; BRUM, J. A. ; BERNUSSI, A. A. ; PEREIRA, R. G. ; BORGHS, G. . Resonant Magneto-Polaron Effects In Ingaas/Gaas/Algaas Modulation Doped Single Quantum Well. In: 7th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1995, Rio de Janeiro, 1995.

• IIKAWA, F. ; TROESTER, T. ; BORGHS, G. . Inelastic Light Scattering On A Modulation Doped Ingaas/Gaas Single Quantum Well. In: 7th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1995, Rio de Janeiro, 1995.

• IIKAWA, F. ; ABBADE, M. L. F. ; BERNUSSI, A. A. ; BRASIL, M. J. S. P. ; BRUM, J. A. ; SCHULZ, P. A. ; PEREIRA, R. G. ; BORGHS, G. . New Features In Optical Emission Of A Dense 2d Electron Gas. In: 7th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices, 1994, Banff, 1995.

• IIKAWA, F. ; MARQUEZINI, M. V. ; BRASIL, M. J. S. P. ; BERNUSSI, A. A. ; COTTA, M A ; BRUM, J. A. ; HAMM, R. A. ; CHU, S. N. G. ; HARRIOTT, L. R. ; TEMPKIN, H. . Evidence Of Lateral Confinement On Quantum Wells With Thichness Modulation. In: 7th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices, 1994, Banf, 1995.

• IIKAWA, F. ; MARQUEZINI, M. V. ; BRASIL, M. J. S. P. ; COTTA, M. A. ; BERNUSSI, A. A. ; HAMM, R. A. ; CHU, S. N. G. ; HARRIOTT, L. R. ; TEMPKIM, H. . Spacial Localization Of Excitons In Quantum Wells With Thickness Variation. In: 36th Electronic Materials Conference, 1994, Boulder, 1994.

• IIKAWA, F. ; TRALLERO-GINER, C. ; CARDONA, M. . Multiphono Resonant Raman Scattering In A Magnetic Field. In: PROC. 13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON RAMAN SPECTROSCOPY, 1992, Wuezburg. WURZBURG - BERLIM - ALEMANHA, 1992. p. 0-0.

• IIKAWA, F. ; BERNUSSI, A. A. ; MOTISUKE, P. ; BASMAJI, P. ; LIU, M. A. ; HIPÓLITO, O. . Photoreflectance Characterization Of Silicon Delta Doped P-GaAs. In: PROCEEDING OF INTERNATIONAL CONFERENCE ON MODULATION SPECTROSCOPY, 1990, San Diego. SAN DIEGO - CALIFORNIA - USA, 1990. p. 0-0.

• SANTOS, G. E. ; BALANTA, M A G ; Brasil, M J S P ; COUTO JR, O D D ; LIANG, B. L. ; HUFFAKER, D. L. ; Iikawa, F. . Wave-function engineering in type-II quantum dot/quantum well hybrid structures. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• RAPPL, P. ; MOTISUKE, P. ; Odilon D. D. Couto Jr. ; LANG, R. ; MOLLER, M. ; BALANTA, M A G ; Brasil, M J S P ; Iikawa, F. . Near-Gap Magneto-Optical Sharp Lines from PbEuTe Alloys. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Iikawa, F. ; Alberto Hernández-Mínguez ; RAMSTEINER, M. ; SANTOS, P. V. . Optical Phonon Modulation by Surface Acoustic Waves. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• MOLLER, M. ; OLIVEIRA, D. S. ; MOLINA-SANCHES, A. ; LIMA JR., M. M. ; CANTARERO, A. ; GADRET, E. G. ; COTTA, M A ; Iikawa, F. ; MOTISUKE, P. . Surface Effects on Optical Properties of InAs/InP Core/Shell Nanowires. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• BALANTA, M A G ; Brasil, M J S P ; Iikawa, F. ; MENDES, UDSON C. ; BRUM, J A ; DANILOV, Yu. A. ; DOROKHIN, M. V. ; VIKHROVA, O. ; ZVONKOV, B. . Electronic Coupling Between InGaAs Quantum Wells & Mn-delta Doping Layers. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Alberto Hernández-Mínguez ; de Oliveira Junior, Myriano Henriques ; IIKAWA, F. ; TAHRAOUI, A. ; LOPES, J M J ; SANTOS, P. V. . Electrically Excited Surface Acoustic Waves on Gated Graphene on SiC. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Jose Roberto Mialichi ; Brasil, M J S P ; Iikawa, F. ; Verissimo, Carla ; SAVU, R. ; Moshkalev, Stanislav A. . Effect of laser heating on carbon nanotube bundles probed by Raman scattering. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Möller, M ; de Lima Jr, M M ; Cantarero, A. ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. ; Iikawa, F. . Optical Properties of Wurtzite InAs Nanowires. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Heredia, E. ; MOTISUKE, P. ; RAPPL, P. ; BRASIL, M. J. S. P. ; Iikawa, F. . High energy optical emission side band in EuTe epitaxial layer. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• BALANTA, M A G ; Brasil, M J S P ; Iikawa, F. ; BRUM, J. A. ; MENDES, U C ; DANILOV, YU A ; Vikhrova, O. V. ; Zvonkov, B. N. . Optical investigation of the Mn impurity band in Mn:GaAs structures. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Gadret, E. G. ; Iikawa, F. ; Chiaramonte, T ; COTTA, M. A. ; Möller, M ; de Lima, M. M. ; Cantarero, A. ; Madureira, J. R. . Resonant Raman scattering of wurtzite InP nanowires enhanced by catalyst Au nanoparticles. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Baganha, C. C. ; RIBEIRO, E. ; Edilson Silveira ; BRASIL, M. J. S. P. ; BRASIL, M.j.s.p. ; IIKAWA, F. ; Sias, U. S. ; Moreira, E. C. . Temperature dependence of the light emission of Si nanocrystals embedded in SiO2. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• SUAREZ, E. A. ; MOTISUKE, P. ; RAPPL, P. H. O. ; BRASIL, M. J. S. P. ; IIKAWA, F. ; Beatriz Diaz ; Angelo Malachias . MBE-Growth and characterization of EuTe thin films and quantum dots. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Gadret, E. G. ; Guilherme Osvaldo Dias ; Ruffo, C. V. R. S. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; Thallita Chiaramonte ; COTTA, M. A. ; de Lima Jr, M M ; Cantarero, A. ; Dacal, L. C. O. . Wurtzite InP Nanowires: Photoluminescence spectroscopy and ab-initio calculations. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Möller, M. ; de LIma Jr., M. M. ; Cantarero, A. ; Dacal, L. C. O. ; IIKAWA, F. ; Thallita Chiaramonte ; COTTA, M. A. ; MADUREIRA, J R . Polarized and resonant Raman scattering on single InAs nanowires. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Jose Roberto Mialichi ; Angela M. O. de Zevallos-Márquez ; BRASIL, M. J. S. P. ; IIKAWA, F. ; Alireza Abbaspourrad ; Verissimo, Carla ; Moshkalev, Stanislav A. ; Alves, Oswaldo L. . Raman investigation of single and multi-walled carbon nanotubes decorated with TiO2 nanoparticles. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• B. H. B. Santos ; RIBEIRO, E. ; COTTA, M. A. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; Cantarero, A. . Optical properties of nanostructures with three-dimensional arrangement. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Balanta, M. A. G. ; Lang, R ; BRASIL, M. J. S. P. ; IIKAWA, F. ; BRUM, J. A. ; MAIALLE, M. Z. ; DANILOV, Yu. A. ; Dorokhin, M. V. ; Vikhrova, O. V. ; Zvonkov, B. N. . Spin relaxation of electrons in InGaAs/GaAs quantum wells with delta-Mn-doped barriers. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• J. L. González-Arango ; Lang, R ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; COTTA, M. A. ; Heredia, E. . Carrier dynamics in type II stacked quantum dots and quantum posts. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• BALANTA, M A G ; Brasil, M J S P ; Iikawa, F ; MENDES, U C ; BRUM, J.a. ; DANILOV, YU A ; Dorokhin, M. V. ; Vikhrova, O. V. ; ZVONKOV, B N . EFFECT OF MN IONS ON THE SPIN DYNAMICS OF CONFINED EXCITONS. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Möller, M ; de Lima, M. ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. ; Iikawa, F. ; Cantarero, A. . EXCITONIC RECOMBINATION IN WURTZITE INAS NANOWIRES. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Gadret, E. G. ; Iikawa, F. ; Brasil, M J S P ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. ; Dacal, L. C. O. ; de Lima, M. M. ; Cantarero, A. . VALENCE BAND POLARIZATION OF WURTZITE INP NANOWIRES. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• ARANGO, J. L. G. ; Lang, R ; Heredia, E. ; Tizei, L. ; Iikawa, F. ; Brasil, M J S P ; COTTA, M. A. ; Ugarte, D . SPATIAL CARRIER DISTRIBUTION IN TYPE-II MULTILAYER QUANTUM DOT STRUCTURES. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Iikawa, F. ; DONCHEV, V. ; IVANOV, Ts. ; Dias, G O ; Tizei, L. H. G. ; GOMES, P F ; BRASIL, M. J. S. P. ; COTTA, M. A. ; UGARTE, D. ; Martinez Pastor, J. P. ; de LIma Jr., M. M. ; Cantarero, A. . Spatial carrier distribution in type II quantum dots and quantum posts. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Gadret, E. G. ; Ruffo, C. V. R. S. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. ; de LIma Jr., M. M. ; Cantarero, A. ; Dacal, L. C. O. . Valence band splitting in Wurtzite InP nanowires. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Möller, M ; Dacal, L. C. O. ; de LIma Jr., M. M. ; Iikawa, F. ; IIKAWA, F. ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. ; Cantarero, A. . E1 gap of wurtzite InAs single nanowires measured by means of resonant Raman spectroscopy. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Baganha, C. C. ; RIBEIRO, E. ; Edilson Silveira ; BRASIL, M. J. S. P. ; Iikawa, F. ; IIKAWA, F. ; Sias, U. S. ; Moreira, E. C. . On the nature of the light emission of Si nanoparticles embedded in SiO2. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Teodoro M. D. ; Campo Jr. V. L. ; Lopez-Richard V. ; Marega Jr. E. ; Marques G. E. ; Gobato Y. G. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; AbuWaar, Z. Y. ; Dorogan, V. G. ; Mazur, Y. I. ; Benamara, M. ; Salamo, G. J. . Aharonov-Bohm interference in neutral excitons: effects of built-in electric fields. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• LAZIC, S. ; COUTO JR, O D D ; IIKAWA, F. ; STOTZ, J. ; JAHN, U. ; HEY, R. ; SANTOS, P.v. . Acoustically-driven single photon sources on (311)A GaAs. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• de Godoy, M. P. F. ; Chitta, V. A. ; Ortiz de Zevallos, A. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; da Costa, G. M> ; Sabioni, A. C. S. ; de Carvalho, H. B. . Absence of Magnetic Ordering in High Quality Bulk Co-doped ZnO. 2009. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Gadret, E. G. ; Iikawa, F. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. ; Tizei, L. H. G. ; UGARTE, D. ; de LIma Jr., M. M. ; Dacal, L. C. O. ; Cantarero, A. . Optical emission from the A- and B-valence band from wurtzite InP nanowires. 2009. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Gazoto, A. L. ; Balanta, M. A. G. ; BRASIL, M. J. S. P. ; IIKAWA, F. ; RIBEIRO, E. ; DANILOV, Yu. A. ; Dorokhin, M. V. ; Vikhrova, O. V. ; Zvonkov, B. N. ; Drozdov, N. Yu. ; Sapozhnikov, M. V. . Effect of Mn Ions on the Spin-Relaxation Time of Electrons. 2009. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• LAZIC, S. ; COUTO JR, O D D ; IIKAWA, F. ; JAHN, U. ; HEY, R. ; SANTOS, P.v. . Single-photon sources on GaAs(311)A based on acoustic transport. 2009. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

Projetos de pesquisa

• 2016 - Atual

  Nanoestruturas de semicondutoras III-V e suas propriedades ópticas, Descrição: O projeto tem como finalidade investigar as propriedades ópticas de nanoestruturas de semicondutores III-V visando, em particular, emissores de luz de fótons individuais. A importância desses emissores de luz se deve a sua aplicação em informação e computação quântica. Neste projeto, pretendemos contribuir nessa área investigando sistemas nanoestruturados de semicondutores, no caso, pontos quânticos, que têm características de emissores de um fóton por vez. Investigaremos dois sistemas: um deles é o ponto quântico de InAsP inserido no nanofio de InP, crescido pelo método vapor-liquid-solid, e o segundo, é o ponto quântico epitaxial, livre de tensão elástica, de GaAs/AlGaAs. Ambos os sistemas serão depois inseridos em microcavidades ópticas para amplificar a emissão. O estudo engloba desde o desenvolvimento dos sistemas emissores de luz e suas propriedades ópticas até o estudo da interação éxciton-fóton, onde envolve o acoplamento da radiação eletromagnética com os excitons. Através deste projeto pretendemos adquirir conhecimentos científicos e tecnológicos sobre o desenvolvimento de fontes de fótons individuais nesses materiais e conhecer suas principais características.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Fernando Iikawa - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 2013 - 2015

  Estudo de semicondutores nanoestruturados por espectroscopia óptica, Descrição: O projeto tem como objetivo investigar as propriedades ópticas e vibracionais de semicondutores nanoestruturados, como nanofios e pontos quânticos. Os sistemas nanoestruturados são de grande interesse em aplicações tecnológicas em diversas áreas, tais como, a fabricação de dispositivos ópticos e optoeletrônicos, marcadores em aplicações biológicas e sensores de gases. Para funcionalização dos dispositivos é essencial o conhecimento básico das propriedades físicas das estruturas como as propriedades ópticas. Investigaremos uma série de heteroestruturas baseadas em pontos quânticos auto-organizados tipo-II de InP/GaAs e de GaSb/GaAs, incluindo estruturas hibridizadas envolvendo pontos e poços quânticos. Essa hibridização nos permite controlar a separação espacial entre portadores, elétrons e buracos, pois a estrutura foi projetada para que um deles fique confinado nos pontos quânticos e o outro, nos poços quânticos. O controle da separação espacial entre elétrons-buracos significa controle do tempo de recombinação, um parâmetro importante para a fabricação de dispositivos ópticos. O estudo da dinâmica dos portadores e de spin é uma das principais linhas de pesquisa do projeto nessas estruturas. Investigaremos também materiais com fase cristalina pouco estudada em compostos III-V, como, por ex., a fase wurtzita em fosfetos (InP) e arsenetos (GaAs e InAs) em nanofios. Através das técnicas de medidas ópticas pretendemos extrair informações sobre a estrutura eletrônica e as propriedades vibracionais. Os nanofios na forma heteroestruturada de materiais III-V serão também investigados.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (3) . , Integrantes: Fernando Iikawa - Coordenador / Brasil, M J S P - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

• 2012 - 2014

  Propriedades ópticas de nanoestruturas semicondutoras, Descrição: Neste projeto serão investigadas as propriedades ópticas de semicondutores nanoestruturados baseados em pontos quânticos auto-organizados e nanofios. As estruturas contendo pontos quânticos são preparadas de tal forma que os elétrons e buracos ficam espacialmente separados na estrutura, com isso, pretendemos manipular a distribuição espacial da função de onda e o tempo de vida dos portadores. Devido à forte localização espacial dos portadores em sistemas como pontos quânticos favorece a supressão dos mecanismos eficientes de relaxação de spin relacionados com o movimento, aumentando o seu tempo de vida de spin, assim outros mecanismos menos eficientes, tais como interação portador-núcleo, tornam-se importantes. Nesse caso, é essencial que a escala de tempo de vida dos portadores seja da ordem de grandeza ou mais longo para investigar a dinâmica de spin por técnicas ópticas. Outra nanoestrutura do nosso interesse é o nanofio de compostos III-V. Esses nanofios apresentam fases cristalinas que não tem sido observada na forma ?bulk? que, no geral, estão na fase cúbica. Os nanofios crescidos por método VLS (vapor-liquid-solid) de compostos III-V têm sido observados na fase wrutzita e suas propriedades ópticas são pouco conhecidas. Além disso, a coexistência das duas fases, cúbicas e hexagonais, forma poços quânticos devido à diferença da energia do gap entre as duas fases, confinando assim portadores ao longo do nanofio. Esse efeito altera as propriedades ópticas e de spin em nanofios e serão os assuntos tratados neste projeto.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Fernando Iikawa - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 2009 - 2012

  CAPES - Procad- Processo: 126/2007 : ? propriedades ópticas de materiais avançados?, Descrição: Estudo de propriedades ópticas de diversos materiais semicondutores envolvendo o nosso grupo e o grupo da Universidade Federal do Paraná. Valor: R$ 38.419,50. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (2) . , Integrantes: Fernando Iikawa - Integrante / M. J. S. P. Brasil - Coordenador / E. Ribeiro - Integrante / Silveira, E. - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.

• 2009 - 2011

  Universao cnpq Proc. no. 478638/2009-4:, Descrição: Estudo de propriedades ópticas de nanosistemas semicondutores através das técnica de medidas como espalhamento micrao-Raman e micro-fotoluminescência. Os materiais investigados são: nanofios de compostos III-V, pontos quânticos de InP/GaAs, nanotubos de carbono, semicondutores-magnéticos, etc. Auxílio concedido: R$ 32.550,00.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Fernando Iikawa - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 15 / Número de orientações: 1

• 2008 - 2010

  Auxilio Individual da Fapesp Proc. no. 2007/58375-9:, Descrição: Trata-se de projeto de investigação de propriedades ópticas de heteroestruturas de semicondutores baseados em pontos quanticos de InP e nanofios de compostos III-V. Auxílio concedido: Nacional - US$ 43.700,00 e Importado - US$ 116.587,07.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (1) . , Integrantes: Fernando Iikawa - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 25 / Número de orientações: 1

• 2007 - 2009

  Projeto de cooperação internacional CAPES/DGU-Espanha: ?Propriedades ópticas de nanoestruturas de semicondutores?, Descrição: Projeto de cooperação internacional entre o nosso grupo e o grupo da Universidade de Valencia cuja finalidade é investigar propriedades ópticas de nanoestruturas de semicondutores. Valor: R$ 112.000,00 no período de Fevereiro de 2007 a Janeiro de 2009 Valor: R$ 71.176,76 no período de Fevereiro de 2009 a Janeiro de 2011. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (2) . , Integrantes: Fernando Iikawa - Coordenador / M. J. S. P. Brasil - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 14

• 2007 - 2008

  CNPq - Multiusuário - Processo no. 410680/2006-0: ?Análise de nanoestruturas semicondutoras por espectroscopia óptica no infra-vermelho proximo", Descrição: Melhoria no sistema de medidas opticas na faixa de infra-vermelho próximo, região de emissão óptica da maioria dos materiais investigados no grupo, tais como, compostos III-V. Valor: R$ 244.700,00. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (4) . , Integrantes: Fernando Iikawa - Integrante / M. J. S. P. Brasil - Coordenador / E. Ribeiro - Integrante / G. Medeiros-Ribeiro - Integrante / Yara G. Gobato - Integrante / Silveira, E. - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

• 2002 - 2007

  Projeto temático da Fapesp - Proc. no. 01/01067-4: "Estudo de Sistemas de Baixa Dimensionalidade ", Descrição: Este Projeto tem como objetivo desenvolver pesquisas fundamentais de fronteira na área de sistemas de baixa dimensionalidade, nanoestruturas em geral, com ênfase em sistemas semicondutores. A maioria dos trabalhos seguem as linhas de pesquisa já em desenvolvimento pela Equipe. Entretanto, há um esforço na direção de diversificar, visando principalmente novos materiais nanoestruturados procurando uma pesquisa mais multidisciplinar. A estratégia de trabalho segue enfatizando a interação xperimental-teórico. Além disso, procuramos também fortalecer as colaborações nacionais e internacionais. O projeto concentra seus esforços em seis aspectos fortemente interrelacionados da física de semicondutores e nanoestruturas em geral: - Dinâmica de portadores; - Efeitos estruturais; - Sistemas correlacionados (efeitos de muitos corpos); - Propriedades de transporte; - Propriedades opticas em regime de acoplamento intenso; - Novos materiais. Auxílio concedido: US$ 300.000,00. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (5) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (4) . , Integrantes: Fernando Iikawa - Integrante / J. A. Brum - Coordenador / F. Cerdeira - Integrante / P A Schulz - Integrante / M.J.S.P. Brasil - Integrante / E. A. Meneses - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 44

• 1996 - 1998

  Projeto Temático da Fapesp - Proc. no. 95/4673-0: "Estudo de Heteroestrutura de Semicondutores ", Descrição: O projeto centra sua atenção em quatro aspectos fortemente intercorrelacionados da física de heteroestruturas de semicondutores: - Correlação eletrônica ou efeitos de muitos corpos; - dinâmica de portadores e excitons - evolução temporal dos estados excitados; - interação campo eletromagnético com o estado fundamental e excitações elementares dos semicondutores e heteroestruturas; - efeitos de rugosidades de interfaces em heteroestruturas. Auxílio concedido: US$ 294.700,00. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (5) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (6) . , Integrantes: Fernando Iikawa - Integrante / J A Brum - Coordenador / F. Cerdeira - Integrante / P A Schulz - Integrante / M.J.S.P. Brasil - Integrante / E. A. Meneses - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 16

• 1993 - 1995

  Projeto Temático da Fapesp - Proc. no. 93/0915-3: " Heteroestrutura de Semicondutores", Descrição: O objetivo do projeto é desenvolver pesquisa fundamental e de fronteira na área de novos materiais semicondutores, em partiuclar as heteroestruturas de semicondutores. Procuramos convergir o trabalho experimental e teórico, trabalhando estreitamente ligado aos grupos de crescimento de semicondutores, na Unicamp e fora desta. Os trabalhos específicos são: - estudo de interfaces de heteroestruturas de semcondutores; - efeitos de muitos corpos; - ressonância de Fano entre estados excitônicos; - estudo de superredes de Si/Ge - estudo de propriedades de transporte. Auxílio concedido: Nacional - US$37.000,00 e Importado - US$205.000,00.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (4) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (9) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (7) . , Integrantes: Fernando Iikawa - Integrante / P. Motisuke - Integrante / J. A. Brum - Integrante / F. Cerdeira - Coordenador / P A Schulz - Integrante / M.J.S.P. Brasil - Integrante / A. A. Bernussi - Integrante / E. A. Meneses - Integrante / V L Crivelenti - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 9