Núbia Beatriz Sicchieri

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Produções bibliográficas

• SICCHIERI, N. B. ; CHIQUITO, A. J. ; GOUVEIA, R. C. . Electronic and optoelectronic properties of intrinsic and cooper-doped germanium nanowire network devices. Materialstoday:PROCEEDINGS, p. 1872 - 1877.

• SICCHIERI, N. B. ; GOUVEIA, R. C. . ABORDAGEM INTERDISCIPLINAR DOS SEMICONDUTORES NA EDUCAÇÃO PROFISSIONAL E TECNOLÓGICA: ESTUDO COMPARATIVO. 2019. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

Outras produções

Projetos de pesquisa

• 2021 - 2021

  ESTUDO DO TRANPORTE ELETRÔNICO EM NANOFIOS DE GERMÂNIO, Descrição: Desenvolvimento da pesquisa no âmbito do Programa Institucional Voluntário de Iniciação científica e/ou Tecnológica (PIVICT). Sobre o Projeto: A crescente redução no tamanho dos equipamentos eletrônicos motivou a pesquisa em nanoestruturas. Devido ao reduzido tamanho, essas estruturas apresentam algumas propriedades diferentes dos materiais macroscópicos, dentre elas o transporte de corrente, especialmente quando se trata de materiais semicondutores. O Germânio é um dos semicondutores tracionais, e medidas de resistência em função da temperatura em redes de nanofios de germânio mostram que o transporte de corrente não segue o comportamento típico da ativação térmica, e nem se ajusta adequadamente a processos isolados de hopping; além disso, os contatos entre os nanofios e dos nanofios com terminais metálicos externos influenciam no comportamento das medidas. Assim, o objetivo deste projeto de pesquisa foi investigar as possibilidades no transporte de corrente em redes de nananofios de Gerâmio buscando um modelo que permitisse um ajuste adequado aos dados experimentais. O estudo foi desenvolvido com uso de software gráfico para análise de dados e estatística ? OriginLab, e diversos gráficos de resistência em função da temperatura e tensão em função da temperatura, sendo feita uma análise dos resultados. Verificou-se uma melhoria no ajuste dos dados experimentais a uma associação dos dois mecanismos de transporte de corrente, prevalecendo a condutividade por hopping em baixas temperaturas e por ativação térmica em temperaturas mais elevadas. Confirmou-se, porém, a complexidade do fenômeno de transporte em nanofios semicondutores, sendo necessários acrescentar outros processos para a obtenção de um ajuste mais adequado de algumas amostras.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) . , Integrantes: Núbia Beatriz Sicchieri - Integrante / Riama Coelho Gouveia - Coordenador.

• 2019 - 2020

  Estudo das propriedades optoeletrônica de dispositivos de rede de nanofios de germânio para aplicação de luz e células solares., Descrição: Projeto de pesquisa no âmbito do Programa Institucional de Bolsasde Iniciação Científica e/ou Tecnológica (PIVICT/CNPq) do IFSP Câmpus Sertãozinho. Sobre o projeto: A relação área superficial/ volume de semicondutores nanoestruturados favorece a eficiência de dispositivos baseados em nanofios, como sensores ou células solares. Nesta perspectiva, o objetivo do projeto foi sintetizar nanofios de germânio, com e sem a adição de dopante cobre, produzir dispositivos de rede de nanofios e investigar propriedades eletrônicas e optoeletrônicas, tendo em vista a utilização como sensores de luz. O primeiro passo foi a formação de nanopartículas de ouro por tratamento térmico e a síntese dos nanofios pelo método VLS; das vinte e cinco amostras produzidas no processo, dezessete apresentaram nanofios com dimensões e composição desejada. Na etapa seguinte foram elaborados dispositivos na arquitetura metal-nanofio-metal. Na caracterização inicial, as medidas de tensão por temperatura mostraram o caráter semicondutor dos nanofios de germânio e as medidas de corrente por tensão indicaram que é possível produzir tanto dispositivos ôhmicos quanto com a presença de barreira de potencial. Para o estudo das propriedades optoeletrônicas foi observado o comportamento das amostras sem e com a presença de luz e pode-se concluir que aquelas que tinham menor corrente no escuro tiveram mais resposta à luz; sendo analisadas mais profundamente estas amostras mostraram rápida saturação da foto-corrente com a potência.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) . , Integrantes: Núbia Beatriz Sicchieri - Integrante / Riama Coelho Gouveia - Coordenador.

• 2019 - 2019

  ABORDAGEM INTERDISCILINAR DOS SEMICONDUTORES NA EDUCAÇÃO PROFISSIONAL E TECNOLÓGICA: ESTUDO COMPARATIVO., Descrição: Desenvolvimento da pesquisa no âmbito do programa Institucional Voluntário de Iniciação Cientifica (PIVICT). Sobre o Projeto: O objetivo do projeto foi analisar as contribuições para o processo de ensino aprendizagem da aplicação, em cursos técnicos integrados na área industrial, de uma sequência didática interdisciplinar sobre Semicondutores. As atividades aplicadas tiveram bom envolvimento dos alunos, contribuindo com a fundamentação científica no desenvolvimento tecnológico.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) . , Integrantes: Núbia Beatriz Sicchieri - Integrante / Riama Coelho Gouveia - Coordenador.