Rogerio Lucio de Almeida

Pós-doutorado

Formação complementar

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Organização de eventos

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Participação em bancas

Orientou

Produções bibliográficas

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• R. L. de ALMEIDA ; BARROS, A. L. ; SAMPAIO, D. M. ; ESTEVAN, N. ; WE, F. ; ALBUQUERQUE, F. ; SANTOS, A. . Células Combustíveis Fotovoltaícas Sensibilizadas por Corantes Orgânicos. 2014. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• R. L. de ALMEIDA ; de Lima, O. F. ; GARITEZI, T. M. ; P. F. S. Rosa ; BITTAR, E. M. ; ADRIANO, C. ; BUFAICAL, L. F. ; PAGLIUSO, P. G. . Irreversibility lines in Ba(Fe1−xCox)2As2 superconducting crystals. 2010. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

• R. L. de ALMEIDA ; ALTOE, M. L. ; COAQUIRA, J. A. H. ; Satish Kumar Malik ; de Lima, O. F. . The double layer perovskite CeBaFe2O5+w. 2010. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

• R. L. de ALMEIDA ; ADRIANO, C. ; GARITEZI, T. M. ; P. F. S. Rosa ; BITTAR, E. M. ; BUFAICAL, L. F. ; PAGLIUSO, P. G. . ? Possible superconducting ordering in Li-doped BaFe2As2 single crystals: The role of. 2010. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

• R. L. de ALMEIDA ; PAGLIUSO, P. G. ; ADRIANO, C. ; P. F. S. Rosa ; GARITEZI, T. M. ; BITTAR, E. M. ; FERREIRA, L. M. ; AVILA, M. A. ; RIBEIRO, R. A. ; GRANADO, E. ; BUFAICAL, L. F. . ? Phase diagrams of doped BaFe2As2 single crystals: The pressure-temperature-composition features. 2010. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

• de Lima, O. F. ; COAQUIRA, J. A. H. ; R. L. de ALMEIDA ; CARVALHO, L. B. ; Satish Kumar Malik . Magnetic phase separation in LaMn{1-x}Fe{x}O{3+y}. 2008. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• COAQUIRA, J. A. H. ; CARVALHO, L. B. ; R. L. de ALMEIDA ; A. W. Carbonari ; G. A. Cabrera-Pasca ; QUEZADO, S. ; Satish Kumar Malik . Magnetic and transport properties of La3.5Ru4O13 compound. 2008. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• Satish Kumar Malik ; R. L. de ALMEIDA ; QUEZADO, S. ; A. V. Morozkin ; R. Nirmala . Magnetic properties of the intermetallic compound Ce5Ge4. 2008. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA ; COAQUIRA, J. A. H. ; de Lima, O. F. ; ALTOE, M. L. ; Satish Kumar Malik . Magnetic and Thermodynamic Properties on the Double Layer Porovskite CeBaFe2O5+w. 2008. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA . Semana da Física - Universidade Católica de Brasília: Supercondutividade. 2008. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• R. L. de ALMEIDA ; COAQUIRA, J. A. H. ; CHAKER, J. A. ; CARVALHO, L. B. ; QUEZADO, S. ; de Lima, O. F. ; Satish Kumar Malik ; FERRAZ FILHO, A. . Studies on Peroviskite mangaite system LaMn(1-x)Fe(x)O(3). 2007. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA ; CARVALHO, L. B. ; QUEZADO, S. . Oficina de Supercondutividade. 2006. (Apresentação de Trabalho/Outra).

• R. L. de ALMEIDA ; TORRES, J. H. S. ; FERRAZ FILHO, A. ; Satish Kumar Malik . Exotic vortex matter behavior in anisotropic superconductors. 2006. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA ; TORRES, J. H. S. ; FERRAZ FILHO, A. ; Satish Kumar Malik . Revisiting the Nb: The vortex motion features in the presence of point and columnar defects. 2006. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA ; R. Kumar ; de Lima, O. F. . The vortex decoupling transition in Bi2212 crystals with columnar defects. 2006. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA ; R. Kumar ; de Lima, O. F. . The Angular Dependence of the critical field Line in the layered superconductor Bi{2}Sr{2}CaCu{2}O{8+delta} in the presence of columnar defects. 2006. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA ; R. Kumar ; de Lima, O. F. . THE VORTEX DECOUPLING TRANSITION IN Bi{2}Sr{2}CaCu{2}O{8+delta} SINGLE CRYSTALS WITH COLUMNAR DEFECTS. 2005. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA ; R. Kumar ; de Lima, O. F. . The Vortex Matter Decoupling Tansition in Bi2212 Crystals with Columnar Defects. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

• R. L. de ALMEIDA ; A. A. Coelho ; C. A. Cardoso ; de Lima, O. F. . Coherence and Fluctuations in 3D Networks: The Superconducting Behavior of Nb Particles Embedded in a Cu Matrix. 2003. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA ; de Lima, O. F. . Decoupling transition of Abrikosov Vortices in Bi2Sr2CaCu2O8+\delta Crystals. 2003. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA ; A. A. Coelho ; C. A. Cardoso ; de Lima, O. F. . Fluctuations and quantum coherence effects in granular Cu-Nb samples. 2003. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA ; de Lima, O. F. . Coherence and Fluctuation in 3D Networks: The Superconducting Behavior of Nb Particles Embedded in a Cu Matrix. 2003. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA ; de Lima, O. F. . Vortex Matter Behavior Dependent On Magnetic Field Orientation in Bi2212 Crystals. 2003. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA . A Brief History of the Superconductivity: From Mercury to the Ceramic Oxides and Applications. 2002. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA ; A. A. Coelho ; C. A. Cardoso ; de Lima, O. F. . SUPERCONDUCTING BEHAVIOR OF Nb PARTICLES DISPERSED IN Cu-Xwt%Nb ALLOYS (X<10). 2002. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA ; A. A. Coelho ; C. A. Cardoso ; de Lima, O. F. . Superconducting Behavior of Nb Particles Dispersed in Cuxwt%Nb Alloys, X<10. 2002. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA ; F. M. Matinaga ; J. C. Gonzalez ; B. R. A. Neves ; M. V. B. Moreira ; A. G. de Oliveira ; W. N. Rodrigues . High Homegeneity in Quantum Dots Multilayers. 2001. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA ; J. C. Gonzalez ; F. M. Matinaga ; M. V. B. Moreira ; A. G. de Oliveira ; W. N. Rodrigues ; B. R. A. Neves . A Very Narrow Phtoluminescence Line Width on the Coherence Incoherence Transition. 2001. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• A. G. de Oliveira ; B. R. A. Neves ; R. L. de ALMEIDA ; F. M. Matinaga ; J. C. Gonzalez ; M. V. B. Moreira ; W. N. Rodrigues . OPTICAL PROPERTIES OF InAs QUANTUM DOTS MULTILAYERS : A VERY NARROW PHOTOLUMINESCENCE LINE WIDTH ON THE COHERENCE-INCOHERENCE TRANSITION. 2001. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• R. L. de ALMEIDA ; A. A. Coelho ; C. A. Cardoso ; de Lima, O. F. . Superconducting Behavior of Nb Particles Dispersed in CuxWt%Nb Alloys, x<10. 2001. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• V. B. Nascimento ; R. L. de ALMEIDA ; C. Bittencourt ; C. M. C. de Castilho ; E. A. Soares ; V. E. de Carvalho ; D. P. Woodruff . Estrutura do sistema {Ag(111) (2 \sqrt{3}x2 \sqrt{3}) R {30o}-Sb}. 2000. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

Outras produções

Projetos de pesquisa

• 2023 - 2024

  Desenvolvimento de Novas Ligas de Nióbio com Propriedades Supercondutoras e Mecânicas Melhoradas Para a Produção de Fios e Cabos Supercondutores - SUPERNbTaV, Descrição: Objetivos EspecíficosO SUPERNbTaV integrará de forma articulada, pesquisadores experimentais e teóricosaltamente especializados para a fabricação e o estudo de materiais supercondutores no estadoIT. Para isso produziremos e estudaremos materiais supercondutores estratégicos utilizando asfacilidades experimentais e teóricas existentes nas instituições que participam desse projeto.Faremos um estudo aprofundado dos materiais supercondutores estratégicos visando oentendimento teórico de suas propriedades e, quando possível, propor o desenvolvimento denovas aplicações e/ou dispositivos baseados nestes materiais estratégicos. Para isso, osseguintes objetivos específicos:1) Produzir e/ou sintetizar novos materiais supercondutores estratégicos em forma decerâmicas, monocristais, filmes finos e nanoestruturas. Início no 1 o mês, com duração de 24meses e conclusão no 24 o mês.Meta: Produzir e/ou sintetizar 5 novos materiais supercondutores estratégicos por ano.Publicação de 3 artigos por ano e 5 apresentações em conferências internacionais/ano emmédia.2) Incrementar nosso entendimento das propriedades supercondutoras e da dinâmica e devórtices de novos materiais supercondutores estratégicos no estado intertipo. Início no 1o mês,com duração de 24 meses e conclusão no 24 o mês.Meta: Publicação de 3 artigos por ano e 5 apresentações em conferências internacionais/anoem média.3) Desenvolver nanoestruturas híbridas magnéticas/supercondutoras e estudar suaspropriedades supercondutoras e magnéticas. Início no 13 o mês, com duração de 12 meses econclusão no 24 o mês.Meta: Estudos experimental e teórico de (02amostras/ano) desses sistemas com expectativa depreparação e publicação de 1 artigo/ano e de 2 apresentações em conferênciasinternacionais/ano em média.4) Organização de workshop para os participantes do SUPERNbTaV. Início no 16 o mês, comduração de 01 mês e conclusão no 16 o mês.Meta: Organização de três workshops e duas escolas temáticas no formato híbrido, para motivara interação científica e a transferência de conhecimento entre todos os participantes doSUPERIT.5) Publicação de artigos científicos. Início no 6 o mês, com duração de 18 meses e conclusão no24 o mês.Meta: Publicar cerca de 5 artigos científicos por ano.6) Propor as possíveis aplicações práticas para materiais estratégicos estudados e promover adifusão científica do conhecimento adquirido no SUPERIT. Início no 13 o mês, com duração de 12meses e conclusão no 24 o mês.Metas: Propor aplicação prática para os materiais estudados e submeter um pedido de patentea cada 2 anos.7) Escrever relatório final do projeto. Início no 21 o mês, com duração de 04 meses e conclusãono 24 o mêsMeta: Escrever e submeter o relatório final do projeto SUPERNbTaV.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (2) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / José Albino Oliveira de Aguiar - Coordenador / Ivan García Fornaris - Integrante / Yoandris Vielza de la Cruz - Integrante / Yelina González Pérez - Integrante., Número de produções C, T & A: 1

• 2023 - Atual

  Desenvolvimento de novas ligas de Nióbio com propriedades supercondutoras e mecânicas melhoradas para a produção de fios e cabos supercondutores - SUPERNbTaV, Descrição: Os materiais supercondutores se destacam por sua resistência elétrica nula à passagem de corrente contínua e pela expulsão de campo magnético (diamagnetismo perfeito) quando resfriados abaixo de sua temperatura crítica de transição supercondutora (Tc), um dos parâmetros fundamentais na caracterização desses materiais. Além do Tc, dois outros parâmetros chave são o campo crítico (Hc) e a densidade de corrente crítica (Jc). Ao exceder esses limites (Tc, Hc ou Jc), a supercondutividade é suprimida, e o material sofre uma transição para o estado normal. No diagrama de fases que correlaciona temperatura (T), densidade de corrente (J) e campo magnético (H), os valores de Tc, Jc e Hc delimitam a região onde a supercondutividade é observada.Os materiais supercondutores pertencem à classe dos materiais quânticos, cujas propriedades emergem de interações coletivas regidas pelos princípios da mecânica quântica. Esses materiais são tradicionalmente classificados, com base na teoria de Ginzburg-Landau (GL), em duas categorias principais: supercondutores do tipo I, que exibem diamagnetismo perfeito, e supercondutores do tipo II, que permitem a penetração de fluxo magnético no estado supercondutor sob a forma de uma rede regular de vórtices, conhecida como rede de Abrikosov. Cada vórtice nesta rede transporta um único quantum de fluxo magnético. Essa classificação entre supercondutores tipo I e tipo II, no entanto, aplica-se rigorosamente apenas em T = Tc. Para temperaturas abaixo de Tc, o comportamento dos supercondutores pode se tornar mais complexo, levando ao surgimento de um estado conhecido como intertipo. Nesse regime, são observadas configurações de vórtices que não se enquadram claramente nas descrições tradicionais de supercondutores tipo I ou tipo II. O estado intertipo é caracterizado pela coexistência de propriedades de ambos os tipos, o que pode resultar em novos fenômenos, como a formação de estruturas de vórtices híbridas e a potencial otimização de parâmetros supercondutores, como Jc e Hc, em materiais inovadores.O presente projeto tem como objetivo o desenvolvimento de novas ligas de nióbio com propriedades supercondutoras e mecânicas aprimoradas, direcionadas para a fabricação de fios e cabos supercondutores. Para isso, serão empregadas técnicas avançadas de síntese e processamento, com posterior caracterização em escalas macro e microscópica por meio de uma ampla gama de técnicas experimentais, como difração de raios X, microscopia eletrônica e medidas de transporte elétrico. Os resultados experimentais serão comparados com previsões teóricas e modelados por simulações numéricas, buscando entender e otimizar as propriedades supercondutoras desses novos materiais.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (2) / Doutorado: (2) . , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / José Albino Oliveira de Aguiar - Coordenador / Ivan García Fornaris - Integrante / Yoandris Vielza de la Cruz - Integrante / Valdeene Albuquerque Brito da Silva Luna - Integrante / Ernesto Govea Alcaide - Integrante / Priscyla Lima de Andrade - Integrante / Luis De Los Santos Valladares - Integrante / Yelina González Pérez - Integrante / Laura Jineth Zipa Romero - Integrante / Esther Luís de Melo - Integrante., Número de produções C, T & A: 3

• 2020 - Atual

  Sistemas eletrônicos fortemente correlacionados: estudos em novos materiais óxidos complexos com estrutura perovskita., Descrição: Síntese e caracterização de sistemas com estrutura perovskita, materiais ferróicos, multiferróicos, magnéticos, supercondutores entre outros, utilizando técnicas de síntese e análise variadas e, também, cálculos teóricos/computacionais.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Malik, S. K. - Integrante / Clenilton Costa dos Santos - Coordenador / Alan Silva de Menezes - Integrante / Luciana Magalhães Rebelo Alencar - Integrante / Adriano Correa - Integrante / José Albino Oliveira de Aguiar - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa ao Desenvolv. Científico e Tecnológico - MA - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 1

• 2017 - 2019

  Crescimento e Caracterização Estrutural, Optica, Magnética e Elétrica de Novos Sistemas Supercondutores e Magnéticos da Matéria Condensada com Forte Correlação Eletrônica., Descrição: SISTEMAS ELETRÔNICOS FORTEMENTE CORRELACIONADOS: ESTUDOS EM NOVOS MATERIAIS ÓXIDOS COMPLEXOS DE ESTRUTURA PEROVSKITA Crescimento e Caracterização Estrutural, Optica, Magnética e Elétrica de Novos Sistemas Supercondutores e Magnéticos da Matéria Condensada com Forte Correlação Eletrônica. Nos últimos anos tem sido intensa a atividade de pesquisa e desenvolvimento de diferentes materiais de estrutura perovskita, tais como os cupratos supercondutores de alta Tc (HTSC)], as manganitasos rutenocuprato e os óxidos usados na construção de eletrodos de células a combustíve (utilizadas para geração limpa de energia elétrica). Todos estes materiais têm em comum a grande riqueza e variedade de suas propriedades magnéticas e elétricas, em geral associadas ao comportamento fortemente correlacionado dos seus elétrons. Alguns exemplos de propriedades destacadas são: o efeito de magnetoresistência colossal (CMR) nas manganitas, as altas temperaturas críticas (Tc) e um parâmetro de ordem não-convencional nos HTSC, e a possível coexistência de magnetismo e supercondutividade nos rutenocupratos. A ocorrência de separação de fases[3] (ordenamento de cargas e/ou de spins), numa escala nanométrica, com forte efeito nas propriedades elétricas e magnéticas, parece ser também uma característica comum das estruturas perovskitas. Pretendemos contribuir com os resultados oriundos deste projeto de pesquisa para a implementação final da área da Física da Matéria Condensada experimental no Departamento de Física do Centro de Ciencias Exatas e Tecnologias da Universidade Federal do Maranhão, dedicando nossos esforços com o intuito de aprofundar o entendimento dos processos físicos envolvidos, bem como, explorando a possibilidade de novas aplicações para estes novos materiais.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Doutorado: (1) . , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Coordenador / Clenilton Costa dos Santos - Integrante / Adriano Correa - Integrante., Número de orientações: 1

• 2013 - 2014

  Optimização do Sputtering Para Deposição de Filmes Finos e Síntese e Caracterização de Células Fotovoltáicas de TiO2 e Nb2O5 Sensibilizadas por Corantes Orgânicos, Descrição: Sputtering e Deposição de Filmes Finos: O objetivo geral deste projeto é desenvolver conhecimentos práticos dos processos de deposição de filmes finos, caracterização dos filmes finos e de análise das microestruturas dos materiais. O domínio dessa técnica permitirá um grande salto ao nosso país no que diz respeito ao desenvolvimento tecnológico, pois a aplicação de filmes finos está presente em vários equipamentos de uso diário tais como: células solares, monitores de tela plana, isoladores de vidro, materiais de embalagem avançados, sensores, circuitos integrados, entre outros.[Docentes: Ana Lucia Ferreira de Barros, Silvio Romero de Barros.] Células Fotovoltáicas: Temos como principal intenção, agregar informações no estudo do desenvolvimento de dispositivos fotovoltaícos baseados em corantes orgânicos, Dye Cells. Estas células são dispositivos que convertem a luz solar em energia elétrica através do efeito fotovoltaico sensibilizadas por corante são pertencentes ao grupo de células solares híbridas, pois são formadas por materiais orgânicos e inorgânicos. Estes dispositivos são atrativos devido ao fato de combinarem a vantagem dos materiais orgânicos e inorgânicos, ou seja, são mecanicamente resistentes, fabricados com material de baixo custo e possuem grande facilidade de processamento se comparadas às células solares de silício que são comercializadas atualmente. Pretendemos pesquisar novos métodos de síntese e caracterização destes dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (7) / Mestrado acadêmico: (3) . , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Ana Lúcia Barros - Coordenador / Nathália Estevan - Integrante / Daniel Mota Sampaio - Integrante / Felipe we - Integrante / Francisco Albuquerque - Integrante / Athos dos Santos - Integrante / Giglio Guilherme - Integrante / Caio Normando - Integrante / Jhonatan Seilhe Sobral - Integrante / Guilherme Cardoso - Integrante / Matheus Teixeira - Integrante.

• 2010 - 2013

  PROJETO TEMATICO: ?ESTUDO DE SISTEMAS FORTEMENTE CORRELACIONADOS EM CONDIÇÕES EXTREMAS?, Descrição: SUMARIO Neste Projeto estamos propondo o estudo das propriedades eletrônicas, estruturais, magnéticas, de transporte e termodinâmicas de sistemas altamente correlacionados sob condições extremas de altos campos magnéticos (≤14 T), altas pressões (≤30 kbars) e baixas temperaturas (≥50 mK) em materiais semicondutores, metálicos, semimetálicos, semicondutores magnéticos diluídos, óxidos cerâmicos, multiferróicos, grafites, etc., envolvendo fundamentalmente as interações, elétron-elétron e entre os elétrons de condução com os elementos de transição dos grupos 3d do Ferro e 4f das Terras-Raras. Para este fim experimentos de resistividade, efeito Hall, magnetização, susceptibilidade magnetica dc/ac, calor especifico, magnetoimpedância, torquimetria, ressonância paramagnética eletrônica (EPR), espalhamento Raman, difração de pó, difração magnética, e absorção de raios-X (XANES, EXAFS, XMCD) em amostras na forma poli e monocristalinas, filmes finos, fios, particulas, multicamadas nanoestruturadas e amorfas estarão sendo realizados e analizados durante a execução deste Projeto. ABSTRACT In this Project we propose to study the electronic, structural, magnetic, transport and thermodynamics properties of highly correlated materials under the extreme condition of high magnetic fields (≤14 T), low temperatures (≥50 mK) and high pressures (≤30 kbars) in semiconductors, metals, semimetals, diluted magnetic semiconductors, ceramic oxides, multiferroics, graphite, etc., involving, mainly, the interactions between conduction electrons and between conduction electrons and the transition elements of the 3d Iron and 4f Rare-Earths groups. For these studies we are planning to perform during this project, the following experiments: resistivity, Hall effect, magnetization, magnetic susceptibility ac/dc, specific heat, magnetoimpidance, torquimetry, electron spin resonnance (ESR), Raman scattering and X-ray powder/magnetic diffraction/absorpion (XA. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (4) / Mestrado acadêmico: (6) / Doutorado: (5) . , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Oscar Ferreira de Lima - Integrante / Carlos Rettori - Coordenador / Eduardo Granado - Integrante / Gaston E. Barberis - Integrante / Pascoal Pagliuso - Integrante / Marcelo Knobel - Integrante / Yakov Kopelevich - Integrante / Sergio Moehlecke - Integrante / Lygia Walmsley - Integrante / Dante Luiz Chinaglia - Integrante., Financiador(es): Universidade Estadual de Campinas - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 23

• 2009 - 2013

  PROJETO TEMATICO: ?ESTUDO DE SISTEMAS FORTEMENTE CORRELACIONADOS EM CONDIÇÕES EXTREMAS?, Descrição: SUMARIO Neste Projeto estamos propondo o estudo das propriedades eletrônicas, estruturais, magnéticas, de transporte e termodinâmicas de sistemas altamente correlacionados sob condições extremas de altos campos magnéticos (≤14 T), altas pressões (≤30 kbars) e baixas temperaturas (≥50 mK) em materiais semicondutores, metálicos, semimetálicos, semicondutores magnéticos diluídos, óxidos cerâmicos, multiferróicos, grafites, etc., envolvendo fundamentalmente as interações, elétron-elétron e entre os elétrons de condução com os elementos de transição dos grupos 3d do Ferro e 4f das Terras-Raras. Para este fim experimentos de resistividade, efeito Hall, magnetização, susceptibilidade magnetica dc/ac, calor especifico, magnetoimpedância, torquimetria, ressonância paramagnética eletrônica (EPR), espalhamento Raman, difração de pó, difração magnética, e absorção de raios-X (XANES, EXAFS, XMCD) em amostras na forma poli e monocristalinas, filmes finos, fios, particulas, multicamadas nanoestruturadas e amorfas estarão sendo realizados e analizados durante a execução deste Projeto. ABSTRACT In this Project we propose to study the electronic, structural, magnetic, transport and thermodynamics properties of highly correlated materials under the extreme condition of high magnetic fields (≤14 T), low temperatures (≥50 mK) and high pressures (≤30 kbars) in semiconductors, metals, semimetals, diluted magnetic semiconductors, ceramic oxides, multiferroics, graphite, etc., involving, mainly, the interactions between conduction electrons and between conduction electrons and the transition elements of the 3d Iron and 4f Rare-Earths groups. For these studies we are planning to perform during this project, the following experiments: resistivity, Hall effect, magnetization, magnetic susceptibility ac/dc, specific heat, magnetoimpidance, torquimetry, electron spin resonnance (ESR), Raman scattering and X-ray powder/magnetic diffraction/absorpion (XA. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (4) / Mestrado acadêmico: (6) / Doutorado: (5) . , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Oscar Ferreira de Lima - Integrante / Carlos Rettori - Coordenador / Eduardo Granado - Integrante / Gaston E. Barberis - Integrante / Pascoal Pagliuso - Integrante / Marcelo Knobel - Integrante / Yakov Kopelevich - Integrante / Sergio Moehlecke - Integrante / Lygia Walmsley - Integrante / Dante Luiz Chinaglia - Integrante., Financiador(es): Universidade Estadual de Campinas - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 23

• 2009 - 2012

  Magnetismo e Supercondutividade não-Convencionais em Novos Compostos de Alta Correlação Eletrônica e Baixa Simetria, Descrição: Inovações científico-tecnológicas envolvendo materiais avançados como ligas metálicas, semicondutores, filmes finos, cerâmicas, cristais líquidos, supercondutores e outros, sempre tiveram uma ligação estreita tanto com a pesquisa em seu nível fundamental sobre as propriedades básicas da matéria em estado sólido, quanto com a pesquisa aplicada. Os novos materiais geram propriedades inusitadas, possibilitam e/ou ampliam potencialidades tecnológicas e nutrem a comunidade cientifica com fenômenos complexos cujo entendimento leva ao aprimoramento de técnicas e ferramentas que possibilitam uma melhor compreensão da natureza e seus fenômenos. Em particular, dentro Física da Matéria Condensada, a área de novos materiais, em geral segue em paralelo com aprofundamento no entendimento do comportamento de materiais complexos avançados que apresentam fenômenos coletivos envolvendo elétrons fortemente correlacionados. Com uma abordagem essencialmente focada no ponto de vista fundamental da Física da Matéria Condensada, particularmente concentrada nos sistemas eletrônicos fortemente correlacionados, apresentamos a seguir o nosso projeto de pesquisa, ?Magnetismo e Supercondutividade não-Convencionais em Novos Compostos de Alta Correlação Eletrônica e Baixa Simetria?, vinculado ao Projeto Temático FAPESP 2006/60440-0, ?Estudo de Sistemas Fortemente Correlacionados em Condições Extremas?. Propomos realizar um detalhado estudo experimental das propriedades físicas de sistemas com forte correlação eletrônica de baixa simetria da rede cristalina, tais como novos materiais supercondutores de alta temperatura crítica baseados em Fe-As e materiais magnéticos não convencionais complexos de estrutura perovskita dupla. A proposta consiste em continuar desenvolvendo e aprimorando novos métodos sistemáticos, para a síntese, caracterização estrutural, mudança e ajuste das estruturas eletrônicas destes sistemas através da dopagem/substituição química e controle dos parâmetros externos de medi. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Pascoal Pagliuso - Coordenador., Financiador(es): Universidade Estadual de Campinas - Outra., Número de produções C, T & A: 26

• 2008 - 2008

  Fabricação de Novos Materiais de Estrutura Perovskita, Descrição: O nosso projeto é dividido em em três partes, correspondentes às três classes de perovskitas que estão em desenvolvimento no CIFMC-UnB: a) Manganitas, que são compostos magnéticos envolvendo o elemento manganês, b) Cupratos Supercondutores de alta temperatura crítica, do tipo Bi2Sr2CaCu2O8+y e c) Perovskitas Duplas, do tipo RBaFe2O5+w, onde R = terras raras. Cada um destes três tópicos será estudado por cada uma das alunas de inicação científica, Mirella Lorrainy, Cilene Caroline e Simone Cardoso. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) . , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Coordenador / Satish Kumar Malik - Integrante / Mirella Lorraine Altoé - Integrante / Cilene Caroline Cunha - Integrante / Simone Cardoso dos Santos - Integrante.

• 2008 - 2008

  Magnetic Properties of the Intermetallic Compound Ce5Ge4, Descrição: Projeto Aprovado Junto à Fundação de Amparo à Pesquisa do Distrito Federal Para a Participação na "International Conference on Correlated Eletronic Systems SCES-2008". , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Apoio à Pesquisa do Distrito Federal - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 1

• 2007 - 2009

  Experimental Studies at ICCMP On Strongly Correlated Intermetallic Experimental Studies at ICCMP On Strongly Correlated Intermetallic Superconductors, Dilute Magnetic Semiconductors, Metal Hydrogen Systems and Fuel Cells, Descrição: Experimental Studies at ICCMP On Strongly Correlated Intermetallic Experimental Studies at ICCMP On Strongly Correlated Intermetallic Superconductors, Dilute Magnetic Semiconductors, Metal Hydrogen Systems and Fuel Cells: The International Center for Condensed Matter Physics (ICCMP), University of Brasilia, Brasilia, Brazil is well known for its research in theoretical condensed matter physics and for holding national and international conference of contemporary interest in these areas. It has served the scientific community in Brazil very well through these ventures. There have been some efforts to carry out experimental research as well but these have been at a low key. The ICCMP has now embarked upon expansion of the experimental research activities in the areas of fundamental research but with an open mind for research on useful applications of the new materials which may be discovered during these studies. Such an expansion of the experimental facilities at ICCMP will serve many purposes. It will help create a center of excellence in the University of Brasíilia which will motivate and attract young scientists in research and serve as a facility for the nearby areas. It will undertake research in the forefront areas of research of contemporary interest, carry out work based on the theoretical ideas proposed by its already strong theoretical condensed matter physics group, create a liaison with the industry for application oriented research, and train new students at the Bachelor, Masters and PhD level. General outline of Research Work Proposed to be carried out at ICCMP: The area of condensed matter research is so vast that it is almost impossible to carry out research on every aspect of it at one place. Therefore, considering that researchers at ICCMP have been interested in strongly correlated systems, we have decided to experimentally investigate these systems both from fundamental view point as well as from the application view point. We also have i. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Álvaro Ferraz Filho - Integrante / Satish Kumar Malik - Coordenador / Lindomar Bonfim de Carvalho - Integrante / Jose Antonio Huanami Coaquira - Integrante / Mirella Lorraine Altoé - Integrante / Cilene Caroline Cunha - Integrante., Financiador(es): Centro Internacional de Física da Matéria Condensada - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 58

• 2006 - 2008

  Obtenção de Energia Elétrica por Células a Combustível a partir de Biomassa Amazônica, Descrição: Objetivo geral: Geração de energia elétrica por células a combustível de alto desempenho através de hidrogênio produzido a partir de biomassa amazônica. Objetivos específico: 1. Analisar os gases produzidos pelo metabolismo de microorganismos de solos da Amazônia quanto a sua composição química e potencial energético. 2. Isolar e caracterizar bioquimicamente os microorganismos do solo com potencial energético na produção de gás hidrogênio. 3. Identificar e posicionar taxonomicamente os microrganismos produtores de gases com potencial energético. 4. Estudar o armazenamento de hidrogênio produzido a partir de biogás amazônico por materiais sólidos. 5. Desenvolver membranas reticuladas de condução protônica de alta estabilidade térmica, alta condutividade que permitam aumentar os tempos de operação e eficácia da célula. Resultados esperados 1. Indentificar colonia de microorganismo ou mistura deles com maiores procentagens de gás hidrogenio formados no processo de fermentação microbiótica. Identificar e quantificar e as fraçoes parciais dos gases liberados. 2. Desenvolver materiais, a base de hidreto metalicos, que permitam o armazenamento de hidrogenio e outros gases formados na fermentação da biomassa. A pesquisa sera direcionada visando a obtenção de materiais com altos índices de retenção de hidrogenio. 3. Desenvolver membranas reticuladas de condução protonica. Estabelecer rota de síntese de membrana de alto desempenho que permita atender os tempos de operação e eficiencia de uma célula a combustível tipo PEM. Caracterizar a estrutura e propriedades térmicas dos materiais obtidos, estudar o processo de condução protonica. Correlacionar a estrutura com as propriedades de condução dos materiais. Além dos resultados esperados acima descritos, o presente projeto deve: i) gerar conhecimento científico e tecnológico na área de células a combustíveis.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Especialização: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (1) / Doutorado: (2) . , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Satish Kumar Malik - Integrante / Lindomar Bonfim de Carvalho - Integrante / Juliano Alexandre Chaker - Integrante / Jose Antonio Huanami Coaquira - Integrante / LUIS ISAMU BARROS KANZAKI - Coordenador / ROBERTO MESSIAS BEZERRA - Integrante / Aldair Teixeira Duarte - Integrante / Leila Chiavacci - Integrante / José Alves Diasi - Integrante / JORGE FEDERICO ORELLANA SEGOVIA - Integrante., Financiador(es): Agência Nacional de Energia Elétrica - Auxílio financeiro.

• 2001 - 2005

  Acoplamento Josephson no Sistema Supercondutor Granular CuXwt%Nb e Resultados Experimentais do Comportamento da Matéria de Vórtices no Supercondutor de Alta Temperatura Crítica Fortemente Anisotrópico Bi2Sr2CaCu2O8, Descrição: Estudamos o acoplamento Josephson, efeitos de proximidade, interferência e flutuações quânticas no sistema supercondutor granular CuXwt%Nb. Preparamos uma série de amostras granulares CuXwt%Nb, nas quais, precipitados de Nb de tamanhos e espaçamentos regulares foram obtidos pelo resfriamento rápido de uma mistura líquida de CuXwt%Nb com diferentes concentrações de Nb (X = 3, 5, 15, 20). Estabelecemos um método sistemático, robusto e reprodutivo para a preparação de amostras granulares (CuXwt%Nb) e obtivemos amostras com diferentes distribuições dos precipitados de Nb, com dimensões submicrométricas e com alta qualidade granular. Estudamos possíveis dependências e infuências da granularidade nas flutuações de fase e os limites da coerência destas, associados às propriedades estruturais extrínsecas de cada amostra com diferentes características granulares. Por outro lado, o complexo comportamento da matéria de vórtices em Supercondutores de Alta Temperatura Crítica (HTSC) resulta em um rico e complexo diagrama de fases. A natureza das diferentes fases dos vórtices e as transições entre elas são assuntos de intensos estudos, teóricos e experimentais. A transição de melting na rede de vórtices no HTSC Bi2Sr2CaCu2O8, é um fenômeno complicado porque existem vários diferentes regimes, dependendo dos parâmetros dos supercondutores e do campo magnético externo aplicado. Nestas situações, a linha de melting com desacoplamento 3D-2D, se situa em uma região do diagrama de fases abaixo da linha de glass melting e há uma separação evidente entre a fase sólida ordenada e a fase sólida desordenada que não é de nida pela linha de fusão (ou evaporação). A linha melting com desacoplamento demonstra-se consistente para delimitar esta região do diagrama de fases onde há evidências do inicio da fusão da rede com o aumento das flutuações térmicas, diminuição gradual da correlação dos PV's, e o aumento da frustração na fase do parâmetro de ordem ao longo das camadas de CuO2 do monocri. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Oscar Ferreira de Lima - Coordenador., Financiador(es): Universidade Estadual de Campinas - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 45

• 1999 - 2001

  Espectroscopia Óptica de Pontos Quânticos de InAs Auto Construídos em Matriz de GaAs, Descrição: Na nossa pesquisa em nível de mestrato, realizamos o crescimento e o completo estudo estrutural e óptico de multicamadas de pontos quânticos de InAs em matriz de GaAs. Estas amostras semicondutoras de InAs/GaAs com pontos quânticos foram crescidas pela técnica de Epitaxia por Feixe Molecular (MBE), no laboratório de Semicondutores do Departamento de Física da Universidade Federal de Minas Gerais. Nós analisamos a influência da cobertura de InAs nas propriedades ópticas dos pontos quânticos formados por este material usando as técnicas de Fotoluminescência e Fotoluminescência de Excitação. Medidas de Microscopia de Força Atômica também foram feitas na amostra para obtermos informações topológicas das ilhas. Nossos resultados revelaram que as amostras com uma espessuras das coberturas em torno de 2.1 monocamadas de InAs (espessura que ocorre a transição de crescimento coerente para incoerente) apresenta uma linha muito estreita de Fotoluminescência do pontos quânticos (~ 13.7 meV). Isto indica uma estreita distribuição de tamanhos dos pontos quânticos nas amostras. Através da Fotoluminescência de Excitação foi possível identificar nos espectros das contribuições devidas aos pontos quânticos e da camada de molhadura (Wetting Layer).. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Franklin Massami Matinaga - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Juan Carlos Gonzalez Perez - Integrante., Financiador(es): Universidade Federal de Minas Gerais - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 9

• 1995 - 1999

  Construção, Optimização e Calibração de um Analisador de Elétrons de Hemisférios, Descrição: O conhecimento das propriedades das superfícies de vários materiais de grande importância tecnológica, tais como semicondutores e catalizadores, devido à grande influência que tais propriedades têm sobre processos físicos de interesse que ocorrem nas superfícies. O estudo de uma superfície atomicamente "limpa" só se tornou possível após o desenvolvimento da tecnologia de Ultra-Alto-Vácuo (UHV) com a qual podemos não apenas preparar superfícies limpas mas, principalmente, conservá-las livres de contaminação por um período de tempo suficientemente longo para a realização de medidas. Muitos processos físicos e químicos de grande importância tecnológica, tais como corrosão, oxidação, adsorção, catálise e crescimento epitaxial de monocristais, são criticamente dependentes da natureza e das condições das superfícies envolvidas. Temos então que um vasto número de processos de grande interesse tecnológico e científico ocorre nas superfícies. Dentre as técnicas mais apropriadas para tais análises, cuja maioria foi estudada e utilizada nós no Laboratório de Física de Superfícies da UFMG, são: Espectroscopia de Elétrons Auger (Auger Electron Spectroscopy - AES) e Espectroscopia de Fotoelétrons Excitados por raios X (X-ray Photoelectron Spectroscopy - XPS) (incluindo radiação Síncrotron). Ambas fornecem informações sobre a composição química e a estrutura eletrônica da superfície, Difração de Elétrons de Baixa Energia (Low Energy Electron Di_raction - LEED). Difração de Fotoelétrons (Photoelectron Di_raction- PhD), Espectroscopia de Retroespalhamento de Rutherford (Rutherford Backscattering Spectroscopy - RBS) e Difração de Raios-x a Baixo Ângulo (Grazing Incidence X-Ray Di_raction - GIXRD) usadas na determinação da análise de reações químicas na interface e das excitações atômicas na superfície. Microscopia Eletrônica de Transmissão (Transmission Electron Microscopy - TEM) para estudos da estrutura da rede na interface. Mais recentemente, a Microscopia de Tunelamento (Scanni. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Von Braun Nascimento Filho - Integrante / Edmar Avellar Soares - Integrante / Vagner Eustaquio de Carvalho - Coordenador., Financiador(es): Universidade Federal de Minas Gerais - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 4

Projetos de desenvolvimento

• 2005 - 2005

  Caracterização do Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) - Vertical/HOrizontal: Mapear a taxa de deposição e verificar a uniformidade e reprodutibilidade do processo de deposição de si-poli no reator LPCVD vertical;Testar a deposição com NH4F, Descrição: Caracterização do Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) - Vertical/HOrizontal: Mapear a taxa de deposição e verificar a uniformidade e reprodutibilidade do processo de deposição de si-poli no reator LPCVD vertical;Testar a deposição utilizando a nova campânula; Testar a solução de corrosão de si-poli utilizando NH4F ao invés de HF: O processo chemical vapor deposition (CVD) de materiais sólidos, é um importante método para a produção de filmes sólidos com alta pureza e uniformidade. Filmes finos desempenham uma função essencial nos dispositivos e circuitos integrados. São utilizados nas conexões das regiões ativas de um dispositivo, na comunicação entre dispositivos, no acesso externo aos circuitos, para isolar camadas condutoras, como elementos estruturais dos dispositivos, para proteger as superfícies do ambiente externo, como fonte de dopante e como barreira para a dopagem. Os filmes finos podem ser condutores, semicondutores ou isolantes, normalmente crescidos termicamente ou depositados a partir da fase vapor. Os filmes finos utilizados na fabricação dos circuitos VLSI devem apresentar características rigorosamente controladas. A espessura, a estrutura atômica e a composição química devem ser uniformes, com baixa densidade de defeitos e mínima contaminação por partículas. As geometrias diminutas dos dispositivos resultam em circuitos com superfícies bastante rugosas. Os filmes nelas depositados devem ter boa aderência, baixa tensão e prover uma boa cobertura de degraus. Normalmente as propriedades de um material na forma de filme diferem substancialmente das propriedades do mesmo material na sua forma maciça devido à influência da superfície; a relação entre a superfície e o volume é muito maior no caso do filme. Por outro lado as propriedades dos filmes são altamente dependentes dos processos de deposição. Os processos de formação dos filmes podem ser divididos em dois grupos fundamentais:  Crescimento dos filmes pela reação da superfície. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Ricardo Cotrim - Integrante / Newton Cesário Fratesch - Integrante / Jacobus Willibrordus Swart - Coordenador., Financiador(es): Universidade Estadual de Campinas - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 1

• 2005 - 2005

  Caracterização do Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) - Vertical/HOrizontal: Mapear a taxa de deposição e verificar a uniformidade e reprodutibilidade do processo de deposição de si-poli no reator LPCVD vertical;Testar a deposição com NH4F, Descrição: Caracterização do Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) - Vertical/HOrizontal: Mapear a taxa de deposição e verificar a uniformidade e reprodutibilidade do processo de deposição de si-poli no reator LPCVD vertical;Testar a deposição utilizando a nova campânula; Testar a solução de corrosão de si-poli utilizando NH4F ao invés de HF: O processo chemical vapor deposition (CVD) de materiais sólidos, é um importante método para a produção de filmes sólidos com alta pureza e uniformidade. Filmes finos desempenham uma função essencial nos dispositivos e circuitos integrados. São utilizados nas conexões das regiões ativas de um dispositivo, na comunicação entre dispositivos, no acesso externo aos circuitos, para isolar camadas condutoras, como elementos estruturais dos dispositivos, para proteger as superfícies do ambiente externo, como fonte de dopante e como barreira para a dopagem. Os filmes finos podem ser condutores, semicondutores ou isolantes, normalmente crescidos termicamente ou depositados a partir da fase vapor. Os filmes finos utilizados na fabricação dos circuitos VLSI devem apresentar características rigorosamente controladas. A espessura, a estrutura atômica e a composição química devem ser uniformes, com baixa densidade de defeitos e mínima contaminação por partículas. As geometrias diminutas dos dispositivos resultam em circuitos com superfícies bastante rugosas. Os filmes nelas depositados devem ter boa aderência, baixa tensão e prover uma boa cobertura de degraus. Normalmente as propriedades de um material na forma de filme diferem substancialmente das propriedades do mesmo material na sua forma maciça devido à influência da superfície; a relação entre a superfície e o volume é muito maior no caso do filme. Por outro lado as propriedades dos filmes são altamente dependentes dos processos de deposição. Os processos de formação dos filmes podem ser divididos em dois grupos fundamentais:  Crescimento dos filmes pela reação da superfície. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Ricardo Cotrim - Integrante / Newton Cesário Fratesch - Integrante / Jacobus Willibrordus Swart - Coordenador., Financiador(es): Universidade Estadual de Campinas - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 1

• 2005 - 2005

  Caracterização do Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) - Vertical/HOrizontal: Mapear a taxa de deposição e verificar a uniformidade e reprodutibilidade do processo de deposição de si-poli no reator LPCVD vertical;Testar a deposição com NH4F, Descrição: Caracterização do Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) - Vertical/HOrizontal: Mapear a taxa de deposição e verificar a uniformidade e reprodutibilidade do processo de deposição de si-poli no reator LPCVD vertical;Testar a deposição utilizando a nova campânula; Testar a solução de corrosão de si-poli utilizando NH4F ao invés de HF: O processo chemical vapor deposition (CVD) de materiais sólidos, é um importante método para a produção de filmes sólidos com alta pureza e uniformidade. Filmes finos desempenham uma função essencial nos dispositivos e circuitos integrados. São utilizados nas conexões das regiões ativas de um dispositivo, na comunicação entre dispositivos, no acesso externo aos circuitos, para isolar camadas condutoras, como elementos estruturais dos dispositivos, para proteger as superfícies do ambiente externo, como fonte de dopante e como barreira para a dopagem. Os filmes finos podem ser condutores, semicondutores ou isolantes, normalmente crescidos termicamente ou depositados a partir da fase vapor. Os filmes finos utilizados na fabricação dos circuitos VLSI devem apresentar características rigorosamente controladas. A espessura, a estrutura atômica e a composição química devem ser uniformes, com baixa densidade de defeitos e mínima contaminação por partículas. As geometrias diminutas dos dispositivos resultam em circuitos com superfícies bastante rugosas. Os filmes nelas depositados devem ter boa aderência, baixa tensão e prover uma boa cobertura de degraus. Normalmente as propriedades de um material na forma de filme diferem substancialmente das propriedades do mesmo material na sua forma maciça devido à influência da superfície; a relação entre a superfície e o volume é muito maior no caso do filme. Por outro lado as propriedades dos filmes são altamente dependentes dos processos de deposição. Os processos de formação dos filmes podem ser divididos em dois grupos fundamentais:  Crescimento dos filmes pela reação da superfície. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Ricardo Cotrim - Integrante / Newton Cesário Fratesch - Integrante / Jacobus Willibrordus Swart - Coordenador., Financiador(es): Universidade Estadual de Campinas - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 1

• 2005 - 2005

  Caracterização do Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) - Vertical/HOrizontal: Mapear a taxa de deposição e verificar a uniformidade e reprodutibilidade do processo de deposição de si-poli no reator LPCVD vertical;Testar a deposição com NH4F, Descrição: Caracterização do Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) - Vertical/HOrizontal: Mapear a taxa de deposição e verificar a uniformidade e reprodutibilidade do processo de deposição de si-poli no reator LPCVD vertical;Testar a deposição utilizando a nova campânula; Testar a solução de corrosão de si-poli utilizando NH4F ao invés de HF: O processo chemical vapor deposition (CVD) de materiais sólidos, é um importante método para a produção de filmes sólidos com alta pureza e uniformidade. Filmes finos desempenham uma função essencial nos dispositivos e circuitos integrados. São utilizados nas conexões das regiões ativas de um dispositivo, na comunicação entre dispositivos, no acesso externo aos circuitos, para isolar camadas condutoras, como elementos estruturais dos dispositivos, para proteger as superfícies do ambiente externo, como fonte de dopante e como barreira para a dopagem. Os filmes finos podem ser condutores, semicondutores ou isolantes, normalmente crescidos termicamente ou depositados a partir da fase vapor. Os filmes finos utilizados na fabricação dos circuitos VLSI devem apresentar características rigorosamente controladas. A espessura, a estrutura atômica e a composição química devem ser uniformes, com baixa densidade de defeitos e mínima contaminação por partículas. As geometrias diminutas dos dispositivos resultam em circuitos com superfícies bastante rugosas. Os filmes nelas depositados devem ter boa aderência, baixa tensão e prover uma boa cobertura de degraus. Normalmente as propriedades de um material na forma de filme diferem substancialmente das propriedades do mesmo material na sua forma maciça devido à influência da superfície; a relação entre a superfície e o volume é muito maior no caso do filme. Por outro lado as propriedades dos filmes são altamente dependentes dos processos de deposição. Os processos de formação dos filmes podem ser divididos em dois grupos fundamentais:  Crescimento dos filmes pela reação da superfície. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Ricardo Cotrim - Integrante / Newton Cesário Fratesch - Integrante / Jacobus Willibrordus Swart - Coordenador., Financiador(es): Universidade Estadual de Campinas - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 1

• 2005 - 2005

  Caracterização do Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) - Vertical/HOrizontal: Mapear a taxa de deposição e verificar a uniformidade e reprodutibilidade do processo de deposição de si-poli no reator LPCVD vertical;Testar a deposição com NH4F, Descrição: Caracterização do Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) - Vertical/HOrizontal: Mapear a taxa de deposição e verificar a uniformidade e reprodutibilidade do processo de deposição de si-poli no reator LPCVD vertical;Testar a deposição utilizando a nova campânula; Testar a solução de corrosão de si-poli utilizando NH4F ao invés de HF: O processo chemical vapor deposition (CVD) de materiais sólidos, é um importante método para a produção de filmes sólidos com alta pureza e uniformidade. Filmes finos desempenham uma função essencial nos dispositivos e circuitos integrados. São utilizados nas conexões das regiões ativas de um dispositivo, na comunicação entre dispositivos, no acesso externo aos circuitos, para isolar camadas condutoras, como elementos estruturais dos dispositivos, para proteger as superfícies do ambiente externo, como fonte de dopante e como barreira para a dopagem. Os filmes finos podem ser condutores, semicondutores ou isolantes, normalmente crescidos termicamente ou depositados a partir da fase vapor. Os filmes finos utilizados na fabricação dos circuitos VLSI devem apresentar características rigorosamente controladas. A espessura, a estrutura atômica e a composição química devem ser uniformes, com baixa densidade de defeitos e mínima contaminação por partículas. As geometrias diminutas dos dispositivos resultam em circuitos com superfícies bastante rugosas. Os filmes nelas depositados devem ter boa aderência, baixa tensão e prover uma boa cobertura de degraus. Normalmente as propriedades de um material na forma de filme diferem substancialmente das propriedades do mesmo material na sua forma maciça devido à influência da superfície; a relação entre a superfície e o volume é muito maior no caso do filme. Por outro lado as propriedades dos filmes são altamente dependentes dos processos de deposição. Os processos de formação dos filmes podem ser divididos em dois grupos fundamentais:  Crescimento dos filmes pela reação da superfície. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Ricardo Cotrim - Integrante / Newton Cesário Fratesch - Integrante / Jacobus Willibrordus Swart - Coordenador., Financiador(es): Universidade Estadual de Campinas - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 1

• 2005 - 2005

  Caracterização do Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) - Vertical/HOrizontal: Mapear a taxa de deposição e verificar a uniformidade e reprodutibilidade do processo de deposição de si-poli no reator LPCVD vertical;Testar a deposição com NH4F, Descrição: Caracterização do Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) - Vertical/HOrizontal: Mapear a taxa de deposição e verificar a uniformidade e reprodutibilidade do processo de deposição de si-poli no reator LPCVD vertical;Testar a deposição utilizando a nova campânula; Testar a solução de corrosão de si-poli utilizando NH4F ao invés de HF: O processo chemical vapor deposition (CVD) de materiais sólidos, é um importante método para a produção de filmes sólidos com alta pureza e uniformidade. Filmes finos desempenham uma função essencial nos dispositivos e circuitos integrados. São utilizados nas conexões das regiões ativas de um dispositivo, na comunicação entre dispositivos, no acesso externo aos circuitos, para isolar camadas condutoras, como elementos estruturais dos dispositivos, para proteger as superfícies do ambiente externo, como fonte de dopante e como barreira para a dopagem. Os filmes finos podem ser condutores, semicondutores ou isolantes, normalmente crescidos termicamente ou depositados a partir da fase vapor. Os filmes finos utilizados na fabricação dos circuitos VLSI devem apresentar características rigorosamente controladas. A espessura, a estrutura atômica e a composição química devem ser uniformes, com baixa densidade de defeitos e mínima contaminação por partículas. As geometrias diminutas dos dispositivos resultam em circuitos com superfícies bastante rugosas. Os filmes nelas depositados devem ter boa aderência, baixa tensão e prover uma boa cobertura de degraus. Normalmente as propriedades de um material na forma de filme diferem substancialmente das propriedades do mesmo material na sua forma maciça devido à influência da superfície; a relação entre a superfície e o volume é muito maior no caso do filme. Por outro lado as propriedades dos filmes são altamente dependentes dos processos de deposição. Os processos de formação dos filmes podem ser divididos em dois grupos fundamentais: Crescimento dos filmes pela reação da superfície. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Ricardo Cotrim - Integrante / Newton Cesário Fratesch - Integrante / Jacobus Willibrordus Swart - Coordenador., Financiador(es): Universidade Estadual de Campinas - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 1

• 2005 - 2005

  Caracterização do Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) - Vertical/HOrizontal: Mapear a taxa de deposição e verificar a uniformidade e reprodutibilidade do processo de deposição de si-poli no reator LPCVD vertical;Testar a deposição com NH4F, Descrição: Caracterização do Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) - Vertical/HOrizontal: Mapear a taxa de deposição e verificar a uniformidade e reprodutibilidade do processo de deposição de si-poli no reator LPCVD vertical;Testar a deposição utilizando a nova campânula; Testar a solução de corrosão de si-poli utilizando NH4F ao invés de HF: O processo chemical vapor deposition (CVD) de materiais sólidos, é um importante método para a produção de filmes sólidos com alta pureza e uniformidade. Filmes finos desempenham uma função essencial nos dispositivos e circuitos integrados. São utilizados nas conexões das regiões ativas de um dispositivo, na comunicação entre dispositivos, no acesso externo aos circuitos, para isolar camadas condutoras, como elementos estruturais dos dispositivos, para proteger as superfícies do ambiente externo, como fonte de dopante e como barreira para a dopagem. Os filmes finos podem ser condutores, semicondutores ou isolantes, normalmente crescidos termicamente ou depositados a partir da fase vapor. Os filmes finos utilizados na fabricação dos circuitos VLSI devem apresentar características rigorosamente controladas. A espessura, a estrutura atômica e a composição química devem ser uniformes, com baixa densidade de defeitos e mínima contaminação por partículas. As geometrias diminutas dos dispositivos resultam em circuitos com superfícies bastante rugosas. Os filmes nelas depositados devem ter boa aderência, baixa tensão e prover uma boa cobertura de degraus. Normalmente as propriedades de um material na forma de filme diferem substancialmente das propriedades do mesmo material na sua forma maciça devido à influência da superfície; a relação entre a superfície e o volume é muito maior no caso do filme. Por outro lado as propriedades dos filmes são altamente dependentes dos processos de deposição. Os processos de formação dos filmes podem ser divididos em dois grupos fundamentais:  Crescimento dos filmes pela reação da superfície. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rogerio Lucio de Almeida - Integrante / Ricardo Cotrim - Integrante / Newton Cesário Fratesch - Integrante / Jacobus Willibrordus Swart - Coordenador., Financiador(es): Universidade Estadual de Campinas - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 1

Prêmios