Gustavo Martini Dalpian

Pós-doutorado

Formação complementar

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Orientou

Produções bibliográficas

• DE FREITAS, ANDRE LUIZ MARTINS ; CATURELLO, NAIDEL A. M. S. ; TOFANELLO, ARYANE ; KANEKO, ULISSES F. ; CORREA, LUCAS E. ; DOS REIS, RICARDO DONIZETH ; FERREIRA, FABIO FURLAN ; Dalpian, G. M. ; SOUZA, JOSÉ A . Releasing trapped excitons in 2D perovskites via pressure annealing: A cooperative interplay between lattice strain and electronic structure.. Materials Chemistry Frontiers , v. 1, p. 1, 2025.

• MORAIS, ELIANE A. ; CATURELLO, NAIDEL A. M. S. ; LEMES, MAYKON A. ; FERREIRA, HENRIQUE ; FERREIRA, FABIO F. ; ACUÑA, JOSE J. S. ; BROCHSZTAIN, SERGIO ; Dalpian, Gustavo M. ; SOUZA, JOSE A. . Rashba Spin Splitting Limiting the Application of 2D Halide Perovskites for UV-Emitting Devices. ACS Applied Materials & Interfaces , v. 1, p. 1, 2024.

• SABINO, FERNANDO P. ; ZHAO, XIN GANG ; Dalpian, Gustavo M. ; ZUNGER, ALEX . Impact of symmetry breaking and spin-orbit coupling on the band gap of halide perovskites. PHYSICAL REVIEW B , v. 110, p. 035160, 2024.

• BANDEIRA, LUCAS ; FERREIRA, HENRIQUE ; ALMEIDA, JAMES MORAES DE ; JARDIM DE PAULA, AMAURI ; DALPIAN, GUSTAVO MARTINI . CO 2 Reduction beyond Copper-Based Catalysts: A Natural Language Processing Review from the Scientific Literature. ACS Sustainable Chemistry & Engineering , v. 12, p. 4411-4422, 2024.

• OGOSHI, ELTON ; POPOLIN-NETO, MÁRIO ; ACOSTA, CARLOS MERA ; NASCIMENTO, GABRIEL M. ; RODRIGUES, JOÃO N. B. ; OLIVEIRA, OSVALDO N. ; PAULOVICH, FERNANDO V. ; Dalpian, Gustavo M. . Learning from machine learning: the case of band-gap directness in semiconductors. Discover Materials , v. 4, p. 6, 2024.

• FARIGLIANO, LUCAS MARTIN ; NEGREIROS RIBEIRO, FABIO ; DALPIAN, GUSTAVO MARTINI . Phase transitions in CsPbBr : evaluating perovskite behavior over different time scales. Materials Advances , v. 5, p. 5794-5801, 2024.

• MARTINS FREITAS, ANDRE LUIZ ; TOFANELLO, ARYANE ; SABINO, FERNANDO PEREIRA ; FELEZ, MARISSOL RODRIGUES ; MORAIS, ELIANE APARECIDA ; BROCHSZTAIN, SERGIO ; ACUÑA, JOSE JAVIER SÁEZ ; DALPIAN, GUSTAVO MARTINI ; SOUZA, JOSE ANTONIO . Finite-Size Effects on Cs 3 Cu 2 I 5 0D Electronic Nanostructures for Ultraviolet-Emitting Applications. Acs Applied Nano Materials , v. 6, p. 7196-7205, 2023.

• BONADIO, ARIANY ; SABINO, FERNANDO P. ; FREITAS, ANDRÉ L. M. ; FELEZ, MARISSOL R. ; Dalpian, Gustavo M. ; SOUZA, JOSE A. . Comparing the Cubic and Tetragonal Phases of MAPbI 3 at Room Temperature. INORGANIC CHEMISTRY , v. 62, p. 7533-7544, 2023.

• BEZZON, VINÍCIUS DANILO NONATO ; CATURELLO, NAIDEL ANTONIO MOREIRA DOS SANTOS ; DALPIAN, GUSTAVO MARTINI ; FERREIRA, FABIO FURLAN . Crystal structure determination and DFT analysis of doxorubicin hydrochloride for controlled-release drug formulations. JOURNAL OF MOLECULAR STRUCTURE , v. 1, p. 136412, 2023.

• SABINO, FERNANDO P. ; Dalpian, Gustavo M. ; ZUNGER, ALEX . Light-Induced Frenkel Defect Pair Formation Can Lead to Phase-Segregation of Otherwise Miscible Halide Perovskite Alloys. Advanced Energy Materials , v. 1, p. 1, 2023.

• ESPINOSA-GARCÍA, W.F. ; DALPIAN, G.M. ; OSORIO-GUILLÉN, J.M. . Intrinsic defects in sulvanite compounds: The case of transparent Cu3TaS4 and absorbing Cu3VSe4. JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS , v. 969, p. 172264, 2023.

• YADAV, ASHA ; ACOSTA, CARLOS MERA ; Dalpian, Gustavo M. ; MALYI, OLEKSANDR I. . First-principles investigations of 2D materials: Challenges and best practices. Matter , v. 6, p. 2711-2734, 2023.

• ACOSTA, CARLOS MERA ; OGOSHI, ELTON ; SOUZA, JOSE ANTONIO ; Dalpian, Gustavo M. . Machine Learning Study of the Magnetic Ordering in 2D Materials. ACS Applied Materials & Interfaces , v. 1, p. acsami.1c21558, 2022.

• SABINO, FERNANDO P. ; ZUNGER, ALEX ; Dalpian, Gustavo M. . Intrinsic doping limitations in inorganic lead halide perovskites. Materials Horizons , v. 9, p. 791-803, 2022.

• CATURELLO, NAIDEL A. M. S. ; SABINO, FERNANDO P. ; SOUZA, JOSÉ A. ; Dalpian, Gustavo M. . Pressure-Induced Stabilization of Sodium Halide Perovskites. Journal of Physical Chemistry C , v. 126, p. 4248-4254, 2022.

• NASCIMENTO, GABRIEL M. ; OGOSHI, ELTON ; Fazzio, Adalberto ; ACOSTA, CARLOS MERA ; Dalpian, Gustavo M. . High-throughput inverse design and Bayesian optimization of functionalities: spin splitting in two-dimensional compounds. Scientific Data , v. 9, p. 195, 2022.

• FERREIRA, H. ; ALMEIDA JUNIOR, E.F. ; ESPINOSA-GARCÍA, W. ; NOVAIS, E. ; RODRIGUES, J.N.B. ; DALPIAN, G.M. . Introduzindo aprendizado de máquina em cursos de física: o caso do rolamento no plano inclinado. REVISTA BRASILEIRA DE ENSINO DE FÍSICA (ONLINE) , v. 44, p. 1, 2022.

• SABINO, FERNANDO P. ; CHATRATIN, INTUON ; JANOTTI, ANDERSON ; Dalpian, Gustavo M. . Hole conductivity through a defect band in ZnGa 2 O 4 . PHYSICAL REVIEW MATERIALS , v. 6, p. 1, 2022.

• USSUI, VALTER ; LAZAR, DOLORES RIBEIRO ; DE LIMA, NELSON ; ARATA, ANELYSE ; RIBEIRO, FABIO ; DALPIAN, GUSTAVO ; MARCHI, JULIANA ; PASCHOAL, JOSÉ OCTAVIO . Room temperature plasticity of zirconia-yttria-titania ceramics: Experimental indications and structural modelling. Processing and Application of Ceramics , v. 16, p. 367-373, 2022.

• BONADIO, A. ; ESCANHOELA, C. A. ; SABINO, F. P. ; SOMBRIO, G. ; DE PAULA, V. G. ; FERREIRA, F. F. ; JANOTTI, A. ; Dalpian, G. M. ; SOUZA, J. A. . Entropy-driven stabilization of the cubic phase of MaPbI 3 at room temperature. Journal of Materials Chemistry A , v. 1, p. 1, 2021.

• NEGREIROS RIBEIRO, FABIO ; LAZAR, DOLORES RIBEIRO RICCI ; USSUI, VALTER ; DE LIMA, NELSON BATISTA ; MARCHI, JULIANA ; DALPIAN, GUSTAVO MARTINI . Ab initio atomistic description of temperature-induced phase changes: The cases of zirconia and Ti-Y-co-doped zirconia. PHYSICAL REVIEW MATERIALS , v. 5, p. 1, 2021.

• BAE, SOUNGMIN ; ESPINOSA'GARCÍA, WILLIAM ; KANG, YOON'GU ; EGAWA, NORIYUKI ; LEE, JUHO ; KUWAHATA, KAZUAKI ; KHAZAEI, MOHAMMAD ; OHNO, KAORU ; KIM, YONG'HOON ; HAN, MYUNG JOON ; HOSONO, HIDEO ; Dalpian, Gustavo M. ; RAEBIGER, HANNES . MXene Phase with C Structure Unit: A Family of 2D Electrides. ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS , v. 1, p. 2100009, 2021.

• MERA ACOSTA, CARLOS ; YUAN, LINDING ; Dalpian, Gustavo M. ; ZUNGER, ALEX . Different shapes of spin textures as a journey through the Brillouin zone. PHYSICAL REVIEW B , v. 104, p. 104408, 2021.

• BONADIO, A. ; SABINO, F. P. ; TOFANELLO, A. ; M. FREITAS, A. L. ; DE PAULA, V. G. ; Dalpian, G. M. ; SOUZA, J. A. . Tailoring the Optical, Electronic, and Magnetic Properties of MAPbI 3 through Self-Assembled Fe Incorporation. Journal of Physical Chemistry C , v. 125, p. 15636-15646, 2021.

• ESPINOSA-GARCÍA, W. F. ; Dalpian, G. M. . Influence of defects on antidoping behavior in. PHYSICAL REVIEW B , v. 104, p. 205106, 2021.

• ZHAO, XIN-GANG ; Dalpian, Gustavo M. ; WANG, ZHI ; ZUNGER, ALEX . Polymorphous nature of cubic halide perovskites. PHYSICAL REVIEW B , v. 101, p. 155137, 2020.

• RAEBIGER, HANNES ; PADILHA, ANTONIO CLAUDIO M ; REILY ROCHA, ALEXANDRE ; Dalpian, Gustavo M . Electronic mechanism for resistive switching in metal/insulator/metal nanodevices. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS , v. 53, p. 295302, 2020.

• GOMEZ, CYNTHIA MARINA ; PAN, SHUANG ; BRAGA, HELDER MOREIRA ; DE OLIVEIRA, LEONARDO SOARES ; DALPIAN, GUSTAVO MARTINI ; BIESOLD-MCGEE, GILL VINCENT ; LIN, ZHIQUN ; SANTOS, SYDNEY FERREIRA ; SOUZA, JOSE ANTONIO . Possible Charge-Transfer-Induced Conductivity Enhancement in TiO 2 Microtubes Decorated with Perovskite CsPbBr 3 Nanocrystals. LANGMUIR , v. 36, p. 5408-5416, 2020.

• MALYI, OLEKSANDR I. ; Dalpian, Gustavo M. ; ZHAO, XIN-GANG ; WANG, ZHI ; ZUNGER, ALEX . Realization of predicted exotic materials: The burden of proof. Materials Today , v. 32, p. 35-45, 2020.

• SCHLEDER, GABRIEL RAVANHANI ; PADILHA, ANTONIO CLAUDIO M. ; REILY ROCHA, ALEXANDRE ; DALPIAN, GUSTAVO MARTINI ; Fazzio, Adalberto . Ab Initio Simulations and Materials Chemistry in the Age of Big Data. Journal of Chemical Information and Modeling , v. 60, p. 452-459, 2020.

• MERA ACOSTA, CARLOS ; OGOSHI, ELTON ; Fazzio, Adalberto ; Dalpian, Gustavo M. ; ZUNGER, ALEX . The Rashba Scale: Emergence of Band Anti-crossing as a Design Principle for Materials with Large Rashba Coefficient. Matter , v. 3, p. 145-165, 2020.

• SCHLEDER, GABRIEL R. ; MARINHO, ENESIO ; BAQUIAO, DOUGLAS J. R. ; CELASCHI, YURI M. ; GOLLINO, FELIPE ; Dalpian, Gustavo M. ; AUTRETO, PEDRO A. S. . Tuning hydrogen adsorption and electronic properties from graphene to fluorographone. PHYSICAL REVIEW MATERIALS , v. 4, p. 074005, 2020.

• ALVAREZ-QUICENO, J. C. ; AVILA, M. A. ; OSORIO-GUILLÉN, J. M. ; Dalpian, G. M. . Doping quantum materials: Defects and impurities in Fe Ga 3 . PHYSICAL REVIEW B , v. 102, p. 1, 2020.

• DE OLIVEIRA, LEONARDO S. ; SABINO, FERNANDO P. ; DE FLORIO, DANIEL Z. ; JANOTTI, ANDERSON ; Dalpian, Gustavo M. ; SOUZA, JOSE A. . Insulator-Metal Transition in the Nd 2 CoFeO 6 Disordered Double Perovskite. Journal of Physical Chemistry C , v. 1, p. 1, 2020.

• ACOSTA, CARLOS MERA ; Fazzio, Adalberto ; Dalpian, Gustavo M. ; ZUNGER, ALEX . Inverse design of compounds that have simultaneously ferroelectric and Rashba cofunctionality. PHYSICAL REVIEW B , v. 102, p. 1, 2020.

• DA SILVA ALVIM, RAPHAEL ; RIBEIRO, FABIO NEGREIROS ; DALPIAN, GUSTAVO MARTINI . Iron and oxygen vacancies at the hematite surface: pristine case and with a chlorine adatom. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS , v. 22, p. 25380-25389, 2020.

• BAQUIÃO, DOUGLAS J.R. ; Dalpian, Gustavo M. . Computational screening of bulk materials with intrinsic intermediate band. COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE , v. 158, p. 382-388, 2019.

• LIU, QIHANG ; Dalpian, Gustavo M. ; ZUNGER, ALEX . Antidoping in Insulators and Semiconductors Having Intermediate Bands with Trapped Carriers. PHYSICAL REVIEW LETTERS , v. 122, p. 106403, 2019.

• Dalpian, Gustavo M. ; OLIVEIRA, OSVALDO N. . Preface to the Forum on Materials Discovery and Design. ACS Applied Materials & Interfaces , v. 11, p. 24823-24824, 2019.

• MERA ACOSTA, CARLOS ; Fazzio, Adalberto ; Dalpian, Gustavo M. . Zeeman-type spin splitting in nonmagnetic three-dimensional compounds. npj Quantum Materials , v. 4, p. 41, 2019.

• FERRARI, VICTORIA C. ; ALVIM, RAPHAEL S. ; DE QUEIROZ, THIAGO B. ; Dalpian, Gustavo M. ; SOUZA, FLAVIO L. . Controlling the Activation Energy for Single-Ion Diffusion through a Hybrid Polyelectrolyte Matrix by Manipulating the Central Coordinate Semimetal Atom. Journal of Physical Chemistry Letters , v. 10, p. 7684-7689, 2019.

• Dalpian, Gustavo M. ; ZHAO, XIN-GANG ; KAZMERSKI, LAWRENCE ; ZUNGER, ALEX . Formation and composition-dependent properties of alloys of cubic halide perovskites. CHEMISTRY OF MATERIALS , v. 31, p. 2497, 2019.

• ALVAREZ-QUICENO, J C ; Dalpian, G M ; FAZZIO, A ; OSORIO-GUILLÉN, J M . Semiclassical transport properties of IrGa : a promising thermoelectric material. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER , v. 30, p. 085701, 2018.

• Dalpian, G. M. ; LIU, Q. ; VARIGNON, J. ; BIBES, M. ; ZUNGER, ALEX . Bond disproportionation, charge self-regulation, and ligand holes in and in -electron perovskites by density functional theory. PHYSICAL REVIEW B , v. 98, p. 075135, 2018.

• SANTOS, JACIARA C. C. ; NEGREIROS, FABIO R. ; PEDROZA, LUANA S. ; Dalpian, Gustavo M. ; MIRANDA, PAULO B. . Interaction of Water with the Gypsum (010) Surface: Structure and Dynamics from Nonlinear Vibrational Spectroscopy and Ab Initio Molecular Dynamics. JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY , v. 140, p. 17141, 2018.

• ITO, NATHALIE MINAKO ; CARVALHO-JR, WALDEMIR M ; MUCHE, DERECK NILLS FERREIRA ; Dalpian, G. M. ; CASTRO, RICARDO HR ; SOUZA, FLAVIO LEANDRO . High temperature activation of hematite nanorods for sunlight driven water oxidation reaction. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS , v. 1, p. 1, 2017.

• Dalpian, Gustavo M. ; LIU, QIHANG ; STOUMPOS, CONSTANTINOS C. ; DOUVALIS, ALEXIOS P. ; BALASUBRAMANIAN, MAHALINGAM ; KANATZIDIS, MERCOURI G. ; ZUNGER, ALEX . Changes in charge density vs changes in formal oxidation states: The case of Sn halide perovskites and their ordered vacancy analogues. Physical Review Materials , v. 1, p. 025401, 2017.

• NEGREIROS, FABIO RIBEIRO ; PEDROZA, LUANA SUCUPIRA ; SOUZA, FLAVIO LEANDRO ; DALPIAN, GUSTAVO MARTINI . Surface Fe vacancy defects on haematite and their role in light-induced water splitting in artificial photosynthesis. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS , v. 19, p. 31410-31417, 2017.

• ALVAREZ-QUICENO, J C ; Miwa, R H ; DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. . Oxidation of free-standing and supported borophene. 2D Materials , v. 4, p. 025025, 2017.

• PÉREZ-WALTON, S ; VALENCIA-BALVÍN, C ; PADILHA, A C M ; Dalpian, G M ; OSORIO-GUILLÉN, J M . A search for the ground state structure and the phase stability of tantalum pentoxide. Journal of Physics. Condensed Matter (Print) , v. 28, p. 035801, 2016.

• SILVA, ALEXANDRE R. ; Dalpian, Gustavo M. . Vacancies at LaAlO3 thin films: A 2D electron gas at the surface. Journal of Alloys and Compounds , v. 1, p. 1, 2016.

• NEGREIROS, FABIO R. ; PEDROZA, LUANA S. ; Dalpian, Gustavo M. . Effect of Charges on the Interaction of a Water Molecule with the Fe 2 O 3 (0001) Surface. Journal of Physical Chemistry. C , v. 120, p. 11918-11925, 2016.

• ALVAREZ-QUICENO, J. C. ; CABRERA-BAEZ, M. ; RIBEIRO, R. A. ; AVILA, M. A. ; Dalpian, G. M. ; OSORIO-GUILLÉN, J. M. . Emergence of competing magnetic interactions induced by Ge doping in the semiconductor. PHYSICAL REVIEW B , v. 94, p. 014432, 2016.

• PADILHA, A. C. M. ; RAEBIGER, H. ; ROCHA, A. R. ; DALPIAN, G. M. . Charge storage in oxygen deficient phases of TiO2: defect Physics without defects. Scientific Reports , v. 6, p. 28871, 2016.

• PADILHA, A.'C.'M. ; ROCHA, A.'R. ; DALPIAN, G.'M. . DFT+U Simulation of the Ti4O7-TiO2 Interface. Physical Review Applied , v. 3, p. 024009, 2015.

• ALVAREZ-QUICENO, JUAN C. ; Dalpian, Gustavo M. ; OSORIO-GUILLÉN, JORGE M. . A systematic first-principles study of the tungsten trioxide polymorphs. Physica Status Solidi. B, Basic Research , v. 252, p. n/a-n/a, 2015.

• SILVA, ALEXANDRE R. ; Dalpian, Gustavo M. . Oxygen vacancies at the surface of SrTiO3 thin films. Journal of Applied Physics , v. 115, p. 033710, 2014.

• VALENCIA-BALVÍN, C. ; PÉREZ-WALTON, S. ; DALPIAN, G.M. ; OSORIO-GUILLÉN, J.M. . First-principles equation of state and phase stability of niobium pentoxide. Computational Materials Science , v. 81, p. 133-140, 2014.

• CHALCO, J. P. M. ; DALPIAN, G. M. (Gustavo Martini Dalpian) ; Capelle KW . Redes de Colaboração Acadêmica: Um Estudo de Caso da Produção Bibliográfica da UFABC. Interciente , v. 1, p. 50, 2014.

• PADILHA, A. C. M. ; OSORIO-GUILLÉN, J. M. ; ROCHA, A. R. ; Dalpian, G. M. . TinO2n-1 Magnéli phases studied using density functional theory. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 90, p. 035213, 2014.

• SCHOENHALZ, A. L. ; DOMINGUEZ, A. ; LORKE, M. ; ROSA, A. L. ; FRAUENHEIM, TH. ; ROCHA, A. R. ; DALPIAN, G. M. . First principles investigations on the electronic structure of anchor groups on ZnO nanowires and surfaces. Journal of Applied Physics , v. 115, p. 203720, 2014.

• PEREZ?WALTON, S. ; VALENCIA?BALVIN, C. ; DALPIAN, G. M. ; OSORIO?GUILLEN, J. M. . Electronic, dielectric, and optical properties of the B phase of niobium pentoxide and tantalum pentoxide by first-principles calculations. Physica Status Solidi. B, Basic Research , p. n/a-n/a, 2013.

• HOLANDA, L M ; MENDONÇA-FERREIRA, L ; RIBEIRO, R A ; OSORIO-GUILLÉN, J M ; Dalpian, G M ; KUGA, K ; NAKATSUJI, S ; Fisk, Z ; URBANO, R R ; PAGLIUSO, P G ; Rettori, C . Conduction electron spin resonance in AlB 2. Journal of Physics. Condensed Matter (Print) , v. 25, p. 216001, 2013.

• Schoenhalz, Aline L. ; Dalpian, G. M. . Cobalt doped ZnO nanocrystals: quantum confinement and surface effects from {it ab initio} methods. PCCP. Physical Chemistry Chemical Physics (Print) , v. 15, p. 15863, 2013.

• Schoenhalz, Aline L. ; Dalpian, Gustavo M. . Surface-induced structural modification in ZnO nanoparticles. Journal of Nanoparticle Research (Online) , v. 14, p. 1162, 2012.

• OSORIO-GUILLÉN, J. ; LARRAURI-PIZARRO, Y. ; Dalpian, G. . Pressure-induced metal-insulator transition and absence of magnetic order in FeGa_{3} from a first-principles study. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 86, p. 235202, 2012.

• Chelikowsky, James R ; Alemany, M M G ; Chan, T-L ; Dalpian, G M . Computational studies of doped nanostructures. Reports on Progress in Physics (Print) , v. 74, p. 046501, 2011.

• Khoo, K. ; Arantes, J. ; Chelikowsky, James ; Dalpian, G. . First-principles calculations of lattice-strained core-shell nanocrystals. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 84, p. 075311, 2011.

• Milioni, AZ ; Gonçalves, J ; Dalpian, Gustavo M. . Da concepção à implantação da pós-graduação na UFABC: o Programa em Nanociências e Materiais Avançados. RBPG. Revista Brasileira de Pós-Graduação , v. 8, p. 209, 2011.

• Podila, R. ; Queen, W. ; Nath, A. ; Arantes, Jeverson T. ; Schoenhalz, Aline L. ; FAZZIO, A. ; Dalpian, Gustavo M. ; He, J. ; Hwu, Shiou J. ; Skove, Malcolm J. ; Rao, Apparao M. . Origin of FM Ordering in Pristine Micro- and Nanostructured ZnO. Nano Letters , p. 100302111141082, 2010.

• Schoenhalz, Aline L. ; Arantes, Jeverson T. ; Fazzio, Adalberto ; Dalpian, Gustavo M. . Surface and Quantum Confinement Effects in ZnO Nanocrystals. Journal of physical chemistry. C , v. 114, p. 18293-18297, 2010.

• FILETI, E. E. ; Dalpian, G. M. ; Rivelino, R. . Liquid separation by a graphene membrane. Journal of Applied Physics , v. 108, p. 113527, 2010.

• Pontes, Renato B. ; FAZZIO, A. ; Dalpian, Gustavo M. . Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 79, p. 033412, 2009.

• Chan, Tzu-Liang ; Zayak, Alexey T. ; Dalpian, Gustavo M. ; Chelikowsky, James R. . Role of Confinement on Diffusion Barriers in Semiconductor Nanocrystals. Physical Review Letters , v. 102, p. 025901, 2009.

• Arantes, J. T. ; Lima, M. P. ; FAZZIO, A. ; XIANG, H. ; Wei, Su-Huai ; Dalpian, G. M. . Effects of Side-Chain and Electron Exchange Correlation on the Band Structure of Perylene Diimide Liquid Crystals: A Density Functional Study. Journal of Physical Chemistry. B , v. 113, p. 5376-5380, 2009.

• SCHOENHALZ, A. L. ; Arantes, J. T. ; FAZZIO, A. ; Dalpian, G. M. . Surface magnetization in non-doped ZnO nanostructures. Applied Physics Letters , v. 94, p. 162503, 2009.

• Dalpian, Gustavo M. ; Da Silva, Juarez L. F. ; Wei, Su-Huai . Ferrimagnetic Fe-doped GaN: An unusual magnetic phase in dilute magnetic semiconductors. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 79, p. 241201(R), 2009.

• Martinho, H ; Rettori, C ; Dalpian, G M ; da Silva, J L F ; Fisk, Z ; Oseroff, S B . Evidence for a subtle structural symmetry breaking in EuB. Journal of Physics. Condensed Matter , v. 21, p. 456007, 2009.

• DALPIAN, G. M. ; CHELIKOWSKY, J. R. . Dalpian and Chelikowsky Reply. Physical Review Letters , v. 100, p. 179703, 2008.

• Arantes, J. T. ; Dalpian, G. M. ; FAZZIO, A. . Quantum confinement effects on Mn-doped InAs nanocrystals: A first-principles study. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 78, p. 045402, 2008.

• Silva, Juarez L F Da ; Dalpian, Gustavo M ; Wei, Su-Huai . Carrier-induced enhancement and suppression of ferromagnetism in Zn Cr Te and Ga Cr As: origin of the spinodal decomposition. New Journal of Physics , v. 10, p. 113007, 2008.

• DALPIAN, G. M. ; WEI, S. H. ; GONG, X. G. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Phenomenological Band Structure Model of Magnetic Coupling in Semiconductors. Solid State Communications , v. 138, n.7, p. 353-358, 2006.

• ZHANG, Y. ; DALPIAN, G. M. ; FLUEGEL, B. ; WEI, S.-H. ; MASCARENHAS, A. ; HUANG, X. ; LI, J. ; WANG, L. W. . A novel approach to tune the physical properties of organic-inorganic hybrid semiconductors. Physical Review Letters , v. 96, n.026405, p. 026405, 2006.

• DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Electron-mediated ferromagnetism and negative s-d exchange splitting in semiconductors. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 73, n.245204, p. 245204, 2006.

• DALPIAN, G. M. ; TIAGO, M. L. ; PUERTO, M. L. ; CHELIKOWSKY, J. R. . Symmetry considerations in CdSe nanocrystals. Nano Letters , v. 6, n.3, p. 501-503, 2006.

• DALPIAN, G. M. ; YAN, Y. ; WEI, S.-H. . Impurity-induced phase stabilization of semiconductors. Applied Physics Letters , v. 89, p. 011907, 2006.

• MOON, C.-Y. ; DALPIAN, G. M. ; ZHANG, Y. ; WEI, S.-H. ; HUANG, X. ; LI, J. . Structural Stability of Organic-Inorganic Hybrid nano semiconductors. Chemistry of Materials , v. 18, n.12, p. 2805-2809, 2006.

• DALPIAN, G. M. ; CHELIKOWSKY, J. R. . Self purification in semiconductor nanocrystals. Physical Review Letters , v. 96, n.226802, p. 226802, 2006.

• DALPIAN, G. M. ; WEI, S. H. . Carrier Mediated stabilization of ferromagnetism in semiconductors: holes and electrons. Physica Status Solidi. B, Basic Research , v. 243, n.9, p. 2170-2187, 2006.

• Norberg, N. S ; DALPIAN, G. M. ; CHELIKOWSKY, J. R. ; Gamelin, D. R. . .Pinned Magnetic Impurity Levels in Doped Quantum Dots (online). Nano Letters , v. 6, p. 2887-2892, 2006.

• DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Impurity-Stabilized Zinc-Blende Phase of Wurtzite Compounds. Journal of Physics and Chemistry of Solids , v. 66, p. 2008, 2005.

• DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Transition from ferromagnetism to antiferromagnetism in Ga1-xMnxN. Journal of Applied Physics , v. 98, n.083905, p. 083905, 2005.

• WEI, S. H. ; GONG, X. G. ; DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . First Principles study of Mn-induced local magnetic moments in host semiconductors. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 71, n.14, p. 144409, 2005.

• DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Photoinduced cation interstitial diffusion in II?VI semiconductors. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 72, n.075208, p. 075208, 2005.

• DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Electron-induced stabilization of ferromagnetism in Ga1?xGdxN. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 72, n.115201, p. 115201, 2005.

• DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Adsorption of Mn atoms on the Si(100) surface. Surface Science , v. 566, p. 688-692, 2004.

• DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Initial Stages of Ge and Si Growth near monoatomic SB steps on Si(100). Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 70, p. 193306, 2004.

• DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Hole-Mediated stabilization of cubic GaN. Physical Review Letters , v. 93, p. 216401, 2004.

• YAN, Y. ; DALPIAN, G. M. ; AL-JASSIM, M. M. ; WEI, S.-H. . Energetics and Electronics Structure of Stacking Faults in ZnO. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 70, n.19, p. 193206, 2004.

• DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Theoretical Investigation of a Possible MnXSi1-x Ferromagnetic semiconductor. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 68, n.113310, p. 113310, 2003.

• DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. ; VENEZUELA, P. . Ab Initio calculations of vacancies in Si1-xGex.. Applied Physics Letters , v. 81, p. 3383-3385, 2002.

• VENEZUELA, P. ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in Si1-xGex.. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 65, n.198806, p. 193306, 2002.

• DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface defrees of freedom. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 63, n.20, p. 205303-5306, 2001.

• DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100). Surface Science , v. 482-48, p. 507-511, 2001.

• SILVA, A. J. R. ; DALPIAN, G. M. ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. . Two-Atom Structures of Ge on Si(100): Dimers versus Adatom Pairs. Physical Review Letters , v. 87, n.3, p. 036104, 2001.

• VENEZUELA, P. ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Ab Initio Determination of the atomistic structure of SixGe1-x alloy. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 64, n.19, p. 19320, 2001.

• DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100). Computational Materials Science , v. 22, p. 19-23, 2001.

• DALPIAN, G. M. ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Initial Stages of Ge growth on Si(100): Ad-Atoms, Ad-Dimers and Ad-Trimers.. Physica. B, Condensed Matter , v. 273, p. 589-592, 1999.

• Natal CB (Org.) ; DALPIAN, G. M. (Org.) ; Capelle KW (Org.) ; Silva RLF (Org.) ; da Silva SJ (Org.) . UFABC 5 anos: um novo projeto universitário para o Brasil. , 2011.

• PADILHA, A. C. M. ; ROCHA, A. R. ; Dalpian, G. M. . Ordered vacancy compounds: the case of the Mangéli phases of TiO2. Metal Oxide Defects. 1ed.: , 2023, v. , p. 533-.

• DALPIAN, GUSTAVO MARTINI . Spins in Semiconductor Nanocrystals. Handbook of Materials Modeling. 1ed.: Springer International Publishing, 2020, v. , p. 605-616.

• DALPIAN, G. M. ; WALDMAN, H. . A Universidade e a construção da Interdisciplinaridade. In: Arlindo Philippi Jr; Valdir Fernandes; Roberto C.S. Pacheco. (Org.). ENSINO, PESQUISA E INOVAÇÃO: DESENVOLVENDO A INTERDISCIPLINARIDADE. 1ed.: , 2016, v. , p. 1-.

• Dalpian, G. M. . CÉLULAS SOLARES Da física quântica à sustentabilidade. Ciência Hoje, 01 jul. 2024.

• DALPIAN, G. M. . O plano de desenvolvimento institucional da UFABC. Diário do Grande ABC, 11 set. 2013.

• DALPIAN, G. M. . Grande ABC é líder acadêmico. Diário do Grande ABC, 26 dez. 2012.

• ZUNGER, ALEX ; Dalpian, G. ; LIU, QIHANG ; ABDALLA, L.B ; KAZMERSKI, L.L. . Developing an Understanding-Based Selection of Hybrid-Perovskite Compounds and the Cu-in Hybrid-Perovskite (CIHP) Family. In: 2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2017, Washington. 2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2017. p. 1245.

• CHALCO, J. P. M. ; Capelle, K ; Dalpian, G. M. . Rede de coautoria acadêmica da UFABC. In: Simpósio de Pesquisa do Grande ABC, 2012, São Bernardo do Campo. Simpósio de Pesquisa do Grande ABC, 2012.

• Chan T-L ; Zayak, A. T. ; Dalpian, Gustavo M ; CHELIKOWSKY, J. R. . The role of confinement on the diffusion barriers in semiconductor nanocrystals. In: 2009 APS March Meeting, 2009, Pittsburgh. APS March Meeting, 2009.

• Arantes JT ; Lima, M. P. ; FAZZIO, A. ; XIANG, H. ; Wei, Su-Huai ; Dalpian, Gustavo M. . Perylene diimide liquid crystals: A density functional study. In: 2009 APS March Meeting, 2009, Pittsburgh. APS March Meeting, 2009.

• SCHOENHALZ, A. L. ; Arantes JT ; FAZZIO, A. ; Dalpian, Gustavo M. . Ferromagnetism driven by extended defects in nanostructured ZnO. In: 2009 APS March Meeting, 2009, Pittsburgh. APS March Meeting, 2009.

• SCHOENHALZ, A. L. ; Dalpian, Gustavo M . Co-DOPED ZnO NANOCRYSTALS. In: IV International Symposium on Advanced Materials and Nanostructures, 2009, Santo Andre. IV ISAMN, 2009.

• de Oliveira, MIA ; Dalpian, Gustavo M. . ELECTRONIC AND STRUCTURAL PROPERTIES OF TWODIMENSIONAL SEMICONDUCTORS WITH GRAPHENE-LIKE STRUCTURE. In: IV International Symposium on Advanced Materials and Nanostructures, 2009, Santo Andre. IV ISAMN, 2009.

• Arantes JT ; Lima, M. P. ; FAZZIO, A. ; XIANG, H. ; Wei, Su-Huai ; Dalpian, Gustavo M . PERYLENE DIIMIDE LIQUID CRYSTALS: THE EFFECT OF HYBRID FUNCTIONALS AND SELF INTERACTION CORRECTION. In: IV International Symposium on Advanced Materials and Nanostructures, 2009, Santo Andre. IV ISAMN, 2009.

• de Oliveira, MIA ; Dalpian, Gustavo M . Electronic and structural properties of two- dimensional semiconductors with graphene-like structure,. In: XXXII Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2009, Aguas de Lindoia. XXXII ENFMC, 2009.

• DALPIAN, G. M. ; da Silva JLF ; WEI, S.-H. . CARRIER-INDUCED ENHANCEMENT AND SUPPRESSION OF FERROMAGNETISM IN ZnTe:Cr AND. In: International Conference on the Physics of Semiconductors, 2008, Rio de Janeiro. ICPS, 2008.

• Arantes JT ; Dalpian, G. M. ; FAZZIO, A. . QUANTUM CONFINEMENT EFFECTS ON Mn-DOPED InAs NANOCRYSTALS. In: International Conference on the Physics of Semiconductors, 2008, Rio de Janeiro. icps, 2008.

• da Silva JLF ; DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Suppresion of ferromagnetism in Zn$_x$Cr$_{1-x}$Te: A DFT study. In: 2008 APS March Meeting, 2008, New Orleans. 2008 March Meeting, 2008.

• DALPIAN, G. M. ; CHELIKOWSKY, J. R. . Self-purification in semiconductor nanostructures. In: 2007 APS March Meeting, 2007, Denver. 2007 March Meeting, 2007.

• DALPIAN, G. M. . Phase Selectivity in organic-inorganic hybrid semiconductors,. In: Simposio Brasileiro de Quimica Teorica, 2007, Poços de Caldas. Simposio Brasileiro de Quimica Teorica, 2007.

• ZHANG, Y. ; DALPIAN, G. M. ; FLUEGEL, B. ; WEI, S.-H. ; MASCARENHAS, A. ; LI, J. ; HUANG, X. . Exciton-polariton emission and absorption in inorganic-organic hybrid crystals ZnTe(en)$_{0.5}$. In: APS March Meeting, 2006, Baltimore. APS March Meeting, 2006.

• MOON, C.-Y. ; DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. ; ZHANG, Y. ; HUANG, X. ; LI, J. . Characterizing the structural properties of organic-inorganic hybrid semiconductors by first-principles calculations. In: APS March Meeting, 2006, Baltimore. APS March Meeting, 2006.

• WEI, S.-H. ; DALPIAN, G. M. . Electron-mediated ferromagnetism and negative s-d exchange splitting in semiconductors. In: APS March Meeting, 2006, Baltimore. APS March Meeting, 2006.

• DALPIAN, G. M. ; TIAGO, M. L. ; PUERTO, M. L. ; CHELIKOWSKY, J. R. . Symmetry considerations for semiconductor nanocrystals. In: APS March Meeting, 2006, Baltimore. APS March Meeting, 2006.

• DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. ; ZHANG, Y. ; FLUEGEL, B. ; MASCARENHAS, A. ; HUANG, X. ; LI, J. . Fully Ordered and Nano-Structured Inorganic-Organic Hybrid Semiconductors. In: 2005 APS March Meeting, 2005, Los Angeles. 2005 APS March Meeting, 2005.

• DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Transition from Ferromagnetism to Antiferromagnetism in Ga{1-x}Mn{x}N. In: 2005 APS March Meeting, 2005, Los Angeles. 2005 APS March Meeting, 2005.

• DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. ; GONG, X. G. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Band structure model of magnetic coupling in II-VI and III-V semiconductors. In: 2005 APS March Meeting, 2005, Los Angeles. 2005 APS March Meeting, 2005.

• DALPIAN, G. M. . Band Structure Model for Magnetic Coupling in Semiconductors. In: 47th Annual TMS Conference on Electronic Materials, 2005, Santa Barbara. ., 2005.

• DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. ; GONG, X. G. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Band Structure Model for Magnetic Coupling in II-VI and III-V Semiconductors. In: Spintech III, 2005, Avaji Island. ., 2005.

• DALPIAN, G. M. . Electron-mediated stabilization of ferromagnetism in semiconductors: the case of GaGdN. In: Workshop on Computational Materials and Molecular Electronics, 2005, Austin. ., 2005.

• DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . Stabilization of Zinc-Blende Semiconductors Through 3d impurities and holes. In: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2004, Flagstaff. 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2004.

• DALPIAN, G. M. ; WEI, S.-H. . GaMN ternary alloys and superlattices: zinc-blende versus wurtzite phases. In: 14th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, 2004, Denver. 14th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, 2004.

• DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties. In: XXVI Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2003, Caxambu. XXVI Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2003.

• DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Adsorption and Incorporation of Mn on Si(100). In: 22nd European Conference on Surface Science, 2003, Praga. 22nd European Conference on Surface Science, 2003.

• DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Adsorption of Si and Ge in Monoatomic Si(100) steps. In: 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003, Fortaleza. 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2003.

• DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. In: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors, 2003, Aarhus. 22nd International Conference on Defects in Semiconductors, 2003.

• DALPIAN, G. M. ; VENEZUELA, P. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Vacancy-Mediated Diffusion in Disordered Alloys: Ge self-diffusion in SixGe1-x. In: XXV Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2002, Sao Lourenço. XXV Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2002.

• DALPIAN, G. M. ; VENEZUELA, P. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Theoretical Study of vacancies in SixGe1-x. In: XXV Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2002, Sao Laourenço. XXV Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2002.

• DALPIAN, G. M. . Si incorporation in Si(100) steps. In: XXV Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2002, São Lourenço. XXV Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2002.

• DALPIAN, G. M. . Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). In: XXV Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2002, São Lourenço. XXV Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 2002.

• DALPIAN, G. M. ; VENEZUELA, P. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in SixGe1-x. In: 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2002, Edinburgo. 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2002.

• DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Adsorption of Si and Ge o Si(100) terraces and steps. In: 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2002, Edinburgo. 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2002.

• DALPIAN, G. M. ; VENEZUELA, P. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Theoretical Study of the Adsorption of Ge Atoms at Single-Height Si(100) Steps. In: 10th Brazilian workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá. 10th Brazilian workshop on Semiconductor Physics, 2001.

• VENEZUELA, P. ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . A Systematical Study of the SiGe Alloy and its Intrinsic Defects. In: 10th Brazilian workshop on semiconductor physics, 2001, Guarujá. 10th Brazilian workshop on semiconductor physics, 2001.

• VENEZUELA, P. ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Estudo Sistemático da Liga siGe e seus Defeitos Intrínsecos. In: XXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço, 2001.

• DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Surface Degrees of Freedom on the Si(100) Surface. In: 3rd Brazilian/German Workshop on Applied Surface Science, 2001, Florianópolis, 2001.

• FAZZIO, A. ; VENEZUELA, P. ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. . Systematical Study of teh Sige Alloy and its Intrinsic Defects. In: 2001 March Meeting of the APS, 2001, Seattle, 2001.

• SILVA, A. J. R. ; DALPIAN, G. M. ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. . Theoretical Studies of small Ge Structures on Si(100). In: 2001 March Meeting of the APS, 2001, Seattle, 2001.

• VENEZUELA, P. ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . A Systematical Study of the SiGe Alloy and its intrinsic defects. In: MRS Spring Meeting, 2001, San Francisco, 2001.

• VENEZUELA, P. ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; FAZZIO, A. . Vacancy Related Defects on Si(x)Ge(1-x) alloy. In: School on Computational Physics - ICCMP, 2001, Brasília, 2001.

• DALPIAN, G. M. ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Ge Monomers and Dimers Adsorbed on the Si(100) Surface. In: XXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2000, São Lourenço - MG, 2000.

• DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Initial Stages of Ge growth on Si(100). In: X Workshop on computational Materials Science, 2000, Villasimius - Sardenha, 2000.

• DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Initial Stages of Ge Growth on Si(100).. In: X European Conference on Surface Science, 2000, Madrid. X European Conference on Surface Science, 2000.

• SILVA, A. J. R. ; VENEZUELA, P. ; DALPIAN, G. M. ; SILVA, C. ; FAZZIO, A. . Ab Initio Studies of the Si(1-x)Ge(x) alloy and its Intrinsic Defects. In: X Workshop on Computational Materials Science (CMS2000), 2000, Vilassimius, 2000.

• DALPIAN, G. M. ; SILVA, A. J. R. ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. . Ab Initio Study of Initial Stages of Growth of Ge on Si(100). In: XXII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1999, São Lourenço, 1999.

• SILVA, A. J. R. ; JANOTTI, A. ; DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. . Stability of Ge Ad-Dimers on the Si(100) Surface. In: 9th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1999, Belo Horizonte - MG, 1999.

• DALPIAN, G. M. ; JANOTTI, A. ; FAZZIO, A. ; SILVA, A. J. R. . Study of the Chemical Bonds of Small Ge Structures on Si(100). In: X Simpósio Brasileiro de Química Teórica, 1999, Caxambu - MG, 1999.

• SILVA, A. J. R. ; JANOTTI, A. ; DALPIAN, G. M. ; FAZZIO, A. . Initial Stages of Ge Growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers and ad-trimers. In: The 20th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-20), 1999, Berkeley, 1999.

• Dalpian, G M . Colóquio de Física: Computational Materials Science for the Design and Discovery of New Materials. 2019. (Apresentação de Trabalho/Outra).

• Dalpian, G M . The polymorphous nature of cubic halide perovskites. 2019. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• Dalpian, G M . Defeitos em Materiais Nanoestruturados: uma abordagem de primeiros princípios. 2014. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• Dalpian, G M . Pós-Graduação na UFABC. 2014. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• Dalpian, G M . Defeitos em Materiais Nanoestruturados: uma visão de primeiros princípios. 2014. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• Dalpian, G M . Os Bacharelados Interdisciplinares e a UFABC. 2013. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• DALPIAN, G. M. (Gustavo Martini Dalpian) . Nanociências e Materiais Avançados na UFABC. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

• Dalpian, G. M. . UFABC: A Universidade Interdisciplinar. 2013. (Apresentação de Trabalho/Comunicação).

• DALPIAN, G. M. (Gustavo Martini Dalpian) . Computational Studies of Functionalized Nanostructures (BCCMS - Bremen, Alemanha). 2012. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• DALPIAN, G. M. . Core-Shell nanocrystals: electronic and structural properties (Seminario - UFABC). 2009. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• DALPIAN, G. M. . Defeitos em nanoestruturas: necessários ou nao? (DF - UFSM). 2009. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• DALPIAN, G. M. . Nanociencias e Materiais Avançados (UFABC). 2009. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• DALPIAN, G. M. . Computação Científica de Alto Desempenho na UFABC: simulações em nanociências e materiais avançados. 2009. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• DALPIAN, G. M. . Nanotecnologia. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

• DALPIAN, G. M. . Simulação Computacional em Materiais. 2008. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

• DALPIAN, G. M. . Probing the Properties of Nanostructured Materials through Ab Initio Calculations (Seminário - University of Washington, Chemistry Department). 2007. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• DALPIAN, G. M. . Simulação de Nanoestruturas Semicondutoras através de Métodos de Primeiros Princípios (Seminario - DFMT - IFUSP). 2007. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• DALPIAN, G. M. . Auto-purificação de nanocristais semicondutores (Colóquio - IF - UNICAMP). 2007. (Apresentação de Trabalho/Outra).

• DALPIAN, G. M. . Ferromagnetismo em GaMnN e GaMnAs. 2004. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• DALPIAN, G. M. . A natureza de defeitos em Bulk e em superficie de semicondutores. 2003. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• DALPIAN, G. M. . A natureza de defeitos em Bulk e em superficie de semicondutores. 2003. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

Outras produções

Projetos de pesquisa

• 2024 - Atual

  Design de materiais: dos materiais quânticos às aplicações em energia, Descrição: Projeto temático FAPESP: Avanços em muitas tecnologias, como energia renovável e sustentável, computação quântica, armazenamento de dados e diferentes tipos de sensores para aplicações que vão da saúde à agricultura, dependem de nossa capacidade de projetar e realizar materiais com propriedades otimizadas. Nesta perspectiva, a descoberta e o design de materiais dependem intimamente de esforços conjuntos entre simulação, síntese e caracterização de materiais. As ferramentas computacionais para simulação de materiais adquiriram um nível avançado de maturidade e, quando aliadas a conceitos de ciência de dados, podem levar a novas formas de desenvolver materiais com propriedades específicas. Ao mesmo tempo, métodos experimentais de síntese estão se tornando ecologicamente corretos e a busca por rotas de síntese com custo e pegada de carbono reduzidos levará a compostos com maior possibilidade de chegar ao mercado. Do ponto de vista da caracterização, o desenvolvimento de instalações avançadas, como a fonte de luz síncrotron SIRIUS, está nos levando a uma posição em que as propriedades estruturais, eletrônicas e magnéticas mais sutis podem ser avaliadas com precisão. Este projeto reunirá pesquisadores com experiência em diferentes áreas de pesquisa de materiais para otimizar o desenvolvimento e a compreensão dos materiais. Além do desenvolvimento de trabalhos e técnicas fundamentais dentro de cada uma das frentes acima, focaremos em desafios que possam integrar as equipes de simulação, síntese e caracterização. Também pretendemos construir protótipos de dispositivos funcionais com os materiais desenvolvidos, fechando o ciclo do design computacional para as aplicações. Considerando a expertise da equipe e as principais demandas nacionais, focaremos em materiais para energia, incluindo perovskitas haletos e outros semicondutores, e materiais quânticos, como isoladores topológicos e compostos para spintrônica. Como forma de nos mantermos atualizados sobre os desenvolvimentos da área, também teremos esforços voltados para desenvolvimentos em metodologias fundamentais relacionadas à área de física da matéria condensada.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (5) / Mestrado acadêmico: (3) / Doutorado: (10) . , Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Coordenador / Adalberto Fazzio - Integrante / Alexandre Reily Rocha - Integrante / Jose Antônio Souza - Integrante / Fabio Furlan - Integrante / Carlos Cesar Bof Bufon - Integrante / JARDIM DE PAULA, AMAURI - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 2023 - Atual

  INCT Materials Informatics, Descrição: A habilidade de manusear e sintetizar materiais é de importância para o desenvolvimento de civilizações, a ponto de marcar eras dahumanidade, como a idade da pedra, do cobre, do bronze e do ferro. Tais divisões ocorrem por conta da vantagem estratégica do domínio demateriais, tanto para infraestrutura como para aplicações de defesa. No momento que uma civilização domina um material significativamentesuperior, ela tem avanços estratégicos, sendo que cada nova era é sucedida por uma revolução econômica. Fica claro então que o domínio denovos materiais torna-se crucial para melhorar e manter civilizações, sendo por conta de tornar viável a infraestrutura para populaçõescrescentes, sua defesa e para promover avanços econômicos. A forma de descobrir novos materiais foi revolucionada recentemente peloprograma Materials Genome Initiative, (EUA, 2011). Percebeu-se que a utilização de técnicas de big data, alidadas a simulação computacional,reduzem consideravelmente o custo destes processos. Tais iniciativas criaram a área de pesquisa hoje chamada de Materials Informatics comavanços fundamentais relacionados a big data e inteligência artificial, intimamente relacionados à computação de alto desempenho. Tendo istoem mente, este INCT Materiais Informatics visa consolidar a comunidade científica nacional de simulações de materiais para a utilização dastécnicas para a descoberta de novos materiais estratégicos, com objetivo de transferência de conhecimento para o setor produtivo e sociedade.Para isso serão formados recursos humanos altamente treinados, por meio colaborações, eventos e tutoriais. Também será fomentada acolaboração internacional com projetos já bem sucedidos em Materials Informatics. Assim, o Brasil poderá utilizar de maneira organizada osnovos recursos computacionais em iminência de aquisição, consolidando-se no cenário internacional da descoberta de materiais... , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Integrante / Adalberto Fazzio - Coordenador.

• 2022 - Atual

  Design computacional de perovskitas de haletos estáveis: efeitos de defeitos, ligas, e pressão, Descrição: O uso de perovskitas de haletos em células solares e outros dispositivos continua a atrair a atenção de pesquisadores em todo o mundo, e eficiências na conversão de energia de quase 30 foram relatadas. Uma limitação atual para a comercialização adequada desses dispositivos é a estabilidade reduzida dos materiais envolvidos, que são relativamente instáveis à exposição a umidade levando à separação de fases. Neste projeto usaremos métodos computacionais baseados na mecânica quântica para encontrar formas de aumentar a estabilidade estrutural desses compostos. Diversas estratégias serão avaliadas, incluindo o uso de diferentes alavancas termodinâmicas, como pressão e temperatura, e fatores externos, como a formação de ligas, a inclusão de defeitos e dopantes, e a construção de estruturas de baixa dimensionalidade. Nossos resultados serão compartilhados com colaboradores experimentais que trabalharão na síntese e caracterização dos compostos mais promissores.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Coordenador.

• 2020 - 2023

  PRH-ANP: Uma abordagem interdisciplinar para a formação de recursos humanos em petróleo, gás e biocombustíveis., Descrição: Trata-se de projeto vinculado ao edital 'Program de Recursos Humanos' da Agência nacional de Petróleo. A equipe é composta por cerca de 30 docentes da UFABC, e focará temas relacionados a Petróleo, Gás e Biocombustíveis com um enfoque em materiais, nanoestruturas e energias renováveis.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (12) / Mestrado acadêmico: (6) / Doutorado: (2) . , Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Coordenador / Flávio Leandro de Souza - Integrante / Dalmo Mandelli - Integrante / André Sarto Polo - Integrante / André Santarosa Ferlauto - Integrante., Financiador(es): Agência Nacional do Petróleo - Outra.

• 2019 - 2024

  CAPES PRINT: Síntese, caracterização e simulação de materiais avançados, Descrição: Este projeto tem por finalidade fortalecer a internacionalização da área de Física da Matéria Condensada da UFABC, do ponto de vista de síntese, caracterização e simulação de materiais. Essa área avançou de forma muito rápida nos últimos anos, sendo uma de suas principais características o aumento da interação com outras áreas, principalmente química e Ciência dos Materiais, focando o desenvolvimento de pesquisas interdisciplinares. Este avanço é abordado neste projeto através de um processo colaborativo entre pesquisadores dos programas de pós-graduação em Física, Química e Nanociências e Materiais avançados da UFABC. Esta interação colaborativa, juntamente com as colaborações internacionais já vigentes, bem como possíveis novas colaborações, servirá de catalisador para o desenvolvimento de projetos mais audaciosos e amplos, bem como para a formação ampla dos alunos envolvidos. A área da Física da Matéria Condensada na UFABC conta com pesquisadores especializados no crescimento de materiais, por rotas físicas e química, focando materiais cerâmicos, magnéticos e semicondutores; na caracterização de materiais, através de técnicas como raios-x, Rietveld, magnetização, condutividade elétrica, magnetorresistência entre outras; e na modelagem computacional de materiais utilizando-se de métodos clássicos e quânticos. É importante destacar a enorme importância dessas colaborações para o desenvolvimento de novas tecnologias e a inovação num contexto mais amplo. É por conta do desenvolvimento de novos materiais que temos acesso hoje a supercondutores super rápidos (semiconductores), a lasers superpotentes e a fármacos mais eficientes. A interação com os grupos estrangeiros possibilitará o avanço científico e tecnológico da área de matéria condensada e a formação de doutores de alta qualidade na UFABC.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Coordenador / Adalberto Fazzio - Integrante / Herculano Martinho - Integrante / Wendel Andrade Alves - Integrante / Flávio Leandro de Souza - Integrante / Jose Antônio Souza - Integrante / PEDROZA, LUANA S. - Integrante / Fabio Furlan - Integrante / Cedric Rocha Leão - Integrante / Marcos de Abreu Avila - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Bolsa.

• 2017 - 2023

  Interfaces em materiais: propriedades eletrônicas, magnéticas, estruturais e de transporte, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Adalberto Fazzio em 27/12/2020., Descrição: Projeto Temático FAPESP, 17/02317-2. A pesquisa na área de materiais tem avançado nos últimos anos, partindo de um enfoque basicamente aplicado, e relacionado à Engenharia, até a posição ocupada hoje onde tem grande impacto em outras áreas, incluindo a Física, Química e Biologia. Isto ocorre em grande parte pelos avanços tecnológicos que nos tem permitido estudar e manipular a matéria em escala atômica e molecular. Este projeto pretende atuar neste nicho, desvendando as propriedades de materiais, procurando por novos materiais e desenvolvendo metodologias avançadas para o tratamento e entendimento destes. O projeto focará principalmente nas propriedades de superfícies e interfaces, estudando fenômenos emergentes. Destacamos dentre esses materiais e propriedades: 1) o estudo de isolantes topológicos quando em interface com outros materiais; 2) o estudo da interface entre sólidos e líquidos, com aplicações em energia, como fotoeletroquímica e física do petróleo; 3) o estudo de materiais bidimensionais quando em contato com outros materiais incluindo biomoléculas; 4) o estudo de propriedades ópticas em interfaces de heteroestruturas, principalmente de materiais 2D com foco no desenho de células fotovoltaicas de próxima geração. Nesta proposta teórico/experimental utilizaremos técnicas do estado da arte. Do ponto de vista teórico a Engenharia de Materiais será obtida por meio de técnicas de big data em Ciência de Materiais, que inclui a utilização dos grandes repositórios de materiais e o desenvolvimento de códigos do tipo "high throughtput", varrendo diferentes famílias de materiais. A partir de candidatos selecionados refinaremos os estudos utilizando combinações de métodos quânticos e clássicos. Estas interfaces também serão estudadas por meio de técnicas de síntese de nano e microestruturas de materiais semicondutores e magnéticos e ligação de biomoléculas e moléculas orgânicas.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Integrante / Adalberto Fazzio - Coordenador / Antonio José Roque da Silva - Integrante / Wendel Andrade Alves - Integrante / Alexandre Reily Rocha - Integrante / Flávio Leandro de Souza - Integrante / Caetano Rodrigues Miranda - Integrante / Jose Antônio Souza - Integrante / Iseli Lourenço Nantes - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 2016 - 2018

  Big data in materials science: high throughput calculations and materials screening, Descrição: The field of computational materials science has reached its maturity, and now leads to the use of large repositories and high throughput calculations to significantly increase the quantity of simulations. Our group is using these tools to simulate a large number of materials focusing mainly on energy applications.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Coordenador.

• 2013 - 2017

  Projeto Temático FAPESP: Estudo e Desenvolvimento de Novos Materiais Avançados: Eletrônicos, Magnéticos e Nanoestruturados - Uma Abordagem Interdisciplinar, Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (10) / Mestrado acadêmico: (8) / Doutorado: (6) . , Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Integrante / Carlos Rettori - Coordenador / Flávio Leandro de Souza - Integrante / Marcos de Abreu Ávila - Integrante / Raquel de Almeida Ribeiro - Integrante / Leticie Mendonça Ferreira - Integrante / Pascoal Jose Giglio Pagliuso - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 2012 - 2014

  Projeto CAPES PROBRAL/DAAD: Electronic transport properties of semiconductor nanowires, Descrição: The aim of this project is to use computational modeling to modify the surface properties of ZnO nanowires (NWs) by attaching organic molecules. We will employ tight-binding methods, first-principles density-functional theory and Green's functions to investigate the structural, electronic and electrical properties of hybrid ZnO NWs-organic systems. Based on recent experiments we will investigate the adsorption of funcional groups, such as thiols, carboxylic acids and silanes on ZnO nanowires. By controlling the inorganic-organic interface at an atomistic scale, we will suggest a route for designing efficient and stable hybrid materials which can be applied in biosensing and solar cells, thus minimizing costs for fabrication and manufacturing. Our calculated properties for the investigated systems will be closely correlated to experimental investigations which will be carried out by our collaborators in Germany and eventually newly established collaborations in Brazil.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (2) . , Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Coordenador / Aline Luciana Schoenhalz - Integrante / Alexandre Reily Rocha - Integrante / Thomas Frauenheim - Integrante / Andreia Luiza da Rosa - Integrante., Financiador(es): Deutscher Akademischer Austauschdienst - Auxílio financeiro / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.

• 2011 - 2016

  Projeto Temático FAPESP: PROPRIEDADES ELETRÔNICAS, MAGNÉTICAS E DE TRANSPORTE EM NANOESTRUTURAS, Descrição: O objetivo deste projeto é o estudo das propriedades físicas de novos materiais, através de métodos ab initio ("estado-da-arte"), focando em nanosistemas.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (2) / Doutorado: (2) . , Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Integrante / Adalberto Fazzio - Coordenador / Antônio José Roque da Silva - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 2

• 2009 - 2011

  Auxílio Regular FAPESP, Descrição: Este projeto pretende estudar o efeito da utilização de funcionais híbridos para o termo de troca e correlação em simulações de estrutura eletrônica baseados na Teoria do Funcional da Densidade. Serão estudados defeitos em diferentes tipos de materiais, incluindo semicondutores magnéticos diluídos, nanoestruturas e outros materiais. Esse tipo de funcional híbrido corrige o gap desses materiais e, portanto, espera-se também que níveis de defeitos também sejam corrigidos, dando informações mais precisas sobre energias de formação, população de defeitos e níveis de transição. Valor aprovado: R$40000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Coordenador / Jeverson Teodoro Arantes - Integrante / Aline Luciana Schoenhalz - Integrante / Maria Isabel Almeida de Oliveira - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

• 2008 - 2012

  Projeto Pró-Engenharias, Descrição: Sou coordenador do projeto, que visa solidificar a rede de colaboração do programa de pós-graduação em Nanociências e Materiais Avançados da UFABC com programas de pós-graduação da USP e UFSCAR. Valor Aprovado: R$350.000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Coordenador / Adalberto Fazzio - Integrante / Osvaldo Novais de Oliveira Jr. - Integrante / Maurício Baptista - Integrante / Edson Roberto Leite - Integrante / professores PPG-NANO - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.

• 2006 - 2008

  PROJETO JOVEM PESQUISADOR: Defeitos complexos em semicondutores: aplicações em spintronica e materiais de gap largo., Descrição: O presente projeto visa o estudo de defeitos complexos em semicondutores magnéticos diluídos (DMS) e em semicondutores de gap largo utilizando métodos de primeiros princípios baseados na Teoria do Funcional da Densidade. DMSs são materiais de extrema relevância para o desenvolvimento de dispositivos utilizando-se os princípios da spintrônica. Entre as aplicações desse tipo de material estão dispositivos futuros baseados em correntes de spin e o computador quântico. Os semicondutores de gap largo que serão utilizados são o GaN e o ZnO. O GaN possui enormes aplicações para dispositivos óticos, como os LEDs azuis; o ZnO é um material novo, com potenciais aplicações similares ao GaN. Alguns dos defeitos a serem estudados são: Metais de Transição juntamente com átomos doadores ou aceitadores em GaAs, GaN e ZnO; defeitos intrínsecos em GaN e ZnO sob pressão; propriedades de crescimento de metais de transição em GaAs(100) e GaN(100); defeitos em interfaces de GaAs/MnAs. Valor: R$116.000,00.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Coordenador.

• 2006 - 2008

  Estudo teórico de nanoestruturas e materiais nanoestruturados, Descrição: O presente projeto tem como principal objetivo o estudo teórico das propriedades de nanoestruturas e materiais nanoestruturados, isolados ou em interação com um meio específico, focando principalmente pontos quânticos (quantum dots) semicondutores. Edital MCT/CNPq nº 042/2006 - Valor aprovado: R$100.000,00.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

• 2000 - 2003

  Projeto de Doutorado - Defeitos em bulk e superfície de semicondutores., Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Integrante / Adalberto Fazzio - Coordenador / Antonio José Roque da Silva - Integrante.

• 1998 - 2000

  Projeto de Mestrado - Adsorção de Ge sobre Si(100), Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gustavo Martini Dalpian - Integrante / Adalberto Fazzio - Coordenador / Antonio José Roque da Silva - Integrante.

Prêmios