Fernando Pereira Sabino
Possui graduação em licenciatura em física pela Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (2010), mestrado em Ciência e Tecnologia de Materiais pela Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (2012) e doutorado em Física pela Universidade de São Paulo (2017). Realizou pós-doutorado na University of Delaware (EUA, 2017-2019), na Universidade Federal do ABC (2019-2022), na University of Colorado (EUA, 2022-2023) e no Instituto de Física da Universidade de São Paulo (2023-2024). Em 2024, ingressou como Professor Doutor no Departamento de Engenharia de Materiais da Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. Tem experiência na área de Física e Ciência dos materials, com ênfase em Física da Matéria Condensada, atuando principalmente nos seguintes temas: teoria do funcional da densidade, óxidos transparentes condutores, óxidos de banda proibida larga, semicondutores III-V, calcogenetos, peroviskitas de haletos, materiais quânticos.
Informações coletadas do Lattes em 24/08/2025
Acadêmico
Formação acadêmica
Doutorado em Física
2013 - 2017
Universidade de São Paulo
Título: Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas de óxidos transparentes condutores baseados na fase unária e binária de Al2O3, Ga2O3, In2O3, SnO2 e ZnO
Juarez Lopes Ferreira da Silva. Coorientador: Luiz Nunes de Oliveira. Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil. Grande área: Ciências Exatas e da TerraGrande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Teoria do funcional da densidade.
Mestrado em Ciência e Tecnologia de Materiais
2010 - 2012
Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho
Título: Estudo da fotocapacitância em dispositivos MIS orgânicos
, Ano de Obtenção: 2012.Neri Alves.Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil. Palavras-chave: Eletrônica Orgânica; Estados interfaciais; Fotocapacitância; Capacitor MIS.Grande área: EngenhariasGrande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.
Graduação em licenciatura em física
2006 - 2010
Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho
Título: Simulações de curvas C-f e C-V em capacitores MIS orgânicos
Orientador: Neri Alves
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
Pós-doutorado
2023 - 2024
Pós-Doutorado. , Universidade de São Paulo, USP, Brasil. , Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
2022 - 2023
Pós-Doutorado. , University of Colorado, UC, Estados Unidos. , Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
2020 - 2022
Pós-Doutorado. , Universidade Federal do ABC, UFABC, Brasil. , Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.
2017 - 2019
Pós-Doutorado. , University of Delaware, UDEL, Estados Unidos. , Bolsista do(a): University of Delaware, UDEL, Estados Unidos. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra
Idiomas
Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Espanhol
Compreende Pouco, Lê Pouco.
Áreas de atuação
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Estados Eletrônicos.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Defeitos e dopagem de materiais.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Propriedades ópticas de materiais.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Semicondutores.
Organização de eventos
TERESHCHUK, P. ; Sabino, F. P. . III IQSC Workshop on Theoretical Chemistry. 2015. (Outro).
Participação em eventos
APS March Meeting. Correlation between band gap shifts due to symmetry breaking and spin-orbital coupling in halide perovskites. 2023. (Congresso).
XXI B-MRS Meeting. Photoinduced Frenkel pair defect lead phase-segregation in halide perovskite alloys. 2023. (Congresso).
APS March Meeting. Failure to dope perovskites: insufficient optimization or a physically-mandated bottleneck?. 2022. (Congresso).
APS March Meeting. Modification in the local atomic spin configuration drives an insulator to metallic phase transition in disordered double perovskites: the case of Nd2CoFeO6. 2021. (Congresso).
Encontro de outono 2020: sociedade brasileira de física. Source of non-radiative process induced by doping in halide perovskites. 2020. (Congresso).
APS March Meeting. Enabling p-type doping in In2O3 by a band engineering through alloying. 2019. (Congresso).
21st International conference on ternary and multinary compounds (ICTMC). Enabling p-type Doping in In2O3 and Ga2O3 Through Alloying. 2018. (Congresso).
APS March Meeting. Charge Localization Near Acceptors in Transition-Metal Oxides. 2018. (Congresso).
Conference on Electronic and Advanced Materials. Pathway to P-type Doping of Metal-Oxide semiconductorS. 2018. (Congresso).
MRS Fall Meeting. Band Engineering of Ga2O3 and In2O3 by Adding Post Transition Metals. 2018. (Congresso).
1st Paulista-Bavarian Workshop on Nano-Tailored Semiconductor Devices (NTSD).New Findings and Insights in the Optical and Fundamental Band Gap of Transparent Conducting Oxides: The Example of Al2O3, Ga2O3, In2O3, SnO2 and its Multi-compounds. 2017. (Oficina).
Electronic Structure 2017. 2017. (Oficina).
MRS fall meeting. Towards P-Type Doping of Metal-Oxide Semiconductors. 2017. (Congresso).
Workshop on Next Generation Quantum Materials.Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: The case of M2O3 (M = Al, Ga, In). 2016. (Oficina).
XV Brazilian MRS Meeting. Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: The case of M2O3 (M = Al, Ga, In). 2016. (Congresso).
III IQSC Workshop on Theoretical Chemistry.Origin and Tuning of the Optical Band Gap in Transparent Conducting Oxides: The Exemple of M2O3 (M = Al, Ga, In). 2015. (Oficina).
XIV Brazil MRS Meeting. Roles of the Cation Atomic Radius and s-d Hibridization in the Stability of the Gallia Ga2O3 Structure. 2015. (Congresso).
45th IFF Spring School 2014 : Computing Solids: Models, Ab-Initio Methods and Supercomputing..The role of atomic radius and d states in the crystal structure stability of A2O3 (A = Al, Ga, In) oxides. 2014. (Outra).
II IQSC Workshop on Theoretical Chemisry.Multicompounds transparent conducting oxides: The example of In2O3-SnO2. 2014. (Oficina).
Workshop do Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica.Study of organic MIS capacitor using equivalent circuit. 2012. (Oficina).
3ª Reunião Técnica POSMAT.Aplicação do modelo de circuito equivalente revisto para capacitores MIS orgânicos. 2011. (Outra).
Encontro de física 2011.Interfacial states study in organic MIS capacitor. 2011. (Encontro).
ICOE - International conference on organic electronic. The application of the equivalent circuit model to organic MIS capacitors revisited. 2011. (Congresso).
X Brazilian MRS Meeting. The effect of light in organic MIS capacitor. 2011. (Congresso).
ICOE - International Conference on Organic Electronic. Detailed simulation of dielectric loss dependence on gate voltage of MIS capacitors. 2010. (Congresso).
Workshop do Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica.Effects of leakage current, interfacial states and the consideration of accumulation layer in loss curves of organic MIS capacitors. 2010. (Oficina).
XXXIII Encontro da matéria condensada. Study of loss curves of MIS capacitor in function of gate voltage. 2010. (Congresso).
International Conference on Advanced Materials (ICAM). Simulations of C-V and C-f curves for organic MIS capacitor: effects of accumulation layer width and front edge of depletion layer. 2009. (Congresso).
VII Semanda da Física.Simulações de curvas C-f e C-V para capacitores MIS orgânicos: efeitos da camada de acumulação e da frente da camada de depleção. 2009. (Encontro).
Workshop do Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica.Behavior of the Capacitance and Dielectric Loss in Organic MIS Capacitor. 2009. (Oficina).
VI Semana da Física. 2008. (Encontro).
V Semana da Física. 2007. (Encontro).
IV Seman da Física. 2006. (Encontro).
Participação em bancas
TEIXEIRA, S. R.; SOUZA, A. E.;SABINO, FERNANDO P.. .Estudo da deposição de filmes de titanatos nanoparticulados por eletroforese: uma abordagem sobre o uso de técnicas laboratoriais para o ensino de física. 2012. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Abi - Física) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.
Orientou
Design computacional de materiais por substituição química na estrutura cristalina espinel; 2021; Iniciação Científica - Universidade Federal do ABC; Orientador: Fernando Pereira Sabino;
Produções bibliográficas
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F. P. Sabino ; E. M. Lopes ; Giacometti, J. A. ; N. Alves . The application of the equivalent circuit model to organic MIS capacitors revisited. In: International Conference on Organic Electronics - ICOE, 2011, Roma. International Conference on Organic Electronics - ICOE, 2011.
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F. P. Sabino ; Giacometti, J. A. ; N. Alves . Interfacial states study in organic MIS capacitor. In: Encontro de Física 2011, 2011, Foz do Iguaçu. Encontro de Física 2011, 2011.
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F. P. Sabino ; E. M. Lopes ; Giacometti, J. A. ; N. Alves . Study of loss curves of MIS capacitors in function of gate voltage. In: XXXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2010, Águas de Lindoia. XXXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2010.
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F. P. Sabino ; Giacometti, J. A. ; N. Alves . Detailed simulation of dielectric loss dependence on gate voltage of MIS capacitors. In: International Conference on Organic Electronics - ICOE, 2010, Paris. International Conference on Organic Electronics - ICOE, 2010.
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F. P. Sabino ; Giacometti, J. A. ; N. Alves . Effects of leakege current, interfacial states and the consideration of accumulation layer in loss curves of organic MIS capacitor. In: Workshop - INEO, 2010, Nazaré Paulista. Workshop - INEO, 2010.
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F. P. Sabino ; Giacometti, J. A. ; E. M. Lopes ; N. Alves . Effects of accumulation layer width and front edge of depletion layer on organic MIS capacitor. In: 11th International Conference on Advanced Materials, 2009, Rio de Janeiro. Proceedings of the 11th International Conference on Advanced Materials, 2009.
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F. P. Sabino ; Giacometti, J. A. ; N. Alves . Behavior of the capacitance and dielectric loss in ideal organic MIS capacitor. In: Workshop - INEO, 2009, Nazaré Paulista. Workshop - INEO, 2009.
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SABINO, FERNANDO P. ; DALPIAN, G. M. ; ZUNGER, ALEX . Photoinduced Frenkel pair defect lead phase-segregation in halide perovskite alloys. 2023. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SABINO, FERNANDO P. ; ZHAO, X. G. ; DALPIAN, G. M. ; ZUNGER, ALEX . Correlation between band gap shifts due to symmetry breaking and spin-orbital coupling in halide perovskites. 2023. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SABINO, FERNANDO P. ; ZUNGER, ALEX ; DALPIAN, G. M. . Failure to dope perovskites: insufficient optimization or a physically-mandated bottleneck. 2022. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SABINO, FERNANDO P. ; OLIVEIRA, L. S. ; FLORIO, D. Z. ; JANOTTI, ANDERSON ; SOUZA, J. A. ; DALPIAN, G. M. . Modification in the local atomic spin configuration drives an insulator to metallic phase transition in disordered double perovskites: the case of Nd2CoFeO6. 2021. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SABINO, FERNANDO P. ; DALPIAN, G. M. . Source of non-radiative process induced by doping in halide perovskites. 2020. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SABINO, FERNANDO P. ; WEI, S. H. ; JANOTTI, ANDERSON . Enabling p-type doping in In2O3 by a band engineering through alloying. 2019. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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CHATTERJEE, S. ; INBAR, H. ; KHALID, S. ; GOSWAMI, A. ; LIMA, F. C. ; SHARAN, A. ; SABINO, FERNANDO P. ; BROWN-HEFT, T. L. ; CHANG, Y. ; FEDOROV, A. V. ; READ, D. ; JANOTTI, ANDERSON ; PALMSTROM, C. . Band Structure engineering in epitaxial LuSb thin films via dimensional confinement and bi-axial strain. 2019. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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KHALID, SHOAIB ; SABINO, FERNANDO P. ; JANOTTI, ANDERSON . Effect of epitaxial strain on topological properties of LaSb. 2019. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SABINO, FERNANDO P. ; JANOTTI, ANDERSON . Enabling p-type Doping in In2O3 and Ga2O3 Through Alloying. 2018. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SABINO, FERNANDO P. ; JANOTTI, ANDERSON . Charge Localization Near Acceptors in Transition-Metal Oxides. 2018. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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Wei Li ; SABINO, FERNANDO P. ; JANOTTI, ANDERSON . Fundamental and optical band gaps of layered In2Se3. 2018. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SABINO, FERNANDO P. ; JANOTTI, ANDERSON . Band Engineering of Ga2O3 and In2O3 by Adding Post Transition Metals. 2018. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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JANOTTI, ANDERSON ; Wei Li ; SABINO, FERNANDO P. . Electronic and optical properties of 2D-In2Se3. 2018. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SABINO, FERNANDO P. ; JANOTTI, ANDERSON . Pathway to p-type doping of metal-oxide semiconductors. 2018. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SABINO, FERNANDO P. ; JANOTTI, ANDERSON . Towards p-Type Doping of Metal-Oxide Semiconductors. 2017. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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Wei Li ; SABINO, FERNANDO P. ; JANOTTI, ANDERSON . Electronic and Optical Properties of Two-Dimensional In2Se3. 2017. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SABINO, FERNANDO P. ; JANOTTI, ANDERSON . Pathway to p-type doping of metal-oxide semiconductors. 2017. (Apresentação de Trabalho/Seminário).
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SABINO, FERNANDO P. ; WEI, S. H. ; Luiz Nunes de Oliveira ; Juarez L. F. da Silva . New Findings and Insights in the Optical and Fundamental Band Gap of Transparent Conducting Oxides: The Example of Al2O3, Ga2O3, In2O3, SnO2 and its Multi-compounds. 2017. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SABINO, FERNANDO P. ; BESSE, RAFAEL ; Luiz Nunes de Oliveira ; WEI, SU-HUAI ; Juarez L. F. da Silva . Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: The case of M2O3 (M = Al, Ga, In). 2016. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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BASTOS, CARLOS M. O. ; SABINO, FERNANDO P. ; SIPAHI, GUILHERME M ; Juarez L. F. da Silva . Hybrid-Density Functional Theory Study of the III-V Semiconductors: Structural, Energetic and Electronic Properties Revised. 2016. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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BESSE, RAFAEL ; SABINO, FERNANDO P. ; Juarez L. F. da Silva . Density functional theory study of structural, electronic and optical properties of quaternary chalcogenide semiconductors Cs2MIIMIV3Q. 2015. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SABINO, FERNANDO P. ; Luiz Nunes de Oliveira ; Juarez L. F. da Silva . Roles of the Cation Atomic Radius and s-d Hybridization in the Stability of the Gallia Ga2O3 Structure. 2015. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SABINO, FERNANDO P. ; Luiz Nunes de Oliveira ; Juarez L. F. da Silva . Origin and tuning the optical band gap in transparent conducting oxides, the exemple of M2O3 (M = Al, Ga, In). 2015. (Apresentação de Trabalho/Outra).
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SABINO, FERNANDO P. ; Luiz Nunes de Oliveira ; Juarez L. F. da Silva . Why does Ga2O3 crystallize in the gallia structure, while Al2O3 and In2O3 do not?. 2015. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SABINO, FERNANDO P. ; OLIVEIRA, LUIZ NUNES ; Juarez L. F. da Silva . Multicompounds transparent conducting oxides: The example of In2O3-SnO2. 2014. (Apresentação de Trabalho/Outra).
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SABINO, FERNANDO P. ; Luiz Nunes de Oliveira ; Juarez L. F. da Silva . The role of atomic radius and d states in the crystal structure stability of A2O3 (A = Al, Ga, In) oxides. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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F. P. Sabino ; Giacometti, J. A. ; N. Alves . Study of organic MIS capacitor using equivalent circuit. 2012. (Apresentação de Trabalho/Outra).
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F. P. Sabino ; E. M. Lopes ; Giacometti, J. A. ; N. Alves . The effect of light in organic MIS capacitor. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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F. P. Sabino ; Giacometti, J. A. ; Alves, N. . Interfacial states study in organic MIS capacitor. 2011. (Apresentação de Trabalho/Outra).
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F. P. Sabino ; Giacometti, J. A. ; E. M. Lopes ; Alves, N. . The application of the equivalent circuit model to organic MIS capacitors revisited. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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F. P. Sabino . Aplicação do modelo de circuito equivalente revisto para capacitores MIS orgânicos. 2011. (Apresentação de Trabalho/Outra).
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F. P. Sabino ; Giacometti, J. A. ; Alves, N. . Effects of leakage current, interfacila states and the consideration of accumulation layer in loss curves of organic MIS capacitor. 2010. (Apresentação de Trabalho/Outra).
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F. P. Sabino ; E. M. Lopes ; Giacometti, J. A. ; N. Alves . Study of loss curves of MIS capacitor in function of gate voltage. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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F. P. Sabino ; Giacometti, J. A. ; Alves, N. . Detailed simulation of dielectric loss dependence on gate voltage of MIS capacitor. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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F. P. Sabino ; N. Alves ; Giacometti, J. A. ; E. M. Lopes . Simulation of C-V and C-f curves for organics MIS capacitor: effects of accumulation layer widh and front edge of depletion layer. 2009. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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F. P. Sabino ; Alves, N. ; Giacometti, J. A. . Simulações de curvas C-f e C-V para capacitores MIS orgânicos: efeitos da camada de acumulação e da frente da camada de depleção. 2009. (Apresentação de Trabalho/Outra).
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F. P. Sabino ; N. Alves ; Giacometti, J. A. . Behavior of the Capacitance and Dielectric Loss in Organic MIS Capacitor. 2009. (Apresentação de Trabalho/Outra).
Projetos de pesquisa
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2022 - Atual
Síntese e propriedades físicas de perovskitas híbridas orgânico-inorgânico de baixa dimensionalidade, Descrição: Perovskitas híbridas (HPs)têm atraído atenção devido a propriedades optoeletrônicas com grande apelo para dispositivos de conversão de energia bem como emissores de radiação. A compreensão dos fenômenos físicos envolvendo as propriedades estruturais, eletrônicas, ópticas e de transporte elétrico é também de grande interesse científico. Apesar do grande progresso em eficiência, as principais desvantagens dessas HPs são a instabilidade sob condições ambientais e toxicidade. Em comparação com as HPs 3D, a família de baixa dimensionalidade exibe melhor estabilidade estrutural e alternativas variadas em composições e estruturas cristalinas. Nesta proposta, pretendemos obter um melhor entendimento sobre a síntese e propriedades de HPs de baixa dimensionalidade (0D e 2D) na forma de nanoestruturas, monocristais e dispositivos. Os dispositivos (células fotovoltaicas, dispositivos fotoeletroquímicos e emissores de luz) serão conjugados entre filmes 3D com estruturas 2D. Essa engenharia de interfaces 2D/3D pode resultar na otimização do dispositivo, melhor coleta de luz e transporte de carga e maior estabilidade. Estudaremos, experimentalmente e teoricamente, o efeito da pressão externa nas propriedades eletrônicas e ópticas nas amostras de baixa dimensionalidade. Esses estudos indicarão propriedades únicas, ajustáveis a objetivos específicos e sugerir novos materiais. Medidas serão realizadas no recém-finalizado SIRIUS (caracterização sob pressão). Obteremos melhor entendimento de alterações na fase cristalina, estrutura eletrônica e gap óptico, condutividade elétrica, fotoluminescência, bem como ARPES. Esse tipo de estudo nunca foi realizado em HPs 2D potencializando a obtenção de resultados único. Esta proposta foi elaborada de forma a ser composta por uma equipe com competências complementares ? síntese/caracterização de nanoestruturas e monocristais; estudos das propriedades sob pressão; realização de cálculos teóricos; e fabricação de dispositivos optoeletrônicos.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Fernando Pereira Sabino - Integrante / DALPIAN, GUSTAVO M. - Coordenador / TOFANELLO, A. - Integrante / SOUZA, JOSÉ A. - Integrante / Ricardo Donizeth dos Reis - Integrante / Pedro Alves da Silva Autreto - Integrante / Marcos de Abreu Avila - Integrante / Letície Mendonça Ferreira - Integrante / Fabio Furlan Ferreira - Integrante / André Sarto Polo - Integrante.
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2022 - Atual
Design computacional de Perovskitas de Haletos estáveis: efeitos de defeitos, ligas, e pressão, Descrição: O uso de perovskitas de haletos em células solares e outros dispositivos continua a atrair a atenção de pesquisadores em todo o mundo, e eficiências na conversão de energia de quase 30% foram relatadas. Uma limitação atual para a comercialização adequada desses dispositivos é a estabilidade reduzida dos materiais envolvidos, que são relativamente instáveis à exposição a umidade levando à separação de fases. Neste projeto usaremos métodos computacionais baseados na mecânica quântica para encontrar formas de aumentar a estabilidade estrutural desses compostos. Diversas estratégias serão avaliadas, incluindo o uso de diferentes alavancas termodinâmicas, como pressão e temperatura, e fatores externos, como a formação de ligas, a inclusão de defeitos e dopantes, e a construção de estruturas de baixa dimensionalidade. Nossos resultados serão compartilhados com colaboradores experimentais que trabalharão na síntese e caracterização dos compostos mais promissores.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Fernando Pereira Sabino - Integrante / DALPIAN, GUSTAVO M. - Coordenador / CATURELLO, NAIDEL A. M. S. - Integrante / SOUZA, JOSÉ A. - Integrante / Ricardo Donizeth dos Reis - Integrante.
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2019 - Atual
Perovskitas de haletos, Descrição: A eficiência de células solares baseadas em perovskitas de haletos tem aumentado drasticamente nos últimos anos, sendo um potencial candidato a substituir a tecnologia atual baseada em silício. No entanto o grande problema para a aplicação em escala industrial é a alta degradação da perovskitas com temperatura, luz, umidade e outros. O entendimento da propriedade eletrônica, e de defeitos é fundamental para que os principais problemas sejam sanados. Neste projeto, portanto, é estudado perovskitas de haletos completamente inorgânicas ou híbridas, tendo o principal foco na estrutura eletrônica, propriedades de defeitos e dopagem.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Fernando Pereira Sabino - Coordenador / DALPIAN, G. M. - Integrante.
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2017 - Atual
Óxidos semicondutores, Descrição: Óxidos semicondutores podem ser aplicados em uma grande quantidade de tecnologias que envolvem contatos transparentes, diodos emissores de luz, retificadores elétricos, etc. Muita das propriedades ainda são questões debate onde se pode mencionar a origem de condutividade intrínseca, ausência (ou dificuldade) de semicondutores do tipo-p, propriedades de defeitos, entre outros. Neste projeto, é estudado as propriedades eletrônicas, ópticas e de defeitos para explicar comportamentos e propor alternativas de materiais óxidos semicondutores. Pode-se destacar como exemplos de materiais estudados: In2O3, Ga2O3, SnO2, ZnO e ligas formadas por esses elementos.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Fernando Pereira Sabino - Coordenador / JANOTTI, A. - Integrante / DALPIAN, G. M. - Integrante.
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2013 - 2017
Projeto de doutorado: Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas de óxidos transparentes condutores baseados na fase unária e binária de Al2O3, Ga2O3, In2O3, SnO2 e ZnO., Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Fernando Pereira Sabino - Integrante / DA SILVA, JUAREZ L. F. - Coordenador / NUNES OLIVEIRA, LUIZ - Integrante.
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2010 - 2012
Projeto de Mestrado: Estudo da fotocapacitância em dispositivos metal-isolante-semicondutor orgânicos, Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Fernando Pereira Sabino - Integrante / Neri Alves - Coordenador.
Prêmios
2023
?Intrinsic doping limitations in inorganic lead halide perovskites? has been selected for our Materials Horizons anniversary regional spotlight collection to celebrate 10 years, Materials Horizons.
2017
Optical and fundamental band gaps disparity in transparent conducting oxides: new findings for the In2O3 and SnO2 systems - Annual Journal Highlights 2017 - Journal of Physics: Condensed Matter, IOP Publishing.
2009
Diploma de mérito acadêmico: Melhor índice de aproveitamento do curso de graduação em física, FCT-UNESP.
Histórico profissional
Experiência profissional
2012 - 2012
Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita FilhoVínculo: , Enquadramento Funcional: Professor Substituto, Carga horária: 20
2010 - 2012
Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita FilhoVínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Mestrado, Carga horária: 40
2011 - 2011
Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita FilhoVínculo: Outro, Enquadramento Funcional: Estágiario, Carga horária: 4
Outras informações:
Estagio docente realizado na disciplina de Física III, para o curso de licenciatura em química da FCT UNESP.
2011 - 2011
Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita FilhoVínculo: Outro, Enquadramento Funcional: Monitor voluntário, Carga horária: 4
Outras informações:
Monitor voluntário na disciplina de Eletromagnetismo, realizada para o curso de licenciatura em física.
2008 - 2010
Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita FilhoVínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Iniciação cientifíca, Carga horária: 20, Regime: Dedicação exclusiva.
2011 - 2011
Bangor UniversityVínculo: Outros, Enquadramento Funcional: Estágiario, Carga horária: 40
Outras informações:
Estagio realizado na Universidade de Bangor a fim de realizar pesquisa sobre os temas relacionados ao meu mestrado.
2010 - 2010
Bangor UniversityVínculo: Outros, Enquadramento Funcional: Estágiario, Carga horária: 40
Outras informações:
Estagio realizado na Universidade de Bangor a fim de realizar pesquisa sobre os temas relacionados ao meu mestrado.
2008 - 2008
Colégio Êxito, Colégio ÊxitoVínculo: Monitor de Física, Enquadramento Funcional: Aulas de reforço de física, Carga horária: 4
2007 - 2007
Colégio Êxito, Colégio ÊxitoVínculo: Monitor de Física, Enquadramento Funcional: Plantos de dúvidas de física, Carga horária: 2
2006 - 2006
Colégio Êxito, Colégio ÊxitoVínculo: Monitor de Física, Enquadramento Funcional: Treinamento para Olimpíada, Carga horária: 2
2024 - Atual
Universidade de São PauloVínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Doutor - MS-3, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
2013 - 2017
Universidade de São PauloVínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Doutorado, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Atividades
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02/2025
Ensino, Engenharia Mecânica, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Ciência e Engenharia de Materiais I
-
02/2025
Ensino, Engenharia de Produção, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Ciência e Engenharia de Materiais I
-
02/2025
Ensino, Engenharia Mecatrônica, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Ciência e Engenharia de Materiais I
2017 - 2019
University of DelawareVínculo: Pos doutorando, Enquadramento Funcional: Pos doutorado, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
2019 - 2022
Universidade Federal do ABCVínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Pós Doutorado, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
2021 - 2021
Universidade Federal do ABCVínculo: Professor, Enquadramento Funcional: Professor, Carga horária: 5
Outras informações:
Professor da disciplina de Fenômenos Mecânicos.
2022 - 2023
University of ColoradoVínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Pós doutorado, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Criando um monitoramento
Nossos robôs irão buscar nos nossos bancos de dados todos os processos de Fernando Pereira Sabino e sempre que o nome aparecer em publicações dos Diários Oficiais, avisaremos por e-mail e pelo painel do usuário
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Confirma a exclusão?