Gennady Gusev

Possui graduação em Física pela Novosibirsk State University(1981) e doutorado em Física pela Novosibirsk State University(1987). Atualmente é professor titular da Universidade de São Paulo. Tem experiência na área de Física, com ênfase em Física da Matéria Condensada. Atuando principalmente nos seguintes temas:two-dimensional electron gas, transport properties, Mesoscopic System, Nanothecnolodgy.

Informações coletadas do Lattes em 17/08/2025

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Física

1984 - 1987

Novosibirsk State University
Título: Anomalous Magnetoresistance in a two-dimensional hole gas"
Orientador: Prof Dr. Victor Ovsyuk

Graduação em Física

1976 - 1981

Novosibirsk State University

Idiomas

Inglês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Português

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Razoavelmente.

Áreas de atuação

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Transp. Eletrônicos e Prop. Elétricas de Superfícies; Interfaces e Películas.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Estados Eletrônicos.

Organização de eventos

GUSEV, G. M. ; GUSEV, G. M. ; 20th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics - HMF20 (França. 2012. (Congresso).

Oliveira Jr., N. F. ; LANDWEHR, G. ; ASSALI, L. V. C. ; BINDILATTI, V. ; CHITTA, V. A. ; Gusev, G. M. ; GUSEV, G. M. ; MENESES, E. A. ; PLENTZ, F. ; QUIVY, A. A. ; SILVA, E. C. F. da . 18th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology - HMF18. 2008. (Congresso).

Participação em eventos

25th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics. Geometric engineering of viscous magnetotransport in a two-dimensional electron system. 2024. (Congresso).

25th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics. Giant Linear Magnetoresistance in Two-Dimensional non-Galilean invariant conductor. 2024. (Congresso).

36th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS). Thermoelectric Properties of Two-dimensional Dirac Materials in HgTe Quantum Wells. 2024. (Congresso).

36th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS). Interaction dominated transport in 2D conductors: from degenerate to partially-degenerate regime.. 2024. (Congresso).

36th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS). Multifractal conductance ﬂuctuations of the helical edge states. 2024. (Congresso).

36th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS). Scattering-Dominated Transport Among Massive and Massless Dirac Fermions. 2024. (Congresso).

The 24th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (HMF-24. Magnetohydrodynamics of massless Dirac fermions in HgTe quantum well. 2022. (Congresso).

Transport and Spectroscopy of Two-Dimensional Systems.Viscous magnetotransport in multilayer systems ? double and triple wells. 2021. (Oficina).

Cool Electrons in Flatlands.Cool Electrons in Flatlands. 2020. (Oficina).

Physica de Semicondutores. Conference on Semiconductor physics. 2019. (Congresso).

Quantum Transport in 2D Systems ? III. Edge transport of massless Dirac fermions in multilayer HgTe systems. 2019. (Congresso).

23rd International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics. Quantized edge transport at nu=0 quantum Hall state. 2018. (Congresso).

22nd International Conference on Electronic Properties of Two Dimensional Systems. Robust helical edge transport at v=0 quantum Hall state. 2017. (Congresso).

International Conference Topological State of Matter. -. 2017. (Congresso).

School for advanced sciences of Luchon. Thermoelectric properties of the topological insulators. 2017. (Congresso).

21st International Conference on "High Magnetic Fields in Semiconductor Physics", HMF-21. Aharonov Bohm Effect for the Helical Edge States in a Two-Dimensional Topological Insulator. 2014. (Congresso).

32nd International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS32. The Resistance of 2D Topological Insulator in the Absence of the Quantized Transport. 2014. (Congresso).

16 th Brazilian Work shop on Semiconductor Physics.Optical Studies of a 2DEG in Double Quantum Wells. 2013. (Outra).

20th International Conference on High Magnetic Field in Semiconductor Physics. Microwave -induced magnetooscillatons in multilayer systems: Double and Triple quantum wells. 2012. (Congresso).

20th International Conference on High Magnetic Field in Semiconductor Physics. Unraveling microwave-induced oscillations in the Hall response of a bilayer electron system ( poster), 3. Shubnikov - de Haas effect in tilted magnetic fields in wide quantum well (poster). 2012. (Congresso).

20th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics - HMF20 (França. Microwave-induced magneto-oscillations in multilayer systems: Double and triple quantum wells. 2012. (Congresso).

31th International Conference on the Physics of Semiconductors. Unconventional Hall effect near charge neutrality point in a two-dimensional electron-hole system,Transition from insulating to gapless phase induced by in-plane magnetic field in HgTe quantum wells,Edge state transport in HgTe quantum wells: from topolog. 2012. (Congresso).

31th International Conference on the Physics of Semiconductors. Carbon: Nanotubos e grafeno. 2012. (Congresso).

18th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology. Transport in a bilayer system at high Landau filling factor. 2008. (Congresso).

29th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Resistively Detected Nmr Of The Quantum Hall State At Unity Filling Factor:. A Tilted Magnetic Field Study. 2008. (Congresso).

13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - São Paulo/SP.Bilayer 2D electron systems: electron-phonon interactions and correlations effects. 2007. (Outra).

17th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional System. Acoustic Magnetophonon resonance in a double well. 2007. (Congresso).

17th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (HMF) - Würzburg/Alemanha. ?Temperaturre dependence of the resistively detected electron spin resonance signals in a wide parabolic quantum well?. 2006. (Congresso).

28th International Conference on the Physics of Semiconductors? (ICPS-28) - Viena/Austria. ?Interaction Corrections to the Longitudinal Conductivity and Hall Resistivity in High Mobility 2D Systems with Intermediate Density. 2006. (Congresso).

12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - São José dos Campos, SP.Magnetotransport in AlxGax-1As quantum wells with different potential shapes. 2005. (Outra).

3. ?XXVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada? - XXVIII ENFMC - Santos/SP.?XXVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada? - XXVIII ENFMC. 2005. (Encontro).

4th Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - São Pedro/SP.Magnetotransport in a multi-subband system. 2005. (Encontro).

Workshop on Semiconductor Spintronics - Brasília.Workshop on Semiconductor Spintronics. 2005. (Outra).

27th International Conference on the Physics of Semiconductors. 27th International Conference on the Physics of Semiconductors. 2004. (Congresso).

3rd Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructures Materials.3rd Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructures Materials. 2004. (Encontro).

The 16th International Conference on High Magnetic Field in Semiconductor Physics. The 16th International Conference on High Magnetic Field in Semiconductors Physics. 2004. (Congresso).

2nd Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructures Materials.2nd Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructures Materials. 2003. (Encontro).

The 15th International Conference on electronic properties of two-dimensional systems. The 15th International Conference on electronic properties of two-dimensional systems. 2003. (Congresso).

1st Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructures Materials.1st Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructures Materials. 2002. (Encontro).

26th International Conference on the Physics of Semiconductors. 26th International Conference on the Physics of Semiconductors. 2002. (Congresso).

The 15th International Conference on High Magnetic Field in Semiconductors Physics. The 15th International Conference on High Magnetic Field in Semiconductors Physics. 2002. (Congresso).

14th International Conference on the Electronic Properties of Two-dimensional System. 14th International Conference on the Electronic Properties of Two-dimensional System. 2001. (Congresso).

ICPS 25 - 25th International Conference on the Physics of Semiconductors. 25th International Conference on the Physics of Semiconductors. 2000. (Congresso).

SEMIMAG-14 - The 14th International Conference on High Magnetic Field in Semiconductor Physics. 14th International Conference on High Magnetic Field in Semiconductors Physics. 2000. (Congresso).

ICPS 24 - 24th International Conference on the Physics of Semiconductors. 24th International Conference on the Physics of Semiconductors. 1998. (Congresso).

International School of Mesoscopic Electronics.International School of Mesoscopic Electronics. 1998. (Outra).

SEMIMAG-13 - The 13th International Conference on High Magnetic Field in Semiconductors Physics. The 13th International Conference on High Magnetic Field in Semiconductors Physics. 1998. (Congresso).

9th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. 9th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. 1996. (Congresso).

ICPS 23 - 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors. 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors. 1996. (Congresso).

SEMIMAG-12 - 12th International Conference on High Magnetic Field in Semiconductor Physics. The 12th International Conference on High Magnetic Field in Semiconductors Physics. 1996. (Congresso).

XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1996. (Encontro).

11th International Conference on the Electronic Properties of Two-dimensional System. 11th International Conference on the Electronic Properties of Two-dimensional System. 1995. (Congresso).

7th International Conference on Modulated Semiconductor Structures. 7th International Conference on Modulated Semiconductor Structures. 1995. (Congresso).

8th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. 8th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. 1995. (Congresso).

11th Interntaional Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics. 11th Interntaional Conference on High Magnetic Fields in Semiconductors Physics. 1994. (Congresso).

XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 1994. (Encontro).

10th International Conference on the Electronic Properties of Two-dimensional System. 10th International Conference on the Electronic Properties of Two-dimensional System. 1993. (Congresso).

Participação em bancas

Aluno: Julio César Bolaños Pomayna

TABATA, A.GUSEV, G. M.; SILVA, L. G. G. V. D.. Estudo de um Sistema Bidimensional formado por Rede de Antipontos para a Engenharia de Dispositivos em Spintrônica. 2013. Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto de Fisica.

Aluno: EDGAR FERNANDO ALIAGA AYLLON

FARFAN, A. M. C.;HERNANDEZ, F. G. G.GUSEV, G. M.. O Transistor Válvula de Spin de AlGaAs/GaAs e outros Semicondutores: Dirigidos a Novos Dispositivos Spintrônicos. 2013. Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto de Fisica.

Aluno: Bruno Anghinoni

LEVINE, A.;GUSEV, G. M.; MARQUES, M.. Estudo Teórico da Resistividade Longitudinal de um Poço Quântico Duplo na Presença de Efeito Rashba. 2012. Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto de Fisica.

Aluno: Alvaro Diego Bernardino Maia

GUSEV, G. M.SILVA, E. C. F. da; SILVA, S. W.. Efeitos de spin em poços quânticos largos. 2007 - Universidade de São Paulo.

Aluno: Marcel Nogueira D?Eurydice

SIPAHI, G. M.; TELES, L. K.;GUSEV, G. M.. Estrutura de bandas de valência em poços quânticos e super-redes de nitretos na fase hexagonal. 2006 - Instituto de Física e Química de São Carlos.

Aluno: Carlos Fernando Destefani

GUSEV, G. M.. Transporte Quântico em Sistemas Mesoscópicos. 1999. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos.

Aluno: Zahra Sadre Momtaz

FARFAN, A. C.;GUSEV, G. M.; CHUBACI, J. F. D.; MARQUES, M.;CHITTA, V. A.. Transporte em Nanoestruturas: Fenômenos Quânticos em Poços Duplos e Triplos. 2016. Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Fisica.

Aluno: Abdur Rahim

FARFAN, A. C.;GUSEV, G. M.; MARQUES, M.; MATSUOKA, M.;CHITTA, V. A.. Efeito Hall de Spin em Nanoestruturas Semicondutoras: Rumo à Novos Dispositivos de Spintrônica. 2015. Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Fisica.

Aluno: Leonardo Dias de Souza

MARQUES, G. E.;CHITTA, V. A.; CHIQUITO, A. J.;SILVA, E. C. F. daGUSEV, G. M.. Crescimento, Caracterizações Estrutural e Óptica de Algumas Nanoestruturas Semicondutoras Exóticas. 2014. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos.

Aluno: Marcio Boer Ribeiro

PUSEP, Y. A.; GUIMARAES, F. E. G.;GUSEV, G. M.; SIPAHI, G. M.; GOBATO, Y. G.. Estudos de propriedades de magnetotransporte eletrônico em super-redes semicondutoras GaAs/AlGaAs. 2007 - Instituto de Física de São Carlos - USP.

Aluno: Ângela Maria Ortiz de Zevallos Márquez

GUSEV, G. M.CHITTA, V. A.SEABRA, A C; LIKAWA, F.; CHOQUE, N. M. S.. Estudo de poços parabólicos largos de AlGaAs em campos magnéticos altos. 2007 - Universidade de São Paulo.

Aluno: Sami Sassine

GLATTLI, C.; SANQUER, M.; GENSSER, U.; WILD, A.;GUSEV, G. M.; NOGARET, A.; AUBERT, H.; PORTAL, J. C.. Transport életronique contrôlé par micro-ondes dans des microstrutures asymétriques: Effet ratchet mésoscopique. 2007 - Grenoble High Magnetic Field Laboratory-CNRS.

Aluno: Sami Sassine

GLATTLI, C.; SANQUER, M.; GENNSER, U.; WILD, A.;GUSEV, G. M.; NOGARET, A.; AUBERT, H.; PORTAL, J. C.. Transport életronique contrôlé par micro-ondes dans des microstrutures asymétriques: Effet ratchet mésoscopique. 2007 - Grenoble High Magnetic Field Laboratory-CNRS.

Aluno: Ana Luiza Cardoso Pereira

GUSEV, G. M.; SCHULZ, P A A; CALDEIRA, A O; MIRANDA, e; STUDART, N; OLIVEIRA, M C de; MACEDO, A M S. Destino dos Estados Estendidos e origem dos Estados Localizados no Regime Hall Quântico. 2005. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Gustavo Martini Dalpian

FAZZIO, A.;GUSEV, G. M.. Estudo dos Estágios Iniciais do Crescimento de Ge sobre Si(100). 2003. Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Fisica.

Aluno: Gustavo Michel Mendoza la Torre

GUSEV, G. M.. Espectroscopia de Tunelamento em Sistemas Mesoscópicos de Transporte Balístico. 2003. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas.

Aluno: Sara Cristina Pinto Rodrigues

SCOLFARO, L. M. R.;GUSEV, G. M.; HAI, G. Q.; SILVA, A. F. da;LIMA, I C da Cunha. Estrutura de bandas de heteroestruturas semicondutoras dopadas tipo-p. 2001. Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Fisica.

Aluno: Rero Marques Rubinger

GUSEV, G. M.. Auto-organização induzida por processos de geração e recombinação ativados por campo elétrico em semicondutores em regime de não equilíbrio termodinâmico. 2000. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Minas Gerais.

PIRES, A. S. T.;GUSEV, G. M.; PIMENTA, M. A.; ZILIO, S. C.; SCHREINER, W. H.. Professor Titular do Departamento de Física do Instituto de Ciências Exatas da Universidade Federal de Minas Gerais, Belo Horizonte, MG. Edital no 226.. 2012. Universidade Federal de Minas Gerais.

SOUZA FILHO, A. G.; ALVAREZ, F.;GUSEV, G. M.; HADLER NETO, J. C.; MENEZES, R. P.. Professor Doutor, na área de Física Experimental de Materiais Avançados, do Instituto de Física Gleb Wataghin da Universidade Estadual de Campinas. 2014. Universidade Estadual de Campinas.

Orientou

Caio André Monari

NanotecnologiaeViscosidadeEletrônica; Início: 2025; Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Fisica, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; (Orientador);

Caio José Alves de Oliveira

Transporte Viscoso em Poços Quânticos de HgTe; Início: 2025 - Instituto de Fisica; (Orientador);

Bruno Anghinoni

Rumo aos dispositivos spintrônicos: manipulação de spin em poços quânticos duplos; 2012; Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto de Fisica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Gennady Gusev;

Julio César Bolaños Pomayna

Estudo do sistema bidimensional formado por antipontos para a engenharia de dispositivos em spintrônica; 2011; Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto de Fisica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Gennady Gusev;

EDGAR FERNANDO ALIAGA AYLLON

O transistor válvula de spin de AlGaAs/GaAs e outros semicondutores: dirigido a novos dispositivos spintronicos; ; 2011; Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto de Fisica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Gennady Gusev;

Alvaro Diego Bernardino Maia

Efeitos de spin em poços quânticos largos; 2005; 0 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto de Fisica, ; Orientador: Gennady Gusev;

M I Germagenov

Magneto-Resistência em campos magnéticos paralelos nos transistores de Silício; 1986; 0 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Novosibirsk State University, ; Orientador: Gennady Gusev;

S K Korzhanevskii

Elétrons quentes em transistores de Silício; 1985; 0 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Novosibirsk State University, ; Orientador: Gennady Gusev;

I; Korchagin; Magneto-Resistência anômala em transistores de Germânio; 1984; 0 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Novosibirsk State University, ; Orientador: Gennady Gusev;

Julio César Bolaños Pomayna

Estudo de Sistema Bidimensional; 2013; Tese (Doutorado em Fisica (Sc)) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Gennady Gusev;

Abdur Rahim

Efeito Hall de spin em nanoestruturas semicondutoras: rumo à novos dispositivos de spintrônica; 2011; Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Fisica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Gennady Gusev;

Zahra Sadre Momtaz

Transporte em nanoestruturas: fenomenos quânticos em poços duplos e triplos; 2011; Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Fisica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Gennady Gusev;

Fernando Luis Otaviani

Estudo do sistema bidimensional formado por antipontos para a engenharia de dispositivos em spintrônica; 2006; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo, ; Orientador: Gennady Gusev;

Luis Enrique Gomez Armas

Estudo das instabilidades de densidade de spin em nanoestruturas semicondutoras; 2005; 0 f; Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Fisica, Centro Latino Americano de Física; Orientador: Gennady Gusev;

Niko Churata Mamani

Magnetotransporte em poços quânticos de AlGaAs/GaAs com diferentes formas de potencial; 2004; 0 f; Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Fisica, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Gennady Gusev;

Ivan Ramos Pagnossin

Caracterização de heteroestruturas semicondutoras utilizadas na fabricação de fotodetectores operando na faixa de micrometros; 2004; 0 f; Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Fisica, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Gennady Gusev;

Cassio Sanquini Sergio

Transporte quantico em pocos parabolicos largos; 2003; Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Fisica, Fundação de Apoio à Pesquisa do Estado da Paraíba; Orientador: Gennady Gusev;

Nilo Mauricio Sotomayor Choque

Estudo da dinamica de caos no gas tridimensional de eletrons de alta mobilidade; 2002; Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Fisica, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Gennady Gusev;

Celso de Araújo Duarte

Estudo das propriedades estruturais e magnéticas de semicondutores magnéticos diluídos baseados em GaN cúbico e hexagonal; 2002; 0 f; Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Fisica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Gennady Gusev;

Ângela Maria Ortiz de Zevallos Márquez

Propriedades de poços quânticos de AlGaN/GaN; 2002; 0 f; Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Fisica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Gennady Gusev;

Jully Paola Pena Pacheco

2018; Instituto de Fisica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Gennady Gusev;

Suelen de Castro

2017; Instituto de Fisica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Gennady Gusev;

Jorge Augusto Leon Eras

2011; Instituto de Fisica, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Gennady Gusev;

Celso de Araújo Duarte

2006; Instituto de Fisica, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Gennady Gusev;

Ana Melva Champi Farfán

2006; Instituto de Fisica, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Gennady Gusev;

Tomás Erikson Lamas

2004; Instituto de Fisica, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Gennady Gusev;

N M Sotomayor

2002; Instituto de Fisica, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Gennady Gusev;

M T dos Santos

1997; Instituto de Fisica, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Gennady Gusev;

Produções bibliográficas

LEVIN, A. D. ; Gusev, G. M. ; GUSEV, G. M. ; CHITTA, V. A. ; KVON, Z. D. ; JAROSHEVICH, A. S. ; UTKIN, D. E. ; DMITRIEV, D. V. ; Bakarov, A. K. . Obstacle-induced Gurzhi effect and hydrodynamic electron flow in two-dimensional systems. PHYSICAL REVIEW B , v. 111, p. 125302-125302-8, 2025.
KOVALEV, V.'M. ; ENTIN, M.'V. ; KVON, Z.'D. ; LEVIN, A.'D. ; CHITTA, V.'A. ; GUSEV, G.'M. ; MIKHAILOV, N.'N. . Resistivity of Non-Galilean-Invariant Two-Dimensional Dirac Systems. PHYSICAL REVIEW LETTERS , v. 134, p. 196303, 2025.
GUSEV, G. M. ; Gusev, G. M. ; LEVIN, A. D. ; OLSHANETSKY, E. B. ; KVON, Z. D. ; KOVALEV, V. M. ; ENTIN, M. V. ; Mikhailov, N. N. . Interaction-dominated transport in two-dimensional conductors: From degenerate to partially degenerate regime. PHYSICAL REVIEW B , v. 109, p. 035302-035302-11, 2024.
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LEVIN, A. D. ; GUSEV, G. M ; HERNANDEZ, F. G. G. ; OLSHANETSKY, E. B. ; KOVALEV, V. M. ; ENTIN, M. V. ; Mikhailov, N. N. . Interaction-controlled transport in a two-dimensional massless-massive Dirac system: Transition from degenerate to nondegenerate regimes. Physical Review Research , v. 6, p. 023121-1-023121-9, 2024.
PATRICIO, M. A. T. ; JACOBSEN, G. M. ; OLIVEIRA, V. A. ; TEODORO, M. D. ; Gusev, G. M. ; GUSEV, G. M. ; Bakarov, A. K. ; Pusep, Yu. A. . Magnetic field breakdown of electron hydrodynamics. PHYSICAL REVIEW B , v. 110, p. 045411-1-045411-5, 2024.
LEVIN, A. D. ; Gusev, G. M. ; GUSEV, G. M. ; CHITTA, V. A. ; JAROSHEVICH, A. S. ; Bakarov, A. K. . Bulk and shear viscosities in a multicomponent two-dimensional electron system. PHYSICAL REVIEW B , v. 110, p. 195402-195402-6, 2024.
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DUARTE, C. A. ; GUSEV, G. M. ; LAMAS, T. E. ; QUIVY, A. A. . Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well. In: 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (BWSP-12), 2005, São José dos Campos. Programa e Resumos do 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (BWSP-12), 2005.
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BUDANTSEV, M. V. ; KVON, Z. D. ; POGOSOV, A. G. ; GUSEV, G. M. ; PORTAL, J. C. ; MAUDE, D. K. ; MOSHEGOV, N. T. ; TOROPOV, A. I. . Two-Dimensional Lattice Of Coupled Sinai Billiards: Metall Or Insulator At G<<1?. In: 13th International Conference on High magnetic fields in Semiconductor Physics, 1998. Abstracts of 13th International Conference on High magnetic fields in semiconductor physics. Nijmegen, Netherlands. p. 4.
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GUSEV, G. M. ; GENNSER, U. ; MAUDE, D. K. ; PORTAL, J. C. ; LUBYSHEV, D. I. ; YU, V. ; NASTAUSHEV, J. C. ; ROSSI, P. . Oscillation Of The Impurity Switching Time With Magnetic Field In A Mesoscopic Conductor. In: XVII Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 1994. Resumos de XVII Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Caxambu, Brazil. p. 303.
GUSEV, G. M. ; GENNSER, U. ; MAUDE, D. K. ; PORTAL, J. C. ; LUBYSHEV, D. I. ; YU, V. ; NASTAUSHEV, J. C. ; ROSSI, P. . Negative Magnetoresistance In A Coupled Quantum Well. In: XVII Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 1994. Resumos de XVII Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Caxambu, Brazil. p. 304.
GUSEV, G. M. ; GENNSER, U. ; MAUDE, D. K. ; PORTAL, J. C. ; LUBYSHEV, D. I. ; YU, V. ; NASTAUSHEV, P. . Magnetic Field Induced Localization In A System With A Two-Dimensional Array Of Quantum Dots. In: XVII Encontro Nacional de Fisica da ateria Condensada, 1994. Resumos de XVII Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Caxambu, Brazil. p. 313.
GUSEV, G. M. ; LUBYSHEV, D. I. ; YU, V. ; NASTAUSHEV, P. . Diode Based On The Two-Dimensional Electron Gas In An Artificial Strongly Disordered Potential. In: XVII Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 1994. Resumos de XVII Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. caxambu, Brazil. p. 304.
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GUSEV, G. M. ; KVON, Z. D. ; YU, V. ; NASTAUSHEV, L. V. ; LITVIN, A. K. ; KALAGIN, A. I. . Aharonov-Bohm Oscillations Of A Two-Dimensional Electron Gas In A Periodic Lattice Of Scatterers. In: 21th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1992. Aharonov -Bohm oscillations of a two-dimensional electron gas in a periodic lattice of scatterers. Beijing, China. p. 422.
GUSEV, G. M. ; KVON, Z. D. ; LITVIN, L. V. ; YU, V. ; NASTAUSHEV, A. K. ; KALAGIN, A. I. . Electron Transport Through A Two-Dimensional Array Of Quantum Dots. In: 6th International Conference on Superlattices, microstructures an microdevices, 1992. Abstracts of 6th International Conference on Superlattice, microstructures and microdevices. Beijin, China. p. 100.
GUSEV, G. M. ; KVON, Z. D. ; LITVIN, L. V. ; YU, V. ; NASTAUSHEV, A. K. . Magnetoresistance Of A Two-Dimensional Electron Gas In A Disordered Artificial Array Of Scatterers. In: 6th International Conference on Superlattices, microstructures and microdevices, 1992. Abstracts of 6th International Conference on Superlattices, microstructures and microdevices. Bejing, China. p. 198.
BYKOV, A. A. ; GUSEV, G. M. ; KVON, Z. D. ; KATKOV, A. D. ; PLYUHIN, V. G. . High Frequency Properties And Conductance Of Gaas-Algaas Microstructures. In: 5th International Conference on Superlattice and Microstructures, 1990. High frequency properties and conductance of GaAs-AlGaAs microstructures. Berlin, Germany. p. 135.
GUSEV, G. M. ; KVON, Z D ; MAGARILL, L I ; PALKIN, A. M. ; SOZINOV, V N ; SHEGAI, O A . Resonat photogalvanic effect in inversion layer on semiconductor surface. In: 19th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 19, 1988, Warsaw. Proceedings of the 19th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1988.
GUSEV, G. M. ; Gusev, G. M. ; Microwave -induced magneto oscillatons in multilayer systems: Double and Triple quantum wells. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
BOWERS, C. R. ; GUSEV, G. M. . Resistively Detected Nmr Of The Quantum Hall State At Unity Filling Factor:. A Tilted Magnetic Field Study. 2008. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
CHOQUE, N. M. S. ; DAVILA, L. Y. A. ; GUSEV, G. M. . Evolution Of The Low Field Magnetoresistance Of A 3deg In A Narrow Potential Well With Modulated Barriers In A Lattice Of Cilyndrical Voids Under Tilted Magnetic Field. 2008. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

Projetos de pesquisa

2023 - Atual

PESQUISA EM MATERIAIS QU ANTICOS envolvendo CAMPOS MAGNETICOS INTENSOS e BAIXAS TEMPERATURAS, Descrição: Este projeto propoe o estudo das propriedades opticas, eletricas, termicas e magneticasde materiais quanticos tais como: isolantes topologicos, sistemas eletronicos de Dirac, l#305;quidos despin, condensado de Bose-Einstein, e sistemas eletronicos fortemente correlacionados. Para isso seraousadas tecnicas que envolvem campos magneticos intensos e baixas temperaturas. Espera-se que esses estudos contribuam com o avanco da area de novos materiais quanticos e que ao final se possa entender melhor a natureza das suas propriedades f#305;sicas, objetivando o dom#305;nio dos processos de fabricacao e suas potenciais aplicacoes. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Especialização: (6) / Mestrado acadêmico: (8) Doutorado: (3) . , Integrantes: Gennady Gusev - Coordenador / V A Chitta - Integrante / N. F. Oliveira Jr. - Integrante / Yury Pusep - Integrante / HERNANDEZ, F G G - Integrante / Rafael Sá Freitas - Integrante / Armando Paduan - Integrante / Alexandre Levine - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
2016 - 2022

PESQUISA EM NOVOS MATERIAIS ENVOLVENDO CAMPOS MAGNÉTICOS INTENSOS E BAIXAS TEMPERATURAS, Descrição: A presente proposta de projeto Temático dá continuidade a pesquisas em novos materiais envolvendo campos magnéticos intensos e temperaturas muito baixas, realizadas no âmbito do Temático anterior (Proc. 07/50968-0 da FAPESP), terminado em 30 de maio de 2014. O Laboratório de Novos Materiais Semicondutores e Laboratório de Estado Sólido e Baixas Temperaturas (LESBT) do Departamento de Física dos Materiais e Mecânica (DFMT) do Instituto de Física da USP reúne infraestrutura e técnicas necessárias para a utilização de campos intensos e baixas temperaturas sendo por isso o principal centro em que os experimentos serão realizados. Os programas versam sobre: - materiais avançados (estudo do transporte em isolantes topológicos como poços quânticos de HgTe, e estudo do transporte quântico em grafeno); - materiais semicondutores (estudo do transporte em Bi2Te3 e estruturas IV-VI); - óxidos magnéticos diluídos (propriedades elétricas e magnéticas de ZnO, TiO2, SnO2 e CeO2) - materiais magnéticos frustrados (estudo das propriedades de pirocloros e espinélios principalmente baseados no íon de Gd); - materiais magnéticos orgânicos (envolvendo principalmente os radicais BImNN, MNPP e BABI); - magnetismo e supercondutividade (estudo de compostos a base de FeAs); - efeito magneto-elétrico (principalmente em sistemas baseados no composto NiCl2.4SC(NH2)2). Além do grupo do LNMS liderado pelo Prof. Gennady Gusev, participam deste projeto, diretamente, o grupo do Laboratório de Estado Sólido e Baixas Temperaturas liderado pelo Prof. Valmir Chitta , o Grupo de Propriedades Óticas e Magnéticas dos Sólidos (GPOMS) do Instituto Gleb Wataghin da UNICAMP, liderado pelo Prof. Pascoal Pagliuso e Grupo de Física de Semicondutores do Intistuto de Física de São Carlos/USP liderado pelo Prof. Yury Pusep, colaboram, também, o grupo do Laboratório de Sensores e Materiais do Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (LAS/INPE), liderado pelo Dr. Eduardo Abramov, e vários grupos do exterior (Russia, França e Estados Unidos).. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (2) . , Integrantes: Gennady Gusev - Integrante / Guennadii Mikhailovich Gusev - Coordenador / V A Chitta - Integrante / Y A Pusep - Integrante / NEI FERNANDES DE OLIVEIRA JR. - Integrante / Felix Guillermo Gonzalez Hernandez - Integrante / Alexandre Levine - Integrante / Rafael Sá Freitas - Integrante / Armando Paduan - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
2014 - 2016

Fapep regular 2012/23158-6: SISTEMA ELETRON-BURACO BIDIMENSIONAL E ISOLANTE TOPOLOGICO TRI-DIMENSIONAL EM POÇOS QUÂNTICOS DE HgTe, Descrição: Propomos a pesquisa de sistema eletron-buraco bidimensional em estruturas semicondutoras de HgTe/CdTe. Nestes sistemas principalmente é esperada a formação do chamado éxciton isolante sugerido inicialmente por N. Mott. O concepto do éxciton isolante pode ser explicado do seguinte modo: em um semimetal com densidades baixas o qual para elétrons e buracos a interação de Coulomb não é mais reduzida pela blindagem e pode resultar na formação de estados acoplados elétron-buraco, o fato é que o éxciton é uma partícula neutra, e o sistema nessas condições se converte em um isolante.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gennady Gusev - Integrante / Guennadii Mikhailovich Gusev - Coordenador / Alexandre Levine - Integrante / HERNANDEZ, F G G - Integrante.
2012 - 2015

Fapesp regular 2011/20221-6: TRANSPORTE EM ISOLANTE TOPOLÓGICO E NANOESTRUTURAS SEMICONDUTORAS, Descrição: Resumo da proposta A recente descoberta de isolantes topológicos, assim como outros avanços em física de matéria condensada básica, permite novas aplicações que exploram este novo conhecimento. As propriedades de superfícies desses isolantes podem resultar em novos dispositivos spintronicos ou magnéticos. Além disso, em combinação com supercondutores, isolantes topológicos podem levar a uma nova arquitetura de computadores quânticos com bit que possuem propriedades topológicas. Esses isolantes já tiveram um impacto considerável em física de matéria condensada, deixando bem claro que os efeitos topológicos que foram previstos somente para as temperaturas baixas e campos magnéticos altos e podem determinar a física de materiais de sistemas macroscópicos em condições ambientais. Propomos a pesquisa de estados de isolantes topológicos e o efeito Hall quântico de spin (quantum spin Hall effect ?QSHE) em estruturas semicondutoras de HgTe/CdTe produzidas no Instituto da Física de Semicondutores, o Novosibirsk. Este sistema é caracterizado pelos efeitos de spin orbita de Rashba mais fortes (conseguindo dezenas meV e respectivamente sendo comparável com a energia de Fermi). O estudo de isolantes topológicos e o efeito Hall quântico de spin em estruturas semicondutoras de HgTe/CdTe e as colaborações entre IFUSP e Instituto da Física de Semicondutores começaram em 2007 com propostas para a FAPESP (auxílios a pesquisadores visitantes: 2007/07953-2, 2008/09212-2, 2010/10097-3). Vários trabalhos já foram publicados e submetidos (entre deles 1 Physical Review Letters) envolvendo o uso destas amostras [Ref.1-3], e vários trabalhos estão em fase de preparação. Alguns benefícios deste projeto serão: a evolução de conhecimento da Física dos sistemas nanoestruturados, o desenvolvimento das técnicas de caracterização de poços quânticos de HgTe da alta qualidade e a aplicação possível deste conhecimento (ou as suas conseqüências) em futuros dispositivos em spintronica. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Especialização: (1) / Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (2) . , Integrantes: Gennady Gusev - Integrante / Guennadii Mikhailovich Gusev - Coordenador / A A Quivy - Integrante / E C F da Silva - Integrante / Felix Guillermo Gonzalez Hernandez - Integrante / Alexandre Levine - Integrante.
2010 - 2012

Fapesp CNRS Processo 09/54772-9, Descrição: Os poços duplos (DQW), triplos (TQW) e quádruplos (QQW) são sistemas formados por dois, três e quarto poços separados por finas barreiras de potencial. O acoplamento entre os poços introduz um novo grau de liberdade quântico. Como resultado, estes sistemas permitem estudar uma variedade de fenômenos interessantes os quais não são observados em sistemas convencionais de camadas bi-dimensionais. Por exemplo, além das conhecidas oscilações Shubnikov-de Haas observadas em monocamadas com uma sub-banda ocupada quando os níveis de Landau passam consecutivamente pelo nível de Fermi, um sistema de monocamadas acopladas com duas sub-bandas ocupadas exibe oscilações adicionais magneto inter sub-banda (MIS) devido ao alinhamento dos níveis de Landau de ambos os poços com o nível de Fermi. Nesta proposta de pesquisa, planejamos realizar um estudo sistemático dos fenômenos de transporte quântico nestes sistemas incluindo medidas de novos efeitos nas oscilações, tais como oscilações na resistência induzidos por microondas, estados de resistência zero, oscilações de magneto-fônons devido à interação com fônons acústicos e novos estados coerentes no regime do efeito Hall quântico. O principal objetivo deste projeto é adquirir novo conhecimento fundamental ao respeito da influencia do grau de liberdade quântico produzido pelo acoplamento de tunelamento no fenômeno de magneto-transporte. Para ambos os grupos no Brasil e na França, alguns dos benefícios deste projeto são: a evolução no conhecimento da física fundamental relacionada, o desenvolvimento das técnicas de crescimento necessárias para produzir amostras de poços quânticos duplos, triplos e quádruplos de alta qualidade, e a possível aplicação deste conhecimento e das suas conseqüências em futuros dispositivos. De forma complementar, a continuidade da colaboração entre as duas instituições deve permitir projetos futuros em comum e a troca de conhecimento e cultura.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gennady Gusev - Coordenador / Felix Guillermo Gonzalez Hernandez - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Cooperação.
2010 - 2012

FAPESP Regular - Efeito Hall de Spin em Poços Quanticos Duplos e Largos, Descrição: O spin do elétron é um tema de intensa investigação atualmente na área da spintrônica ? uma nova e muito promissora linha de pesquisa que pode levar a importantes aplicações práticas na microeletrônica. O efeito Hall de spin é um método efetivo para variar a condução de corrente de spin num dispositivo de spin, fator chave em dispositivos spintrônicos. O objetivo principal deste projeto é o estudo do efeito Hall de spin em poços quânticos duplos de GaAs e InAs para aplicações em spintrônica. O foco principal desta proposta é a otimização da geometria da estrutura com o objetivo de aumentar a interação spin-órbita dos elétrons com a análise dos efeitos de spin em poços quânticos duplos. Este objetivo será alcançado através da realização de medidas de efeito de Kerr com resolução temporal e de transporte. Os benefícios deste projeto para o Brasil são o desenvolvimento de técnicas de crescimento necessárias para obter poços quânticos duplos de alta qualidade e a aplicação possível deste conhecimento (ou suas conseqüências) em futuros dispositivos.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gennady Gusev - Coordenador.
2009 - 2012

CNPQ/CIAM (Canadá) - 490685/2008-0 Eletrônica quântica em Poços Quânticos Semicondutores Crescidos por MBE, Descrição: Este projeto para o NSERC "Inter-American Materials Research call" esta relacionada ao desenho e planejamento de novos materias crescidos no Brasil pelo método de Epitaxia por feixe Molecular (MBE) no esforço orientado a descoberta de novas fases quânticas em poços quânticos semicondutores. Esta equipe única inclui um físico e cientista em materiais (Prof. Gusev) e um físico especializado em medições a temperaturas baixas (Prof. Gervais). Considerando a nossa experiência e habilidade, planejamos desenhar e projetar novos materiais baseados em GaAs considerando os crescidos no Brasil pelo Prof. Gusev e estudar suas propriedades quânticas por meio de medidas convencionais de transporte e com o microscópio de varredura por sonda do tipo força atômica a baixas temperaturas no laboratório do Prof. Gervais no McGill.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gennady Gusev - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2009 - 2011

FAPESP REGULAR 2008/09566-9 Fenômenos de oscilação no magnetotransporte em poços quânticos triplos, Descrição: O foco principal desta proposta é o da otimização das condições de crescimento de tais materiais e a fabricação de estruturas de poços triplos com a possibilidade de manipular o gap de tunelamento em campo elétrico e em campo magnético inclinado e a busca de novas oscilações magnéticas e efeitos quânticos. Os benefícios deste projeto para Brasil são o desenvolvimento de técnicas de crescimento necessárias para obtenção de poços quânticos triplos de alta qualidade e a aplicação possível deste conhecimento (as suas conseqüências) em futuros dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gennady Gusev - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
2009 - 2011

Projeto Universal 14/2009 processo 472278/2009-6, Descrição: O objetivo principal do projeto é o de estudar novos fenômenos de transporte em poços quânticos duplos e triplos. Poços quânticos duplos ou triplos consistem de dois ou três poços quânticos (simples) separados por barreiras de tunelamento. A quantização de Landau dos estados eletrônicos se apresentam com oscilações de várias quantidades físicas como função do campo magnético aplicado. As oscilações da magnetoresistência em sólidos pertence ao fenômeno quântico mais fundamental deste tipo. Recentemente novas oscilações magnéticas inter-subanda na resistividade linear de poços quânticos duplos foram observados e analisados em nosso laboratório [1]. Também reportamos um novo tipo de ressonância na magnetoresistência induzida por microondas, causado pela absorção de ondas eletromagnéticas a freqüências combinadas T-k khc [2]. Planejamos nesta proposta estudos sistemáticos do transporte em poços quânticos duplos e triplos na presença de tanto de campos magnéticos perpendiculares quanto paralelos; campos elétricos aplicados fracos e fortes; e aplicação de radiação de microondas. O foco principal desta proposta é o da otimização das condições de crescimento de tais materiais e a fabricação de estruturas de poços duplos e triplos com a possibilidade de manipular o gap de tunelamento em campo elétrico e em campo magnético inclinado e a busca de novos efeitos magnéticas e efeitos quânticos. Os benefícios deste projeto para Brasil são o desenvolvimento de técnicas de crescimento necessárias para obter poços quânticos duplos e triplos de alta qualidade e a aplicação possível deste conhecimento (ou suas consequências) em futuros dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gennady Gusev - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2008 - 2012

FAPESP TEMÁTICO - 2007/50968-0 Pesquisa de novos materiais envolvendo campos magnéticos intensos e baixas temperaturas, Descrição: Projeto de auxílio a pesquisa - Projeto Temático. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gennady Gusev - Integrante / NEI FERNANDES DE OLIVEIRA JR. - Coordenador / PASCOAL JOSE GIGLIO PAGLIUSO - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
2008 - 2011

USP/COFECUB - 2007.1.873.43.6 Estudo dos efeitos de spin em nanoestruturas semicondutoras: aplicações em dispositivos de spintrônica, Descrição: O objetivo geral deste projeto é o estudo dos efeitos de spin nas estruturas de Aly Gay-1 As/AlxGax-1As, tais como os poços quânticos parabólicos largos (PQW) e poços quânticos duplos, para aplicações na spintrônica. A idéia principal da computação quântica é a de substituir os bits clássicos pelo bit quântico, o qubit, que é um sistema quântico de dois níveis associado aos estados de spin up e down dos elétrons. Entretanto, a implementação prática requere o controle e a manipulação completa de cada um dos spins pela aplicação de um campo magnético estático. No entanto, isso requereria um conjunto individual de bobinas para cada spin, e cada spin deveria ser protegido dos campos dos outros spins.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gennady Gusev - Coordenador., Financiador(es): Universidade de São Paulo - Cooperação.
2006 - 2008

FAPESP/Projeto Regular nº 2005/03998-6, Descrição: CRESCIMENTO EPITAXIAL DE NOVOS MATERIAIS PARA DISPOSITIVOS SPINTRÔNICOS O objetivo deste projeto é estudar os fenômenos físicos básicos e as propriedades de estruturas de AlyGay-1As/AlxGax-1 para aplicações em spintrônica. As propriedades de spin nestes materiais dependem fortemente das composições x e y de Al. Isto abre novas possibilidades para sintetizar materiais com uma estreita diferença entre as energias de ?spin up? e ?spin down? de elétrons bidimensionais na presença de campo magnético. Esta propriedade permite a fácil manipulação do spin eletrônico através da aplicação de um campo elétrico externo. Neste projeto investigaremos os efeitos da composição de Al sobre a polarização de spin e o transporte de elétrons bidimensionais em estruturas AlyGay-1As/AlxGax-1As. Como aplicação destes resultados, construiremos um transistor de spin, uma nova geração de dispositivos eletrônicos baseados no fluxo de spin em adição ao fluxo de carga. O orçamento aqui proposto visa garantir condições satisfatórias para o andamento dos trabalhos deste projeto.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gennady Gusev - Coordenador.
2005 - 2007

CNPq/NSF - 490505/2004-0 - Estudo da interação de spin eletrônica nuclear em nanoestruturas semicondutoras: objetivo, dispositivos de memória para spintrônica, Descrição: Projeto de cooperação internacional - Edital 020/2004 - EUA - CNPq/NSF Processo nº 490505/2004-0Estudo da interação de spin eletrônica nuclear em nanoestruturas semicondutoras: objetivo, dispositivos de memória para spintrônica Título: "Valor concedido: R$38.000,00 (R$19.000,00 em 2005) Vigência: 23/05/2005 a 23/05/2007. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Gennady Gusev - Coordenador / Cliford Bowers - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Cooperação.
2003 - 2005

CNPq/CNRS - PROJETO DE COOPERACÃO INTERNACIONAL, Descrição: TRANSPORTE EM NANOESTRUTURAS COM FORTE INTERAÇÃO ELÉTRON-ELÉTRON O objetivo geral do projeto é o estudo das propriedades de transporte de nanoestruturas com forte interação elétron-elétron. A próxima geração de dispositivos semicondutores estará sem dúvida baseada nas regras da mecânica quântica e a pesquisa de fenômenos físicos básicos muito interessantes tais como, o caos quântico e a correlação elétron-elétron em esses dispositivos será necessária, para uma possível aplicação em dispositivos. Os problemas físicos e tecnológicos a serem considerados em este projeto poderão estimular o maior desenvolvimento da física de nanodispositivos no Brasil e a França.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Gennady Gusev - Coordenador / J C Portal - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Cooperação.
2003 - 2004

FAPESP/ AUXÍLIO À PESQUISA - "Transporte eletrônico em sistemas mesoscópicos", Descrição: Transporte eletrônico em sistemas mesoscópicos Agência Financiadora: FAPESP - Processo no: 2002/11210-1. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Gennady Gusev - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
2000 - 2006

CNPq/ PRONEX -, Descrição: Crescimento, Propriedades Estruturais, Óticas e de Transporte de Nanoestruturas Semicondutoras Derivadas de Compostos III-V O O tema do presente projeto é o estudo experimental e teórico de nanoestruturas semicondutoras ou sistemas de baixa dimensionalidade baseados em compostos das colunas III-V da tabela periódica. O projeto refere-se ao crescimento e estudo básico (experimental/teórico) e aplicado de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras crescidas por "Molecular Beam Epitaxy" (MBE) derivadas de GaAs/AlGaAs, GaAs/InGaAs, GaAs/AlInAs, GaN/InGaN, GaN/AlGaN e suas dopagens tipo n e p. O projeto se desenvolverá no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do Instituto de Física da USP por uma equipe de cinco professores deste Instituto em tempo integral, seis professores colaboradores, três pós-doutorandos da FAPESP, dois técnicos de laboratório de nível médio, um técnico administrativo nível superior, vinte e três estudantes de doutorado, catorze de mestrado e dezesseis de iniciação científica. Nos últimos cinco anos o LNMS formou 6 doutores, 14 mestres e publicou 88 trabalhos em revistas internacionais. Dentro do tema do projeto, a equipe do LNMS desenvolve várias linhas de pesquisa, entre elas o crescimento e preparação de amostras para a pesquisa básica e para a fabricação de dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. A parte referente à fabricação e caracterização dos dispositivos é desenvolvida em parceria com o Laboratório de Microeletrônica (LME) da Escola Politécnica da USP. As amostras são crescidas no MBE do Laboratório e são baseadas nos elementos Ga, As, Al, In e no dopante Si. Além das amostras crescidas para o desenvolvimento das linhas de pesquisa do próprio LNMS, desde 1991, são crescidas amostras para outros grupos do país.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (5) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (16) . , Integrantes: Gennady Gusev - Coordenador / A. A. Quivy - Integrante / V A Chitta - Integrante / L M R Scolfaro - Integrante / J L A Alves - Integrante / J C Galzerani - Integrante / E C F da Silva - Integrante / Y A Pusep - Integrante / E A Meneses - Integrante / A T Lino - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
1999 - 2004

FAPESP / TEMÁTICO -, Descrição: PROPRIEDADES DE TRANSPORTE DE UM GÁS DE ELÉTRONS BIDIMENSIONAL (2DEG) ACOPLADO À SISTEMA DE PONTOS QUÂNTICOS AUTO-CONSTRUIDOS. Os pontos quânticos semicondutores têm atraído muita atenção devido à sua importância tanto na física fundamental quanto na aplicação à dispositivos eletrônicos. Uma destas estruturas importantes são os pontos de dimensões nanométricas que podem ser formados por crescimento epitaxial do tipo Stranski-Krastanov. Com este processo pontos quânticos de InAs podem ser fabricados sobre um substrato de GaAs. Embora já se tenha feito estudos das propriedades ópticas do confinamento de portadores em pontos quânticos, o transporte de um 2DEG através de pontos quânticos e as propriedades dos pontos quânticos acoplados à pontos auto-construídos ainda não foram estudadas. Estas propriedades de transporte são extremamente importantes para a aplicação em dispositivos como os transistores de um elétron. Como um exemplo, através da variação da voltagem o nível de Fermi pode ser deslocado através de todo o espectro quântico em um ponto de InAs. Quando, para uma certa voltagem, o nível de Fermi está alinhado com um nível quântico de InAs haverá um fluxo de elétrons para este nível quântico. Em conseqüência, o pico de corrente pode ser observado para a voltagem correspondente. Pelo fato da energia da carga de um elétron ser importante em um ponto quântico, etse tipo de transistor é chamado de "Coulomb Blockade" ou transistor de um elétron. Por outro lado, os níveis de energia de um sistema de pontos quânticos separados por uma barreira de energia podem ser usados para governar o processo de espalhamento de um 2DEG . Os níveis de energia das impurezas não desempenham papel algum no espalhamento. Experimentalmente isso também é claro, já que usualmente o potencial caotico vem de doadores em níveis de energia substancialmente mais altos que o nível de Fermi.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Gennady Gusev - Coordenador / A. A. Quivy - Integrante / V A Chitta - Integrante / L M R Scolfaro - Integrante / E C F da Silva - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
1999 - 2002

USP/ COFECUB - PROJETO DE COOPERACÃO INTERNACIONAL "Mesoscopic transport in semiconductor dots and antidots: contribution to the alternative electronic device", Descrição: "Mesoscopic transport in semiconductor dots and antidots: contribution to the alternative electronic device". , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Gennady Gusev - Coordenador / J C Portal - Integrante., Financiador(es): Instituto de Fisica - Cooperação.
1997 - 1998

FAPESP - AUXÍLIO À PESQUISA -, Descrição: Tunneling effects in a two dimensional electron gas in the Hall insulator regime. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Gennady Gusev - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

Histórico profissional

Endereço profissional

Instituto de Fisica, Departamento de Física de Materiais e Mecânica, Laboratório de Novos Materiais Semicondutores. , Rua do Matão, travessa R/187, Butantã, 05508900 - São Paulo, SP - Brasil - Caixa-postal: 66318, Telefone: (11) 30916878, Fax: (11) 30916984, URL da Homepage:

Experiência profissional

2010 - 2012

Instituto de Física

Vínculo: Outro (especifique), Enquadramento Funcional: Professor titular, Regime: Dedicação exclusiva.

2006 - Atual

Universidade de São Paulo

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor titular, Regime: Dedicação exclusiva.

2001 - 2006

Universidade de São Paulo

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Associado, Regime: Dedicação exclusiva.

1997 - 2001

Universidade de São Paulo

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Doutor, Carga horária: 0, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

03/1997
Pesquisa e desenvolvimento, Instituto de Física, Departamento de Física dos Materiais e Mecânica.,Linhas de pesquisa
02/1997
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, introduçao e spintronica e computaçao quantica, Introduçao e nanociencia
02/1997
Ensino, Física, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Eletricidade I (IME), Eletricidade I (IF), Laboratório de Física I (Escola Politécnica), Laboratório de Física II (Escola Politécnica), Laboratório de Física II (Instituto de Química), Laboratório de Física III (Escola Politécnica), Laboratório de Física IV (Escola Politécnica), Mecânica I (IME)